Sram測試鍵、測試裝置以及sram測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，尤其涉及一種SRAM測試鍵、測試裝置以及SRAM測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為揮發(fā)性存儲器中的一種，具有高速度、低功耗以及與標準工藝相兼容等優(yōu)點，廣泛應用于PC、智能卡、數(shù)碼相機、多媒體播放器等領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的SRAM單元通常為6T或8T結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有常見6T結(jié)構(gòu)的SRAM單元通常包括存儲單元和兩個讀寫單元。其中存儲單元包括兩個上拉晶體管和兩個下拉晶體管，兩個上拉晶體管與字線相連，兩個下拉晶體管與地線相連，存儲單元有兩個存儲節(jié)點和兩個打開節(jié)點，用于存儲1或0信號；兩個讀寫單元為兩個傳輸晶體管，每個傳輸晶體管一端與存儲單元的一個存儲節(jié)點和一個打開節(jié)點相連，另一端與位線相連，用于對存儲單元進行讀寫操作。
[0004]在SRAM單元中，SRAM單元中位線對地電容或地線對地電容能夠反映SRAM單元的讀寫速度。
[0005]由于單個SRAM單元的位線對地電容或地線對地電容很小，一般會同時測量多個并聯(lián)的SRAM單元的位線對地電容或地線對地電容?，F(xiàn)有技術(shù)一般采用電橋電容測量法測量位線對地電容或地線對地電容。
[0006]參考圖1，示出了一種采用電橋電容測量法測量位線對地電容方法的示意圖。在測量位線對地電容時，將電橋電容測量儀01的第一端口 02與多個并聯(lián)的SRAM單元03的位線集合04電連接，第二端口 05與多個并聯(lián)的SRAM單元的除去位線集合外的其他數(shù)據(jù)節(jié)點06電連接，利用電橋平衡的原理測量位線對地電容。
[0007]但是采用電橋電容測量法測試電容很難避免漏電流的影響，精度較差，并且每次使用電橋電容測量儀測量前都需要校準，測量速度較慢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明解決的問題是提供一種SRAM測試鍵、測試裝置以及SRAM測試方法，提高SRAM單元電容測量速度和精度，進而提高生產(chǎn)效率，并提高SRAM單元的質(zhì)量。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種SRAM測試鍵，包括:
[0010]多個SRAM單元,所述多個SRAM單元包括多個數(shù)據(jù)節(jié)點,所述數(shù)據(jù)節(jié)點包括字線和位線；
[0011]第一節(jié)點,與多個SRAM單元的字線或位線電連接；
[0012]第二節(jié)點，與多個SRAM單元的其他數(shù)據(jù)節(jié)點電連接，并與公共電壓電源電連接，所述第二節(jié)點和第一節(jié)點之間形成測試電容；
[0013]第一晶體管，源極與工作電壓電源電連接，漏極與所述第一節(jié)點電連接；
[0014]第二晶體管，源極與所述第一節(jié)點電連接，漏極與第二節(jié)點電連接；
[0015]所述第一晶體管打開第二晶體管關(guān)閉時用于對所述測試電容充電；所述第二晶體管打開第一晶體管關(guān)閉時用于對所述測試電容放電。
[0016]可選的，SRAM測試鍵還包括:
[0017]從所述第二節(jié)點引出的第一端子，用于實現(xiàn)第二節(jié)點與公共電壓電源的電連接；
[0018]從所述第一晶體管源極引出的第二端子，用于實現(xiàn)所述第一晶體管的源極與工作電壓電源電連接；
[0019]從所述第一晶體管柵極引出的第三端子，用于加載控制所述第一晶體管打開或關(guān)閉的信號；
[0020]從所述第二晶體管柵極引出的第四端子，用于加載控制所述第二晶體管打開或關(guān)閉的信號。
[0021]可選的，所述第一節(jié)點與多個SRAM單元的字線相連，所述其他數(shù)據(jù)節(jié)點包括多個SRAM單元的P阱、N阱、多個SRAM單元的工作電壓節(jié)點以及多個SRAM單元的位線。
[0022]可選的，所述第一節(jié)點與多個SRAM單元的位線相連，所述其他數(shù)據(jù)節(jié)點包括多個SRAM單元的P阱、N阱、多個SRAM單元的工作電壓節(jié)點以及多個SRAM單元的字線。
[0023]可選的，所述第一晶體管為P型晶體管，所述第二晶體管為N型晶體管。
[0024]本發(fā)明還提供一種測試裝置，用于對本發(fā)明提供的SRAM測試鍵進行測試，所述測試裝置包括:
[0025]控制單元，與所述第一晶體管和第二晶體管的柵極相連，用于控制第一晶體管和第二晶體管的開關(guān)狀態(tài)；
[0026]電流計，用于測量所述SRAM測試鍵中經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流；
[0027]計算單元，用于根據(jù)經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流值除以單位時間內(nèi)充放電的次數(shù)，得到每次充放電中充入測試電容的電荷量，還用于根據(jù)第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的電壓差以及每次充放電中充入測試電容的電荷量，得到測試電容的電容值。
[0028]可選的，所述電流計串聯(lián)在第一晶體管的源極和工作電壓電源之間。
[0029]可選的，所述控制單元用于向第一晶體管柵極提供第一脈沖電壓，使第一晶體管的打開和關(guān)閉呈周期性變化，所述控制單元還用于向第二晶體管提供為第二脈沖電壓，使第二晶體管的打開和關(guān)閉成周期性變化。
[0030]可選的，所述第一脈沖電壓和第二脈沖電壓的脈沖周期相等。
[0031]可選的，所述測試鍵中的第一晶體為P型晶體管，第二晶體管為N型晶體管；
[0032]所述第一脈沖電壓包括交替進行的第一高電平時間和第一低電平時間，在第一高電平時間內(nèi)，第一晶體管關(guān)閉，在第一低電平時間內(nèi)，第一晶體管打開；
[0033]所述第二脈沖電壓包括交替進行的第二高電平時間和第二低電平時間，在第二高電平時間內(nèi)，第二晶體管打開，在第二低電平時間內(nèi)，第二晶體管關(guān)閉。
[0034]可選的，所述第一脈沖電壓的周期與所述第二脈沖電壓的周期相同，并且，所述第二高電平時間與所述第一高電平時間相交疊且第二高電平時間小于第一高電平時間，所述第二低電平時間與所述第一低電平時間相交疊且第二低電平時間大于第一低電平時間。
[0035]可選的，在第一脈沖電壓進入第一高電平時間之后，第二脈沖電壓保持在第二低電平時間達第一延遲時間，在第一延遲時間之后第二脈沖電壓再進入第二高電平時間。
[0036]可選的，在第二脈沖電壓進入第二低電平時間之后，第一脈沖電壓保持在第一高電平時間達第二延遲時間，在第二延遲時間之后第一脈沖電壓再進入第一低電平時間。
[0037]可選的，所述第一延遲時間的長度為第一高電平時間的十分之一，所述第二延遲時間的長度為第一高電平時間的十分之一。
[0038]本發(fā)明還提供一種SRAM測試方法，包括:
[0039]提供本發(fā)明所提供的SRAM測試鍵；
[0040]打開第一晶體管，關(guān)閉第二晶體管，使第一節(jié)點和第二節(jié)點之間形成的測試電容充電；
[0041]關(guān)閉第一晶體管，打開第二晶體管，使所述測試電容放電；
[0042]在充放電過程之后，將經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流值除以單位時間內(nèi)充放電的次數(shù)，得到每次充放電中充入測試電容的電荷量，再根據(jù)第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的電壓差以及每次充放電中充入測試電容的電荷量，得到測試電容的電容值。
[0043]可選的，打開和關(guān)閉第一晶體管的呈周期性變化，打開和關(guān)閉第二晶體管呈周期性變化。
[0044]可選的，打開和關(guān)閉第一晶體管的周期與打開和關(guān)閉第二晶體管的周期相等。
[0045]可選的，在第一晶體管進入關(guān)閉狀態(tài)之后，使第二晶體管保持在關(guān)閉狀態(tài)達第一延遲時間，在第一延遲時間之后使第二晶體管再進入打開狀態(tài)。
[0046]可選的，在第二晶體管進入關(guān)閉狀態(tài)之后，使第一晶體管保持在關(guān)閉狀態(tài)達第二延遲時間，在第二延遲時間之后使第一晶體管再進入打開狀態(tài)。
[0047]可選的，得到每次充放電中充入測試電容的電荷量步驟包括:
[0048]多次對測試電容進行充放電，以實現(xiàn)第一充放電的步驟之后，測量流過經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流，得到第一電流值；多次對測試電容進行充放電，以實現(xiàn)第二充放電的步驟之后，測量流過經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流，得到第二電流值；第一充放電的過程中單位時間內(nèi)進行測試電容的充放電次數(shù)為第一頻率；第二充放電的過程中單位時間內(nèi)進行測試電容的充放電次數(shù)為第二頻率，所述第一頻率大于第二頻率；
[0049]將第一電流值和第二電流值之差除以第一頻率與第二頻率之差，得到每次充入測試電容的電荷量。
[0050]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0051]對本發(fā)明