本實(shí)用新型總體上涉及電子裝置，更具體來(lái)說(shuō)涉及電子裝置的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

在過(guò)去，半導(dǎo)體行業(yè)使用了多種不同的器件結(jié)構(gòu)和方法來(lái)形成半導(dǎo)體器件，比如二極管、肖特基二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等等。比如二極管、肖特基二極管和FET之類(lèi)的器件通常是從硅襯底制造的。從硅襯底制造的半導(dǎo)體器件的缺點(diǎn)包括低擊穿電壓、過(guò)大的反向泄漏電流、高漏極到源極電阻(Rds(on))、不適當(dāng)?shù)妮^差開(kāi)關(guān)特性、低功率密度以及高制造成本。為了克服這些缺點(diǎn)，半導(dǎo)體制造商已經(jīng)轉(zhuǎn)向從化合物半導(dǎo)體襯底制造半導(dǎo)體器件，比如III-N半導(dǎo)體襯底、III-V半導(dǎo)體襯底、II-VI半導(dǎo)體襯底等等。雖然這些襯底改進(jìn)了器件性能，但是其比較脆弱并且增加了制造成本。因此，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)開(kāi)始使用作為硅與III-N材料的組合的化合物半導(dǎo)體襯底來(lái)解決成本、可制造性以及脆弱性的問(wèn)題。形成在硅襯底或其他半導(dǎo)體襯底上的III-N化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在以下專(zhuān)利中作了描述：2011年6月9日公開(kāi)的Zhi He的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2011/0133251 A1，以及2013年3月21日公開(kāi)的MichaelA.Briere的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2013/0069208 A1。

半導(dǎo)體制造商已經(jīng)使用了硅半導(dǎo)體材料與III-N半導(dǎo)體材料的組合來(lái)制造器件，比如與硅器件共射共基(cascode)的通常導(dǎo)通的III-N耗盡型HEMT。通過(guò)使用這種材料組合有助于利用通常導(dǎo)通的III-N耗盡型器件來(lái)實(shí)現(xiàn)通常關(guān)斷的狀態(tài)。在被配置成開(kāi)關(guān)的共射共基器件中，由于操作在高漏極偏置下的III-N器件的高泄漏電流，硅器件常常操作在雪崩模式下。在過(guò)去，硅溝槽MOSFET使用了屏蔽柵極架構(gòu)，其中在柵極電極下方的溝槽中部署屏蔽電極。通常來(lái)說(shuō)，屏蔽電極連接到MOSFET的源極電極，并且延伸到MOSFET的N型漂移區(qū)段中。屏蔽電極通過(guò)屏蔽電介質(zhì)與漂移區(qū)段分開(kāi)。在反向偏置下，屏蔽電極幫助耗盡兩個(gè)相鄰溝槽之間的N型漂移區(qū)段。這種類(lèi)型的結(jié)構(gòu)允許N型漂移區(qū)段中的更高摻雜，并且從而允許更低的Rds(on)。兩個(gè)相鄰溝槽之間的間距以及N型漂移區(qū)段的摻雜被優(yōu)化，從而使得漂移區(qū)段在器件的擊穿電壓下被完全耗盡。此外，為了提升高可靠性和高雪崩能量能力，漂移區(qū)段的雜質(zhì)材料濃度被優(yōu)化，從而使得在溝槽的底部附近發(fā)生碰撞電離。這樣做的一個(gè)后果是，在雪崩條件下，在溝槽的底部附近可能有電荷注入到屏蔽電介質(zhì)中，從而影響漂移區(qū)段中的電場(chǎng)并且使得MOSFET的擊穿電壓降低，從而導(dǎo)致器件故障和較差的可靠性。此外，在雪崩操作模式下，III-N器件的柵極處于很大的應(yīng)力下，其中絕對(duì)柵極到源極電壓超出器件夾斷電壓。例如把硅器件操作在雪崩模式下之類(lèi)的硬應(yīng)力條件會(huì)降低器件可靠性、降低擊穿電壓并且增大泄漏電流。雖然在2013年4月11日公開(kāi)的Rakesh K.Lal等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2013/0088280 A1中已經(jīng)描述了共射共基半導(dǎo)體器件，但是用于保護(hù)硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管和III-N器件的柵極的技術(shù)還沒(méi)有得到解決。

因此，有利的將是具有包括用于保護(hù)硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的箝位結(jié)構(gòu)的共射共基半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)以及所述共射共基半導(dǎo)體器件的制造方法。另外有利的將是使得所述結(jié)構(gòu)和方法實(shí)施起來(lái)具有高成本效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供能操作在雪崩中的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管。例如，在III-N共射共基器件中，耗盡型III-N HEMT與低壓增強(qiáng)型硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管串聯(lián)連接，III-N HEMT的柵極連接到硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極。在這種配置中，III-N HEMT的泄漏電流通常為幾微安培，而硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的泄漏電流通常為幾毫微安培，這使得硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管響應(yīng)于III-N HEMT關(guān)斷而進(jìn)入雪崩，從而降低了硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可靠性。

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種被配置成操作在雪崩中的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件。該屏蔽柵極半導(dǎo)體組件括：具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型并且具有第一(52)和第二(54)主表面的半導(dǎo)體材料(50)；從第一導(dǎo)電性類(lèi)型的半導(dǎo)體材料(50)形成的多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)(71，73，75)，所述多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)當(dāng)中的第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)具有第一寬度并且所述多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)當(dāng)中的第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)具有第二寬度，其中第二寬度大于第一寬度；從所述多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)當(dāng)中的第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)和第一溝槽(74)的一部分形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)，其中所述屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)包括處于第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)與第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)之間的第一屏蔽柵極結(jié)構(gòu)(94，112C)；所述多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)當(dāng)中的第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)中的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)；以及鄰近第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)的第一屏蔽結(jié)構(gòu)(112H)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一屏蔽柵極結(jié)構(gòu)(94，112C)包括：處于第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)與第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)之間的第一溝槽(74)；形成在第一溝槽(74)的第一部分中的第一柵極屏蔽(94)；以及形成在第一溝槽(74)的第二部分中的第一柵極電極(112C)，所述第一柵極電極(112C)通過(guò)第一電介質(zhì)材料(95，110)與第一柵極屏蔽(94)垂直間隔開(kāi)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件還包括半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(120)，所述第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(120)從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處。其中，第一箝位結(jié)構(gòu)(210)包括：第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一箝位接觸件開(kāi)口(144)，所述第一箝位接觸件開(kāi)口(144)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處；從所述第一箝位接觸件開(kāi)口(144)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(162)；形成在所述第一箝位接觸件開(kāi)口(144)中的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)(200)；以及形成在所述勢(shì)壘結(jié)構(gòu)(200)中的導(dǎo)電材料(240)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件還包括半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(120)，所述第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(120)從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一箝位結(jié)構(gòu)(210A)包括：第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一箝位接觸件開(kāi)口，所述第一箝位接觸件開(kāi)口延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處，并且其寬度等于第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)的寬度的至少一半；從所述第一箝位接觸件開(kāi)口延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第一摻雜劑區(qū)段(162A)；形成在所述第一箝位接觸件開(kāi)口的底面和側(cè)壁上的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)(190A)；以及形成在所述勢(shì)壘結(jié)構(gòu)(190A)上的導(dǎo)電材料(240A)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件還包括：形成在半導(dǎo)體材料(50)的第三部分中的第一箝位接觸件(213)；以及從半導(dǎo)體材料的第四部分形成的溝槽(26)，所述溝槽(26)被形成在第一箝位接觸件與第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)之間。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述溝槽(26)具有側(cè)壁和底面，并且所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件還包括：沿著所述溝槽(26)的側(cè)壁和底面形成的介電材料層(82)；以及形成在所述溝槽(26)中的介電材料層(82)上方的導(dǎo)電材料(80E)。

本申請(qǐng)還公開(kāi)了一種屏蔽柵極半導(dǎo)體組件。該屏蔽柵極半導(dǎo)體組件包括：具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型并且具有第一(52)和第二(54)主表面的半導(dǎo)體材料(50)；從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一溝槽(74)，所述第一溝槽(74)具有第一側(cè)壁(74S₁)、第二側(cè)壁(74S₂)和底面(74F)；從主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第二部分中的第二溝槽(76)，所述第二溝槽(76)具有第一側(cè)壁(76S₁)、第二側(cè)壁(76S₂)和底面(76F)；鄰近第一溝槽(74)的第一側(cè)壁(74S₁)的第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)和處于第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)；第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)的第一部分中的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)；從第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)和第一溝槽(74)形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)，其中屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)的第一柵極電極(112C)處于第一溝槽(74)中的第一屏蔽電極(94)之上并且與第一屏蔽電極(94)電隔離，其中鄰近第一柵極電極(112C)的擊穿電壓被箝位成低于鄰近第一屏蔽電極(94)的擊穿電壓。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)(75)的寬度是第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)(73)的寬度的至少兩倍。

本申請(qǐng)進(jìn)一步公開(kāi)了一種配置用于抑制電荷注入的半導(dǎo)體組件。該半導(dǎo)體組件包括：具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型、第一濃度并且具有第一主表面(52)和第二主表面(54)的半導(dǎo)體材料(50)；從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一溝槽(74)，所述第一溝槽(74)具有第一側(cè)壁(74S₁)、第二側(cè)壁(74S₂)和底面(74F)；從半導(dǎo)體材料(50)的第一部分和第一溝槽(74)的一部分形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)；以及從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第二部分中的第二溝槽(76)，所述第二溝槽(76)具有第一側(cè)壁(76S₁)、第二側(cè)壁(76S₂)和底面(76F)；在第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中形成的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)，其中第二溝槽(76)與第一溝槽(74)間隔開(kāi)，從而防止第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的區(qū)段被完全耗盡。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖來(lái)閱讀后面的詳細(xì)描述將會(huì)更好地理解本實(shí)用新型，其中相同的附圖標(biāo)記用來(lái)標(biāo)示相同的單元，并且其中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的具有活躍區(qū)域和外圍區(qū)域的半導(dǎo)體組件的頂視圖；

圖2A和2B是在半導(dǎo)體組件的制造期間沿著圖1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖3A和3B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖2A和2B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖4A和4B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖3A和3B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖5A和5B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖4A和4B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖6A和6B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖5A和5B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖7A和7B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖6A和6B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖8A和8B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖7A和7B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖9A和9B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖8A和8B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖10A和10B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖9A和9B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖11A和11B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖10A和10B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖12A和12B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖11A和11B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖13A和13B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖12A和12B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖14A和14B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖13A和13B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖15A和15B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于與圖14A和14B的剖面圖同期的制造階段的沿著圖1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖16A和16B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖14A和14B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖17A和17B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖15A和15B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖18A和18B分別是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的處于比圖15A和15B的剖面圖更加后期的制造階段的圖1的半導(dǎo)體組件的剖面圖。

圖19是根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的具有活躍區(qū)域和外圍區(qū)域的半導(dǎo)體組件的頂視圖；

圖20A和20B是在圖19的半導(dǎo)體組件的制造期間沿著圖19的剖面線(xiàn)20-20取得的圖19的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖21A和21B是在半導(dǎo)體組件的制造期間沿著圖19的剖面線(xiàn)21-21取得的圖19的半導(dǎo)體組件的剖面圖；

圖22是根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的具有活躍區(qū)域和外圍區(qū)域的半導(dǎo)體組件的頂視圖；

圖23是在半導(dǎo)體組件的制造期間沿著圖22的剖面線(xiàn)23-23取得的圖22的半導(dǎo)體組件的剖面圖；以及

圖24A和24B是該圖的半導(dǎo)體組件的剖面圖。

為了說(shuō)明簡(jiǎn)明起見(jiàn)，附圖中的各個(gè)單元不一定是按比例繪制的，并且不同附圖中的相同參考標(biāo)記用來(lái)標(biāo)示相同的單元。此外，為了描述簡(jiǎn)單起見(jiàn)省略了眾所周知的步驟和單元的描述和細(xì)節(jié)。這里所使用的電流載送電極意味著器件的載送電流經(jīng)過(guò)該器件的元件，比如MOS晶體管的源極或漏極或者雙極型晶體管的發(fā)射極或集電極或者二極管的陰極或陽(yáng)極，并且控制電極意味著器件的控制電流流經(jīng)該器件的元件，比如MOS晶體管的柵極或者雙極型晶體管的基極。雖然器件在這里被解釋成特定的N溝道或P溝道器件或者特定的N型或P型摻雜區(qū)段，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，互補(bǔ)的器件也是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，這里所使用的“在...期間”、“在...的同時(shí)”、“當(dāng)...時(shí)”等用詞并不是意味著某一動(dòng)作在發(fā)起動(dòng)作下立即發(fā)生的確切術(shù)語(yǔ)，而是在由初始動(dòng)作發(fā)起的反應(yīng)與初始動(dòng)作之間可以有某一較小但是合理的延遲，比如傳播延遲。使用“近似”、“大約”或“基本上”等詞語(yǔ)意味著某一單元的值具有預(yù)期非常接近所陳述的值或位置的參數(shù)。但是正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的那樣，總是有微小的差異阻礙所述值或位置恰好如所陳述。在本領(lǐng)域內(nèi)所明確的是，高達(dá)大約百分之十(10％)(并且對(duì)于半導(dǎo)體摻雜濃度是高達(dá)百分之二十(20％))的差異被認(rèn)為是與確切描述的理想目標(biāo)的合理差異。出于附圖的清楚起見(jiàn)，器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)段被圖示成具有總體上直線(xiàn)的邊緣和精確成角度的角落；但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，由于摻雜劑的擴(kuò)散和活化，摻雜區(qū)段的邊緣通常并不是直線(xiàn)的，并且角落并不是精確成角度的。

此外，結(jié)合半導(dǎo)體區(qū)段或襯底使用的術(shù)語(yǔ)“主表面”意味著該半導(dǎo)體區(qū)段或襯底與另一種材料形成界面的表面，所述另一種材料比如是電介質(zhì)、絕緣體、導(dǎo)體或者多晶半導(dǎo)體。主表面可以具有在x、y和z方向上改變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)是由Prasad Venkatraman等人在2015年7月24日提交的標(biāo)題為“SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE(半導(dǎo)體組件和制造方法)”的臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)No.62/196,662的非臨時(shí)申請(qǐng)，通過(guò)引用的方式將該臨時(shí)申請(qǐng)全文合并在此，并且在這里對(duì)于共同的主題內(nèi)容要求其優(yōu)先權(quán)。

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的包括半導(dǎo)體芯片12的半導(dǎo)體組件10的放大平面圖。在圖1中示出了半導(dǎo)體管芯或半導(dǎo)體芯片12的一部分，其具有邊緣區(qū)段14、中心區(qū)段16、相對(duì)側(cè)面18和20以及相對(duì)側(cè)面22和24。邊緣區(qū)段14也被稱(chēng)作管芯邊緣或不活躍區(qū)域，中心區(qū)段16也被稱(chēng)作管芯中心或活躍區(qū)域。位于外圍的屏蔽電極溝槽26被形成在邊緣區(qū)段或不活躍區(qū)域14中并且圍繞活躍區(qū)域16。接觸件28被形成在溝槽26中。溝槽70、72、74和76從半導(dǎo)體芯片12的側(cè)面18延伸到側(cè)面20。溝槽70具有末端70E₁和70E₂以及接觸件70C₁和70C₂，溝槽72具有末端72E₁和72E₂以及接觸件72C₁和72C₂，溝槽74具有末端74E₁和74E₂以及接觸件74C₁和74C₂，并且溝槽76具有末端76E₁和76E₂以及接觸件76C₁和76C₂。此外，圖1示出了箝位結(jié)構(gòu)210、212、214和216。應(yīng)當(dāng)提到的是，臺(tái)面結(jié)構(gòu)71被形成在溝槽70與72之間，臺(tái)面結(jié)構(gòu)73被形成在溝槽72與74之間，臺(tái)面結(jié)構(gòu)75被形成在溝槽74與76之間，臺(tái)面結(jié)構(gòu)77被鄰近溝槽76形成，并且臺(tái)面結(jié)構(gòu)79被鄰近溝槽70形成。臺(tái)面結(jié)構(gòu)71具有寬度D₁，臺(tái)面結(jié)構(gòu)73具有寬度D₂，并且臺(tái)面結(jié)構(gòu)75具有寬度D₃，其中寬度D₃大于寬度D₁和D₂。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，寬度D₁和D₂基本上相等。因此，臺(tái)面結(jié)構(gòu)71具有根據(jù)溝槽70與72之間的間距的寬度，臺(tái)面結(jié)構(gòu)73具有根據(jù)溝槽72與74之間的間距的寬度，并且臺(tái)面結(jié)構(gòu)75具有根據(jù)溝槽74與76之間的間距的寬度。

源極接觸件230和230A是從臺(tái)面結(jié)構(gòu)71的某些部分形成的，源極接觸件232和232A是從臺(tái)面結(jié)構(gòu)73的某些部分形成的，并且源極接觸件234和234A是從臺(tái)面結(jié)構(gòu)79的某些部分形成的。因此，活躍場(chǎng)效應(yīng)晶體管(“FET”)是從溝槽70、72和74并且從臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73形成的。箝位結(jié)構(gòu)是從溝槽74與76之間的臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成的。應(yīng)當(dāng)提到的是，構(gòu)成半導(dǎo)體組件(比如共射共基半導(dǎo)體組件)的某些部分的活躍半導(dǎo)體器件(比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(“FET”))可以從溝槽70、72和74以及臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73形成，充當(dāng)用于活躍場(chǎng)效應(yīng)晶體管的保護(hù)性器件的箝位結(jié)構(gòu)可以從溝槽74和76以及臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成。

半導(dǎo)體組件10包括連接源極接觸件的源極金屬化系統(tǒng)13，連接?xùn)艠O接觸件的柵極金屬化系統(tǒng)15，以及用于把柵極接觸件連接到其他電路元件的金屬延伸15A。

圖2A和2B是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的沿著圖1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的半導(dǎo)體組件10的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖2A和2B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中同時(shí)發(fā)生。圖2A和2B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖2。圖2被顯示成兩幅圖以便放大圖2，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。在圖2A和2B(即圖2)中示出了具有相對(duì)表面52和54的半導(dǎo)體材料50。表面52也被稱(chēng)作正面或頂部表面，表面54也被稱(chēng)作底部或背面表面。根據(jù)該實(shí)施例，半導(dǎo)體材料50包括摻雜有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)材料的半導(dǎo)體襯底56，并且該襯底具有范圍從大約0.0005歐姆-厘米(Ω-cm)到大約0.005Ω-cm的電阻率。優(yōu)選的是，襯底56的電阻率是大約0.001Ω-cm。作為舉例，襯底56可以摻雜有N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)材料，比如磷、砷、銻等等。作為舉例，襯底56是硅。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體材料50還包括形成在襯底56上的N型導(dǎo)電性的半導(dǎo)體材料層60。半導(dǎo)體層60可以利用半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)技術(shù)、半導(dǎo)體摻雜和擴(kuò)散技術(shù)等等來(lái)形成。作為舉例，半導(dǎo)體層60是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)形成的，并且具有范圍從大約2微米(μm)到大約10μm的厚度以及范圍從大約5.0x10¹⁵原子每立方厘米(原子/cm³)到大約1.0x10¹⁷原子/cm³的摻雜劑濃度。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，微米可以被稱(chēng)作micron。應(yīng)當(dāng)提到的是，半導(dǎo)體層60可以是具有均勻摻雜濃度的單個(gè)半導(dǎo)體材料層；半導(dǎo)體層60可以是具有梯級(jí)摻雜濃度的單個(gè)半導(dǎo)體材料層；或者半導(dǎo)體層60可以由具有不同摻雜濃度的兩個(gè)或更多半導(dǎo)體層構(gòu)成。取決于半導(dǎo)體組件10的所期望的漏極到源極額定擊穿電壓(“BVDSS”)，半導(dǎo)體層60的摻雜劑濃度和厚度可以被增大或減小?；蛘?，襯底56的導(dǎo)電性類(lèi)型可以與半導(dǎo)體層60的導(dǎo)電性類(lèi)型相反，從而例如形成絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。可以利用半導(dǎo)體材料50制造的其他半導(dǎo)體器件包括垂直電力MOSFET、MOS柵晶閘管以及相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉的其他等效結(jié)構(gòu)。

應(yīng)當(dāng)提到的是，摻雜有N型摻雜劑或雜質(zhì)材料的區(qū)段或?qū)颖环Q(chēng)為具有N型導(dǎo)電性或N導(dǎo)電性類(lèi)型，并且摻雜有P型摻雜劑或雜質(zhì)材料的區(qū)段或?qū)颖环Q(chēng)為具有P型導(dǎo)電性或P導(dǎo)電性類(lèi)型。

掩蔽層62可以被形成在半導(dǎo)體材料50上或者從半導(dǎo)體材料50形成。掩蔽層62可以是電介質(zhì)膜或者針對(duì)被用來(lái)形成溝槽或溝槽特征的蝕刻化學(xué)品的膜抗蝕劑。作為舉例，掩蔽層62是具有范圍從大約0.1μm到大約1.0μm的厚度的熱生長(zhǎng)的氧化物?；蛘?，掩蔽層62可以是利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成的TEOS層。仍然參照?qǐng)D2，在電介質(zhì)層62之上模制一層光致抗蝕劑從而形成掩蔽結(jié)構(gòu)64，其具有掩蔽元件66和暴露出電介質(zhì)層62的某些部分的開(kāi)口68。

現(xiàn)在參照?qǐng)D3A和3B，其中分別示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的處于比圖2A和2B的剖面圖更加后期的制造階段的半導(dǎo)體組件10的制造的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖3A和3B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖3A和3B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖3。圖3被顯示成兩幅圖以便放大圖3，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。更具體來(lái)說(shuō)，圖3A和3B示出了從表面52的某些部分延伸到外延層60中的溝槽26、70、72、74和76的形成。作為舉例，溝槽26、70、72、74和76例如是通過(guò)使用等離子蝕刻技術(shù)利用基于碳氟化合物或氟的蝕刻化學(xué)品(例如SF₆/O₂)對(duì)外延層60進(jìn)行蝕刻而形成的。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，溝槽26、70、72、74和76延伸到外延層60中但是沒(méi)有延伸到襯底56，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，溝槽26、70、72、74和76延伸經(jīng)過(guò)外延層60并且延伸到襯底56中。作為舉例，溝槽26、70、72、74和76具有范圍從大約1μm到大約3μm的厚度并且是利用單個(gè)蝕刻步驟形成的?；蛘撸瑴喜?6、70、72、74和76可以利用多步蝕刻處理來(lái)形成。用于形成溝槽26、70、72、74和76的技術(shù)不是本實(shí)用新型的限制。溝槽26具有側(cè)壁26S₁和26S₂以及底面26F；溝槽70具有側(cè)壁70S₁和70S₂以及底面70F；溝槽72具有側(cè)壁72S₁和72S₂以及底面72F；溝槽74具有側(cè)壁74S₁和74S₂以及底面74F；并且溝槽76具有側(cè)壁76S₁和76S₂以及底面76F。雖然溝槽26、70、72、74和76被顯示成具有垂直側(cè)壁、水平底部和尖銳角落，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，溝槽26、70、72、74和76的側(cè)壁可以具有斜坡并且其底面可以是圓化的。

應(yīng)當(dāng)提到的是，處于溝槽70與72之間的外延層60的部分可以被稱(chēng)作臺(tái)面結(jié)構(gòu)71，處于溝槽72與74之間的外延層60的部分可以被稱(chēng)作臺(tái)面結(jié)構(gòu)73，并且處于溝槽74與76之間的外延層60的部分可以被稱(chēng)作臺(tái)面結(jié)構(gòu)75。鄰近溝槽76的側(cè)面76S₂的外延層60的部分可以被稱(chēng)作臺(tái)面結(jié)構(gòu)77，并且鄰近側(cè)面70S₁的外延層60的部分可以被稱(chēng)作臺(tái)面結(jié)構(gòu)79。臺(tái)面結(jié)構(gòu)71具有寬度D₁，臺(tái)面結(jié)構(gòu)73具有寬度D₂，并且臺(tái)面結(jié)構(gòu)75具有寬度D₃。寬度D₃大于寬度D₁和D₂。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，寬度D₁等于寬度D₂。

現(xiàn)在參照?qǐng)D4A和4B，其中示出了處于比圖3A和3B的剖面圖更加后期的制造階段的半導(dǎo)體組件10的制造的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖4A和4B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖4A和4B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖4。圖4被顯示成兩幅圖以便放大圖4，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。更具體來(lái)說(shuō)，圖4A和4B示出了材料層82被形成在溝槽26、70、72、74和76的側(cè)壁、末端和底面上并且被形成在半導(dǎo)體材料50的表面52上。處于溝槽70、72、74和76中的層82的部分充當(dāng)柵極層或柵極電介質(zhì)膜。用于柵極層82的適當(dāng)?shù)牟牧习ǘ趸?、氮化物、五氧化二鉭、二氧化鈦、鈦酸鍶鋇、高k電介質(zhì)材料、前述各項(xiàng)的組合或者本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉的等效材料。作為舉例，柵極層82是具有范圍從大約0.01μm到大約0.05μm的厚度的二氧化硅。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，柵極層82是在所述處理的早期階段形成的，從而有助于保持柵極層82與半導(dǎo)體層60之間的界面的完整性，并且還為柵極層82提供更加均勻的膜厚度。

仍然參照?qǐng)D4A和4B，鄰近柵極層82形成材料層84。層84可以由不同于柵極層82的材料構(gòu)成。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)柵極層82是二氧化硅時(shí)，層84是氮化硅。作為舉例，層84是利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)技術(shù)形成的，并且具有范圍從大約0.01μm到大約0.05μm的厚度。

鄰近層84或者在層84上形成電介質(zhì)材料層86。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電介質(zhì)層86是使用LPCVD技術(shù)利用原硅酸四乙酯(TEOS)源材料形成的氧化物?；蛘撸娊橘|(zhì)層86可以使用具有高溫氧化物(HTO)處理的LPCVD(LPCVD/HTO)來(lái)形成，從而與利用TEOS源材料形成的LPCVD氧化物相比可以形成更高密度的沉積氧化物。作為舉例，對(duì)于LPCVD/HTO處理可以把硅烷源材料與例如一氧化二氮(N₂O)之類(lèi)的氧化反應(yīng)物一起使用。根據(jù)一個(gè)實(shí)例，電介質(zhì)層86具有范圍從大約0.04μm到大約0.25μm的厚度。應(yīng)當(dāng)提到的是，通過(guò)選擇層86的厚度可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體組件10的擊穿電壓。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)把電介質(zhì)層86制作成具有范圍從大約0.2μm到大約0.25μm的厚度，半導(dǎo)體組件10可以被制造成具有大約60伏特的擊穿電壓BVDSS。

導(dǎo)電材料層80被形成在電介質(zhì)層86上并且被形成在溝槽26、70、72、74和76中。導(dǎo)電層80可以是金屬或者摻雜晶體半導(dǎo)體層。作為舉例，導(dǎo)電層80是摻雜有N型摻雜劑(比如磷或砷)的多晶硅。在摻雜之后，可以在惰性周?chē)h(huán)境或氧化劑中對(duì)多晶硅進(jìn)行退火。

現(xiàn)在參照?qǐng)D5A和5B，其中示出了處于比圖4A和4B的剖面圖更加后期的制造階段的半導(dǎo)體組件10的制造的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖5A和5B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖5A和5B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖5。圖5被顯示成兩幅圖以便放大圖5，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。導(dǎo)電層80例如利用化學(xué)機(jī)械平面化(planarization)(CMP)技術(shù)被平面化，從而分別留下溝槽70、72、74、76和26中的部分80A、80B、80C、80D和80E。

現(xiàn)在參照?qǐng)D6A和6B，其中示出了處于比圖5A和5B的剖面圖更加后期的制造階段的半導(dǎo)體組件10的制造的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖6A和6B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖6A和6B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖6。圖6被顯示成兩幅圖以便放大圖6，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。在電介質(zhì)層86的被暴露出的部分以及多晶硅部分80A、80B、80C、80D和80E之上模制光致抗蝕劑層從而形成掩蔽結(jié)構(gòu)85，其具有掩蔽元件87以及分別暴露出溝槽70、72、74和76中的多晶硅部分80A、80B、80C和80D的開(kāi)口89。應(yīng)當(dāng)提到的是，掩蔽元件87保護(hù)多晶硅部分80E在后續(xù)處理步驟處免于被蝕刻，并且將從多晶硅部分80E的一部分制作屏蔽電極。

現(xiàn)在參照?qǐng)D7A和7B，其中示出了處于比圖6A和6B的剖面圖更加后期的制造階段的半導(dǎo)體組件10的制造的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖7A和7B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖7A和7B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖7。圖7被顯示成兩幅圖以便放大圖7，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。分別處于溝槽70、72、74和76中并且通過(guò)開(kāi)口89被暴露出的部分80A、80B、80C和80D例如利用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)被各向異性地蝕刻，從而分別在溝槽70、72、74和76的下方或底部部分中形成屏蔽電極90、92、94和96。應(yīng)當(dāng)提到的是，溝槽26中的多晶硅部分80E受到掩蔽元件87保護(hù)，并且充當(dāng)屏蔽電極。利用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的技術(shù)移除掩蔽元件87。

在移除掩蔽元件87之后，分別處于溝槽70、72、74、76和26中的屏蔽電極部分90、92、94、96和80E被各向異性地蝕刻，以便使得屏蔽電極80E的頂表面略微凹陷在主表面52下方。接下來(lái)，鄰近部分80E的電介質(zhì)層86的部分、通過(guò)屏蔽電極90、92、94和96的形成而被暴露出的電介質(zhì)層86的部分以及處于主表面52之上的層84的部分頂上的電介質(zhì)層86的部分被移除，從而留下屏蔽電極90與溝槽70 中的電介質(zhì)層84的部分之間的部分86A；留下屏蔽電極92與溝槽72中的電介質(zhì)層84的部分之間的部分86B；留下屏蔽電極94與溝槽74中的電介質(zhì)層84的部分之間的部分86C；留下屏蔽電極96與溝槽76中的電介質(zhì)層84的部分之間的部分86D；并且留下屏蔽電極80E與溝槽26中的電介質(zhì)層84的部分之間的部分86E。

現(xiàn)在參照?qǐng)D8A和8B，形成電介質(zhì)層91、93、95、97和99，從而分別覆蓋屏蔽電極80E以及屏蔽電極90、92、94和96的上表面。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖8A和8B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖8A和8B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖8。圖8被顯示成兩幅圖以便放大圖8，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電介質(zhì)層91、93、95和97包括利用熱氧化技術(shù)形成的二氧化硅。作為舉例，電介質(zhì)層91、93、95、97和99是利用干法氧化技術(shù)形成的，并且具有范圍從大約0.1μm到大約0.3μm的厚度。

應(yīng)當(dāng)提到的是，在電介質(zhì)層91、93、95、97和99的形成期間，可以從電介質(zhì)層91形成凹陷或“尖牙狀(fanged)”區(qū)段91F；可以從電介質(zhì)層93形成尖牙狀區(qū)段93F；可以從電介質(zhì)層95形成尖牙狀區(qū)段95F；可以從電介質(zhì)層97形成尖牙狀區(qū)段97F；并且可以從電介質(zhì)層99形成尖牙狀區(qū)段99F。

在可選步驟中，可以鄰近電介質(zhì)層84并且鄰近二氧化硅層91、93、95、97和99形成電介質(zhì)層100。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，層100是沉積氧化物層，其被形成為具有范圍從大約0.015μm到大約0.15μm的厚度。作為舉例，電介質(zhì)層100是通過(guò)使用LPCVD技術(shù)利用TEOS源材料形成的。

現(xiàn)在參照?qǐng)D9A和9B，例如利用緩沖氫氟酸(HF)濕法蝕刻對(duì)電介質(zhì)層100進(jìn)行蝕刻，從而形成：電介質(zhì)層91與溝槽70中的電介質(zhì)層84的部分之間的電介質(zhì)填充物100A；電介質(zhì)層93與溝槽72中的電介質(zhì)層84的部分之間的電介質(zhì)填充物100B；電介質(zhì)層95與溝槽74中的電介質(zhì)層84的部分之間的電介質(zhì)填充物100C；電介質(zhì)層97與溝槽76中的電介質(zhì)層84的部分之間的電介質(zhì)填充物100D；以及電介質(zhì)層99與溝槽26中的電介質(zhì)層84的部分之間的電介質(zhì)填充物100E。在蝕刻步驟之后可以使用清潔處理，比如SC1清潔?；蛘撸梢蕴^(guò)電介質(zhì)層100的形成。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖9A和9B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖9A和9B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖9。圖9被顯示成兩幅圖以便放大圖9，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。

現(xiàn)在參照?qǐng)D10A和10B，電介質(zhì)層84的所暴露出的部分被移除，并且溝槽26、70、72、74和76中的電介質(zhì)層84的部分被凹陷，從而留下溝槽26中的部分84E、溝槽70中的部分84A、溝槽72中的部分84B、溝槽74中的84C以及溝槽76中的部分84D。根據(jù)其中層84是氮化硅的一個(gè)實(shí)施例，熱磷酸可以被用于所述移除和凹陷步驟。層84可以在電介質(zhì)層91、93、95、97和99下方被凹陷大約0μm到大約0.1μm。或者，層84可以在電介質(zhì)層91、93、95、97和99下方被凹陷大約0.01μm到大約0.05μm。在蝕刻步驟之后可以使用清潔處理，以便例如清潔柵極層82的表面。所述清潔步驟可以利用SC1/SC2清潔來(lái)實(shí)現(xiàn)。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖10A和10B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖10A和10B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖10。圖10被顯示成兩幅圖以便放大圖10，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。

可以鄰近柵極層82分別在溝槽70、72、74、76和26的凹陷部分內(nèi)的部分84A、84B、84C、84D和84E的所暴露出的子部分上形成電介質(zhì)材料層110，并且覆蓋電介質(zhì)層91、93、95、97和99。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電介質(zhì)層110可以被配置成把層84A、84B、84C、84D和84E進(jìn)一步與器件10內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)(例如柵極電極結(jié)構(gòu))隔離。作為舉例，電介質(zhì)層110是利用經(jīng)過(guò)修改的處理?xiàng)l件的LPCVD/HTO處理形成的二氧化硅層。在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層110可以具有范圍從大約0.005μm到大約0.05μm的厚度。在其中未使用電介質(zhì)層100的一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層110可以具有范圍從大約0.02μm到大約0.05μm的厚度。應(yīng)當(dāng)提到的是，在該實(shí)施例中，柵極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括柵極層82和電介質(zhì)層110。

在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層110可以被形成為在溝槽26、70、72、74和76的長(zhǎng)度上具有總體上均勻的厚度的共形層，包括在電介質(zhì)層84的凹陷部分內(nèi)。

仍然參照?qǐng)D10A和10B，可以在溝槽26、70、72、74和76的某些部分內(nèi)并且鄰近電介質(zhì)層110形成導(dǎo)電層或摻雜多晶半導(dǎo)體層112。作為舉例，所述導(dǎo)電層由多晶硅構(gòu)成。所述導(dǎo)電材料可以摻雜有N型摻雜劑，比如磷或砷。

現(xiàn)在參照?qǐng)D11A和11B，例如使用CMP技術(shù)對(duì)導(dǎo)電層112進(jìn)行平面化，從而產(chǎn)生溝槽70中的柵極電極112A、溝槽72中的柵極電極112B、溝槽74中的柵極電極112C以及溝槽76中的柵極電極112D。應(yīng)當(dāng)提到的是，柵極電極112A、112B、112C和112D分別通過(guò)電介質(zhì)層91、93、95和97與屏蔽電極90、92、94和96電隔離。柵極電極112A、112B、112C和112D可以被稱(chēng)作柵極。導(dǎo)電層112的一部分112E在導(dǎo)電層112的平面化之后保留在溝槽26中。還應(yīng)當(dāng)提到的是，圖11A和11B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖11A和11B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖11。圖11被顯示成兩幅圖以便放大圖11，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。

現(xiàn)在參照?qǐng)D12A和12B，柵極電極112A、112B、112C和112D例如利用反應(yīng)離子蝕刻被凹陷。還應(yīng)當(dāng)提到的是，圖12A和12B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖12A和12B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖12。圖12被顯示成兩幅圖以便放大圖12，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。在一個(gè)實(shí)施例中，柵極電極112A、112B、112C和112D可以在主表面52下方被凹陷從大約0.10μm到大約0.25μm的距離。此外，導(dǎo)電層112的部分112E被凹陷或者被移除，從而暴露出溝槽26中的電介質(zhì)層110。在電介質(zhì)層110以及柵極電極112A、112B、112C和112D之上模制光致抗蝕劑層，從而形成具有掩蔽元件116以及暴露出電介質(zhì)層110的某些部分的開(kāi)口118的掩蔽結(jié)構(gòu)114。形成從主表面52的某些部分延伸到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71、73、75、77和79中的主體、基底或摻雜區(qū)段120。主體區(qū)段120可以具有與外延層60的導(dǎo)電性類(lèi)型相反的導(dǎo)電性類(lèi)型。主體區(qū)段120可以從主表面52延伸到一定深度，例如從大約0.5μm到大約2μm的深度。主體區(qū)段120的底部可以略微高于柵極電極112A、112B、112C和112D的底部。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在更加早期的制作階段形成主體區(qū)段120，例如在形成溝槽26、70、72、74和76之前。主體區(qū)段120可以利用例如離子植入和退火技術(shù)之類(lèi)的摻雜技術(shù)來(lái)形成。掩蔽結(jié)構(gòu)114被移除。臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的主體區(qū)段120提供用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道。

現(xiàn)在參照?qǐng)D13A和13B，可以形成覆蓋主表面52的某些部分的掩蔽層(未示出)。還應(yīng)當(dāng)提到的是，圖13A和13B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10的制造過(guò)程中彼此同時(shí)發(fā)生。圖13A和13B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖13。圖13被顯示成兩幅圖以便放大圖13，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在主體區(qū)段120內(nèi)、在主體區(qū)段120中或者覆蓋主體區(qū)段120形成源極區(qū)段、電流導(dǎo)通區(qū)段或者電流載送區(qū)段124，并且其可以從主表面52延伸到一定深度，例如從大約0.1μm到大約0.5μm的深度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，源極區(qū)段124可以具有N型導(dǎo)電性，并且例如可以利用磷或砷摻雜劑源形成。在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用離子植入摻雜處理在主體區(qū)段120內(nèi)形成源極區(qū)段124。隨后可以移除掩蔽層，并且可以對(duì)所植入的摻雜劑進(jìn)行退火。應(yīng)當(dāng)提到的是，主體區(qū)段120可以具有適合于形成作為導(dǎo)通溝道或溝道區(qū)段122操作的反轉(zhuǎn)層的摻雜劑濃度，并且主體區(qū)段120把源極區(qū)段124與至少臺(tái)面結(jié)構(gòu)73中的半導(dǎo)體材料50分開(kāi)。

現(xiàn)在參照?qǐng)D14A和14B以及圖15A和15B，可以在電介質(zhì)層110上并且在柵極電極112A、112B、112C和112D以及屏蔽電極80E之上形成一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層130。所述一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層130構(gòu)成電介質(zhì)或絕緣層，并且可以被配置成層間電介質(zhì)(“ILD”)結(jié)構(gòu)。作為舉例，電介質(zhì)層130是二氧化硅，比如有摻雜或無(wú)摻雜沉積二氧化硅。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電介質(zhì)層130可以包括摻雜有磷或者硼和磷的至少一個(gè)沉積二氧化硅層，以及至少一個(gè)無(wú)摻雜氧化物層。在一個(gè)實(shí)例中，所述一層或多層130可以具有范圍從大約0.4μm到大約1μm的厚度。所述一層或多層130可以被平面化以便提供更加均勻的表面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而改進(jìn)可制造性。應(yīng)當(dāng)提到的是，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，圖14A和14B是沿著圖1的剖面線(xiàn)1B-1B取得的半導(dǎo)體組件10的剖面圖，并且圖15A和15B是沿著圖1的剖面線(xiàn)1A-1A取得的半導(dǎo)體組件10的剖面圖。還應(yīng)當(dāng)提到的是，圖14A和14B以及圖15A和15B的剖面圖表示在半導(dǎo)體組件10的制造期間同時(shí)取得的視圖。圖14A和14B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖14，并且圖15A和15B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖15。圖15A和15B示出了在該處沒(méi)有接觸件28的半導(dǎo)體組件10的一部分。圖14被顯示成兩幅圖以便放大圖14并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征，圖15被顯示成兩幅圖以便放大圖15并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。

仍然參照?qǐng)D14A和14B以及圖15A和15B，可以形成覆蓋一層或多層130的掩蔽層(未示出)。柵極接觸件開(kāi)口或柵極接觸件通孔134、136、138和139被穿過(guò)電介質(zhì)層130形成并且分別進(jìn)入到柵極電極112A、112B、112C和112D中，源極接觸件開(kāi)口或源極接觸件通孔140、142和143(在圖15A中示出)被穿過(guò)電介質(zhì)層130形成并且分別進(jìn)入到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71、73和79中，并且屏蔽接觸件開(kāi)口或屏蔽接觸件通孔144、146、148和150被穿過(guò)電介質(zhì)層130形成并且進(jìn)入到臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，掩蔽層可以被移除，并且凹陷蝕刻可以被用來(lái)移除通過(guò)接觸件開(kāi)口134、136、138、139、140、142、143、144、146、148和150暴露出的半導(dǎo)體材料的部分?？梢栽诜謩e暴露出柵極電極112A、112B、112C和112D的開(kāi)口134、136、138和139中形成覆蓋一層或多層130的某些部分的掩蔽層(未示出)。所述掩蔽層留下打開(kāi)的接觸件開(kāi)口140、142、143、144、146、148和150。P型接觸增強(qiáng)區(qū)段或接觸區(qū)段160A、160B和160C可以分別被形成到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71、73和79中的源極電極區(qū)段。P型增強(qiáng)接觸區(qū)段162、164、166和168可以被形成在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中。接觸區(qū)段160A、160B、160C、162、164、166和168可以利用例如離子植入和退火技術(shù)之類(lèi)的摻雜技術(shù)來(lái)形成，并且提供去到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71、73、75和79中的半導(dǎo)體材料的更低接觸電阻。

參照?qǐng)D16A、16B、17A、17B、18A和18B，分別在(圖14A和14B中示出的)接觸件開(kāi)口134、136、138、139中形成勢(shì)壘層180、182、184和186，分別在(圖15A-15B中示出的)接觸件開(kāi)口143、140、142、144、146、148和150中形成勢(shì)壘層192、188、190、200、202、204和206，并且在形成于溝槽26、70、72、74和76中的接觸件開(kāi)口(未示出)中形成勢(shì)壘層208A、208B、208C、208D和186，也就是說(shuō)分別沿著形成于溝槽26、70、72、74和76中的開(kāi)口的底面和側(cè)壁形成勢(shì)壘層208A、208B、208C、208D和186。分別在勢(shì)壘層180、182、184和186上形成接觸件220、222、224和226；分別在勢(shì)壘層192、188、190、200、202、204和206上形成接觸件234、230、232、240、242、244和246；并且分別在勢(shì)壘層208A、208B、208C、208D和186上形成接觸件248、221、223、225和227。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，勢(shì)壘材料被形成在電介質(zhì)層130上并且被形成在接觸件開(kāi)口134、136、138、139、143、140、142、144、146、148和150中，以及形成于溝槽26、70、72、74和76中的接觸件開(kāi)口(未示出)中。用于勢(shì)壘層的適當(dāng)材料包括氮化鈦、鈦鎢等等。例如鎢之類(lèi)的導(dǎo)電層(未示出)被沉積來(lái)填充接觸件開(kāi)口134、136、138、139、143、140、142、144、146、148和150以及形成在溝槽26、70、72、74和76中的接觸件開(kāi)口(未示出)。該導(dǎo)電層例如利用CMP處理被平面化，從而分別在接觸件開(kāi)口134、136、138、139中形成接觸件220、222、224和226，分別在接觸件開(kāi)口143、140、142、144、146、148和150中形成接觸件234、230、232、240、242、244和246，并且在形成于溝槽26、70、72、74和76中的接觸件開(kāi)口(未示出)中形成接觸件248、221、223、225和227。

形成與接觸件248、221、223、226、240、242、244、246、227、234、230和232接觸的金屬化系統(tǒng)13，比如鋁-銅(AlCu)金屬化系統(tǒng)。形成與接觸件220、222、224和226接觸的金屬化系統(tǒng)15，比如鋁-銅(AlCu)金屬化系統(tǒng)。

應(yīng)當(dāng)提到的是，圖16A和16B分別是圖14A和14B的半導(dǎo)體組件10的剖面圖，但是處于更加后期的制造階段；圖17A和17B分別是圖15A和15B的半導(dǎo)體組件10的剖面圖，但是處于更加后期的制造階段；并且圖18A和18B被一起描述，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D1的剖面線(xiàn)1C-1C取得的區(qū)段。圖16A、16B、圖17A、17B、18A和18B表示在半導(dǎo)體組件10的制造期間同時(shí)取得的視圖。圖16A和16B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖16；圖17A和17B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖17；并且圖18A和18B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖18。圖16被顯示成兩幅圖以便放大圖16，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征；圖17被顯示成兩幅圖以便放大圖17，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征；并且圖18被顯示成兩幅圖以便放大圖18，并且更好地示出半導(dǎo)體組件10的特征。

因此，接觸增強(qiáng)區(qū)段162、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)200和箝位接觸件240形成箝位結(jié)構(gòu)210；接觸增強(qiáng)區(qū)段164、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)202和箝位接觸件242形成箝位結(jié)構(gòu)212；接觸增強(qiáng)區(qū)段166、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)204和箝位接觸件244形成箝位結(jié)構(gòu)214；并且接觸增強(qiáng)區(qū)段168、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)206和箝位接觸件246形成箝位結(jié)構(gòu)216。

可以形成覆蓋襯底56的主表面54的導(dǎo)電層250。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層250可以是可軟焊金屬結(jié)構(gòu)，比如鈦-鎳-銀、鉻-鎳-金或者本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉的其他相關(guān)或等效材料，并且被配置成漏極電極或端子。

圖18A和18B進(jìn)一步示出了分別在溝槽70、72、74和76的某些部分中形成導(dǎo)電材料80的導(dǎo)電部分112E、112F、112G和112H。導(dǎo)電部分112E、112F、112G和112H分別通過(guò)接觸件221、223、225和226 電連接到電互連13。導(dǎo)電部分112E電連接到屏蔽電極90，導(dǎo)電部分112F電連接到屏蔽電極92，導(dǎo)電部分112G電連接到屏蔽電極94，并且導(dǎo)電部分112H電連接到屏蔽電極96。應(yīng)當(dāng)提到的是，導(dǎo)電部分112E和屏蔽電極90可以是從導(dǎo)電材料80形成的溝槽70中的連續(xù)部分，導(dǎo)電部分112F和屏蔽電極92可以是從導(dǎo)電材料80形成的溝槽72中的連續(xù)部分，導(dǎo)電部分112G和屏蔽電極94可以是從導(dǎo)電材料80形成的溝槽74中的連續(xù)部分，并且導(dǎo)電部分112H和屏蔽電極96可以是從導(dǎo)電材料80形成的溝槽76中的連續(xù)部分。

應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，已經(jīng)提供了包括溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(“MOSFET”)260的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件。MOSFET 260可以被稱(chēng)作屏蔽柵極半導(dǎo)體器件，并且是從臺(tái)面結(jié)構(gòu)73和溝槽74形成的。在溝槽74的靠近底面74F的一部分中形成柵極屏蔽或屏蔽電極94，在屏蔽電極94之上形成絕緣材料95，并且在絕緣材料95之上形成柵極電極112C。因此，柵極電極112C通過(guò)電介質(zhì)材料95與柵極屏蔽94垂直間隔開(kāi)。溝槽74通過(guò)臺(tái)面結(jié)構(gòu)75與溝槽76間隔開(kāi)。從臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成一個(gè)或多個(gè)箝位結(jié)構(gòu)210-216。每一個(gè)箝位結(jié)構(gòu)包括延伸到半導(dǎo)體材料50中的第一距離處的接觸件開(kāi)口144，經(jīng)過(guò)接觸件開(kāi)口144形成增強(qiáng)摻雜劑區(qū)段162A，在接觸件開(kāi)口144中形成勢(shì)壘結(jié)構(gòu)200，并且在勢(shì)壘結(jié)構(gòu)200上形成導(dǎo)電材料240A，其中導(dǎo)電材料240A充當(dāng)接觸件。

因此，前面描述了具有集成的箝位結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET。所述溝槽MOSFET包括具有寬度為D1和D2的臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73的活躍區(qū)域，其中D1和D2基本上相等。寬度D1和D2被選擇成使得臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的N型epi在MOSFET處于雪崩擊穿時(shí)可以被完全耗盡。通過(guò)完全耗盡臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73會(huì)降低臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的主體區(qū)段與N-epi之間的P-N結(jié)處的電場(chǎng)，從而對(duì)于MOSFET允許更高的擊穿電壓。所述溝槽MOSFET還包括形成在寬度為D3的臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的箝位結(jié)構(gòu)，其中D3大于寬度D1和D2。寬度D3被選擇成使得臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的N型epi無(wú)法被完全耗盡。寬度D3可以比寬度D1和D2大至少20％，并且可以?xún)?yōu)選地比寬度D1和D2大2到100倍之間。這使得臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的主體區(qū)段與N-epi之間的P-N結(jié)處的電場(chǎng)高于臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的電場(chǎng)，從而導(dǎo)致臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的低于臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的擊穿電壓。由于臺(tái)面結(jié)構(gòu)75無(wú)法被完全耗盡，因此峰值電場(chǎng)(從而還有雪崩擊穿)在遠(yuǎn)離溝槽74和76的P-N結(jié)處發(fā)生，從而防止進(jìn)入到溝槽74和76中的任何電荷注入。因此，通過(guò)在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中具有更低的雪崩擊穿電壓，所述箝位結(jié)構(gòu)防止溝槽MOSFET的活躍區(qū)域進(jìn)入雪崩擊穿，從而保護(hù)了溝槽MOSFET。

至少分別形成到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73的接觸件230和232充當(dāng)去到臺(tái)面結(jié)構(gòu)71和73中的主體區(qū)段的源極接觸件。導(dǎo)電層13把接觸件230和232電連接在一起。導(dǎo)電層250充當(dāng)半導(dǎo)體組件10的漏極端子。

當(dāng)在半導(dǎo)體組件10的漏極與源極端子之間(也就是在導(dǎo)電層250與13之間)施加反向偏置電壓時(shí)，在比臺(tái)面結(jié)構(gòu)73中更低的電壓下在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中發(fā)生雪崩擊穿。在比發(fā)生在臺(tái)面結(jié)構(gòu)73中的低至少10％(百分比)的電壓下發(fā)生臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的雪崩擊穿。

應(yīng)當(dāng)提到的是，臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中的雪崩擊穿在遠(yuǎn)離溝槽74和76的第二導(dǎo)電性類(lèi)型的主體區(qū)段與第一導(dǎo)電性類(lèi)型的半導(dǎo)體材料50之間的結(jié)處發(fā)生。

圖19是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的包括半導(dǎo)體芯片12A的半導(dǎo)體組件10A的放大平面圖。半導(dǎo)體組件10A類(lèi)似于半導(dǎo)體組件10，其不同之處在于，取代在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中形成多個(gè)箝位結(jié)構(gòu)210、212、214和216，在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中形成單個(gè)箝位結(jié)構(gòu)210A。應(yīng)當(dāng)提到的是，根據(jù)一些實(shí)施例，可以從臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成單個(gè)箝位結(jié)構(gòu)，其延伸距離小于臺(tái)面結(jié)構(gòu)75從溝槽74的側(cè)面74S₂向溝槽76的側(cè)面76S₁延伸的距離的100％。舉例來(lái)說(shuō)，所述單個(gè)箝位結(jié)構(gòu)可以延伸經(jīng)過(guò)臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的10％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的25％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的50％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的60％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的75％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的80％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的90％、臺(tái)面結(jié)構(gòu)75的95％等等。

圖20A和20B是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的沿著圖19的剖面線(xiàn)20-20取得的半導(dǎo)體組件10A的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖20A和20B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D19的剖面線(xiàn)20-20取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10A的制造過(guò)程中同時(shí)發(fā)生。圖20A和20B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖20。圖20A和20B中示出的半導(dǎo)體組件10A的剖面圖類(lèi)似于圖18A和18B中示出的半導(dǎo)體組件10的剖面圖，其不同之處在于，在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中形成單個(gè)P增強(qiáng)型接觸區(qū)段162A，從P增強(qiáng)接觸區(qū)段162A形成勢(shì)壘結(jié)構(gòu)190A，并且從臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成屏蔽電極240A。因此，用于制造半導(dǎo)體組件10A的處理步驟類(lèi)似于用于形成半導(dǎo)體組件10的處理步驟。

圖21A和21B是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的沿著圖19的剖面線(xiàn)21-21取得的半導(dǎo)體組件10A的剖面圖。應(yīng)當(dāng)提到的是，圖21A和21B是一起描述的，這是因?yàn)槠浔硎狙刂鴪D19的剖面線(xiàn)21-21取得的區(qū)段，并且在半導(dǎo)體組件10A的制造過(guò)程中同時(shí)發(fā)生。圖21A和21B可以被統(tǒng)稱(chēng)作圖21。圖21A和21B中示出的半導(dǎo)體組件10A的剖面圖類(lèi)似于圖17A和17B中示出的半導(dǎo)體組件10的剖面圖，其不同之處在于，在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中形成單個(gè)P增強(qiáng)型接觸區(qū)段162A，從P增強(qiáng)接觸區(qū)段162A形成勢(shì)壘結(jié)構(gòu)190A，并且從臺(tái)面結(jié)構(gòu)75形成箝位接觸件241。接觸增強(qiáng)區(qū)段162A、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)190A和箝位接觸件240A形成箝位結(jié)構(gòu)210A。因此，用于制造半導(dǎo)體組件10A的處理步驟類(lèi)似于用于形成半導(dǎo)體組件10的處理步驟。

圖22是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件10B的放大平面圖。半導(dǎo)體組件10B類(lèi)似于半導(dǎo)體組件10，其不同之處在于，取代在臺(tái)面結(jié)構(gòu)75中形成多個(gè)箝位接觸件210、212、214和216，形成箝位接觸件213和215，從而使得端接溝槽26處于箝位接觸件213與臺(tái)面結(jié)構(gòu)79之間。因此，臺(tái)面結(jié)構(gòu)75不具有箝位接觸件210、212、214和216。

現(xiàn)在參照?qǐng)D23，其中示出了沿著圖22的剖面線(xiàn)23-23取得的半導(dǎo)體組件10B的剖面圖。更具體來(lái)說(shuō)，圖23示出了鄰近溝槽26的側(cè)面26S₁形成的箝位結(jié)構(gòu)213和215。類(lèi)似于箝位結(jié)構(gòu)210-216，箝位結(jié)構(gòu)213和215包括接觸增強(qiáng)區(qū)段、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)以及箝位接觸件。更具體來(lái)說(shuō)，箝位結(jié)構(gòu)213包括接觸增強(qiáng)區(qū)段164B、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)192B和箝位接觸件214，并且箝位結(jié)構(gòu)215包括接觸增強(qiáng)區(qū)段162B、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)190B和箝位接觸件216。前面已經(jīng)參照箝位結(jié)構(gòu)210-216的描述對(duì)用于形成接觸增強(qiáng)區(qū)段、勢(shì)壘結(jié)構(gòu)以及接觸增強(qiáng)區(qū)段的方法進(jìn)行了描述。

圖24A和24B示出了根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的包括箝位結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件10C。半導(dǎo)體組件10C的頂視圖類(lèi)似于圖1中示出的半導(dǎo)體組件10的頂視圖，并且圖24A和24B中示出的半導(dǎo)體組件10C的剖面圖分別類(lèi)似于圖17A和17B中示出的半導(dǎo)體組件10的剖面圖。根據(jù)一個(gè)方面，可以包括P型雜質(zhì)材料的可選植入以便形成摻雜劑區(qū)段354。或者，可以包括N型材料的可選植入以便在半導(dǎo)體層60中形成摻雜劑區(qū)段356，或者包括N型雜質(zhì)材料的可選植入以便形成可選的N型源極/漏極摻雜劑區(qū)段352。應(yīng)當(dāng)提到的是，半導(dǎo)體組件10可以包括摻雜劑區(qū)段352、354和356當(dāng)中的每一個(gè)或者所述摻雜劑區(qū)段的子集，例如僅有摻雜劑區(qū)段352、僅有摻雜劑區(qū)段354、僅有摻雜劑區(qū)段356或者摻雜劑區(qū)段352、354和356的組合。

雖然在這里公開(kāi)了特定的優(yōu)選實(shí)施例和方法，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)前面的公開(kāi)內(nèi)容將認(rèn)識(shí)到，在不背離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以對(duì)這樣的實(shí)施例和方法作出變化和修改。本實(shí)用新型應(yīng)當(dāng)僅在所附權(quán)利要求書(shū)以及適用的法律規(guī)則和原則所要求的范圍內(nèi)受到限制。