存儲器的測試裝置和測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的測試裝置和測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在對靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM, SRAM)進行讀取時，SRAM的存儲單元能夠提供的電流大小表征了對這個存儲單元的讀取的難易程度。SRAM的存儲單元能夠提供的電流越大，則讀取成功的可能性越高，反之讀取就越容易失敗。
[0003]在SRAM的測試電路中，測試存儲單元的電流大小并對存儲單元的電流大小做出統(tǒng)計，能夠幫助SRAM芯片的設(shè)計者和生產(chǎn)者快速判斷工藝制程的好壞，進而對生產(chǎn)工藝或設(shè)計做出改進.
[0004]現(xiàn)今，專用集成電路(Applicat1nSpecific Integrated Circuit, ASIC)設(shè)計中SRAM的容量以兆比特計，即一顆SRAM芯片中可能存在幾百甚至上千萬的存儲單元。由于外部測試設(shè)備速度較慢，利用外部設(shè)備對所有存儲單元的電流進行測試并做出統(tǒng)計將耗費相當(dāng)長的時間，效率極低，且不具有實際可行性。而如果隨機挑選若干存儲單元進行測試，則統(tǒng)計的結(jié)果將存在很大的誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有存儲器的測試方法效率較低或誤差較大。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種存儲器的測試裝置，所述存儲器包括存儲單元和與所述存儲單元連接的位線，所述存儲器的測試裝置還包括:比較單元，所述比較單元和位線一一對應(yīng)連接，所述比較單元包括至少兩個電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端連接位線，所述電壓比較器的第二輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓，位于同一個比較單元中的電壓比較器的第二輸入端輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同。
[0007]可選的，所述電壓比較器為電壓感應(yīng)放大器。
[0008]可選的，所述存儲器的測試裝置還包括:編碼器，所述編碼器與所述比較單元一一對應(yīng)連接，所述比較單元中的電壓比較器的輸出端連接所述編碼器的輸入端。
[0009]可選的，所述比較單元的數(shù)量為至少兩個，所述至少兩個比較單元的結(jié)構(gòu)相同。
[0010]本發(fā)明還提供一種存儲器的測試方法，所述存儲器包括存儲單元和與所述存儲單元連接的位線，所述存儲器的測試方法包括:
[0011]激活需測試的存儲單元，同一次激活的存儲單元連接不同的位線；
[0012]存儲單元被激活后，獲得被激活的存儲單元在預(yù)定時刻對應(yīng)的第一數(shù)字編碼，所述第一數(shù)字編碼表征在預(yù)定時刻所述被激活的存儲單元連接的位線上的電壓值與至少兩個基準(zhǔn)電壓值的比較結(jié)果，所述至少兩個基準(zhǔn)電壓值不相同；
[0013]測量與不同的第一數(shù)字編碼對應(yīng)的存儲單元連接的位線上的電流值以獲得存儲單兀和電流值的對應(yīng)關(guān)系。
[0014]可選的，所述存儲器的測試方法還包括:將第一數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字編碼，所述第二數(shù)字編碼的位數(shù)小于第一數(shù)字編碼。
[0015]可選的，所述存儲器的測試方法還包括:基于所述存儲單元和電流值的對應(yīng)關(guān)系計算全部需測試的存儲單元對應(yīng)的電流值的平均值及方差。
[0016]可選的，所述存儲器的測試方法還包括:基于所述存儲單元和電流值的對應(yīng)關(guān)系獲得不同電流值對應(yīng)的需測試的存儲單元數(shù)量。
[0017]可選的，獲得全部需測試的存儲單元對應(yīng)的第一數(shù)字編碼之后，執(zhí)行所述測量與不同的第一數(shù)字編碼對應(yīng)的存儲單元連接的位線上的電流值以獲得存儲單元和電流值的對應(yīng)關(guān)系的步驟。
[0018]可選的，所述需測試的存儲單元分多次進行激活，在第一次激活并獲得第一數(shù)字編碼之后，或者在激活并獲得的第一數(shù)字編碼與前一次激活并獲得的第一數(shù)字編碼不相同時，執(zhí)行所述測量與不同的第一數(shù)字編碼對應(yīng)的存儲單元連接的位線上的電流值以獲得存儲單兀和電流值的對應(yīng)關(guān)系。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案對數(shù)量較多的存儲單元進行測試，并且無需執(zhí)行較多次數(shù)的測量操作，從而降低了測量的誤差，效率也較高。
【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明存儲器的測試裝置的一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明存儲器的測試裝置的另一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明存儲器的測試裝置的又一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是本發(fā)明存儲器的測試方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。
[0025]本發(fā)明實施例提供一種存儲器的測試裝置，所述存儲器包括:存儲單元和與所述存儲單元連接的位線，所述存儲器的測試裝置還包括:比較單元，所述比較單元和位線一一對應(yīng)連接，所述比較單元包括至少兩個電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端連接位線，所述電壓比較器的第二輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓，位于同一個比較單元中的電壓比較器的第二輸入端輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同。在同一個比較單元中的電壓比較器的使能信號端可以接收同一個使能信號，即同一個比較單元中的電壓比較器同時工作或同時停止工作。
[0026]如圖1所示，存儲器包括位線BL，所述存儲器的測試裝置包括與位線BL對應(yīng)連接的比較單元1，比較單元1包括η個電壓比較器。所述η個電壓比較器的第一輸入端均連接與比較單元1連接的位線BL，第二輸入端分別輸入電壓值不同的基準(zhǔn)電壓。所述存儲器的測試裝置還可以包括電容C，所述電容C的第一端連接位線BL，第二端接地。所述電壓比較器可以為電壓感應(yīng)放大器。
[0027]具體的，所述η個電壓比較器包括:第1個電壓比較器SA1、第2個電壓比較器SA2、第3個電壓比較器SA3...第η個電壓比較器SAn。
[0028]第1個電壓比較器SA1的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第1個基準(zhǔn)電壓VREF1 ;第2個電壓比較器SA2的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第2個基準(zhǔn)電壓VREF2 ;第3個電壓比較器SA3的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第3個基準(zhǔn)電壓VREF3 ；……第η個電壓比較器SAn的第一輸入端連接位線BL，第二輸入端適于輸入第η個基準(zhǔn)電壓VREFn。其中，第1個基準(zhǔn)電壓VREF1、第2個基準(zhǔn)電壓VREF2、第3個基準(zhǔn)電壓VREF3……第η個基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值均不相同。
[0029]電壓比較器可以根據(jù)位線BL上的電壓值和基準(zhǔn)電壓值之間的比較結(jié)果輸出數(shù)字編碼0或1。例如，位線BL上的電壓值大于基準(zhǔn)電壓值時輸出數(shù)字編碼1，位線BL上的電壓值小于基準(zhǔn)電壓值時輸出數(shù)字編碼0。第1個電壓比較器SA1輸出數(shù)字編碼D1、第2個電壓比較器SA2輸出數(shù)字編碼D2、第3個電壓比較器SA3輸出數(shù)字編碼D3…第η個電壓比較器SAn輸出數(shù)字編碼Dn。由于第1個電壓比較器SA1至第η個電壓比較器SAn輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同，所以，輸出的數(shù)字編碼D1至Dn可能會有所不同，每個數(shù)字編碼代表位線BL上的電壓值與一個基準(zhǔn)電壓值的比較結(jié)果。
[0030]在比較單元1中，η個電壓比較器可以按照預(yù)定順序進行排列，所述預(yù)定順序與輸入所述電壓比較器的基準(zhǔn)電壓值相關(guān)。假設(shè)，第1個基準(zhǔn)電壓VREF1至第η個基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值逐漸增大，即第1個基準(zhǔn)電壓VREF1的電壓值最小，第η個基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值最大，則電壓比較器可以按照輸入的基準(zhǔn)電壓值大小進行排序，輸入第1個基準(zhǔn)電壓VREF1的電壓比較器SA1排在第1位，輸入第2個基準(zhǔn)電壓VREF2的電壓比較器SA2排在第2位，輸入第3個基準(zhǔn)電壓VREF3的電壓比較器SA3排在第3位……輸入第η個基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓比較器SAn排在第η位。第1個基準(zhǔn)電壓VREF1至第η個基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值可以為等差數(shù)列。
[0031]存儲器可以包括多個位線和與其一一對應(yīng)的比較單元。例如，如圖2所示，存儲器包括呈2行3列排布的6個存儲單元和3條位線。其中，存儲單元11和存儲單元21連接第1條位線BL1，存儲單元12和存儲單元22連接第2條位線BL2，存儲單元13和存儲單元23連接第3條位線BL3。與該存儲器相對應(yīng)的，所述存儲器的測試裝置包括:與第1條位線BL1連