1.一種屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件被配置成操作在雪崩中，所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件包括：
具有第一導(dǎo)電性類型并且具有第一(52)和第二(54)主表面的半導(dǎo)體材料(50)；
從第一導(dǎo)電性類型的半導(dǎo)體材料(50)形成的多個臺面結(jié)構(gòu)(71，73，75)，所述多個臺面結(jié)構(gòu)當中的第一臺面結(jié)構(gòu)(73)具有第一寬度并且所述多個臺面結(jié)構(gòu)當中的第二臺面結(jié)構(gòu)(75)具有第二寬度，其中第二寬度大于第一寬度；
從所述多個臺面結(jié)構(gòu)當中的第一臺面結(jié)構(gòu)(73)和第一溝槽(74)的一部分形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)，其中所述屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)包括處于第一臺面結(jié)構(gòu)(73)與第二臺面結(jié)構(gòu)(75)之間的第一屏蔽柵極結(jié)構(gòu)(94，112C)；
所述多個臺面結(jié)構(gòu)當中的第二臺面結(jié)構(gòu)(75)中的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)；以及
鄰近第二臺面結(jié)構(gòu)(75)的第一屏蔽結(jié)構(gòu)(112H)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，第一屏蔽柵極結(jié)構(gòu)(94，112C)包括：
處于第一臺面結(jié)構(gòu)(73)與第二臺面結(jié)構(gòu)(75)之間的第一溝槽(74)；
形成在第一溝槽(74)的第一部分中的第一柵極屏蔽(94)；以及
形成在第一溝槽(74)的第二部分中的第一柵極電極(112C)，所述第一柵極電極(112C)通過第一電介質(zhì)材料(95，110)與第一柵極屏蔽(94)垂直間隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包括半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(120)，所述第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(120)從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處，其中，第一箝位結(jié)構(gòu)(210) 包括：
第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一箝位接觸件開口(144)，所述第一箝位接觸件開口(144)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處；
從所述第一箝位接觸件開口(144)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(162)；
形成在所述第一箝位接觸件開口(144)中的勢壘結(jié)構(gòu)(200)；以及
形成在所述勢壘結(jié)構(gòu)(200)中的導(dǎo)電材料(240)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包括半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(120)，所述第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(120)從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，第一箝位結(jié)構(gòu)(210A)包括：
第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一箝位接觸件開口，所述第一箝位接觸件開口延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第一距離處，并且其寬度等于第一臺面結(jié)構(gòu)(73)的寬度的至少一半；
從所述第一箝位接觸件開口延伸到半導(dǎo)體材料(50)中的第二導(dǎo)電性類型的第一摻雜劑區(qū)段(162A)；
形成在所述第一箝位接觸件開口的底面和側(cè)壁上的勢壘結(jié)構(gòu)(190A)；以及
形成在所述勢壘結(jié)構(gòu)(190A)上的導(dǎo)電材料(240A)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包括：
形成在半導(dǎo)體材料(50)的第三部分中的第一箝位接觸件(213)；以及
從半導(dǎo)體材料的第四部分形成的溝槽(26)，所述溝槽(26)被形成在第一箝位接觸件與第一臺面結(jié)構(gòu)(73)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述溝槽(26)具有側(cè)壁和底面，并且所述屏蔽柵極半導(dǎo)體組件還包括：
沿著所述溝槽(26)的側(cè)壁和底面形成的介電材料層；以及
形成在所述溝槽(26)中的介電材料層上方的導(dǎo)電材料(80E)。
8.一種屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，包括：
具有第一導(dǎo)電性類型并且具有第一(52)和第二(54)主表面的半導(dǎo)體材料(50)；
從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一溝槽(74)，所述第一溝槽(74)具有第一側(cè)壁(74S1)、第二側(cè)壁(74S2)和底面(74F)；
從主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第二部分中的第二溝槽(76)，所述第二溝槽(76)具有第一側(cè)壁(76S1)、第二側(cè)壁(76S2)和底面(76F)；
鄰近第一溝槽(74)的第一側(cè)壁(74S1)的第一臺面結(jié)構(gòu)(73)和處于第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的第二臺面結(jié)構(gòu)(75)；
第二臺面結(jié)構(gòu)(75)的第一部分中的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)；
從第一臺面結(jié)構(gòu)(73)和第一溝槽(74)形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)，其中屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)的第一柵極電極(112C)處于第一溝槽(74)中的第一屏蔽電極(94)之上并且與第一屏蔽電極(94)電隔離，其中鄰近第一柵極電極(112C)的擊穿電壓被箝位成低于鄰近第一屏蔽電極(94)的擊穿電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的屏蔽柵極半導(dǎo)體組件，其特征在于，第二臺面結(jié)構(gòu)(75)的寬度是第一臺面結(jié)構(gòu)(73)的寬度的至少兩倍。
10.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體組件被配置用于抑制電荷注入，所述半導(dǎo)體組件包括：
具有第一導(dǎo)電性類型、第一濃度并且具有第一主表面(52)和第二主表面(54)的半導(dǎo)體材料(50)；
從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中的第一溝槽(74)，所述第一溝槽(74)具有第一側(cè)壁(74S1)、第二側(cè)壁(74S2)和底面(74F)；
從半導(dǎo)體材料(50)的第一部分和第一溝槽(74)的一部分形成的屏蔽柵極半導(dǎo)體器件(260)；以及
從第一主表面(52)延伸到半導(dǎo)體材料(50)的第二部分中的第二溝槽(76)，所述第二溝槽(76)具有第一側(cè)壁(76S1)、第二側(cè)壁(76S2)和底面(76F)；
在第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的第一部分中形成的第一箝位結(jié)構(gòu)(210，210A)，其中第二溝槽(76)與第一溝槽(74)間隔開，從而防止第一溝槽(74)與第二溝槽(76)之間的半導(dǎo)體材料(50)的區(qū)段被完全耗盡。