專利名稱：凸塊工藝及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種凸塊工藝，特別是有關(guān)于一種可防止短路的凸塊工藝。
背景技術(shù)：
如圖IA至圖1H，現(xiàn)有習(xí)知凸塊工藝至少包含下列步驟首先，請參閱圖1A，提供一基板10，該基板10具有一表面11、多個設(shè)置于該表面11的焊墊12及一形成于該表面11的保護(hù)層13，該保護(hù)層13顯露該些焊墊12 ;接著，請參閱圖1B，形成一含銅金屬層20與該些焊墊12及該保護(hù)層13 ;之后，請參閱圖1C，形成一光阻層30于該含銅金屬層20 ;接著，請參閱圖1D，圖案化該光阻層30以形成多個開口 31 ;之后，請參閱圖1E，形成多個銅凸塊40在該些開口 31內(nèi)，各該銅凸塊40具有一第一外周壁41 ;接著，請參閱圖1F，形成一導(dǎo)接層 50與該些銅凸塊40 ;之后，請參閱圖1G，移除該光阻層30，最后，請參閱圖1H，利用刻蝕方法移除未被該些銅凸塊40覆蓋的該含銅金屬層20以形成一凸塊下金屬層21，各該凸塊下金屬層21具有一第二外周壁21a，在進(jìn)行移除未被該些銅凸塊40覆蓋的該含銅金屬層20的步驟時，由于該些銅凸塊40的材質(zhì)包含有銅，因此該些銅凸塊40會同時與該含銅金屬層20 一起被刻蝕而導(dǎo)致該些銅凸塊40的該些第一外周壁41產(chǎn)生凹陷的情形，且該些凸塊下金屬層21的該些第二外周壁21a凹陷的程度更大于該些銅凸塊40的該些第一外周壁41，此外，由于該些第一外周壁41及該些第二外周壁21a凹陷且裸露，因此容易造成銅離子游離的現(xiàn)象而導(dǎo)致短路的情形發(fā)生。由此可見，上述現(xiàn)有的凸塊工藝在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)凸塊工藝及其結(jié)構(gòu)，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的凸塊工藝存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的凸塊工藝及其結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其因此可避免該些凸塊下金屬層的該些第一外周壁及該些銅凸塊的該些第二外周壁裸露而造成銅離子游離導(dǎo)致短路的情形，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種凸塊工藝，其中至少包含提供一基板，該基板具有一表面、多個焊墊及一第一保護(hù)層，該些焊墊設(shè)置于該表面，該第一保護(hù)層形成于該表面并顯露該些焊墊；形成一含銅金屬層于些焊墊及該第一保護(hù)層，該含銅金屬層具有多個第一區(qū)及多個第二區(qū)；形成一光阻層與該含銅金屬層；圖案化該光阻層以形成多個開口，該些開口對應(yīng)該些第一區(qū)；形成多個銅凸塊在該些開口內(nèi)，各該銅凸塊覆蓋該含銅金屬層的各該第一區(qū)且各該銅凸塊具有一第一頂面；形成一導(dǎo)接層與該些銅凸塊的該些第一頂面，該導(dǎo)接層具有一第二頂面且該導(dǎo)接層包含有一鎳層及一接合層，該鎳層位于該銅凸塊與該接合層之間；移除該光阻層；移除該含銅金屬層的該些第二區(qū)以顯露出該第一保護(hù)層，并使該含銅金屬層的各該第一區(qū)形成一凸塊下金屬層，其中各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁，各該銅凸塊具有一第二外周壁，該導(dǎo)接層具有一第三外周壁，該第三外周壁與該第二外周壁之間具有一第一間距，該第三外周壁與該第一外周壁之間具有一第二間距且該導(dǎo)接層及該第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有一對應(yīng)于該第一外周壁的第一容置部及一對應(yīng)于該第二外周壁的第二容置部；形成一第二保護(hù)層與該導(dǎo)接層的該第二頂面、該些凸塊下金屬層的該些第一外周壁、該些銅凸塊的該些第二外周壁、該導(dǎo)接層的該第三外周壁、該第一保護(hù)層、該第一容置部及該第二容置部；以及移除位于該導(dǎo)接層的該第二頂面、該導(dǎo)接層的該第三外周壁及該第一保護(hù)層的該第二保護(hù)層，以使位于該第一容置部的該第二保護(hù)層形成一第一保護(hù)環(huán)及使位于該第二容置部的該第二保護(hù)層形成一第二保護(hù)環(huán)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的凸塊工藝，其中所述的該第三外周壁具有一第三外周長，該第二外周壁具有一第二外周長，該第一外周壁具有一第一外周長，該第三外周長大于該第二外周長，該第二外周長不小于該第一外周長。 前述的凸塊工藝，其中所述的該第二間距不小于該第一間距。前述的凸塊工藝，其中所述的該第二保護(hù)層選自于氧化物或氮化物其中之一。前述的凸塊工藝，其中所述的該氮化物可為氮化硅、氮氧化硅或其混合體其中之
o前述的凸塊工藝，其中所述的該氧化物可為二氧化硅、氮氧化硅或其混合體其中之一。前述的凸塊工藝，其中所述的該第一保護(hù)環(huán)具有一第一環(huán)壁，該第二保護(hù)環(huán)具有一第二環(huán)壁，該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該第三外周壁為平齊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種凸塊結(jié)構(gòu)，其中至少包含一基板，其具有一表面、多個焊墊及一第一保護(hù)層，該些焊墊設(shè)置于該表面，該第一保護(hù)層形成于該表面并顯露該些焊墊；多個凸塊下金屬層，各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁；多個銅凸塊，其形成于該些凸塊下金屬層上，各該銅凸塊具有一第一頂面及一第二外周壁；一導(dǎo)接層，其形成于該些銅凸塊的該些第一頂面，該導(dǎo)接層具有一第二頂面及一第三外周壁，且該導(dǎo)接層包含有一鎳層及一接合層，該鎳層位于該銅凸塊與該接合層之間，其中該第三外周壁與該第二外周壁之間具有一第一間距，該第三外周壁與該第一外周壁之間具有一第二間距且該導(dǎo)接層及該第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有一對應(yīng)于該第一外周壁的第一容置部及一對應(yīng)于該第二外周壁的第二容置部；一第一保護(hù)環(huán)，其形成于該第一容置部；以及一第二保護(hù)環(huán)，其形成于該第二容置部。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中所述的該第一保護(hù)環(huán)連接該第二保護(hù)環(huán)。前述的凸塊結(jié)構(gòu)，其中所述的該第一保護(hù)環(huán)具有一第一環(huán)壁，該第二保護(hù)環(huán)具有
一第二環(huán)壁，該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該第三外周壁為平齊。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下在于提供一種凸塊工藝，其包含提供一基板，該基板具有一表面、多個焊墊及一第一保護(hù)層，該些焊墊設(shè)置于該表面，該第一保護(hù)層形成于該表面并顯露該些焊墊；形成一含銅金屬層與些焊墊及該第一保護(hù)層，該含銅金屬層具有多個第一區(qū)及多個第二區(qū)；形成一光阻層與該含銅金屬層；圖案化該光阻層以形成多個開口，該些開口對應(yīng)該些第一區(qū)；形成多個銅凸塊在該些開口內(nèi)，各該銅凸塊覆蓋該含銅金屬層的各該第一區(qū)且各該銅凸塊具有一第一頂面；形成一導(dǎo)接層與該些銅凸塊的該些第一頂面，該導(dǎo)接層具有一第二頂面且該導(dǎo)接層包含有一鎳層及一接合層，該鎳層位于該銅凸塊與該接合層之間；移除該光阻層；移除該含銅金屬層的該些第二區(qū)以顯露出該第一保護(hù)層，并使該含銅金屬層的各該第一區(qū)形成一凸塊下金屬層，其中各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁，各該銅凸塊具有一第二外周壁，該導(dǎo)接層具有一第三外周壁，該第三外周壁與該第二外周壁之間具有一第一間距，該第三外周壁與該第一外周壁之間具有一第二間距且該導(dǎo)接層及該第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有一對應(yīng)于該第一外周壁的第一容置部及一對應(yīng)于該第二外周壁的第二容置部；形成一第二保護(hù)層與該導(dǎo)接層的該第二頂面、該些凸塊下金屬層的該些第一外周壁、該些銅凸塊的該些第二外周壁、該導(dǎo)接層的該第三外周壁、該第一保護(hù)層、該第一容置部及該第二容置部；以及移除位于該導(dǎo)接層的該第二頂面、該導(dǎo)接層的該第三外周壁及該第一保護(hù)層的該第二保護(hù)層，以使位于該第一容置部的該第二保護(hù)層形成一第一保護(hù)環(huán)及使位于該·第二容置部的該第二保護(hù)層形成一第二保護(hù)環(huán)。·借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明凸塊工藝及其結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果由于環(huán)繞該些凸塊下金屬層的該些第一容置部形成有該些第一保護(hù)環(huán)，環(huán)繞該些銅凸塊的該些第二容置部形成有該些第二保護(hù)環(huán)，因此可避免該些凸塊下金屬層的該些第一外周壁及該些銅凸塊的該些第二外周壁裸露而造成銅離子游離導(dǎo)致短路的情形。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖IH是現(xiàn)有習(xí)知凸塊工藝的截面示意圖。圖2A至圖2J是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種凸塊工藝的截面示意圖。10: 基板11: 表面
12: 焊墊13: 保護(hù)層
20: 含銅金屬層21: 凸塊下金屬層21a: 第二外周壁
30: 光阻層31: 開口
40: 銅凸塊41: 第一外周壁50 導(dǎo)接層100:凸塊結(jié)構(gòu)
110: 基板111: 表面
112焊墊113:第一保護(hù)層
120:含銅金屬層121:第一區(qū)·
122:第二區(qū)123:凸塊下金屬層123a:第一外周壁
130: 光阻層131: 開口
140:銅凸塊141:第一頂面142第二外周壁
150:導(dǎo)接層151:第二頂面
152 樣層153: 接合層154第三外周壁
160:第二保護(hù)層161:第一保護(hù)環(huán)
161a:第一環(huán)壁162:第二保護(hù)環(huán)162a: 第二環(huán)壁
D1 第一間距D2: 第二間距
LI: 第一外周長L2: 第二外周長L3: 第三外周長
S: 容置空間SI: 第一容置部S2 第二容置部
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的凸塊工藝及其結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請參閱圖2A至圖2J，其本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種凸塊工藝，其至少包含下列步驟首先，請參閱圖2A，提供一基板110，該基板110具有一表面111、多個焊墊112及一第一保護(hù)層113,該些焊墊112設(shè)置于該表面111,該第一保護(hù)層113形成于該表面111并顯露該些焊塾112,該基板110的材質(zhì)娃可選自于錯化娃基板、神化嫁基板或監(jiān)寶石基板其中之一，該第一保護(hù)層113的材質(zhì)可選自于二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其混合體其中之一；接著，請參閱圖2B，形成一含銅金屬層120與些焊墊112及該第一保護(hù)層113，該含銅金屬層120具有多個第一區(qū)121及多個第二區(qū)122 ;之后，請參閱圖2C，形成一光阻層130于該含銅金屬層120 ;接著，請參閱圖2D，圖案化該光阻層130以形成多個開口 131，該些開口 131對應(yīng)該些第一區(qū)121 ;之后，請參閱圖2E，形成多個銅凸塊140在該些開口 131內(nèi)，各該銅凸塊140覆蓋該含銅金屬層120的各該第一區(qū)121且各該銅凸塊140具有一第一頂面141 ;接著，請參閱圖2F，形成一導(dǎo)接層150與該些銅凸塊140的該些第一頂面141，該導(dǎo)接層150具有一第二頂面151且該導(dǎo)接層150包含有一鎳層152及一接合層153，該鎳層152位于該銅凸塊140與該接合層153之間，該接合層153的材質(zhì)可選自于金、銀或鉛其中之一，在本實(shí)施例中，該接合層153的材質(zhì)為金；之后，請參閱圖2G，移除該光阻層130 ;接著，請參閱圖2H，移除該含銅金屬層120的該些第二區(qū)122以顯露出該第一保護(hù)層113，并使該含銅金屬層120的各該第一區(qū)121形成一凸塊下金屬層123，其中各該凸塊下金屬層123具
有一第一外周壁123a,各該銅凸塊140具有一第二外周壁142,該導(dǎo)接層150具有一第三外周壁154，該第一外周壁123a具有一第一外周長LI，該第二外周壁142具有一第二外周長L2，該第三外周壁154具有一第三外周長L3，該第三外周長L3大于該第二外周長L2，該第二外周長L2不小于該第一外周長LI,該第三外周壁154與該第二外周壁142之間具有一第一間距Dl，該第三外周壁154與該第一外周壁123a之間具有一第二間距D2，該第二間距D2不小于該第一間距D1，該導(dǎo)接層150及該第一保護(hù)層113之間具有一容置空間S，該容置空間S環(huán)繞該第一外周壁123a及該第二外周壁142，且該容置空間S具有一對應(yīng)于該第一外周壁123a的第一容置部SI及一對應(yīng)于該第二外周壁142的第二容置部S2 ;之后，請參閱圖21，形成一第二保護(hù)層160與該導(dǎo)接層150的該第二頂面151、該些凸塊下金屬層123的該些第一外周壁123a、該些銅凸塊140的該些第二外周壁142、該導(dǎo)接層150的該第三外周壁154、該第一保護(hù)層113、該第一容置部SI及該第二容置部S2，該第二保護(hù)層160可選自于氧化物或氮化物其中之一，在本實(shí)施例中，該氮化物可為氮化硅，該氧化物可為二氧化硅；最后，請參閱圖2J，移除位于該導(dǎo)接層150的該第二頂面151、該導(dǎo)接層150的該第三外周壁154及該第一保護(hù)層113的該第二保護(hù)層160，以使位于該第一容置部SI的該第二保護(hù)層160形成一第一保護(hù)環(huán)161，及使位于該第二容置部S2的該第二保護(hù)層160形成一第二保護(hù)環(huán)162以形成一凸塊結(jié)構(gòu)100，且該第一保護(hù)環(huán)161連接該第二保護(hù)環(huán)162。由于環(huán)繞該些凸塊下金屬層123的該些第一容置部SI形成有該些第一保護(hù)環(huán)161，環(huán)繞該些銅凸塊140的該些第二容置部S2形成有該些第二保護(hù)環(huán)162，因此該些凸塊下金屬層123的該些第一外周壁123a及該些銅凸塊140的該些第二外周壁142并無裸露，所以可避免銅離子游離而造成短路的情形。較佳地，在本實(shí)施例中，該第一保護(hù)環(huán)161具有一第一環(huán)壁161a，該第二保護(hù)環(huán)162具有一第二環(huán)壁162a，該第一環(huán)壁161a、該第二環(huán)壁162a及該第三外周壁154為平齊。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種凸塊工藝，其特征在于至少包含 提供一基板，該基板具有一表面、多個焊墊及一第一保護(hù)層，該些焊墊設(shè)置于該表面，該第一保護(hù)層形成于該表面并顯露該些焊墊； 形成一含銅金屬層與些焊墊及該第一保護(hù)層，該含銅金屬層具有多個第一區(qū)及多個第二區(qū)； 形成一光阻層與該含銅金屬層； 圖案化該光阻層以形成多個開口，該些開口對應(yīng)該些第一區(qū)； 形成多個銅凸塊在該些開口內(nèi)，各該銅凸塊覆蓋該含銅金屬層的各該第一區(qū)且各該銅凸塊具有一第一頂面； 形成一導(dǎo)接層與該些銅凸塊的該些第一頂面，該導(dǎo)接層具有一第二頂面且該導(dǎo)接層包含有一鎳層及一接合層，該鎳層位于該銅凸塊與該接合層之間； 移除該光阻層； 移除該含銅金屬層的該些第二區(qū)以顯露出該第一保護(hù)層，并使該含銅金屬層的各該第一區(qū)形成一凸塊下金屬層，其中各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁，各該銅凸塊具有一第二外周壁，該導(dǎo)接層具有一第三外周壁，該第三外周壁與該第二外周壁之間具有一第一間距，該第三外周壁與該第一外周壁之間具有一第二間距且該導(dǎo)接層及該第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有一對應(yīng)于該第一外周壁的第一容置部及一對應(yīng)于該第二外周壁的第二容置部； 形成一第二保護(hù)層與該導(dǎo)接層的該第二頂面、該些凸塊下金屬層的該些第一外周壁、該些銅凸塊的該些第二外周壁、該導(dǎo)接層的該第三外周壁、該第一保護(hù)層、該第一容置部及該第二容置部；以及 移除位于該導(dǎo)接層的該第二頂面、該導(dǎo)接層的該第三外周壁及該第一保護(hù)層的該第二保護(hù)層，以使位于該第一容置部的該第二保護(hù)層形成一第一保護(hù)環(huán)及使位于該第二容置部的該第二保護(hù)層形成一第二保護(hù)環(huán)。
2.如權(quán)利要求I所述的凸塊工藝，其特征在于該第三外周壁具有一第三外周長，該第二外周壁具有一第二外周長，該第一外周壁具有一第一外周長，該第三外周長大于該第二外周長，該第二外周長不小于該第一外周長。
3.如權(quán)利要求I所述的凸塊工藝，其特征在于該第二間距不小于該第一間距。
4.如權(quán)利要求I所述的凸塊工藝，其特征在于該第二保護(hù)層選自于氧化物或氮化物其中之一。
5.如權(quán)利要求4所述的凸塊工藝，其特征在于該氮化物可為氮化硅、氮氧化硅或其混合體其中之一。
6.如權(quán)利要求4所述的凸塊工藝，其特征在于該氧化物可為二氧化硅、氮氧化硅或其混合體其中之一。
7.如權(quán)利要求I所述的凸塊工藝，其特征在于該第一保護(hù)環(huán)具有一第一環(huán)壁，該第二保護(hù)環(huán)具有一第二環(huán)壁，該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該第三外周壁為平齊。
8.一種凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包含 一基板，其具有一表面、多個焊墊及一第一保護(hù)層，該些焊墊設(shè)置于該表面，該第一保護(hù)層形成于該表面并顯露該些焊墊；多個凸塊下金屬層，各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁； 多個銅凸塊，其形成于該些凸塊下金屬層上，各該銅凸塊具有一第一頂面及一第二外周壁； 一導(dǎo)接層，其形成于該些銅凸塊的該些第一頂面，該導(dǎo)接層具有一第二頂面及一第三外周壁，且該導(dǎo)接層包含有一鎳層及一接合層，該鎳層位于該銅凸塊與該接合層之間，其中該第三外周壁與該第二外周壁之間具有一第一間距，該第三外周壁與該第一外周壁之間具有一第二間距且該導(dǎo)接層及該第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有ー對應(yīng)于該第一外周壁的第一容置部及一對應(yīng)于該第二外周壁的第二容置部； 一第一保護(hù)環(huán)，其形成于該第一容置部；以及 一第二保護(hù)環(huán)，其形成于該第二容置部。
9.如權(quán)利要求8所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一保護(hù)環(huán)連接該第二保護(hù)環(huán)。
10.如權(quán)利要求8所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一保護(hù)環(huán)具有一第一環(huán)壁，該第二保護(hù)環(huán)具有一第二環(huán)壁，該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該第三外周壁為平齊。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種凸塊工藝，其包含一基板；形成一含銅金屬層；形成一光阻層；圖案化該光阻層以形成多個開口；形成多個銅凸塊在該些開口內(nèi)，各該銅凸塊具有一第一頂面；形成一包含有一鎳層及一接合層的導(dǎo)接層，該導(dǎo)接層具有一第二頂面；移除該光阻層；形成一凸塊下金屬層，其中各該凸塊下金屬層具有一第一外周壁，各該銅凸塊具有一第二外周壁，該導(dǎo)接層及該基板的第一保護(hù)層之間具有一容置空間，該容置空間環(huán)繞該第一外周壁及該第二外周壁，且該容置空間具有一第一容置部及一對第二容置部；形成一第二保護(hù)層；及移除部分該第二保護(hù)層，使位于該第一容置部的該第二保護(hù)層形成一第一保護(hù)環(huán)及使位于該第二容置部的該第二保護(hù)層形成一第二保護(hù)環(huán)。
文檔編號H01L23/488GK102800599SQ20111014692
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月25日
發(fā)明者何榮華, 郭志明, 莊坤樹 申請人:頎邦科技股份有限公司