受到破壞；同時，其可通過壓膜片兩側(cè)的曲面槽體為過 壓膜片的形變提高空間，以進一步確保過壓膜片對傳感器芯片的保護作用。
[0022] 所述傳感器殼體中設(shè)置有傳感器接口9,其設(shè)置于傳感器正壓腔1的上端面之上； 所述傳感器接口9采用中空結(jié)構(gòu)，其外壁之上設(shè)置有用于與相關(guān)儀器儀表進行連接的外螺 紋，傳感器接口9與傳感器正壓腔1的連接端面的內(nèi)部設(shè)置有芯片硅膜盒10,所述單晶硅傳 感器芯片3設(shè)置于芯片硅膜盒10的下端面，且其固定連接于芯片硅膜盒10之上。
[0023] 所述芯片硅膜盒10的下端面中，傳感器芯片3的對應(yīng)位置設(shè)置立方形空間，該立 方形空間的上端面與芯片硅膜盒10的底端面重合，所述傳感器芯片3設(shè)置于該空間內(nèi)，且 其底端面正對立方形空間的底端面；所述傳感器殼體中，第一通油孔4由傳感器正壓腔1的 端面，經(jīng)由傳感器正壓腔1的內(nèi)部延伸至立方形空間的底端面，第二通油孔5由傳感器負壓 腔的端面經(jīng)由芯片硅膜盒10延伸至傳感器芯片3的上端面。
[0024] 采用上述設(shè)計，其可通過傳感器接口的設(shè)置，以便于傳感器與相關(guān)儀器儀表的連 接，從而改善了傳感器在實際測量過程中的安裝效率；同時，上述技術(shù)方案通過芯片硅膜盒 實現(xiàn)傳感器芯片的安裝，硅膜材質(zhì)亦可適于第二通油孔、充油管道、以及電性接口的安裝與 布局，從而使得傳感器內(nèi)部可實現(xiàn)更為便捷的安裝與調(diào)試。
[0025] 所述傳感器殼體中設(shè)置有，由傳感器殼體外部分別連通至第一通油孔4與第二通 油孔5的充油管道6 ;所述單晶硅傳感器芯片3連接有延伸至傳感器殼體外部的電性接口 7;所述傳感器殼體中包含有2根充油管道6,其均由傳感器接口9的外部，朝向芯片硅膜盒 10進行延伸，其中一根充油管道6延伸至立方形空間內(nèi)部，以與第一通油孔相連通，另一根 充油管道6與第二通油孔于芯片硅膜盒10內(nèi)部的部分彼此連接。所述電性接口7均由傳 感器芯片3經(jīng)由芯片硅膜盒10延伸至傳感器接口9的外部，其即可通過連接電源裝置以對 傳感器芯片提供穩(wěn)定電壓，又可將傳感器芯片的輸出電流傳遞至相應(yīng)的儀器儀表之中。
[0026] 上述高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器在工作過程中，需通過充油管道向傳感器殼體內(nèi) 部注入硅油，使得傳感器殼體內(nèi)的各個通油孔內(nèi)充滿用于傳導(dǎo)壓力的硅油；在實際測量過 程中，通過將傳感器殼體浸入被測介質(zhì)內(nèi)，以使得被測介質(zhì)對傳感器正壓腔形成正壓力，并 對傳感器負壓腔形成負壓力；正壓力通過第一通油孔內(nèi)的硅油無損傳遞至傳感器芯片的下 端面，負壓力通過第二通油孔內(nèi)的硅油無損傳遞至傳感器芯片的上端面，傳感器芯片在正 負壓力的作用下會發(fā)生微小的形變，從而導(dǎo)致芯片內(nèi)部的橋路電阻的阻值發(fā)生變化，進而 導(dǎo)致其產(chǎn)生的電流輸出隨之發(fā)生變化，以測量出傳感器兩端的壓力差。
[0027] 采用上述技術(shù)方案的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其可通過硅油進行壓力的無損 傳遞，以實現(xiàn)對壓力差的精確測量，從而有效改善了壓差傳感器的靜壓性能，進而使得上述 壓差傳感器的工作穩(wěn)定性得以提高；同時，通過設(shè)置在傳感器正壓腔與傳感器負壓腔之間 的過壓膜片可有效改善上述壓差傳感器的過壓性能，使得其可適用于更為復(fù)雜的工況。
[0028] 實施例2
[0029] 作為本發(fā)明的一種改進，所述傳感器殼體內(nèi)部設(shè)置有過壓膜片模塊12,其設(shè)置于 負壓腔嵌入槽8的底端面之上，所述過壓膜片11設(shè)置于過壓膜片模塊12中，背離負壓腔嵌 入槽8的底端面一側(cè)的端面之上。采用上述設(shè)計，其通過過壓膜片模塊的設(shè)置，使得過壓膜 片于傳感器殼體內(nèi)部的安裝的便捷性得以提高，并可改善其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
[0030] 本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。
[0031] 實施例3
[0032] 作為本發(fā)明的一種改進，所述第二支管51之中連接有過壓保護支管13,其由第二 支管51位于過壓膜片模塊12內(nèi)部的相應(yīng)側(cè)端面，延伸至過壓膜片模塊12的側(cè)端面之上。
[0033] 本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例2相同。
[0034] 本實施例中的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其與傳統(tǒng)的壓差傳感器相較之下的穩(wěn) 定性相關(guān)參數(shù)如下表所示：
[0035]
【主權(quán)項】
1. 一種高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器包 括有傳感器殼體，所述傳感器殼體包括有傳感器正壓腔，傳感器負壓腔，以及設(shè)置于傳感器 殼體內(nèi)部的單晶硅傳感器芯片； 所述傳感器正壓腔中設(shè)置有由其端面連通至單晶硅傳感器芯片下端面的第一通油孔， 所述傳感器負壓腔中設(shè)置有由其端面連通至單晶硅傳感器芯片上端面的第二通油孔；所 述傳感器殼體中設(shè)置有，由傳感器殼體外部分別連通至第一通油孔與第二通油孔的充油管 道；所述單晶硅傳感器芯片連接有延伸至傳感器殼體外部的電性接口。
2. 按照權(quán)利要求1所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述傳感器正壓 腔與傳感器負極腔的相對端面設(shè)置有過壓膜片，所述第一通油孔中包括有朝向過壓膜片延 伸的第一支管，所述第二通油孔中包括有朝向過壓膜片延伸的第二支管，第一支管、第二支 管均與過壓膜片相互導(dǎo)通。
3. 按照權(quán)利要求2所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述過壓膜片相 對于第一支管、第二支管的端面分別設(shè)置有朝向第一支管、第二支管彎曲的曲面槽體，所述 第一支管與第二支管相對于過壓膜片的端部分別位于其所對應(yīng)的曲面槽體的底端面。
4. 按照權(quán)利要求2或3所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述傳感器正 壓腔中設(shè)置有負壓腔嵌入槽，所述傳感器負壓腔嵌入安裝于負壓腔嵌入槽之中。
5. 按照權(quán)利要求4所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述傳感器殼體 內(nèi)部設(shè)置有過壓膜片模塊，其設(shè)置于負壓腔嵌入槽的底端面之上，所述過壓膜片設(shè)置于過 壓膜片模塊中，背離負壓腔嵌入槽的底端面一側(cè)的端面之上。
6. 按照權(quán)利要求5所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述第二支管之 中連接有過壓保護支管，其由第二支管位于過壓膜片模塊內(nèi)部的相應(yīng)側(cè)端面，延伸至過壓 膜片模塊的側(cè)端面之上。
7. 按照權(quán)利要求1所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所述傳感器殼體 中設(shè)置有傳感器接口，其設(shè)置于傳感器正壓腔的上端面之上；所述傳感器接口與傳感器正 壓腔的連接端面的內(nèi)部設(shè)置有芯片硅膜盒，所述單晶硅傳感器芯片設(shè)置于芯片硅膜盒的下 端面，且其固定連接于芯片硅膜盒之上；所述第二通油孔由芯片硅膜盒內(nèi)部延伸至單晶硅 傳感器芯片的上端面。
8. 按照權(quán)利要求1至3任意一項所述的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其特征在于，所 述傳感器正壓腔與傳感器負壓腔中，其位于傳感器殼體外部的端面之上均設(shè)置有隔離波紋 片，所述隔離波紋片由多個同心圓構(gòu)成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，所述高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器包括有傳感器殼體，所述傳感器殼體包括有傳感器正壓腔，傳感器負壓腔，以及設(shè)置于傳感器殼體內(nèi)部的傳感器芯片；傳感器正壓腔中設(shè)置連通至傳感器芯片下端面的第一通油孔，傳感器負壓腔中設(shè)置有連通至傳感器芯片上端面的第二通油孔；所述傳感器殼體中設(shè)置有，由傳感器殼體外部分別連通至第一通油孔與第二通油孔的充油管道；所述傳感器芯片連接有電性接口；采用上述技術(shù)方案的高穩(wěn)定性單晶硅壓差傳感器，其可通過硅油進行壓力的無損傳遞，以實現(xiàn)對壓力差的精確測量，從而有效改善了壓差傳感器的靜壓性能，進而使得上述壓差傳感器的工作穩(wěn)定性得以提高。
【IPC分類】G01L13-06
【公開號】CN204535913
【申請?zhí)枴緾N201520224594
【發(fā)明人】牟恒
【申請人】江蘇德爾森傳感器科技有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年4月15日