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分析系統(tǒng)和方法

文檔序號(hào):6127948閱讀:316來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:分析系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及分析系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)
許多復(fù)合生化目標(biāo)要求采用互補(bǔ)多維分析工具和方法來(lái)補(bǔ)償目標(biāo)和基質(zhì)干擾。對(duì)于獲得關(guān)于目標(biāo)的可靠的定量和定性分析信息來(lái)說(shuō),正確的分析和分離是重要的。為此,分析系統(tǒng)已被用來(lái)分離各種類型的分子。這種分離已能以良好的速度和精度實(shí)現(xiàn)。最近,這種系統(tǒng)被與質(zhì)譜分析系統(tǒng)緊密耦合。液相色譜和質(zhì)譜分析系統(tǒng)的組合提供了對(duì)分子的高速理想分離和識(shí)別。
在大多情形中,研究人員和科學(xué)家使用這些技術(shù)來(lái)分離和識(shí)別。因此,希望使用極其少的試樣,因?yàn)楸碚骱妥R(shí)別通常不能再取回或者保存所分離和識(shí)別的材料。結(jié)果,大多分析系統(tǒng)和發(fā)射器(emitter)已朝著對(duì)越來(lái)越少的試樣進(jìn)行測(cè)試的方向發(fā)展。隨著這種改變,對(duì)用于分離和表征的設(shè)備的設(shè)計(jì)也改變了。例如,新的芯片或小的發(fā)射器已被開發(fā)出來(lái)用于處理和表征小試樣柱。一般而言,具有電噴霧(electrospray)發(fā)射器的小芯片已被開發(fā)出來(lái)用于表征已利用液相色譜法分離開的分子。但是,當(dāng)出現(xiàn)非常少的導(dǎo)電氣體或者非導(dǎo)電環(huán)境時(shí),發(fā)射器及其表面通常將產(chǎn)生帶電粒子的累積(buildup)。這在大氣壓下或者低于大氣壓時(shí)最常出現(xiàn)。一般而言,在存在帶電粒子的累積后,電噴霧將變得不穩(wěn)定,并且在沒(méi)有其他干預(yù)的情況下最終停止噴霧。即使利用增大到電極的電勢(shì)電壓來(lái)進(jìn)行額外的干預(yù),化學(xué)分析也可能改變被分析的離子產(chǎn)物,并且導(dǎo)致其退化和/或不正確。
因此,需要用來(lái)減少分析系統(tǒng)、芯片和發(fā)射器中的表面電荷產(chǎn)生的裝置和方法。利用本發(fā)明,解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的這些和其他問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及減少分析系統(tǒng)、芯片和/或發(fā)射器上的電荷累積的裝置和方法。
本發(fā)明提供了一種分析系統(tǒng),該分析系統(tǒng)包括分離系統(tǒng),用于分離試樣;以及液相色譜芯片,其與分離系統(tǒng)鄰近并且與分離系統(tǒng)流體相通,該液相色譜芯片包括防止液相色譜芯片上的電荷累積的材料。
本發(fā)明還提供了一種用于電噴霧的液相色譜芯片。該芯片包括入口端口、噴霧室和電噴霧發(fā)射器。入口端口與噴霧室流體相通。噴霧室與電噴霧發(fā)射器流體相通。該電噴霧發(fā)射器包括防止電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的材料或涂層。
本發(fā)明還提供了一種方法。該方法包括提供具有用來(lái)防止電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的材料的電噴霧發(fā)射器或者用防止電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的材料涂覆電噴霧發(fā)射器,并且將待分析物傳遞通過(guò)電噴霧發(fā)射器。


下面參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明圖1示出了分析系統(tǒng)的一般框圖。
圖2示出了接口槽外的LC芯片和夾持器的立體圖。
圖3示出了被插入到接口槽中的LC芯片和夾持器的立體圖。
圖4示出了本發(fā)明的LC芯片和夾持器的立體圖。
圖5示出了本發(fā)明的LC芯片涂層的橫截面圖。
圖6A示出了LC芯片的前視圖。
圖6B示出了LC芯片的后視圖。
部件列表1-分析系統(tǒng)3-分離系統(tǒng)5-接口系統(tǒng)
7-質(zhì)譜分析系統(tǒng)9-芯片接口11-離子源13-質(zhì)量分析儀15-輸運(yùn)系統(tǒng)17-探測(cè)器19-芯片槽20-LC芯片23-毛細(xì)管24-主體部分25-芯片夾持器26-尖端部分27-離子化區(qū)域30-液體入口端口31-芯片的第一端33-芯片的第二端34-導(dǎo)管35-發(fā)射器尖端37-金屬跡線39和40-配準(zhǔn)孔具體實(shí)施方式
在詳細(xì)描述本發(fā)明之前,必須注意,在說(shuō)明書和所附權(quán)利要求中所使用的單數(shù)形式包括多個(gè)指示物,除非上下文另行清楚地指明。因此,對(duì)“發(fā)射器”的引用包括多于一個(gè)“發(fā)射器”。對(duì)“疏水材料(hydrophobicmaterial)”的引用包括多于一種“疏水材料”或者“疏水材料”的混合物。在描述和要求本發(fā)明時(shí),將根據(jù)下面的定義使用下面的術(shù)語(yǔ)。
術(shù)語(yǔ)“鄰近”表示在附近、緊鄰或者貼近。某物鄰近也可以是與另一個(gè)組件接觸、圍繞其他組件、與其他組件隔開或者包含其他組件的一部分。例如,與發(fā)射器鄰近的毛細(xì)管可以與發(fā)射器緊鄰但與發(fā)射器隔開,可以與發(fā)射器接觸,可以圍繞發(fā)射器或者被發(fā)射器圍繞,可以包含發(fā)射器或者被發(fā)射器包含,可以貼近發(fā)射器或者可以在發(fā)射器附近。
術(shù)語(yǔ)“試樣”指與溶劑或者其他載體相結(jié)合的感興趣的被分析物。
術(shù)語(yǔ)“分析系統(tǒng)”指能夠分離和表征分子的任何系統(tǒng)。在某些情形中,這種系統(tǒng)可以包括(但不限于)與質(zhì)譜分析系統(tǒng)耦合的液相色譜系統(tǒng)。
術(shù)語(yǔ)“電荷累積”指正電荷或者負(fù)電荷在LC芯片的表面上累積。其可以被限制為單個(gè)電荷或者多個(gè)電荷。
術(shù)語(yǔ)“芯片接口”指能夠容納LC芯片的任何接口。該術(shù)語(yǔ)包括用于容納LC芯片的外殼(housing)和關(guān)聯(lián)部分。在某些情形或?qū)嵤├?,該設(shè)計(jì)可以包括離子源。在其他實(shí)施例中,離子源可以是獨(dú)立的。
術(shù)語(yǔ)“涂層”指在襯底或材料上添加或者沉積一層或多層。例如,LC芯片可以包括疏水材料的涂層。
術(shù)語(yǔ)“探測(cè)器”指可以探測(cè)離子的任何設(shè)備、裝置、機(jī)器、組件和系統(tǒng)。探測(cè)器可以包括硬件和軟件,也可以不包括硬件和軟件。在質(zhì)譜儀中,常見(jiàn)的探測(cè)器包括質(zhì)量分析儀和/或被耦合到質(zhì)量分析儀。
術(shù)語(yǔ)“離子源”或者“源”指產(chǎn)生待分析物離子的任何源。離子源可以包括本領(lǐng)域所知的各種離子源。一些源包括但不限于電子轟擊(EI)、化學(xué)離子化(CI)、光離子化(APPI)和基質(zhì)輔助的激光解吸離子化(MALDI)。源可以處于真空下或者處于大氣壓下,或者低于大氣壓。
術(shù)語(yǔ)“質(zhì)譜分析系統(tǒng)”指質(zhì)量分析儀、輸運(yùn)系統(tǒng)和探測(cè)器的組合。這些系統(tǒng)或組件可以以各種方式被彼此連接或者相關(guān)聯(lián)。
術(shù)語(yǔ)“在xxx上(on)”應(yīng)當(dāng)從寬解釋。例如,LC芯片上的電荷累積可以發(fā)生在LC芯片上的任何地方和/或LC芯片的表面上。在某些情形中,這可以被限制為L(zhǎng)C芯片的限定的表面,或者LC芯片的整個(gè)表面。
術(shù)語(yǔ)“分離系統(tǒng)”指能夠分離或表征分子的任何系統(tǒng)。例如,分離系統(tǒng)可以包括液相色譜系統(tǒng)和關(guān)聯(lián)部分。色譜系統(tǒng)一般包括用于分離的柱。柱可以是分析柱或者預(yù)備柱,這取決于期望的用途和分離的量。也可以采用本領(lǐng)域已知的其他系統(tǒng)。
這里參考附圖描述了本發(fā)明。附圖不是按比例繪制的,具體而言,出于圖示清楚的目的,某些尺寸可能被放大了。
圖1示出了分析系統(tǒng)1的一般框圖。分析系統(tǒng)1包括分離系統(tǒng)3、接口5和質(zhì)譜分析系統(tǒng)7。該框圖不是按比例的,而是以一般的格式繪制的,因?yàn)楸景l(fā)明可以與多種不同類型的設(shè)計(jì)和系統(tǒng)一起使用。將詳細(xì)描述每種系統(tǒng)。
分離系統(tǒng)3可以包括本領(lǐng)域已知的用于分離分子的任何數(shù)目的系統(tǒng)。通常這可以是諸如液相色譜系統(tǒng)(LC)之類的分析系統(tǒng)。但是,取決于正采用的分子的類型,也可以采用本領(lǐng)域已知的其他系統(tǒng)和方法。例如,分離系統(tǒng)3也可以包括電泳系統(tǒng)和/或裝置,等電勢(shì)聚焦系統(tǒng)和/或裝置,放射生物學(xué)或者類似類型的預(yù)備電泳系統(tǒng)和/或裝置,二維凝膠,以及本領(lǐng)域已知的用于分離分子的其他系統(tǒng)和/或裝置。圖1示出了其中采用了分析系統(tǒng)的本發(fā)明的實(shí)施例。分析系統(tǒng)可以包括高性能液相色譜(HPLC)裝備和關(guān)聯(lián)裝備。這些部分和設(shè)計(jì)是本領(lǐng)域公知的,并且因此在這里沒(méi)有更詳細(xì)地描述。
接口系統(tǒng)5插入在分離系統(tǒng)3和質(zhì)譜分析系統(tǒng)7之間。圖1示出了相對(duì)于質(zhì)譜分析系統(tǒng)7獨(dú)立配置的接口系統(tǒng)5。但是,在某些實(shí)施例中,接口系統(tǒng)5可以包括分離系統(tǒng)3或者質(zhì)譜分析系統(tǒng)7的一部分,在其他實(shí)施例中,包括分離系統(tǒng)3、接口5和質(zhì)譜分析系統(tǒng)7的每個(gè)單獨(dú)系統(tǒng)可以被結(jié)合到單個(gè)系統(tǒng)或外殼(未示出)中。因此,本設(shè)計(jì)和圖不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制本發(fā)明的寬廣范圍。
圖1-3示出了還包括芯片接口9和離子源11的接口系統(tǒng)5。芯片接口9在圖中被示為與離子源11鄰近。但是,在某些實(shí)施例中,芯片接口9和離子源11可以包括單個(gè)單元。換言之,芯片接口9和離子源11可以被設(shè)計(jì)或者放置在單個(gè)外殼中。其他實(shí)施例也是可能的。但是,對(duì)于本發(fā)明重要的是芯片接口9可以被耦合到離子源11或者其一部分。
在圖1-3中還示出了質(zhì)譜分析系統(tǒng)7。質(zhì)譜分析系統(tǒng)7包括質(zhì)量分析儀13、輸運(yùn)系統(tǒng)15和探測(cè)器17。輸運(yùn)系統(tǒng)15被用于輸送離子,并且一般被插入在質(zhì)量分析儀13和探測(cè)器17之間。但是,這不是必須的配置。質(zhì)量分析儀13用于分離離子源11產(chǎn)生的離子并確定其m/z比。
典型的質(zhì)量分析儀可以包括飛行時(shí)間(TOF)、離子阱、四極、十六極、八極、三個(gè)四極、快速飛行時(shí)間(Q-TOF)、快速原子轟擊和本領(lǐng)域已知的其他分析儀。
輸運(yùn)系統(tǒng)15可以包括本領(lǐng)域已知的任意數(shù)量的輸運(yùn)設(shè)備。一般而言,在輸運(yùn)系統(tǒng)15中也可以采用一些離子光學(xué)導(dǎo)管。輸運(yùn)系統(tǒng)15在本領(lǐng)域中是公知的,所以這里不詳細(xì)討論。
探測(cè)器17被定位在輸運(yùn)系統(tǒng)15的下游,可以包括本領(lǐng)域已知并且被使用的任何數(shù)量的探測(cè)器。一些典型的探測(cè)器可以包括光電倍增管或其他類似的技術(shù)。探測(cè)器可以被耦合到計(jì)算機(jī)和接口以用于將結(jié)果輸出到第三方用戶接口(圖中未示出)。
圖2示出了一般被關(guān)聯(lián)到質(zhì)譜分析系統(tǒng)7的接口系統(tǒng)5的立體圖。該圖示出了其中離子源11被緊密地耦合到芯片接口9的實(shí)施例。芯片接口9包括芯片槽19,芯片槽19被設(shè)計(jì)來(lái)用于容納液相色譜(LC)芯片20。LC芯片20可以被插入到芯片槽19中(參見(jiàn)圖3)。
圖3示出了在LC芯片20被插入到芯片槽19中時(shí),LC芯片20充當(dāng)離子源11的發(fā)射器。毛細(xì)管23被布置在鄰近LC芯片20的離子源11中,并且被設(shè)計(jì)來(lái)接收從LC芯片20產(chǎn)生并且發(fā)射的離子(圖中未示出)?,F(xiàn)在將給出LC芯片20的細(xì)節(jié)。
圖4示出了LC芯片20和芯片夾持器25。LC芯片20已被部分插入到芯片夾持器25中,并且被布置在其中。芯片夾持器25被設(shè)計(jì)來(lái)夾持LC芯片20并將其定位在芯片槽19中。另外,芯片夾持器25允許LC芯片20被插入芯片夾持器25中并從中抽出。這是很重要的,因?yàn)長(zhǎng)C芯片20需要被定位在鄰近毛細(xì)管或類似類型的設(shè)備的離子化區(qū)域中。這提供了離子的適當(dāng)產(chǎn)生和收集。LC芯片20在使用之后可以被從芯片接口9和芯片槽19取出,并且如果希望的話被替換。
圖5和圖6示出了LC芯片20及其關(guān)聯(lián)部分。LC芯片20已被從芯片夾持器25中取出。LC芯片20包括聚合材料,例如聚酰亞胺或者本領(lǐng)域已知的用于構(gòu)造這種結(jié)構(gòu)和裝置的其他類似類型的材料。該材料是柔性耐用的,并且能夠在該材料內(nèi)設(shè)計(jì)一個(gè)或多個(gè)通道。另外,對(duì)于構(gòu)造微流體通道和設(shè)計(jì),這種材料由于其耐用性和強(qiáng)度,即使利用非常小的橫截面的片段也是理想的。LC芯片20包括主體部分24和尖端部分26。LC芯片還具有第一端31和與第一端31相對(duì)的第二端33。一般來(lái)說(shuō),在第二端33處,LC芯片20包括一個(gè)或多個(gè)液體入口端口30。這些入口端口30被設(shè)計(jì)用于接收一種或多種流體,這些流體將被導(dǎo)向一個(gè)或多個(gè)通道34。這些通道可以與一個(gè)或多個(gè)切換閥或捕獲柱(trapping column)流體相通。切換閥28可以被用來(lái)在沖洗或試樣輸入之間切換。捕獲柱可以被用來(lái)從液體流中移除雜質(zhì)或其他類似類型的材料。噴霧室34沿LC芯片20的長(zhǎng)度延伸,并且在發(fā)射器尖端35處開口。LC芯片20還可以包括一個(gè)或多個(gè)配準(zhǔn)孔39和40,這些配準(zhǔn)孔用來(lái)固定和對(duì)準(zhǔn)芯片夾持器25中的LC芯片20(參見(jiàn)圖4)。LC芯片20還包括一條或多條金屬跡線37,金屬跡線37從LC芯片20的第一端31離開,并且連接到發(fā)射器尖端35。金屬跡線37連接到一個(gè)或多個(gè)電接觸點(diǎn)。
對(duì)于本發(fā)明重要的是發(fā)射器尖端35。發(fā)射器尖端35可以包括疏水材料或者用疏水材料涂覆。發(fā)射器尖端35一般從正從發(fā)射器尖端35噴霧或者發(fā)射的離子獲得電荷??梢圆捎靡粋€(gè)或多個(gè)發(fā)射器尖端35。附圖示出了其中僅采用了一個(gè)發(fā)射器尖端35的實(shí)施例。
在已詳細(xì)討論了本發(fā)明的裝置之后,下面描述本發(fā)明的操作。
在LC芯片20已被插入到芯片接口9上的芯片槽19中后,該儀器就準(zhǔn)備就緒可以操作了。LC芯片20隨后一般利用一個(gè)或多個(gè)夾板(圖中未示出)和配準(zhǔn)孔39和40被固定。接下來(lái),芯片接口9一般激活以使發(fā)射器尖端35降低,并且將其滑動(dòng)放置到離子化區(qū)域27(未示出)中。當(dāng)LC芯片20完成操作或者完成其任務(wù)后,芯片尖端35可以被從離子化區(qū)域27縮回到芯片夾持器25中。下面詳細(xì)描述LC芯片20。
試樣一般通過(guò)一個(gè)或多個(gè)輸入端口30被提供到LC芯片20。切換閥可以被用來(lái)在試樣源以及沖洗或緩沖線之間切換。試樣隨后被導(dǎo)入到捕獲柱,隨后導(dǎo)入到通道。試樣隨后通過(guò)通道到達(dá)發(fā)射器尖端35,在發(fā)射器尖端35處試樣被放電。在LC芯片20操作期間,由于離子放電而產(chǎn)生的電荷一般將在LC芯片20的表面上集中。這是因?yàn)長(zhǎng)C芯片20一般被維持在地電勢(shì),而毛細(xì)管被維持在某一電勢(shì)處。毛細(xì)管和地之間的電壓約為120V。具體而言,LC芯片20的表面上最大電荷收集區(qū)域接近發(fā)射器尖端35。疏水材料可以包括發(fā)射器尖端35和/或整個(gè)LC芯片20上的涂層,或者可以被應(yīng)用作為發(fā)射器尖端35和/或整個(gè)LC芯片20上的涂層。這防止了LC芯片20表面上的電荷累積。對(duì)于儀器和LC芯片的正確操作,防止電荷累積是很重要的。添加的電荷干擾離子噴霧,并且通常發(fā)射器尖端35在電荷累積期間變?yōu)楸浑x子阻塞或抑止。因此,該問(wèn)題對(duì)整個(gè)儀器操作、以及儀器的輸出和靈敏度帶來(lái)了不利的影響。
發(fā)射器尖端35可以包括疏水材料,或者被用疏水材料涂覆。如上所述,這些疏水材料允許改進(jìn)儀器操作。它們防止了LC芯片20的表面上的電荷累積。在已從發(fā)射器尖端35噴霧了離子后,這些離子被毛細(xì)管23收集,并且隨后被傳遞到還在系統(tǒng)下游的探測(cè)器17上。
權(quán)利要求
1.一種分析系統(tǒng),包括(a)分離系統(tǒng),用于分離試樣,以及(b)液相色譜芯片,其與所述分離系統(tǒng)鄰近并且與所述分離系統(tǒng)流體相通,并且包括防止所述液相色譜芯片上的電荷累積的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述分離系統(tǒng)包括分析柱。
3.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述液相色譜芯片包括防止所述液相色譜芯片上的電荷累積的涂層。
4.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述液相色譜芯片包括防止所述液相色譜芯片上的電荷累積的金屬。
5.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述液相色譜芯片包括防止所述液相色譜芯片上的電荷累積的金屬涂層。
6.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述液相色譜芯片可以工作在大氣壓下。
7.如權(quán)利要求1所述的分析系統(tǒng),其中,所述液相色譜芯片可以工作在低于大氣壓下。
8.一種用于電噴霧的液相色譜芯片,包括入口端口、噴霧室和具有電噴霧發(fā)射器表面的電噴霧發(fā)射器,其中所述入口端口與所述噴霧室流體相通,所述噴霧室與所述電噴霧發(fā)射器流體相通,并且所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器表面上的電荷累積的材料。
9.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器表面上的電荷累積的疏水材料。
10.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器表面上的電荷累積的疏水涂層。
11.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器表面上的電荷累積的金屬材料。
12.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器表面上的電荷累積的金屬涂層。
13.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述液相色譜芯片可以工作在大氣壓下。
14.如權(quán)利要求8所述的用于電噴霧的液相色譜芯片,其中,所述液相色譜芯片可以工作在低于大氣壓下。
15.一種用于防止電荷累積的電噴霧發(fā)射器,包括(a)主體部分;以及(b)與所述主體部分相關(guān)聯(lián)的尖端部分,所述尖端部分包括防止所述電噴霧發(fā)射器的尖端部分上的電荷累積的金屬涂層。
16.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器的尖端部分上的電荷累積的疏水材料。
17.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器的尖端部分上的電荷累積的疏水涂層。
18.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器的尖端部分上的電荷累積的金屬材料。
19.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器包括防止所述電噴霧發(fā)射器的尖端部分上的電荷累積的金屬涂層。
20.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器可以工作在大氣壓下。
21.如權(quán)利要求15所述的電噴霧發(fā)射器,其中,所述電噴霧發(fā)射器可以工作在低于大氣壓下。
22.一種用于防止液相色譜芯片的電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的方法,包括(a)利用疏水材料涂覆所述電噴霧發(fā)射器;以及(b)將分子傳遞通過(guò)所述電噴霧發(fā)射器。
23.一種用于防止液相色譜芯片的電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的方法,包括(a)利用金屬材料涂覆所述電噴霧發(fā)射器;以及(b)將分子傳遞通過(guò)所述電噴霧發(fā)射器。
24.一種用于從液相色譜芯片的電噴霧發(fā)射器電噴霧的方法,包括(a)利用防止所述電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的材料涂覆所述電噴霧發(fā)射器;以及(b)將待分析物傳遞通過(guò)所述電噴霧發(fā)射器。
25.一種用于從液相色譜芯片的電噴霧發(fā)射器電噴霧的方法,包括(a)利用防止所述電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的金屬材料涂覆所述電噴霧發(fā)射器;以及(b)將待分析物傳遞通過(guò)所述電噴霧發(fā)射器。
26.一種用于從液相色譜芯片的電噴霧發(fā)射器電噴霧的方法,包括(a)為電噴霧發(fā)射器提供防止所述電噴霧發(fā)射器上的電荷累積的疏水材料;以及(b)將待分析物傳遞通過(guò)所述電噴霧發(fā)射器。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有分離系統(tǒng)和液相色譜芯片的分析系統(tǒng)。液相色譜芯片具有發(fā)射器,該發(fā)射器包括防止發(fā)射器表面上的電荷累積的材料。本發(fā)明還公開了使用該分析系統(tǒng)的方法、芯片和發(fā)射器。
文檔編號(hào)G01N33/50GK101042373SQ20071008826
公開日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2007年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月24日
發(fā)明者保羅·C·古得勒, 貝恩德·革萊特茨 申請(qǐng)人:安捷倫科技有限公司
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