專利名稱：陣列基片及其制造方法和具有此陣列基片的液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基片，一種制造陣列基片的方法以及一種具有此陣列基片的液晶顯示面板。更具體地說，本發(fā)明涉及一種具有減少的像素缺陷的陣列基片，一種制造這種基片的方法以及一種具有這種基片的液晶顯示面板。
背景技術：
一般地，液晶顯示設備包括液晶顯示面板以及用于驅動液晶顯示面板的驅動部件。液晶顯示面板包括陣列基片、濾色鏡基片以及設置在陣列基片和濾色鏡基片之間的液晶層。
陣列基片包括多根通常以柵格式樣排列的數(shù)據(jù)線和柵線(gate line)、以及多個由數(shù)據(jù)線和柵線限定的像素區(qū)。在像素區(qū)形成有開關元件、液晶電容器以及儲能電容器。
開關元件的柵極與柵線相連接，開關元件的源極與數(shù)據(jù)線相連接。開關元件的漏極與用作液晶電容器的第一電極的像素電極相連接。儲能電容器由柵極和像素電極所限定。
濾色鏡基片與像素區(qū)相對應，并且包括濾色鏡圖案、以及用作液晶電容器的第二電極的共同電極。
通過部分蝕刻涂在漏極上的鈍化層，用以與漏極和像素電極進行電氣連接可以形成接觸孔。
在蝕刻鈍化層時，在漏極下面形成的半導體層有時由于鈍化層的過蝕刻而發(fā)生底切(undercut)。而底切會導致漏極的沉陷和分離。當這種現(xiàn)象發(fā)生時，漏極不可能將電場施加給像素電極，并且像素會出現(xiàn)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠減少像素缺陷的陣列基片，本發(fā)明同樣也提供一種制造上述陣列基片的方法以及包含上述陣列基片的液晶顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供一種陣列基片，包括透明基片、開關元件、絕緣層和像素電極。開關元件包括形成于透明基片上，并與柵線相連接的柵極、形成于柵極上，并在第一方向上延伸的通道層、與源線相連接的源極、以及形成于通道層上用于覆蓋通道層的漏極。絕緣層包括鈍化層，并且鈍化層具有接觸孔，用以使漏極和透明基片部分地暴露。像素電極通過接觸孔以與漏極相連接。
接觸孔可以包括用以使漏極部分地暴露的第一暴露部分，以及用以使與所述暴露出的漏極相鄰的透明基片暴露的第二暴露部分。接觸孔實質(zhì)上可以具有長方形或U型截面，第二暴露部分可以使與由第一暴露部分暴露出的漏極相鄰的透明基片暴露。接觸孔為U型形狀，第一暴露部分與U型的彎曲部分相對應，并且第二暴露部分與U型的端部相對應。
接觸孔可以包括形成于鈍化層和漏極之間的第一階梯部分，以及形成于漏極和透明基片之間的第二階梯部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種制造陣列基片的方法。多根柵線和與柵線相連接的柵極形成于透明基片上。在第一方向上延伸的通道層形成于柵極上。多根源線、與所述源線相連的源極以及覆蓋通道層的漏極形成于透明基片上。具有接觸孔以部分地使漏極和透明基片暴露的絕緣層形成于透明基片上。通過接觸孔可以與漏極相連接的像素電極層形成于絕緣層上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，其還提供一種包括液晶層、第一基片、以及與第一基片相對應，并通過與第一基片相結合容納液晶層的第二基片的液晶顯示面板。第二基片包括透明基片、形成于透明基片上，并在第一方向上延伸的通道層、包括覆蓋通道層的漏極的開關元件、具有接觸孔用以使漏極、透明基片部分地暴露的絕緣層、以及通過接觸孔與漏極相連接的像素電極。
接觸孔實質(zhì)上可以具有長方形或U型截面。
根據(jù)本發(fā)明，上述的陣列基片可以用于液晶顯示面板，用以防止漏極故障，并減少像素缺陷。


參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明，本發(fā)明的上述和/或其它方面和優(yōu)點將得到更加清晰地理解。其中圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明具體實施方式
的陣列基片的平面圖；圖2是在圖1中沿線I-I’截取的液晶顯示面板的截面圖；圖3至9是顯示制造圖1中的陣列基片的方法的視圖；圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明另一具體實施方式
的陣列基片的平面圖；圖11是圖10中“A”部分的放大圖；圖12是在圖11中沿線II-II’截取的截面圖；圖13是在圖11中沿線III-III’截取的截面圖；以及圖14是在圖11中沿線IV-IV’截取的截面圖。
具體實施例方式
參照附圖，將對下文所示的本發(fā)明具體實施方式
進行更加充分地描述。然而，本發(fā)明可以以不同的形式具體體現(xiàn)，但是應當認為對本發(fā)明的解釋說明將不受本文提出的具體實施方式
的限制，提供這些具體實施方式
將更有利于對本發(fā)明完全和徹底的公開，并完全將發(fā)明內(nèi)容告知本領域的熟練技術人員。在圖中，層和區(qū)域的大小和相對大小為了更加清楚起見，可以進行夸大。
應該理解地是，當元件或層是指位于另一元件或層的“上面”、“連接到”或“連結到”另一元件或層的狀態(tài)時，其可以是直接在、連接到或連結到另一元件或層上，或者可以存在中間元件或層。相反，當元件或層是指直接位于另一元件或層的“上面”、“直接連接到”、“直接連結到”另一元件或層的狀態(tài)時，將不會有中間元件或層存在。整個說明書中，相同的數(shù)字標號代表相同的元件。正如這里所用的，術語“和/或”包含一個或多個所列出的相關項的任何和所有的組合。
應該理解地是，雖然術語第一、第二和第三等在此處可用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應該受這些術語的限制。這些術語僅僅用于區(qū)別出一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分。因此，下文所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，并不會脫離本發(fā)明的宗旨。
諸如“在...之下”、“在...下面”、“較低”、“在...上面”、“上面的”以及相類似的空間相對術語，用在此外可以用于很容易地描述如圖所示中的元件或與另一元件或特征的特征關系。應該理解地是，除了圖中所描述的方位外，空間相對術語可以包含所使用或操作的裝置的所有不同的方位。例如，如果圖中的裝置翻轉，那么描述成在其它元件或特征“之下”或“下面”的元件將可能定位在其它元件或特征的上面。因而實例中的術語“在...之下”可能包含在上面和在下面的方位。裝置可以是不同的定位(旋轉90度或在其它方位)，并且相應地可以采用這里所解釋的空間相對描述語。
這里所用的術語只是為了描述具體的實施方式，而不會對本發(fā)明有所限制。如在這里所用的單數(shù)形式″一個″、所述″也同樣可以采用復數(shù)形式，除非在上下文中已經(jīng)很清楚地表明有所不同。還進一步應該理解地是，術語“包括”和/或“包含”，當用在這種說明書中時，是指出現(xiàn)規(guī)定特征、整體單元、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除出現(xiàn)的或另外的一個或多個其它特征、整體單元、步驟、操作、元件、部件和/或其群組。
參照能夠示意性說明本發(fā)明的理想具體實施方式
(和中間結構)的截面圖，這里將對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明。同樣地，可以預見到，由于制造技術和/或偏差的變化，示圖中的形狀的變化。因而，對本發(fā)明的具體實施方式
的解釋將不受這里所示出的區(qū)域的特殊形狀的限制，例如，也包括由于制造而產(chǎn)生的形狀偏差。例如，所示的長方形注入?yún)^(qū)域將典型地具有圓形或曲線型特征和/或在其邊緣的注入濃度的梯度，而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的兩元變化。同樣地，通過注入而形成的內(nèi)埋區(qū)域可以導致在內(nèi)埋區(qū)域和通過其可能出現(xiàn)注入的表面之間出現(xiàn)一些注入。因而，在圖中所示的區(qū)域實質(zhì)上是示意性的，并且其形狀并沒有顯示出裝置的區(qū)域的實際形狀，并且也沒有限定本發(fā)明的內(nèi)容。
除非有其它的限定，這里所用的所有術語(包括技術術語和科技術語)與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員通常所理解的含義是相同的。還將進一步理解地是，諸如那些在通用的字典中定義的術語應該解釋為與上下文的相關技術中具有的含義相一致，并且將不會以理想的或非常正式的形式進行說明，除非在此有所限定。
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明中的具體實施方式
的陣列基片的平面圖。
參照圖1，陣列基片包括多根沿第一方向上形成的柵線SL、多根沿實質(zhì)上與第一方向垂直的第二方向上形成的數(shù)據(jù)線DL(或源線)、以及多個由彼此相鄰的柵線SL和數(shù)據(jù)線DL限定的像素區(qū)。
像素區(qū)包括開關元件110、與開關元件110進行電氣連接的儲能電容器(CST)(未示出)、以及用作液晶電容(未示出)的第一電極的像素電極160。
開關元件110包括與柵線SL相連接的柵極111、與數(shù)據(jù)線DL相連接的源極113、以及通過接觸孔170與像素電極160相連接的漏極114。通道層112形成于柵極111與源極和漏極113和114兩者之間。漏極114覆蓋形成于漏極114下面的通道層112。接觸孔170使漏極114的一部分暴露，并且所述暴露的漏極114覆蓋通道層112。因此，當形成接觸孔170時，可以防止在通道層112中形成底切，并因而可以減少由于漏極114的沉陷和分離而出現(xiàn)缺陷像素。
儲能電容器包括從與柵線SL相同的層形成的第一電極150以及作為第二電極的像素電極160。第一電極150可以沿限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線DL形成。第一電極150實質(zhì)上可以是沿沿像素區(qū)的各邊的環(huán)形以提高孔徑比。形成于像素區(qū)的儲能電容器彼此相互連接。儲能電容器通過接觸孔170彼此相互電氣連接，并且儲能電容器通過延伸的第一電極彼此相互電氣連接。當開關元件110關斷時，儲能電容器通過采用存儲在儲能電容器中的電荷維持提供給液晶電容的電場。
圖2是在圖1中沿線I-I’截取的液晶顯示面板的截面圖。
參照圖1和2，液晶顯示面板包括陣列基片100、濾色鏡基片200、以及設置在陣列基片100和濾色鏡基片200之間的液晶層300。
陣列基片100包括第一透明基片101。柵極111和柵線SL通過在陣列基片100上形成柵極金屬層圖案而形成于第一透明基片101上。同樣，儲能電容器(CST)的第一電極150也通過在陣列基片100上形成柵極金屬層圖案而形成于第一透明基片101上。作為柵絕緣層的第一絕緣層102形成于柵極金屬層上。
包括半導體材料的通道層112(或半導體層)形成于與柵極111相對應的第一絕緣層102上。通道層112包括活性層112a和電阻接觸層112b。通道層112沿漏極114從柵極111上形成。
數(shù)據(jù)線DL以及開關元件110的源極和漏極113和114是通過在柵極金屬層上形成源極和漏極金屬層的圖案而形成。漏極114覆蓋形成于漏極114下方的通道層112。
鈍化層103形成于源極金屬層和漏極金屬層上(源極和漏極)。第二絕緣層104形成于鈍化層103上?？蛇x擇地是，第二絕緣層可以不形成于鈍化層103上。
接觸孔170使漏極114部分暴露，并通過覆蓋鈍化層103和第二絕緣層104的圖案而形成。在平面圖上接觸孔170實質(zhì)上具有長方形。接觸孔170具有可用于使漏極114部分暴露的第一暴露部分(未示出)，以及可用于使與漏極114相鄰的第一透明基片101的一部分部分地暴露的第二暴露部分(未示出)。漏極114覆蓋通道層112，當形成接觸孔170時，用以防止出現(xiàn)底切。
像素電極160通過在第二絕緣層104上形成透明電極層圖案而形成于第二絕緣層104上。通過接觸孔170像素電極160與漏極114進行電氣相連。
濾色鏡基片200包括第二透明基片201、光阻層210、彩色像素圖案220、以及透明電極層230。光阻層210和彩色像素圖案220形成于第一透明基片201上。光阻層210限定在第一透明基片201上的彩色像素圖案220中的凹槽部分，并防止光泄漏。
彩色像素圖案220形成于像素單元的凹槽部分中。彩色像素圖案220顯示出與入射光相應的色彩。彩色像素圖案220典型地包括紅、綠、藍彩色圖案。
透明電極層230用作與像素電極160相對應的普通電極230，并且給普通電極230施加普通電壓。液晶電容器(CLC)由作為第一電極的像素電極160限定，并且普通電極230作為第二電極。濾色鏡基片200還進一步包括形成于光阻層210和彩色像素圖案220上的平面層。平面層保護并使光阻層210和彩色像素圖案220形成平面。
液晶層300設置在陣列基片100和濾色鏡基片200之間。液晶的排列響應于在普通電極230和像素電極160之間形成的電場強度進行變化。
圖3至9是顯示制造圖1中的陣列基片的方法的視圖。
參照圖3和4，通過采用諸如陰極真空噴鍍加工、化學蒸鍍加工等方法使諸如鋁(Al)、銅(Cu)等之類的金屬沉積在透明基片101上而使柵極金屬層形成于透明基片101上。開關元件110的柵極111、儲能電容器的柵線SL和第一電極150通過采用照相平版印刷術加工形成柵極金屬圖案的方法形成于透明基片101上。
參照圖5，第一絕緣層102沉積于透明基片101上，用以覆蓋柵極金屬層。第一絕緣層102包含諸如氮化硅、氧化硅等之類的絕緣材料。
參照圖6和7，通道層112的活性層112a和電阻接觸層112b順序地沉積在第一絕緣層102上?；钚詫?12a包含非晶硅(amorphoussilicon)層(a-Si)，并且電阻接觸層112b包含具有攙雜物的摻雜非晶硅(N+aSi)。
活性層112a和電阻接觸層112b形成圖案，以用于在與柵極和漏極111和114相對應的區(qū)域上形成活性層112a和電阻接觸層112b。照相平版印刷術加工包括涂上光阻材料以形成光阻層，使光阻層曝光，使所述暴露的光阻層顯影出，以形成光阻圖案，并采用光阻圖案作為蝕刻掩模部分地蝕刻底層。
隨后，源極和漏極金屬層沉積在電阻接觸層112b上，并且光阻圖案(未示出)通過使涂上一層光阻材料的層暴露并顯影而形成。接著，數(shù)據(jù)線DL、源極和漏極113和114通過采用光阻圖案作為蝕刻掩模蝕刻源極和漏極金屬層。漏極114形成于通道層112上，用以覆蓋通道層112。采用源極和漏極113和114作為蝕刻掩模蝕刻電阻接觸層112b，從而在開關元件110上形成通道層112。
鈍化層103形成于源極和漏極金屬層上，第二絕緣層104形成于鈍化層103上。第二絕緣層104包含諸如氮化硅、氧化硅等之類的無機絕緣材料。同樣地，第二絕緣層104也可以包含諸如丙烯酸化合物、特氟綸(teflon)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、cytop、全氟環(huán)丁烷(PFCB)等之類的低介電常數(shù)的有機絕緣材料。
參照圖8和9，通過采用掩模500，接觸孔170形成于鈍化層103和第二絕緣層104上。
接觸孔通過照相平版印刷的方法形成。根據(jù)照相平版印刷的方法，通過采用掩模500可選擇地使光阻材料的部分暴露于光線下，并且使所述暴露的光阻材料顯影出來形成光阻圖案。在平面圖上，接觸孔170基本上具有長方形形狀。接觸孔170具有可用以使漏極114部分暴露的第一暴露部分，以及可用于使與漏極114相鄰的透明基片101的一部分部分地暴露的第二暴露部分。接觸孔170使漏極114部分地暴露，并且所述暴露的漏極114覆蓋通道層112。根據(jù)如上所述，通道層112沒有暴露出，這樣當蝕刻鈍化層103和第二絕緣層104時，可以防止對通道層112的底切。
包含透明導體材料的透明電極層設置在第二絕緣層104上。透明導體材料的例子包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)等。沉積的透明導體材料形成圖案，以用于在像素區(qū)域形成像素電極160。同樣地，像素電極160與漏極114通過接觸孔170進行電氣連接。在通道層112上沒有出現(xiàn)底切，并且漏極114安全地與像素電極160連接。因此，電場很容易地施加給像素電極160。
圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明另一具體實施方式
的陣列基片的一部分的平面圖。
參照圖10，陣列基片包括多根沿第一方向上形成的柵線SL、多根沿實質(zhì)上與第一方向垂直的第二方向上形成的數(shù)據(jù)線DL(或源線)、以及多個由柵線SL和數(shù)據(jù)線DL限定的像素區(qū)。
像素區(qū)包括開關元件(TFT)410、與開關元件410電氣相連的儲能電容器(CST)(未示出)、以及用作液晶電容(CLC，未示出)的一個電極的像素電極460。
開關元件410包括與柵線SL相連接的柵極411、與數(shù)據(jù)線DL相連接的源極413、以及通過接觸孔470與像素電極460相連接的漏極414。通道層412形成于柵極411與源極和漏極413和414兩者之間。漏極414覆蓋形成于漏極414下面的通道層412。
相應地，當通過蝕刻鈍化層403和第二絕緣層404形成接觸孔470時，通道層412可以沒有發(fā)生底切，因此，可以防止由于漏極414的沉陷和分離而產(chǎn)生缺陷像素的現(xiàn)象。
接觸孔470包含可用以使漏極114部分暴露的第一暴露部分，以及可用以使與漏極414相鄰的透明基片401的一部分部分暴露的第二暴露部分。在平面圖上，接觸孔470實質(zhì)上具有U型形狀，與U型的彎曲部分相對應的接觸孔470使漏極414暴露，并且與U型的端部相對應的接觸孔470使與漏極414相鄰的透明基片401暴露。
儲能電容器(CST)包括從與柵線SL相同層形成的第一電極150、以及作為第二電極的像素電極160。
圖11是圖10中“A”部分的放大圖，圖12是在圖11中沿線II-II’截取的截面圖，圖13是在圖11沿線III-III’截取的截面圖，圖14是在圖11中沿線IV-IV’截取的截面圖。
參照圖11，開關元件410和與開關元件410相連接的像素電極460形成于像素區(qū)。開關元件410包括柵極411、源極和漏極413和414，以及在柵極與源極和漏極413和414兩者之間形成的通道層412。通道層412沿漏極414延伸。并且由漏極414覆蓋。通過基本上具有U型形狀的接觸孔470，漏極414與像素電極460部分連接。
參照圖11和12，接觸孔470包括用以使漏極414部分暴露的第一暴露部分470a，以及用以使與所述暴露的漏極414相鄰的透明基片401的一部分部分暴露的第二暴露部分470b。第一暴露部分470a與U型的彎曲部分相對應，并且第二暴露部分470b與U型的端部相對應。
在U型端部的第二暴露部分470b之間的支撐區(qū)域‘B’沒有被蝕刻，以用于支撐接觸孔470。因此，支撐區(qū)域‘B’可以防止漏極414發(fā)生沉陷和分離。
參照圖13，柵極411形成于透明基片401上，并且第一絕緣層402形成于柵極411上?；钚詫?12a和電阻接觸層412b順序形成于與柵極411相對應的區(qū)域，以用于形成通道層412。源極和漏極413和414形成于通道層412的一部分上，并且源極和漏極413和414與通道層412(412a+412b)部分重疊。漏極414覆蓋朝漏極414延伸的通道層412。
鈍化層403形成于源極和漏極413和414上。此外，第二絕緣層404形成于鈍化層403上。可選擇地是，第二絕緣層404也可以不形成于鈍化層403上。
實質(zhì)上具有U型形狀的接觸孔470部分形成于第二絕緣層404和所述鈍化層上，以用于將像素電極460連接到開關元件410的漏極414上。第一暴露部分470a使漏極414部分暴露，第二暴露部分470b使與所述暴露的漏極414相鄰的透明基片401的一部分部分地暴露。第二暴露部分470b使在其中漏極414與透明基片401相接觸的相鄰區(qū)域最小化，從而防止由于過蝕刻通道層412而引起的底切。
接觸孔470包括在鈍化層403和漏極414之間形成的第一階梯部分，以及在漏極414和透明基片401之間形成的第二階梯部分。因此，像素電極460同樣也具有第一和第二階梯部分。
漏極414完全覆蓋通道層412，因而在形成接觸孔470時，可以減少通道層412的損失。此外，由于漏極414的沉陷和分離所引起的像素缺陷將會減少。
參照圖14，第二暴露部分470b和470c使透明基片401的一部分部分地暴露。支撐區(qū)域‘B’形成于第二暴露部分470b和470c之間。支撐區(qū)域‘B’沒有被蝕刻，并因此可以支撐接觸孔470。支撐區(qū)域‘B’可以防止漏極414發(fā)生沉陷和分離。
端部470b(第二暴露部分)使與漏極414和透明基片401相接觸的區(qū)域最小化，從而防止由于過蝕刻而引起的通道層412a和412b發(fā)生底切。
根據(jù)如上所述，可以防止由于形成于通道層412上的漏極414的沉陷和分離而引起缺陷像素的現(xiàn)象。
如上所述，在本發(fā)明中，漏極形成為用于覆蓋形成于漏極下面的通道層(或半導體層)。這樣，當在漏極上方的預定區(qū)域蝕刻接觸孔的過程中，可以減少，甚至防止通道層發(fā)生底切。因此，可以防止在通道層上形成的漏極出現(xiàn)沉陷和分離的現(xiàn)象。
此外，實質(zhì)上具有U型形狀的接觸孔部分形成于第二絕緣層和鈍化層，以用于使像素電極與漏極和開關元件相連接。接觸孔的第一暴露部分可以使漏極部分暴露，并且接觸孔的第二暴露部分可以使與所述暴露出的漏極相鄰的透明基片部分地暴露。第二暴露部分可以使在其中漏極與透明基片相接觸的相鄰區(qū)域最小化，從而防止由于通道層的過蝕刻而引起的底切，因此，可以防止在通道層上形成的漏極出現(xiàn)沉陷和分離的現(xiàn)象。
通過對如上所述的本發(fā)明的一些具體實施方式
進行說明，可以理解的是，由權利要求所限定的本發(fā)明不受在上述中提出的具體實施方式
說明的限制。本領域的熟練技術人員可能在此基礎上做出各種變更而不會脫離由權利要求所限定的發(fā)明保護范圍和主題精神。
權利要求
1.一種陣列基片，包括透明基片；開關元件，其包括形成于透明基片上，并與柵線電連接的柵極；形成于柵極上，并在第一方向上延伸的通道層；與源線相連接的源極；以及形成于通道層上用以覆蓋所述通道層的漏極；具有接觸孔用以使漏極和透明基片部分地暴露的絕緣層；以及通過接觸孔與漏極相連接的像素電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基片，其特征在于，所述絕緣層還進一步包括鈍化層。
3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基片，其特征在于所述接觸孔包括使漏極部分地暴露的第一暴露部分，以及使透明基片的一部分部分地暴露的第二暴露部分。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基片，其特征在于所述接觸孔基本上具有長方形形狀。
5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基片，其特征在于所述第二暴露部分使與所述暴露出的漏極相鄰的透明基片的一部分暴露。
6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基片，其特征在于所述接觸孔包括一個第一暴露部分和多個第二暴露部分。
7.根據(jù)權利要求5所述的陣列基片，其特征在于所述接觸孔具有U型形狀，所述第一暴露部分與U型的彎曲部分相對應，并且第二暴露部分與U型的端部相對應。
8.根據(jù)權利要求2所述的陣列基片，其特征在于所述接觸孔包括形成于鈍化層和漏極之間的第一階梯部分，以及形成于漏極和透明基片之間的第二階梯部分。
9.一種制造陣列基片的方法，包括步驟在透明基片上形成柵線和與柵線相連的柵極；在柵極上形成在實質(zhì)上與柵線平行的第一方向上延伸的通道層；形成源線、與源線相連的源極、以及漏極，以用于覆蓋通道層；形成具有接觸孔以便使漏極和透明基片部分地暴露的絕緣層；以及在絕緣層上形成通過接觸孔與漏極相連的像素電極層。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于所述絕緣層包括鈍化層。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于所述接觸孔包括使漏極部分地暴露的第一暴露部分，以及使與所述暴露漏極相鄰的透明基片部分地暴露的第二暴露部分。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于所述接觸孔實質(zhì)上具有長方形形狀。
13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于所述第二暴露部分使透明基片的一部分暴露。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其特征在于所述接觸孔包括一個第一暴露部分和多個第二暴露部分。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于所述接觸孔具有U型形狀，第一暴露部分與U型的彎曲部分相對應，并且第二暴露部分與U型的端部相對應。
16.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于所述接觸孔包括形成于鈍化層和漏極之間的第一階梯部分，以及形成于漏極和透明基片之間的第二階梯部分。
17.一種液晶顯示面板，包括液晶層；第一基片；以及定位成基本與第一基片平行的位置并與第一基片相結合用于容納液晶層的第二基片，其中第二基片包括透明基片；開關元件，所述開關元件包括形成于透明基片上并與柵線電氣連接的柵極、形成于柵極上并在第一方向上延伸的通道層、以及與源線相連的源極、以及形成于通道層上用以覆蓋通道層的漏極；具有接觸孔以使漏極、透明基片部分地暴露的絕緣層；以及通過接觸孔與漏極相連的像素電極。
18.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于所述陣列基片還進一步包括在漏極上的鈍化層。
19.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于所述接觸孔包括使漏極部分地暴露的第一暴露部分，以及使透明基片部分地暴露的第二暴露部分。
20.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于所述第二暴露部分使與所述暴露漏極相鄰的透明基片的一部分部分地暴露。
全文摘要
一種陣列基片，其包括透明基片、開關元件、絕緣層以及像素電極。開關元件包括形成于透明基片上，并與柵線相連接的柵極、形成于柵極上，并在第一方向上延伸的通道層、形成于透明基片上，與源線相連接的源極、以及形成于通道層上用以覆蓋通道層的漏極。絕緣層具有接觸孔以用于使漏極和透明基片部分暴露。像素電極通過接觸孔可以與漏極相連接。當上述陣列基片用于液晶顯示面板時，陣列基片可以減少像素缺陷。
文檔編號H01L29/786GK1746756SQ20051010363
公開日2006年3月15日 申請日期2005年9月6日 優(yōu)先權日2004年9月8日
發(fā)明者邊宰成, 閔勛基, 李仁成, 林鉉洙 申請人:三星電子株式會社