專利名稱：顯示器和陣列基片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如有機EL顯示器和其中使用的陣列基片。
(2)背景技術(shù)有機EL顯示器具有一種結(jié)構(gòu)，其中將包含發(fā)光層的有機層插入一對電極之間。在有源矩陣有機EL顯示器中，將靠近底基層的電極用作像素電極，而將另一電極用作共用電極。
有機EL顯示器可以采用一種從底基層一側(cè)提取由有機EL元件所發(fā)出的光的底部發(fā)光結(jié)構(gòu)，或采用一種從相對一側(cè)提取光的頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)。在頂部發(fā)光有機EL顯示器中，與底部發(fā)光有機EL顯示器不同，即使將薄膜晶體管(下文稱為“TFT”)或引線設(shè)置在在厚度方向上與有機EL元件重疊的位置上，從有機EL元件發(fā)出的光也不會被它們阻擋。因此，頂部發(fā)光有機EL顯示器可以用比底部發(fā)光有機EL顯示器低的電流密度達到與底部發(fā)光有機EL顯示器相同的亮度。
然而，在頂部發(fā)光有機EL顯示器中，共用電極必須具有光傳輸特性。通常，諸如氧化銦錫(ITO)之類的具有高光透射率的導(dǎo)電材料具有比諸如鋁之類的金屬更高的電阻率。例如，當(dāng)將電極的厚度設(shè)置成幾百納米時，ITO電極的薄層電阻等于或大于鋁電極的100倍。這樣，在頂部發(fā)光有機EL顯示器中，特別是在具有對角線尺寸超過10英寸的顯示區(qū)的有機E1顯示器中，在共用電極的邊緣和中心部分很可能出現(xiàn)大的電位差。
根據(jù)以上，在日本發(fā)明申請KOKAI公開號2002-318556中所公開的一種結(jié)構(gòu)中像素電極和輔助線設(shè)置在同一絕緣層上，且共用電極與顯示區(qū)中輔助線電連接。此結(jié)構(gòu)可以減少共用電極的邊緣和中心部分之間的電位差。
(3)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于抑制有源矩陣顯示器的顯示區(qū)中的顯示不均勻。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種顯示器，包括絕緣基片、設(shè)置在所述絕緣基片的主表面上的輔助線、覆蓋所述輔助線和所述絕緣基片的主表面并配有與輔助線相通的第一通孔的絕緣底基層、設(shè)置在所述絕緣底基層上并圍繞第一通孔的開口的像素電極、各覆蓋像素電極且各包括一發(fā)光層的光敏層和覆蓋光敏層并通過第一通孔與輔助線電連接的透光共用電極。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種陣列基片，包括絕緣基片、設(shè)置在所述絕緣基片的主表面上的輔助線、覆蓋所述輔助線和所述絕緣基片的主表面并配有與輔助線相通的第一通孔的絕緣底基層、設(shè)置在所述絕緣底基層上并圍繞第一通孔的開口的若干個像素電極。
(4)
圖1為示意地示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的顯示器的平面圖；圖2為示出圖1所示的顯示器的顯示屏面的放大平面圖；圖3為圖2所示的顯示屏面的沿線III-III作的橫截面圖；圖4為圖2所示的顯示屏面的沿線IV-IV作的橫截面圖；圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的有機EL顯示器的顯示屏面的放大平面圖；圖6為圖5所示的顯示屏面的沿線VI-VI作的橫截面圖；圖7為示意地示出根據(jù)第二實施例的可以用于顯示屏面的一個結(jié)構(gòu)的平面圖。
(5)具體實施例下面將參照附圖詳細說明本發(fā)明的各實施例。在整個附圖中相同的標(biāo)號表示具有相同或類似功能的組件，將省略對其的重復(fù)說明。
圖1為示意地示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機EL顯示器的平面圖。顯示器1是采用有源矩陣驅(qū)動方法并包括顯示屏面DP和控制器CNT的頂部發(fā)光有機EL顯示器。
顯示屏面DP包括諸如玻璃基片之類的絕緣基片IS、和設(shè)置在基片IS的主表面上的矩陣中的像素PX。像素PX在基片IS的主表面上定義一個顯示區(qū)AA。在顯示區(qū)AA的外部的區(qū)域即邊緣區(qū)域上，掃描信號線驅(qū)動器YDR和視頻信號線驅(qū)動器XDR被定位作驅(qū)動電路。
各像素PX包括驅(qū)動控制元件DR、電容器C、開關(guān)SW和有機EL元件OLED。在此實施例中，驅(qū)動控制元件DR、電容器C和開關(guān)SW組成像素電路。
驅(qū)動控制元件DR包括第一和第二端和控制端。在此實施例中，驅(qū)動控制元件DR是P溝道場效應(yīng)晶體管(TFT)且其源極(即，第一端)與電源線PL1連接，而其漏極(即，第二端)與有機EL元件OLED連接。驅(qū)動控制元件DR操作使得與柵極(即，控制端)和源極(即，第一端)之間的電位差相應(yīng)的電流在其源極和漏極之間流動。
電容器C的一端(第一電極E1)與驅(qū)動控制元件DR的控制端連接。電容器C的另一端(第二電極E2)通常與恒電流端(例如電源線PL1)連接。當(dāng)開關(guān)SW開時，電容器C維持驅(qū)動控制元件DR的控制端和源極(第一端)之間的電位差基本不變。
開關(guān)SW包括輸入端、輸出端和控制端。在此實施例中，開關(guān)SW是p溝道TFT且其漏極(即輸入端)通過視頻信號線DL與視頻信號線驅(qū)動器XDR連接而其源極(即輸出端)與驅(qū)動控制元件DR的控制端連接。另外，開關(guān)SW的柵極(即，控制端)通過掃描信號線SL與掃描信號線驅(qū)動器DR連接。
有機EL元件OLED被連接在驅(qū)動控制元件DR的漏極(即第二端)和電源線PL2之間作為輔助線。電源線PL1和PL2被設(shè)置在不同的電位。在此實施例中，電源線PL1被設(shè)置在比電源線PL2高的電位。
控制器CNT包括設(shè)置在顯示屏面DP外部的導(dǎo)電圖形板和安裝于極上的各種元件，并控制掃描信號線驅(qū)動器YDR和視頻信號線驅(qū)動器XDR的運作。具體來說，控制器CNT從外部電路接收數(shù)字視頻信號和同步信號并根據(jù)同步信號產(chǎn)生用于控制垂直掃描定時的垂直掃描控制信號和用于控制水平掃描定時的水平掃描控制信號?？刂破鰿NT將所產(chǎn)生的垂直和水平掃描控制信號分別提供給掃描信號線驅(qū)動器YDR和視頻信號線驅(qū)動器XDR并與垂直和水平掃描定時相同步地將數(shù)字視頻信號提供給視頻信號線驅(qū)動器XDR。
視頻信號線驅(qū)動器XDR在水平掃描控制信號的控制下在水平掃描周期內(nèi)將數(shù)字視頻信號轉(zhuǎn)換成模擬信號，并同時將經(jīng)轉(zhuǎn)換的視頻信號提供給視頻信號線DL。在此實施例中，視頻信號線驅(qū)動器XDR將視頻信號作為電壓信號提供給視頻信號線DL。
掃描信號線驅(qū)動器YDR在垂直掃描控制信號的控制下依次將用于控制開關(guān)SW的開關(guān)操作的掃描信號提供給掃描信號線SL。
參見圖2-圖4，下面將更詳細地說明有機EL顯示器1的顯示屏面DP。
圖2為示出圖1所示的顯示器1的顯示屏面DP的放大平面圖。圖3為圖2所示的顯示屏面DP的沿線III-III作的橫截面圖。圖4為圖2所示的顯示屏面DP的沿線IV-IV作的橫截面圖。
如圖2和3所示，圖形化半導(dǎo)體層SC設(shè)置在絕緣基片IS的主表面上。這些圖形化半導(dǎo)體層SC由例如多晶硅制成。
在各半導(dǎo)體層SC中，所形成的TFT的源極S和漏極D空間上相互分離。半導(dǎo)體層SC的源極S和漏極D之間的區(qū)域CH用作溝道。
如圖3和4所示，在半導(dǎo)體層SC上形成了柵極絕緣層GI并在柵極絕緣層GI上依次形成了第一導(dǎo)電圖形和絕緣薄膜I1。將第一導(dǎo)電圖形用作例如TFT的柵極G、電容器C的第一電極E1、掃描線SL和連接它們的互連。另外，絕緣薄膜I1用作中間層絕緣薄膜和電容器C的介電層。
在絕緣薄膜I1上形成了第二導(dǎo)電圖形。將第一導(dǎo)電圖形用作例如源電極SE、漏電極DE、電容器C的第二電極E2、視頻信號線DL、電源線PL1和PL2和連接它們的互連。源電極SE和漏電極DE在與絕緣薄膜GI和I1中所形成的通孔相應(yīng)的位置分別與TFT的源極S和漏極D連接。
在第二導(dǎo)電圖形和絕緣薄膜I1上依次形成了絕緣薄膜I2和第三導(dǎo)電圖形。將絕緣薄膜I2用作鈍化薄膜和/或整平層。第三導(dǎo)電圖形用作各有機EL元件OLED的像素電極PE。在此實施例中，像素電極PE具有光反射特性。
當(dāng)通過沉積和蝕刻形成像素電極PE時，通常將具有比像素電極PE低的蝕刻速率的材料用作電源線的材料。例如，如果像素電極PE由Mo、Ti、W或其合金制成，則電源線PL2可以由基于鋁的材料制成。
在每一像素PX的絕緣薄膜I2中形成與連接至漏電極DE的像素電極PE相通的通孔。用相應(yīng)的像素電極PE覆蓋各通孔的側(cè)壁和底部，從而通過漏電極DE將各像素電極PE連接至驅(qū)動控制元件DR的漏極D。
在每一像素PX的絕緣薄膜I2中形成與電源線PL2相通的另一通孔TH1。通孔TH1向前逐漸變細，從而孔TH1的直徑從絕緣薄膜I2的表面向底基層一側(cè)逐漸減小。
在絕緣薄膜I2上形成分區(qū)絕緣層SI。分區(qū)絕緣層SI是例如有機絕緣層或無機絕緣層和有機絕緣層的層狀結(jié)構(gòu)。
在分區(qū)絕緣層SI中，在各通孔TH1和像素電極PE的各位置上分別形成向前逐漸變細的通孔TH2和向前逐漸變細的通孔TH3。通孔TH2在絕緣薄膜I2一側(cè)的直徑大于通孔TH1在分區(qū)絕緣層SI一側(cè)的直徑。即，位于靠近分區(qū)絕緣層SI的通孔TH1的上邊緣周圍的絕緣層I2的上表面被曝露于通孔TH2內(nèi)的空間。
在分區(qū)絕緣層SI的通孔TH3中，用包括發(fā)光層的有機層ORG(即，光敏層)覆蓋像素電極PE。發(fā)光層是例如包含發(fā)出紅、綠或藍光的發(fā)光有機化合物的薄膜。除了發(fā)光層之外，有機層ORG還可包括例如空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層等。形成有機層ORG的各層可以通過掩模淀積或噴墨來形成。
在分區(qū)絕緣層SI和有機層ORG上形成由例如ITO制成的透光共用電極CE。該共用電極CE覆蓋通孔TH1和TH2的側(cè)壁、暴露于通孔TH2內(nèi)的空間的絕緣層I2的上表面的區(qū)域和暴露于通孔TH1內(nèi)的空間的電源線PL2的上表面的區(qū)域.因此，共用電極CE與電源線PL2連接。各有機EL元件OLED由像素電極PE、有機層ORG和共用電極CE形成。
在以上有機EL顯示器1中，基片IS、像素電極PE和在它們之間所插入的元件形成陣列基片。如圖1所示，此陣列基片還可包括掃描線驅(qū)動器YDR和。視頻信號線驅(qū)動器XDR。
以上結(jié)構(gòu)的有機EL顯示器1以下列方式工作。
將用于閉合開關(guān)SW(即，用于將開關(guān)設(shè)置在0N狀態(tài))的掃描信號依次提供給掃描信號線SL并在開關(guān)SW閉合期間的寫入周期內(nèi)將作為視頻信號的電壓信號提供給各視頻信號線DL。因此，驅(qū)動控制元件DR的柵極G(即控制端)被設(shè)置到與視頻信號相應(yīng)的電位。當(dāng)開關(guān)SW被打開時(即設(shè)置在OFF狀態(tài))寫入周期終止。
在續(xù)寫入周期后的發(fā)光周期中，電容器C將作為驅(qū)動控制元件DR的控制端的柵極的電位維持原樣。在此周期中，將與驅(qū)動控制元件DR的柵極和源極之間的電壓相應(yīng)的電流提供給有機EL元件OLED且該有機EL元件OLED以與電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。該發(fā)光周期持續(xù)至下一寫入周期開始為止。
如上所述，在有機EL顯示器1中，電源線PL2被排列在顯示區(qū)AA內(nèi)，且為每個像素PX，把共用電極與電源線PL2電連接。以此防止了在顯示區(qū)中共用電極CE的電位有差異。
電源線PL2最好由電阻率充分低于形成共用電極CE的透明導(dǎo)電薄膜制成，具體來說，由電阻率小于等于11×10-6Ω·cm的導(dǎo)電材料制成。使用低電阻率材料可以進一步減少顯示區(qū)中共用電極的電位差異。
另外，在有機EL顯示器1中，用于為共用電極CE供電的電源線PL2位于像素電極PE下方。與電源線PL2和像素電極PE設(shè)置在同一層的情況相比，此結(jié)構(gòu)使能增加每單位面積的像素電極PE的數(shù)量。因此，可以用比后一情況低的電流密度實現(xiàn)足夠的亮度。即，可以實現(xiàn)更亮的顯示和/或更長的使用壽命。
另外，在有機EL顯示器1中，通孔TH1和TH2向前逐漸縮小，且在分區(qū)絕緣層SI一側(cè)的通孔TH1的開口周圍的絕緣層I2的上表面的各部分被暴露于通孔TH2內(nèi)的空間。即，通過將通孔TH1和TH2相互連接所形成的通孔的側(cè)壁包括一深度方向上的梯狀部分。
如果沒有該梯狀部分，則共用電極CE很可能在通孔TH1和TH2中具有非連續(xù)部分，因為包括絕緣層I2和分區(qū)絕緣層SI的分層結(jié)構(gòu)較厚。相反，如果上述梯狀部分存在，則不容易形成非連續(xù)的部分。
可以在與電源線PL1和視頻信號線DL相同的過程中形成電源線PL2。另外，可以在與用于形成形成將像素電極PE連接至驅(qū)動控制元件DR的源電極SE的通孔相同的過程中形成通孔TH1，且可以在與分區(qū)絕緣層SI中像素電極PE的位置上形成通孔相同的過程中形成通孔TH2。因此，不用增加制造過程的數(shù)量也可以減少共用電極CE的薄層電阻，可以抑制共用電極CE中的電位差異并且可以充分地抑制顯示不均勻。
下面將說明本發(fā)明的第二實施例。
第二實施例與第一實施例相似，除了電源線PL2和共用電極CE的連接方式。因此，在第二實施例中，將主要說明它們之間的連接方式。
圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的有機EL顯示器的顯示屏面DP的放大平面圖。圖6為圖5所示的顯示屏面的沿線VI-VI作的橫截面圖。注意圖5中所示的顯示屏面的沿線III-III作的橫截面圖與圖3所示的視圖相似。
在此顯示屏面DP中，電源線PL2設(shè)置在顯示區(qū)AA內(nèi)，為每一像素PX，把共用電極CE與電源線PL2電連接，且用于為共用電極CE供電的電源線PL2位于像素電極PE下方。因此，第二實施例不存在共用電極CE的電位差異并且能在同一層上形成電源線PL2和像素電極PE的情況下實現(xiàn)較亮的顯示和/或較長的使用壽命。
另外，在第二實施例的顯示屏面DP中，各中間電極IE設(shè)置在絕緣層I2上與通孔TH1相對應(yīng)并與像素電極PE分離的位置上，并在通孔TH1的位置處與電源線PL2連接。同時，通孔TH2在分區(qū)絕緣層SI中與中間電極IE相應(yīng)的位置處形成并在平面方向上從各自的通孔TH1位移。共用電極CE在通孔TH2的位置處與各中間電極IE連接。
在平面方向上的不同位置形成通孔的結(jié)構(gòu)不易導(dǎo)致在通孔TH1或TH2中的共用電極CE中包括非連續(xù)部分，這有利于實現(xiàn)高產(chǎn)量。
在第二實施例中，中間電極IE和像素電極PE可以由不同或相同的材料制成。如果它們由相同的材料制成，則可以在同一過程中形成它們。
在第一和第二實施例中，對每一像素連接共用電極CE和電源線PL2。然而，可以對每多個像素PX連接它們。
圖7為示意地示出可以用于根據(jù)第二實施例的顯示屏面的一個結(jié)構(gòu)的例子的平面圖。圖7僅僅示出像素電極PE、中間電極IE、掃描信號線SL、視頻信號線DL和電源線PL1和PL2并沒有示出其它元件。另外，在圖7中，參考符號PEG、PEB和PER分別表示發(fā)出綠、藍和紅光的有機EL元件OLED的像素電極PE。
通常，發(fā)藍和紅光的有機EL元件OLED的發(fā)射效率比發(fā)綠光的有機EL元件OLED低。為了獲取充足的亮度，為發(fā)藍和紅光的有機EL元件OLED供電的電流密度比發(fā)綠光的有機EL元件OLED高。因此，前兩種有機EL元件比后一種有機EL元件更容易退化。
在圖7的結(jié)構(gòu)中，中間電極IE只設(shè)置在像素電極PEG的列中。另外，在此結(jié)構(gòu)中，像素電極PEG制作得比像素電極PEB和PER小。這樣，中間電極IE不縮短發(fā)藍和紅光的有機EL元件OLED的使用壽命。
注意如果電源線PL2和共用電極CE之間的連接方式改變，圖7的結(jié)構(gòu)也可以用于第一實施例的顯示屏面。
當(dāng)為每多個像素PX連接共用電極CE和電源線PL2時，可以規(guī)則地或任意地設(shè)置它們的連接。然而，規(guī)則地設(shè)置它們的連接設(shè)計起來比任意地設(shè)置它們更容易。
在第一和第二實施例中，只有在顯示區(qū)AA中，電源線PL2才與共用電極CE連接。它們即可以在顯示區(qū)AA連接也可以在其邊緣區(qū)域連接。
第一和第二實施例也采用圖1所示的像素電路，然而，本發(fā)明不限于此。如果可能用有源矩陣驅(qū)動就足夠了。例如，驅(qū)動控制元件DR和/或開關(guān)SW可以是n溝道TFT。另外，電容器C可以被連接在驅(qū)動控制元件DR的控制端與電源線PL2和像素電極PE中的一個之間。另外，可以用將電流信號用作視頻信號的像素電路替代將電壓信號作為視頻信號的像素電路。
在第一和第二實施例中，各電源線PL2設(shè)置在比各電源線PL1低的電位。另選地，可以將前者設(shè)置在比后者高的電位。
在第一和第二實施例中，像素電極PE是反光性的。另選地，像素電極PE可以是可透光的。在此情況下，可以將反射層定位在各像素電極PE的背面。
在第一和第二實施例中，將像素電極PE用作陽極而將共用電極CE用作陰極。另選地，可以將像素電極PE用作陰極而將共用電極CE用作陽極。當(dāng)前電極由例如金屬材料制成時，它形成薄膜以透光。例如，當(dāng)將共用電極CE用作陰極時，它可以具有Ag/ITO分層結(jié)構(gòu)。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說其它優(yōu)點和修改是顯而易見的。因此，廣義上本發(fā)明不限于這里所述示和所述的特定細節(jié)和代表實施例。因此，可以作出各種修改而不偏離由所附權(quán)利要求和它們的等效物所定義的總的發(fā)明概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示器，其特征在于，包括絕緣基片；設(shè)置在所述絕緣基片的主表面上的輔助線；覆蓋所述輔助線和所述絕緣基片的主表面并配有與輔助線相通的第一通孔的絕緣底基層；設(shè)置在所述絕緣底基層上并圍繞第一通孔的開口的像素電極；各覆蓋像素電極且各包括一發(fā)光層的光敏層和覆蓋光敏層并通過第一通孔與輔助線電連接的透光共用電極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，還包括在所述像素電極之間的位置處覆蓋絕緣底基層并設(shè)置有第二通孔的分區(qū)絕緣層，其中所述共用電極進一步覆蓋分區(qū)絕緣層且所述共用電極通過所述第一和第二通孔與所述輔助線電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示器，其特征在于，所述第二通孔與所述第一通孔相通，且其中所述第二通孔在絕緣底基層一側(cè)的開口比所述第一通孔在分區(qū)絕緣層一側(cè)的開口大。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器，其特征在于，所述第一和第二通孔向前逐漸縮小。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示器，其特征在于，還包括插在絕緣底基層和分區(qū)絕緣層之間并通過所述第一通孔與所述輔助線電連接的中間電極，其中所述共用電極通過所述第二通孔與所述中間電極電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示器，其特征在于，所述中間電極的材料和所述像素電極的材料相等。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，還包括插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的視頻信號線，所述視頻信號線的材料和所述輔助線的材料相等。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述像素電極面對輔助線。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述顯示器是頂部發(fā)光有機EL顯示器。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器，其特征在于，還包括插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的電源線；插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的掃描信號線；插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間并與所述掃描信號線相交的視頻信號線；和插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的靠近所述掃描信號線與所述視頻信號線的交點的位置處并電連接在所述像素電極和所述電源線之間的各像素電路。
11.一種陣列基片，其特征在于，包括絕緣基片；設(shè)置在所述絕緣基片的主表面上的輔助線；覆蓋所述輔助線和所述絕緣基片的主表面并配有與輔助線相通的第一通孔的絕緣底基層；設(shè)置在所述絕緣底基層上并圍繞所述第一通孔的開口的像素電極。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基片，其特征在于，還包括在所述像素電極之間的位置處覆蓋絕緣底基層并設(shè)置有第二通孔的分區(qū)絕緣層，其中所述第二通孔與所述第一通孔相通，且所述第二通孔在絕緣底基層一側(cè)的開口比所述第一通孔在分區(qū)絕緣層一側(cè)的開口大。
13.如權(quán)利要求12所述的陣列基片，其特征在于，所述第一和第二通孔向前逐漸縮小。
14.如權(quán)利要求11所述的陣列基片，其特征在于，還包括在所述像素電極之間的位置處覆蓋絕緣底基層并設(shè)置有第二通孔的分區(qū)絕緣層；和插在所述絕緣底基層和分區(qū)絕緣層之間并通過所述第一通孔與所述輔助線電連接的中間電極，其中所述第二通孔與所述中間電極相通。
15.如權(quán)利要求14所述的陣列基片，其特征在于，所述中間電極的材料和所述像素電極的材料相等。
16.如權(quán)利要求11所述的陣列基片，其特征在于，還包括插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的視頻信號線，所述視頻信號線的材料和所述輔助線的材料相等。
17.如權(quán)利要求11所述的陣列基片，其特征在于，所述像素電極面對所述輔助線。
18.如權(quán)利要求11所述的陣列基片，其特征在于，還包括插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的電源線；插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的掃描信號線；插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間并與所述掃描信號線相交的視頻信號線；和插在所述絕緣基片和所述絕緣底基層之間的靠近所述掃描信號線與所述視頻信號線的交點的位置處并各自電連接在所述像素電極和所述電源線之間的各像素電路。
全文摘要
一種顯示器，包括絕緣基片(IS)、設(shè)置在所述絕緣基片(IS)的主表面上的輔助線(PL2)、覆蓋所述輔助線(PL2)和所述絕緣基片(IS)的主表面并配有與輔助線(PL2)相通的通孔(TH1)的絕緣底基層(I2)、設(shè)置在所述絕緣底基層(I2)上并圍繞通孔(TH1)的開口的像素電極(PE)、各覆蓋像素電極(PE)且各包括一發(fā)光層的光敏層(ORG)和覆蓋該光敏層(ORG)并通過通孔(TH1)與輔助線(PL2)電連接的透光共用電極(CE)。
文檔編號H01L27/32GK1764337SQ20051011634
公開日2006年4月26日 申請日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月15日
發(fā)明者澀澤誠 申請人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司