一種晶圓背面的表面修復(fù)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，首先將晶圓放入惰性氣體（如Ar）和氧氣的混合氣體環(huán)境中，氧氣與惰性氣體的體積份數(shù)之比為1：100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面修復(fù)，其可以在低溫下產(chǎn)生濃度分布均勻的高密度RLSA等離子體（徑向線縫隙天線等離子體），RLSA等離子體在壓力范圍為5毫托～500毫托，溫度范圍為300℃～400℃，在惰性氣體(如Ar等)與氧氣的環(huán)境下與晶圓背面作用，修復(fù)晶圓背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，從而獲得很好的器件性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種晶圓背面的表面修復(fù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓的修復(fù)方法，尤其涉及一種晶圓背面的表面修復(fù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]功能器件(power device)和背照式CMOS傳感器等制造工藝中，需要將晶圓背面進(jìn)行減薄化處理，減薄勢(shì)必對(duì)硅基底造成損傷，形成表面缺陷?，F(xiàn)有的技術(shù)一般采用蒸汽氧化物(steam oxide)或者去偶化的氧化物(DPO)的等方法來(lái)進(jìn)行表面修復(fù),但是其仍有進(jìn)一步的提升空間

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種晶圓背面的表面缺陷的修復(fù)方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，首先將晶圓放入惰性氣體和氧氣的混合氣體環(huán)境中，然后通入等離子體，所述等離子體作用于晶圓背面，修復(fù)晶圓背面的表面缺陷。
[0005]本發(fā)明的有益效果是:采用等離子體作用于晶圓背面，以修復(fù)晶圓背面的表面缺陷，降低界面缺陷密度，從而獲得很好的器件性能。
[0006]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0007]進(jìn)一步，所述等離子體為徑向線縫隙天線等離子體。
[0008]進(jìn)一步，所述惰性氣體與氧氣的混合氣體環(huán)境中，氧氣與惰性氣體的體積份數(shù)之比為 1:100 ?3:100。
[0009]進(jìn)一步，所述等離子體作用于晶圓背面所需要的壓力范圍為5毫托?500毫托，所需要的溫度范圍為300°C?400°C。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明一種晶圓背面的表面修復(fù)方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0012]如圖1所示，一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，首先將晶圓放入惰性氣體(如Ar)和氧氣的混合氣體環(huán)境中，氧氣與惰性氣體的體積份數(shù)之比為1:100?3:100，然后利用日本TEL公司的SPA機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面修復(fù)，其可以在低溫下產(chǎn)生濃度分布均勻的高密度RLSA等離子體(RLSA等離子體為徑向線縫隙天線等離子體)，所述RLSA等離子體為由多個(gè)縫隙的平面天線將微波導(dǎo)入容器內(nèi)形成氣體的微波激發(fā)的高密度等離子體，RLSA等離子體在壓力范圍為5毫托?500毫托，溫度范圍為300°C?400°C的，在惰性氣體(如Ar等)與氧氣的環(huán)境下與晶圓背面作用，徑向線縫隙天線等離子體在惰性氣體(如Ar等)與氧氣的環(huán)境下于晶圓背面表面發(fā)生反應(yīng)，生成填充晶圓背面缺陷的物質(zhì)填充晶圓背面表面的缺陷，使得晶圓背面表面致密平整，修復(fù)晶圓背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，從而獲得很好的器件性能。
[0013]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，其特征在于:首先將晶圓放入惰性氣體和氧氣的混合氣體環(huán)境中，然后通入等離子體，所述等離子體作用于晶圓背面，修復(fù)晶圓背面的表面缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，其特征在于:所述等離子體為徑向線縫隙天線等離子體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種經(jīng)驗(yàn)背面的表面修復(fù)方法，其特征在于:所述惰性氣體與氧氣的混合氣體環(huán)境中，氧氣與惰性氣體的體積份數(shù)之比為1:100?3:100。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶圓背面的表面修復(fù)方法，其特征在于:所述等離子體作用于晶圓背面所需要的壓力范圍為5毫托?500毫托，所需要的溫度范圍為300°C?400。。。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103531440SQ201310499947
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月22日
【發(fā)明者】洪齊元, 黃海 申請(qǐng)人:武漢新芯集成電路制造有限公司