本公開內(nèi)容的實(shí)施例總體上涉及集成電路的領(lǐng)域，并且更具體而言，涉及用于用多個金屬層來填充高縱橫比的窄結(jié)構(gòu)的技術(shù)以及相關(guān)聯(lián)的配置。

背景技術(shù)：

晶體管結(jié)構(gòu)的尺寸在新興技術(shù)中持續(xù)縮小至較小尺寸。例如，向晶體管結(jié)構(gòu)傳送電能的金屬接觸部的臨界尺寸可以縮小到其中用于在窄結(jié)構(gòu)中沉積金屬的傳統(tǒng)技術(shù)可能由于技術(shù)或成本原因而不可行的程度。

附圖說明

通過結(jié)合附圖的以下具體實(shí)施方式，將容易理解實(shí)施例。為了便于描述，類似的附圖標(biāo)記指代類似的結(jié)構(gòu)元件。在附圖的圖中，通過示例的方式而不是通過限制的方式例示了實(shí)施例。

圖1示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的以晶圓形式和以單體化形式的示例管芯的頂視圖。

圖2示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路(IC)組件的橫截面?zhèn)纫晥D。

圖3示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的第一透視圖和第二透視圖中的晶體管電極組件的橫截面?zhèn)纫晥D。

圖4A-圖4G示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的在各個制造階段期間的第一透視圖和第二透視圖中的晶體管電極組件的橫截面?zhèn)纫晥D。

圖5示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的用于制造晶體管電極組件的方法的流程圖。

圖6示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括如本文中所描述的晶體管電極組件的示例系統(tǒng)。

具體實(shí)施方式

本公開內(nèi)容的實(shí)施例描述了用于用多個金屬層來填充高縱橫比的窄結(jié)構(gòu)的技術(shù)以及相關(guān)聯(lián)的配置。在以下具體實(shí)施方式中，參照形成本文的一部分的附圖，其中貫穿附圖類似的附圖標(biāo)記標(biāo)識類似的部件，并且在附圖中通過其中可以實(shí)施本公開內(nèi)容的主題的例示實(shí)施例的方式而示出。將理解的是，在不脫離本公開內(nèi)容的范圍的情況下可以利用其它實(shí)施例并且可以作出結(jié)構(gòu)或邏輯改變。因此，以下具體實(shí)施方式并非在限制意義上被采用，并且實(shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求以及它們的等效形式來限定。

出于本公開內(nèi)容的目的，短語“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開內(nèi)容的目的，短語“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本說明書可以使用諸如頂部/底部、側(cè)部、上方/下方、等等之類的基于視角的描述。這些描述僅用于便于討論，而并非旨在將本文中所描述的實(shí)施例的應(yīng)用限制于任何具體范圍。

說明書可以使用短語“在一個實(shí)施例中”、或‘在實(shí)施例中’，它們均可以指代相同或不同實(shí)施例中的一個或多個實(shí)施例。此外，如關(guān)于本公開內(nèi)容的實(shí)施例所使用的，術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”、等等是同義詞。

術(shù)語“與……耦合”連同其派生詞可以用在本文中?！榜詈稀笨梢员硎疽韵潞x中的一個或多個含義?！榜詈稀笨梢员硎緝蓚€或更多個元件直接物理或電接觸。然而，“耦合”還可以表示兩個或更多個元件彼此間接接觸，但仍彼此協(xié)作或相互作用，并可以表示一個或多個其它元件耦合或連接在被稱為彼此耦合的元件之間。術(shù)語“直接耦合”可以表示兩個或更多個元件直接接觸。

在各個實(shí)施例中，短語“第一特征形成、沉積、或以其它方式設(shè)置在第二特征上”可以表示第一特征形成、沉積、或設(shè)置在第二特征上方，并且第一特征的至少一部分可以與第二特征的至少一部分直接接觸(例如，直接物理和/或電接觸)或間接接觸(例如，在第一特征與第二特征之間具有一個或多個其它特征)。

如本文中使用的，術(shù)語“模塊”可以指代專用集成電路(ASIC)、電子電路、處理器(共享、專用、或組)和/或執(zhí)行一個或多個軟件或固件程序的存儲器(共享、專用、或組)、組合邏輯電路、和/或提供所描述的功能的其它適當(dāng)?shù)牟考?，術(shù)語“模塊”可以是它們的部分，或者可以包括它們。

圖1示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的以晶圓形式10和以單體化形式100的示例管芯102的頂視圖。在一些實(shí)施例中，管芯102可以是由半導(dǎo)體材料(舉例而言，例如硅或其它適當(dāng)?shù)牟牧?構(gòu)成的晶圓11的多個管芯(例如，管芯102、103a、103b)中的一個管芯。多個管芯可以形成在晶圓11的表面上。管芯中的每個都可以是包括如本文中所描述的一個或多個晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a-300b或圖4A-圖4G中的400a-400b)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的重復(fù)單元。例如，管芯102可以包括具有晶體管結(jié)構(gòu)104(舉例而言，例如，為一個或多個晶體管器件或源極/漏極區(qū)的移動電荷載流子提供溝道通路的一個或多個溝道體(例如，鰭狀物結(jié)構(gòu)、納米線、平面本體、等等))的電路。電互連結(jié)構(gòu)(舉例而言，例如晶體管電極組件(例如，端子接觸部))可以形成在一個或多個晶體管結(jié)構(gòu)104上并與該一個或多個晶體管結(jié)構(gòu)104耦合，以便將電能路由到晶體管結(jié)構(gòu)104或者從晶體管結(jié)構(gòu)104路由電能。例如，端子接觸部可以與溝道體電耦合，以提供柵極電極以用于傳送閾值電壓和/或源極/漏極電流以為晶體管器件的操作提供移動電荷載流子。盡管為了簡單起見，按照橫貫圖1中的管芯102的主要部分的行描繪了晶體管結(jié)構(gòu)104，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，在其它實(shí)施例中，可以在管芯102上以各種各樣其它適當(dāng)?shù)牟贾弥械娜魏尾贾脕砼渲镁w管結(jié)構(gòu)104，包括例如具有比所描繪的小得多的尺寸的垂直和水平特征。

在具體化在管芯中的半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造過程完成之后，晶圓11可以經(jīng)受單體化工藝，在該工藝中，管芯中的每個(例如，管芯102)被彼此分隔開以提供半導(dǎo)體產(chǎn)品的分立“芯片”。晶圓11可以具有多個尺寸中的任何尺寸。在一些實(shí)施例中，晶圓11具有范圍從大約25.4mm到大約450mm的直徑。在其它實(shí)施例中，晶圓11可以包括其它尺寸和/或其它形狀。根據(jù)各個實(shí)施例，晶體管結(jié)構(gòu)104可以以晶圓形式10或單體化形式100被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上。本文中描述的晶體管結(jié)構(gòu)104可以被并入用于邏輯單元或存儲器、或者它們的組合的管芯102中。在一些實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)104可以是片上系統(tǒng)(SoC)組件的部分。

圖2示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路(IC)組件200的橫截面?zhèn)纫晥D。在一些實(shí)施例中，IC組件200可以包括與封裝基板121電氣耦合和/或物理耦合的一個或多個管芯(下文中的“管芯102”)。在一些實(shí)施例中，封裝基板121可以與電路板122電耦合，如可以看到的。在一些實(shí)施例中，根據(jù)各個實(shí)施例，集成電路(IC)組件200可以包括管芯102、封裝基板121和/或電路板122中的一個或多個。根據(jù)各個實(shí)施例，本文中針對晶體管電極組件所描述的實(shí)施例可以在任何適當(dāng)?shù)腎C器件中實(shí)施。

管芯102可以表示使用半導(dǎo)體制造技術(shù)(例如，薄膜沉積、光刻、蝕刻和結(jié)合形成CMOS器件所使用的那些技術(shù))來由半導(dǎo)體材料(例如，硅)制成的分立產(chǎn)品。在一些實(shí)施例中，管芯102可以是處理器、存儲器、SoC或ASIC，管芯102可以包括它們或者可以是它們的一部分。在一些實(shí)施例中，電絕緣材料(舉例而言例如，模塑化合物或底填材料(未示出))可以包封管芯102和/或管芯級互連結(jié)構(gòu)106的至少一部分。

根據(jù)各種各樣適當(dāng)?shù)呐渲?，管?02可以附接到封裝基板121，包括例如，在倒裝芯片配置中與封裝基板121直接耦合，如所描繪的。在倒裝芯片配置中，包括電路的管芯102的有源側(cè)S1使用管芯級互連結(jié)構(gòu)106(例如，凸塊、柱形物、或其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，它們也可以將管芯102與封裝基板121電耦合)附接到封裝基板121的表面。管芯102的有源側(cè)S1可以包括有源器件，舉例而言，例如晶體管器件。無源側(cè)S2可以被設(shè)置為與有源側(cè)S1相對，如可以看到的。

管芯102可以總體上包括半導(dǎo)體襯底102a、一個或多個器件層(下文中的“器件層102b”)和一個或多個互連層(下文中的“互連層102c”)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底102a可以基本上由舉例而言諸如硅之類的體半導(dǎo)體材料構(gòu)成。器件層102b可以表示其中有源器件(例如，晶體管器件)形成在半導(dǎo)體襯底上的區(qū)域。器件層102b例如可以包括諸如溝道體和/或晶體管器件的源極/漏極區(qū)之類的晶體管結(jié)構(gòu)。互連層102c可以包括被配置為往來于器件層102b中的有源器件來路由電信號的互連結(jié)構(gòu)(例如，電極端子)。例如，互連層102c可以包括水平線(例如，溝槽)和/或垂直插塞(例如，過孔)或其它適當(dāng)?shù)奶卣饕蕴峁╇娐酚珊?或接觸部。

在一些實(shí)施例中，管芯級互連結(jié)構(gòu)106可以與互連層102c電耦合，并且被配置為在管芯102與其它電器件之間路由電信號。電信號可以包括例如與管芯102的操作結(jié)合使用的輸入/輸出(I/O)信號和/或電源/地信號。

在一些實(shí)施例中，封裝基板121是具有核和/或?qū)臃e層的基于環(huán)氧樹脂的層疊基板(舉例而言，例如，味之素層積膜(ABF)基板)。在其它實(shí)施例中，封裝基板121可以包括其它適當(dāng)類型的基板，包括例如由玻璃、陶瓷、或半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基板。

封裝基板121可以包括被配置為將電信號路由到管芯102或從管芯102路由電信號的電路由特征。電路由特征可以包括例如被設(shè)置在封裝基板121的一個或多個表面上的焊盤或跡線(未示出)和/或內(nèi)部路由特征(未示出)(舉例而言，例如將電信號路由通過封裝基板121的溝槽、過孔或其它互連結(jié)構(gòu))。例如，在一些實(shí)施例中，封裝基板121可以包括被配置用于接收管芯102的相應(yīng)管芯級互連結(jié)構(gòu)106的諸如焊盤(未示出)之類的電路由特征。

電路板122可以是由諸如環(huán)氧樹脂層疊體之類的電絕緣材料構(gòu)成的印刷電路板(PCB)。例如，電路板122可以包括電絕緣材料，其舉例而言例如由以下材料構(gòu)成：聚四氟乙烯、諸如阻燃劑4(FR-4)、FR-1、棉紙之類的酚醛樹脂棉紙材料、諸如CEM-1或CEM-3之類的環(huán)氧樹脂材料或者使用環(huán)氧樹脂預(yù)浸材料來層疊在一起的編織玻璃材料。諸如跡線、溝槽、或過孔之類的互連結(jié)構(gòu)(未示出)可以被形成為穿過電絕緣層，以便將管芯102的電信號路由通過電路板122。在其它實(shí)施例中，電路板122可以由其它適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。在一些實(shí)施例中，電路板122是母板(例如，圖6中的母板602)。

封裝級互連件(舉例而言，例如焊球112)可以耦合到封裝基板121上和/或電路板122上的一個或多個焊盤(下文中的“焊盤110”)以形成相對應(yīng)的焊接點(diǎn)，這些焊接點(diǎn)被配置為進(jìn)一步在封裝基板121與電路板122之間路由電信號。焊盤110可以由任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料(例如金屬，包括例如鎳(Ni)、鉑(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、及其它們的組合)構(gòu)成。在其它實(shí)施例中，可以使用用于將封裝基板121與電路板122物理耦合和/或電耦合的其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)。

在其它實(shí)施例中，IC組件200可以包括各種各樣其它適當(dāng)?shù)呐渲?，包括例如倒裝芯片和/或線接合配置、內(nèi)插器、包括系統(tǒng)級封裝(SiP)和/或封裝堆疊(PoP)配置的多芯片封裝配置。在一些實(shí)施例中，可以使用用于在IC組件200的管芯102與其它部件之間路由電信號的其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)。

圖3示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的第一透視圖中的晶體管電極組件300a和第二透視圖中的晶體管電極組件300b的橫截面?zhèn)纫晥D。例如，晶體管電極組件300a可以是沿著一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)(例如，晶體管結(jié)構(gòu)130)的縱向方向L并平行于該縱向方向L的橫截面描繪，并且晶體管電極組件300b可以是在方向W上跨(across)一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)(例如，晶體管結(jié)構(gòu)130)的縱向方向并垂直于該縱向方向的橫截面描繪。

根據(jù)各個實(shí)施例，晶體管電極組件300a、300b包括晶體管結(jié)構(gòu)130、設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)130上并具有被限定在晶體管結(jié)構(gòu)130上方的凹陷部134的電介質(zhì)材料132、以及設(shè)置在凹陷部134中并與晶體管結(jié)構(gòu)130耦合的電極端子142。電極端子142可以包括與晶體管結(jié)構(gòu)130直接接觸的第一部分138以及設(shè)置在第一部分138上的第二部分140，如可以看到的。

第一部分138可以包括例如設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)130上的一種或多種金屬。例如，第一部分138可以包括與晶體管結(jié)構(gòu)130直接接觸的界面金屬。在其中晶體管結(jié)構(gòu)130是晶體管的柵極的實(shí)施例中，界面金屬可以是具有被配置為設(shè)置晶體管的溝道中的閾值電壓(V_TH)的厚度的功函數(shù)金屬(WFM)。在其中晶體管結(jié)構(gòu)130是晶體管的源極區(qū)或漏極區(qū)的實(shí)施例中，界面金屬可以是接觸金屬。在其它實(shí)施例中，第一部分138和第二部分140可以被配置為用于其它功能。例如，在一些實(shí)施例中，第一部分138可以是導(dǎo)體金屬并且第二部分140可以是功函數(shù)金屬。

在所描繪的實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)130是具有柵極電介質(zhì)136(較粗的線)的柵極，該柵極電介質(zhì)136被設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)130上，并且在一些情形中，被設(shè)置在凹陷部134中的電介質(zhì)材料132的側(cè)壁上，如可以看到的。盡管所描繪的實(shí)施例示出了其中電極端子142形成在柵極上的情形，但是在其它實(shí)施例中，可以使用類似的原理或配置以在晶體管的源極/漏極區(qū)上形成電極端子142。例如，可以使用結(jié)合在圖4A-圖4G中形成電極端子142所描述的類似原理來在柵極的電極端子142的相對側(cè)上形成源極/漏極接觸部。

晶體管結(jié)構(gòu)130(例如，柵極或源極/漏極)可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成，該材料包括半導(dǎo)體材料(舉例而言，例如硅)。在所描繪的實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)130包括一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)。一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)通常可以在縱向方向L上延伸并可以在一個或多個鰭式FET(場效應(yīng)晶體管)器件(例如，雙柵極、三柵極或其它基于鰭狀物的晶體管)的制造中由半導(dǎo)體襯底130a的半導(dǎo)體材料形成。

可以沉積金屬以便以在頂部表面處提供基本上平面的界面的方式形成第一部分138，該頂部表面與第二部分140的材料直接接觸，如可以看到的。也就是說，第一部分138與第二部分140之間的平面界面可以在箭頭所指示的方向L和/或W上延伸跨過整個凹陷部134。凹陷部134可以具有高度H，并且第一部分138可以僅填充凹陷部134的高度H的一部分，如可以看到的。在一些實(shí)施例中，第一部分138覆蓋晶體管結(jié)構(gòu)130的表面，該晶體管結(jié)構(gòu)包括凹陷部134內(nèi)的鰭狀物結(jié)構(gòu)，如可以看到的。結(jié)合圖4A-圖4G進(jìn)一步描述了用于沉積一種或多種金屬以形成第一部分138的技術(shù)。

可以由凹陷部134或電極端子142的高度H相對于垂直于高度H的凹陷部134或電極端子的另一個尺寸(舉例而言，例如凹陷部134或電極端子142的臨界尺寸(CD))的比率來定義縱橫比。因此，較窄的CD可以提供較高的縱橫比。在一些實(shí)施例中，電極端子142的窄凹陷部134的CD可以為15納米(nm)或更小。由于凹陷部134或電極端子142的CD持續(xù)縮小，用金屬填充凹陷部134以形成第一部分138和第二部分140可以變得更加具有挑戰(zhàn)性。在一些實(shí)施例中，縱橫比可以大于或等于1(1:1)。在一個實(shí)施例中，凹陷部的高度相對于臨界尺寸的縱橫比大于或等于2:1。盡管本文中的技術(shù)可以尤其非常適合于填充窄CD結(jié)構(gòu)，但是根據(jù)各個實(shí)施例，該技術(shù)可用于填充較寬的CD結(jié)構(gòu)(例如，大于15nm的CD)。

一種或多種金屬可以沉積在凹陷部134中的第一部分138上以形成第二部分140。第二部分140可以包括例如低電阻率填充金屬。被沉積以形成第二部分140的金屬中的至少一種可以具有與被沉積以形成第一部分138的金屬不同的化學(xué)組分。

用于形成電極端子142的材料可以包括各種各樣適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，包括例如一種或多種金屬。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括銅(Cu)、金(Au)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈷(Co)、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、或鋁(Al)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括金屬氮化物，舉例而言例如氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、或碳化鉭(TaN)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括金屬硅化物，舉例而言例如硅化鈦(TiSi)、硅化鎢(WSi)、硅化鉭(TaSi)、硅化鈷(CoSi)、硅化鉑(PtSi)、硅化鎳(NiSi)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括金屬硅氮化物，舉例而言例如氮化硅鈦(TiSiN)、或氮化硅鉭(TaSiN)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括金屬碳化物，舉例而言例如碳化鈦(TiC)、碳化鋯(ZrC)、碳化鉭(TaC)、氮化鉿(HfC)、或碳化鋁(AlC)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括金屬碳氮化物，舉例而言例如碳氮化鉭(TaCN)、碳氮化鈦(TiCN)、或者它們的組合。在一些實(shí)施例中，電極端子142可以包括導(dǎo)電金屬氧化物(例如，氧化釕)。取決于晶體管是P型還是N型晶體管，材料還可以包括P型功函數(shù)或N型功函數(shù)材料。在一些實(shí)施例中，多層不同材料可用于形成電極端子142。在其它實(shí)施例中，電極端子142可以包括其它適當(dāng)?shù)牟牧稀Ｔ谝恍?shí)施例中，電極端子142(例如，第二部分140)可以包括電介質(zhì)材料以便于形成自對準(zhǔn)的接觸結(jié)構(gòu)。

在其中電極端子142是柵極端子的實(shí)施例中，電極端子142可具有相對于源極/漏極的電極端子142較為矩形形狀的輪廓。也就是說，在一些實(shí)施例中，柵極的電極端子142可具有相對于源極/漏極的電極端子142較為錐形的輪廓。柵極的電極端子142的輪廓可以由于可用于形成電極端子142的圖案化工藝而更為矩形。例如，替代金屬柵極(RMG)工藝可用于形成凹陷部134，以使得虛設(shè)柵極首先使用犧牲材料形成，該犧牲材料隨后被去除并用另一種柵極材料替代。

在其中電極端子142是柵極端子的實(shí)施例中，一對間隔體(未示出)可以包圍電極端子142。間隔體可以由諸如氮化硅、氧化硅、碳化硅、摻雜有碳的氮化硅、和氮氧化硅之類的材料形成。用于形成間隔體的工藝在本領(lǐng)域是公知的，并通常包括沉積和蝕刻工藝步驟。

在其中電極端子142是用于晶體管的源極/漏極的接觸端子的實(shí)施例中，電極端子142可具有錐形的輪廓形狀，該形狀在頂部處具有較寬的尺寸并且在底部處具有較窄的尺寸。電極端子142的頂部處的較寬尺寸可以減小相關(guān)聯(lián)的晶體管的寄生外部電阻(Rext)，并且底部處的較窄尺寸可以通過為晶體管提供更多空間而有助于在晶體管區(qū)域中縮放至較小尺寸。電極端子142的輪廓可以例如通過濕法/干法蝕刻圖案化工藝來實(shí)現(xiàn)，該工藝在通過圖案化工藝所形成的接觸溝槽中提供傾斜的側(cè)壁。

柵極電介質(zhì)136可以包括各種適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料，該電介質(zhì)材料包括高k材料。在一些實(shí)施例中，柵極電介質(zhì)136可以包括例如氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、氮化硅(Si_xN_y)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鉿(HfO₂)、氧化鉿鋁(HfAl_xO_y)、氧化鉿硅(HfSi_xO_y)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋯硅(ZrSi_xO_y)、氧化鑭(La₂O₃)、氧化釔(Y₂O₃)、氧化鑭鋁(LaAl_xO_y)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鋇鍶鈦(BaSrTi_xO_y)、氧化鋇鈦(BaTi_xO_y)、氧化鍶鈦(SrTi_xO_y)、氧化鉛鈧鉭(PbSc_xTa_yO_z)、鈮鋅酸鉛(PbZn_xNb_yO_z)、或者它們的組合，其中，x、y和z表示相應(yīng)元素的適當(dāng)?shù)牧?。在一些?shí)施例中，退火工藝可以在柵極電介質(zhì)136上執(zhí)行，以便在使用高k材料時提高其質(zhì)量。在其它實(shí)施例中，其它材料可用于柵極電介質(zhì)136。

電介質(zhì)材料132可以包括各種適當(dāng)?shù)碾娊^緣材料中的任何材料，這些材料包括例如層間電介質(zhì)(ILD)材料。電介質(zhì)材料132可以使用因其在集成電路結(jié)構(gòu)中的適用性而公知的電介質(zhì)材料來形成，例如低k電介質(zhì)材料。可以使用的電介質(zhì)材料的示例包括但不限于氧化硅(SiO₂)、碳摻雜的氧化物(CDO)、氮化硅、諸如八氟環(huán)丁烷或聚四氟乙烯之類的有機(jī)聚合物、氟硅酸鹽玻璃(FSG)、以及諸如倍半硅氧烷、硅氧烷、或有機(jī)硅酸鹽玻璃之類的有機(jī)硅酸鹽。電介質(zhì)材料132可以包括小孔或其它孔隙以進(jìn)一步減小它們的介電常數(shù)。在其它實(shí)施例中，電介質(zhì)材料132可以包括其它適當(dāng)?shù)牟牧稀?/p>

圖4A-圖4G示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的第一透視圖中的晶體管電極組件400a的橫截面?zhèn)纫晥D以及第二透視圖中的晶體管電極組件400b的橫截面?zhèn)纫晥D。根據(jù)各個實(shí)施例，晶體管電極組件400a、400b可以與結(jié)合圖3中的晶體管電極組件300a、300b描述的實(shí)施例一致，反之亦然。

參考圖4A，描繪了在形成晶體管結(jié)構(gòu)130、在晶體管結(jié)構(gòu)130上方沉積電介質(zhì)材料132、以及在電介質(zhì)材料中形成凹陷部134以暴露出晶體管結(jié)構(gòu)130之后的晶體管電極組件400a、400b。根據(jù)一些實(shí)施例，凹陷部134可以通過在晶體管結(jié)構(gòu)130上形成犧牲虛設(shè)柵極電極并隨后作為替代金屬柵極(RMG)工藝的部分而去除虛設(shè)柵極電極的犧牲材料來形成。在一些實(shí)施例中，犧牲材料可以通過蝕刻工藝來去除。在其中晶體管結(jié)構(gòu)130是溝道體的柵極區(qū)的情形下，例如可以使用RMG工藝。在這些情形下，柵極電介質(zhì)(例如，圖3中的柵極電介質(zhì)136)可以在形成凹陷部134之后被沉積到晶體管結(jié)構(gòu)130的表面以及凹陷部134中的側(cè)壁上。根據(jù)其它實(shí)施例，凹陷部134可以通過借助于諸如光刻和/或蝕刻工藝之類的圖案化工藝去除電介質(zhì)材料132的部分來形成。例如在其中晶體管結(jié)構(gòu)130是晶體管的源極區(qū)或漏極區(qū)的情形下，可以使用這種技術(shù)。

參考圖4B，描繪了在晶體管結(jié)構(gòu)130上沉積電極端子(例如，圖3中的電極端子142)的第一部分(例如，圖3中的第一部分138)的第一金屬138a之后的晶體管電極組件400a、400b。在其中柵極電介質(zhì)作為晶體管結(jié)構(gòu)130的部分而形成的情形下，第一金屬138a可以沉積在柵極電介質(zhì)上。第一金屬138a可以是界面金屬，在一些實(shí)施例中，其可以包括功函數(shù)金屬。根據(jù)各個實(shí)施例，使用共形沉積工藝(舉例而言，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或物理氣相沉積(PVD))來沉積第一金屬138a，以便在晶體管電極組件400a、400b的暴露出的表面上沉積基本上均勻厚度的第一金屬138a，如可以看到的。均勻共形沉積可以減少在凹陷部134的開口的頂部處截斷(pinch off)的可能性，或防止在凹陷部134的開口的頂部處截斷。截斷可能導(dǎo)致孔隙或其它缺陷。

參考圖4C，描繪了在沉積掩模材料144以僅填充凹陷部134的一部分之后的晶體管電極組件400a、400b，如可以看到的。凹陷部134內(nèi)的掩模材料144的高度可以大約與凹陷部134內(nèi)的第一部分的高度相對應(yīng)。在一些實(shí)施例中，掩模材料144可以使用任何適當(dāng)?shù)墓に噥沓练e，包括例如旋涂工藝(例如，旋涂玻璃(SOG))。掩模材料144例如可以包括諸如碳硬掩模(CHM)之類的光致抗蝕劑或硬掩模材料。掩模材料144可以包括其它適當(dāng)?shù)牟牧?，并且在其它?shí)施例中可以使用其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)來沉積。在一些實(shí)施例中，在沉積之后蝕刻掩模材料144，以便在凹陷部134內(nèi)提供期望水平高度的掩模材料144。

參考圖4D，描繪了在去除第一金屬138a的未被掩模材料144覆蓋或未受其保護(hù)的部分之后的晶體管電極組件400a、400b。例如，電介質(zhì)材料132上的第一金屬138a的位于凹陷部134外部的部分被去除，并且第一金屬138a的位于凹陷部134內(nèi)并且未被掩模材料144覆蓋的部分被去除，如可以看到的。在一些實(shí)施例中，第一金屬138a的部分通過各向同性濕法蝕刻工藝來去除。在其它實(shí)施例中，可以使用其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)以選擇性地去除第一金屬138a的部分。

參考圖4E，描繪了在去除掩模材料144之后的晶體管電極組件400a、400b。掩模材料144可以使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)(包括例如蝕刻工藝)來去除。根據(jù)各個實(shí)施例，結(jié)合圖4B-圖4E所描述的動作可以重復(fù)一次或多次，以共形地沉積金屬的一個或多個另外的薄膜。通常，例如，可以執(zhí)行連續(xù)的ALD金屬沉積和金屬膜凹陷步驟，以便用第一部分138填充凹陷部134的底部。

參考圖4F，描繪了在下層金屬(例如，第一金屬138a)上沉積電極端子(例如，圖3中的電極端子142)的第一部分(例如，圖3中的第一部分138)的第二金屬138b之后的晶體管電極組件400a、400b。根據(jù)各個實(shí)施例，第二金屬138b可以通過選擇性沉積工藝來沉積。例如，在一些實(shí)施例中，第二金屬138b可以通過電鍍、無電鍍或選擇性CVD工藝來沉積。在一些實(shí)施例中，一種或多種其它金屬還可以通過選擇性沉積被沉積在第二金屬138b上。在其中使用選擇性沉積工藝的情形下，那么第二金屬138b可以填充凹陷部至第一金屬138a的最高水平高度，而不需要額外的掩模和/或蝕刻工藝來去除第二金屬138b的部分。

參考圖4G，描繪了在去除第二金屬138b的位于其中第一金屬138b在凹陷部134中終止的區(qū)域上方的部分之后的晶體管電極組件400a、400b。在一些實(shí)施例中，可以使用掩模和/或各向同性濕法蝕刻工藝來去除第二金屬138b的部分。在其它實(shí)施例中，可以使用其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)來去除第二金屬138b的部分。第二金屬138b的部分的去除可以提供跨凹陷部134的第一金屬138a和第二金屬138b的基本上平面的上部表面，如可以看到的。在一些實(shí)施例中，第一金屬138a可以共形地沉積在晶體管結(jié)構(gòu)130的表面上。第二金屬138b可以被配置為與被沉積以在第一部分(例如，圖3中的第一部分138)與第二部分之間的界面處形成第二部分(例如，圖3中的第二部分140)的金屬直接接觸。根據(jù)各個實(shí)施例，電極端子的第一部分(例如，圖3中的第一部分138)可以包括第一金屬138a和第二金屬138b。助粘劑和/或抗氧化材料可以應(yīng)用于第一金屬138a和/或第二金屬138b以增加隨后材料的粘性或者以保護(hù)其免受氧化。

在一些實(shí)施例中，凹陷部134的上部部分可以填充有一種或多種金屬(舉例而言，例如低電阻率金屬)以形成電極端子(例如，圖3中的電極端子142)的第二部分(例如，圖3中的第二部分140)。在一些實(shí)施例中，可以使用CVD、ALD、PVD、無電鍍、電鍍、或這些沉積技術(shù)的適當(dāng)組合來沉積材料以形成第二部分。材料的沉積之后可以是平坦化或拋光工藝(例如，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP))以去除凹陷部134外部的任何不必要的材料。

盡管已經(jīng)參照晶體管結(jié)構(gòu)描述了本文中的技術(shù)，但是在除了所描繪的配置之外的其它配置中類似的沉積原理可用于在窄凹陷部中沉積金屬。例如，圖2中的互連層102c的互連結(jié)構(gòu)(例如，溝槽或過孔)可以使用本文中所描述的沉積技術(shù)來形成。例如，在一些實(shí)施例中，第一部分(例如，圖3中的第一部分138)可以由低電阻率金屬構(gòu)成，并且第二部分(例如，圖4中的第二部分140)可以由電介質(zhì)材料構(gòu)成。

圖5示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的制造晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a、300b或圖4中的400a、400b)的方法500的流程圖。方法500可以與結(jié)合圖1-圖4G所描述的實(shí)施例一致，反之亦然。

在502處，方法500可以包括提供半導(dǎo)體襯底(例如，圖3、圖4A-圖4G中的半導(dǎo)體襯底130a)。例如，半導(dǎo)體襯底可以包括以晶圓形式的基于硅的管芯。

在504處，方法500可以包括在半導(dǎo)體襯底上形成晶體管結(jié)構(gòu)(例如，圖3、圖4A-圖4G中的晶體管結(jié)構(gòu)130)。在一些實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)可以由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)可以是晶體管的柵極、源極或漏極。在一些實(shí)施例中，晶體管結(jié)構(gòu)可以包括一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)。晶體管結(jié)構(gòu)可以包括通過電極端子的方式耦合到電能的有源器件的任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。

在506處，方法500可以包括在晶體管結(jié)構(gòu)上方沉積電介質(zhì)材料(例如，圖3、圖4A-圖4G中的電介質(zhì)材料132)。電介質(zhì)材料可以包括ILD材料。

在508處，方法500可以包括在電介質(zhì)材料中形成凹陷部(例如，圖3、圖4A-圖4G中的凹陷部134)以暴露出晶體管結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，凹陷部可以通過根據(jù)公知的工藝去除犧牲材料(例如，多晶硅)來形成，該犧牲材料可以形成在晶體管結(jié)構(gòu)上。例如，犧牲材料可以使用蝕刻工藝去除。在其它實(shí)施例中，電介質(zhì)材料可以使用圖案化工藝去除以形成凹陷部。

在510處，方法500可以包括在凹陷部中的晶體管結(jié)構(gòu)上形成電極端子(例如，圖3中的電極端子142)。電極端子可以包括第一部分(例如，圖3中的第一部分138)和第二部分(例如，圖3中的第二部分140)。第一部分與第二部分之間的界面可以是平面的并且可以延伸跨過凹陷部。

在一些實(shí)施例中，電極端子的第一部分可以根據(jù)結(jié)合圖4A-圖4G所描述的技術(shù)來形成。例如，第一金屬(例如，圖4B中的第一金屬138a)可以共形地沉積在晶體管結(jié)構(gòu)上以及凹陷部中的電介質(zhì)材料的側(cè)壁上。掩模材料(例如，圖4C中的掩模材料144)可以被沉積以覆蓋被沉積在晶體管結(jié)構(gòu)上的第一金屬并且部分地填充凹陷部的高度。第一金屬的未被掩模材料覆蓋的部分可以如結(jié)合圖4D所描述地被去除，并且掩模材料可以如結(jié)合圖4E所描述地被去除。在一些實(shí)施例中，形成第一部分還可以包括在第一金屬上選擇性地沉積另一種金屬(例如，圖4F中的第二金屬138b)，以及去除另一種金屬的位于第一金屬在該處終止的凹陷部中的點(diǎn)上方的部分，如結(jié)合圖4G所描述的。

電極端子的第二部分可以通過在第一部分的基本平面的表面上沉積另一種金屬或適當(dāng)?shù)牟牧蟻硇纬?。第二部分的過量材料可以使用拋光工藝來去除。

在512處，方法500還可以包括在電極端子上形成一個或多個互連層(例如，圖2中的互連層102c)?；ミB層可以包括被配置用于往來于電極端子來路由電能的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

各個操作依次以最有助于理解所請求保護(hù)的主題的方式被描述為多個分立操作。然而，描述的順序不應(yīng)當(dāng)被理解為暗示這些操作必須是依賴于順序的?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)挠布?或軟件根據(jù)期望配置來將本公開內(nèi)容的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)成系統(tǒng)。

圖6示意性地例示了根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括如本文中所描述的晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a、300b或圖4中的400a、400b)的示例系統(tǒng)(例如，計算設(shè)備600)。計算設(shè)備600的部件可以容納在外殼(例如，殼體608)中。母板602可以包括多個部件，包括但不限于處理器604和至少一個通信芯片606。處理器604可以物理耦合和電氣地耦合到母板602。在一些實(shí)施方式中，至少一個通信芯片606也可以物理耦合和電氣地耦合到母板602。在另外的實(shí)施方式中，通信芯片606可以是處理器604的部分。

取決于其應(yīng)用，計算設(shè)備600可以包括其它部件，這些部件可以物理耦合和電氣耦合到板602，也可以不存在這樣的耦合。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，ROM)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼協(xié)處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計數(shù)器、加速度計、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)、以及大容量儲存設(shè)備(例如，硬盤驅(qū)動、壓縮盤(CD)、數(shù)字多功能盤(DVD)等等)。

通信芯片606可以實(shí)現(xiàn)無線通信，以便將數(shù)據(jù)傳送到計算設(shè)備600以及從計算設(shè)備600傳送數(shù)據(jù)。術(shù)語“無線”及其派生詞可用于描述可通過使用經(jīng)調(diào)制的電磁輻射經(jīng)由非固態(tài)介質(zhì)來傳送數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并非暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何引線，盡管在一些實(shí)施例中它們可能不含有。通信芯片606可以實(shí)施多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議，這些無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議包括但不限于電氣電子工程師學(xué)會(IEEE)標(biāo)準(zhǔn)，包括Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，IEEE 802.16-2005修改)、長期演進(jìn)(LTE)項目及其任何修改、更新、和/或修訂(例如，高級LET項目、超移動寬帶(UMB)項目(也被稱為“3GPP2”)、等等)。IEEE 802.16兼容的寬帶無線訪問(BWA)網(wǎng)絡(luò)通常被稱為WiMAX網(wǎng)絡(luò)，代表微波存取全球互通(Worldwide Interoperability for Microwave Access)的首字母略縮詞，其是用于通過IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互操作性測試的產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)志。通信芯片606可以根據(jù)以下來操作：全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、通用分組無線服務(wù)(GPRS)、通用移動電信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)型HSPA(E-HSPA)或LTE網(wǎng)絡(luò)。通信芯片606可以根據(jù)以下來操作：增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM演進(jìn)(EDGE)、GSM EDGE無線接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地?zé)o線接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)或者演進(jìn)型UTRAN(E-UTRAN)。通信芯片606可以根據(jù)以下進(jìn)行操作：碼分多址(CDMA)、時分多址(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)無繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)及其派生物，以及指定為3G、4G、5G及以上的任何其它的無線協(xié)議。在其它實(shí)施例中，通信芯片606可以根據(jù)其它無線協(xié)議來進(jìn)行操作。

計算設(shè)備600可以包括多個通信芯片606。例如，第一通信芯片606可以專用于較短距離無線通信(例如，Wi-Fi和藍(lán)牙)，并且第二通信芯片606可以專用于較長距離無線通信(例如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO以及其它)。

計算設(shè)備600的處理器604可以包括具有如本文中所描述的晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a、300b或圖4中的400a、400b)的管芯(例如，圖1-圖2中的管芯102)。例如，圖1-圖2中的管芯102可以安裝在封裝組件中，該封裝組件安裝在諸如母板602之類的電路板上。術(shù)語“處理器”可以指代對來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)進(jìn)行處理以便將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以儲存在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何器件或器件的一部分。

通信芯片606還可以包括具有如本文中所描述的晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a、300b或圖4中的400a、400b)的管芯(例如，圖1-圖2中的管芯102)。在另外的實(shí)施方式中，容納在計算設(shè)備600內(nèi)的另一個部件(例如，存儲器設(shè)備或其它集成電路設(shè)備)具有如本文中所描述的晶體管電極組件(例如，圖3中的晶體管電極組件300a、300b或圖4中的400a、400b)。

在各個實(shí)施方式中，計算設(shè)備600可以是移動計算設(shè)備、膝上計算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超極本、智能電話、平板設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、超級移動PC、移動電話、臺式計算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器、或數(shù)字視頻錄像機(jī)。在另外的實(shí)施方式中，計算設(shè)備600可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。

示例

根據(jù)各個實(shí)施例，本公開內(nèi)容描述了一種裝置(例如，晶體管電極組件)。裝置的示例1可以包括：晶體管結(jié)構(gòu)，該晶體管結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體材料；電介質(zhì)材料，該電介質(zhì)材料具有限定在晶體管結(jié)構(gòu)上方的凹陷部，凹陷部在第一方向上具有高度；電極端子，該電極端子設(shè)置在凹陷部中并與晶體管結(jié)構(gòu)耦合，其中，電極端子的第一部分包括與晶體管結(jié)構(gòu)直接接觸的第一金屬，并且電極端子的第二部分包括設(shè)置在第一部分上的第二金屬，并且其中，第一部分與第二部分之間的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨過凹陷部，第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直于第一方向。示例2可以包括示例1的裝置，其中，晶體管結(jié)構(gòu)包括柵極，柵極包括半導(dǎo)體材料和柵極電介質(zhì)，柵極電介質(zhì)形成在柵極上，其中，第一金屬與柵極電介質(zhì)直接接觸。示例3可以包括示例2的裝置，其中，第一金屬是功函數(shù)金屬并且第二金屬具有與第一金屬不同的化學(xué)組分。示例4可以包括示例1的裝置，其中，晶體管結(jié)構(gòu)包括源極或漏極。示例5可以包括示例1-4中任何示例的裝置，其中，晶體管結(jié)構(gòu)包括一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)。示例6可以包括示例5的裝置，其中，電極端子的第一部分覆蓋凹陷部內(nèi)的一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)的表面。示例7可以包括示例1-4中任何示例的裝置，其中，第一金屬共形地設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)的表面上，第一部分包括設(shè)置在第一金屬上的第三金屬，并且第三金屬在第一部分與第二部分之間的界面處與第二金屬直接接觸。示例8可以包括示例1-4中任何示例的裝置，其中，在第二方向上的跨凹陷部的臨界尺寸小于或等于15納米(nm)，并且凹陷部的高度相對于臨界尺寸的縱橫比大于或等于2:1。

根據(jù)各個實(shí)施例，本公開內(nèi)容描述了一種方法(例如，制造IC結(jié)構(gòu)的方法)。示例9的方法可以包括：形成包括半導(dǎo)體材料的晶體管結(jié)構(gòu)；在晶體管結(jié)構(gòu)上方形成電介質(zhì)材料；在電介質(zhì)材料中形成凹陷部以暴露出晶體管結(jié)構(gòu)，凹陷部在第一方向上具有高度；以及在凹陷部中形成電極端子，電極端子與晶體管結(jié)構(gòu)耦合，其中，電極端子的第一部分包括與晶體管結(jié)構(gòu)直接接觸的第一金屬，并且電極端子的第二部分包括設(shè)置在第一部分上的第二金屬，并且其中，第一部分與第二部分之間的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨過凹陷部，第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直于第一方向。示例10可以包括示例9的方法，其中，形成晶體管結(jié)構(gòu)包括形成柵極、源極或漏極。示例11可以包括示例9的方法，其中，形成晶體管結(jié)構(gòu)包括形成一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)。示例12可以包括示例9-11中任何示例的方法，其中，在電介質(zhì)材料中形成凹陷部包括去除被設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)上的犧牲材料。示例13可以包括示例9-11中任何示例的方法，其中，形成電極端子包括通過以下步驟來形成第一部分：在晶體管結(jié)構(gòu)上并且在凹陷部中的電介質(zhì)材料的側(cè)壁上沉積第一金屬，沉積掩模材料以覆蓋被設(shè)置在晶體管結(jié)構(gòu)上的第一金屬并且部分地填充凹陷部的高度，去除第一金屬的未被掩模材料覆蓋的部分，以及去除掩模材料；以及通過以下步驟來形成第二部分：在第一部分上沉積第二金屬。示例14可以包括示例13的方法，其中，形成第一部分還包括在第一金屬上選擇性地沉積第三金屬以及去除第三金屬的部分，其中，沉積第一金屬包括在晶體管結(jié)構(gòu)上并且在側(cè)壁上共形地沉積第一金屬。示例15可以包括示例9-11中任何示例的方法，還包括使用拋光工藝去除第二部分的過量材料。

根據(jù)各個實(shí)施例，本公開內(nèi)容描述了一種系統(tǒng)(例如，計算設(shè)備)。示例16的計算設(shè)備可以包括電路板以及與電路板耦合的管芯，管芯包括：晶體管結(jié)構(gòu)，該晶體管結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體材料；電介質(zhì)材料，該電介質(zhì)材料具有限定在晶體管結(jié)構(gòu)上方的凹陷部，凹陷部在第一方向上具有高度；電極端子，該電極端子設(shè)置在凹陷部中并與晶體管結(jié)構(gòu)耦合，其中，電極端子的第一部分包括與晶體管結(jié)構(gòu)直接接觸的第一金屬，并且電極端子的第二部分包括設(shè)置在第一部分上的第二金屬，并且其中，第一部分與第二部分之間的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨過凹陷部，第二方向?qū)嵸|(zhì)上垂直于第一方向。示例17可以包括示例16的計算設(shè)備，其中，晶體管結(jié)構(gòu)包括一個或多個鰭狀物結(jié)構(gòu)。示例18可以包括示例16的計算設(shè)備，其中，第一金屬共形地沉積在晶體管結(jié)構(gòu)的表面上，第一部分包括設(shè)置在第一金屬上的第三金屬，并且第三金屬在第一部分與第二部分之間的界面處與第二金屬直接接觸。示例19可以包括示例16的計算設(shè)備，其中，在第二方向上的跨凹陷部的臨界尺寸小于或等于15納米(nm)，并且凹陷部的高度相對于臨界尺寸的縱橫比大于或等于2:1。示例20可以包括示例16-19中任何示例的計算設(shè)備，其中，管芯是處理器并且計算設(shè)備是移動計算設(shè)備，該移動計算設(shè)備包括以下各項中的一項或多項：天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計數(shù)器、加速度計、陀螺儀、揚(yáng)聲器、以及照相機(jī)。

各個實(shí)施例可以包括上述實(shí)施例的任何適當(dāng)?shù)慕M合，上述實(shí)施例包括以上(和)以結(jié)合的形式描述的實(shí)施例的替代(或)實(shí)施例(例如，“和”可以是“和/或”)。此外，一些實(shí)施例可以包括其上存儲有指令的一個或多個制品(例如，非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì))，當(dāng)該指令被執(zhí)行時引起上面描述的實(shí)施例中的任何實(shí)施例的動作。此外，一些實(shí)施例可以包括具有用于實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的各個操作的任何適當(dāng)單元的裝置或者系統(tǒng)。

所例示的實(shí)施方式的以上描述(包括在摘要中所描述的內(nèi)容)并非旨在是詳盡的或?qū)⒈竟_內(nèi)容的實(shí)施例限制于所公開的精確形式。雖然本文出于說明性的目的描述了特定的實(shí)施方式和示例，但如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的，在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)各種等效修改是可能的。

根據(jù)上面的詳細(xì)描述，可以對本公開內(nèi)容的實(shí)施例作出這些修改。在所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被解釋為將本公開內(nèi)容的各個實(shí)施例限制于說明書和權(quán)利要求中所公開的特定實(shí)施方式。相反，完全由所附權(quán)利要求來確定保護(hù)范圍，其中根據(jù)已確立的權(quán)利要求的解釋原則來解釋權(quán)利要求。