本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有激光熔絲的集成電路及其形成方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體集成電路中通常會(huì)設(shè)置一熔絲，通過(guò)熔斷熔絲進(jìn)而可達(dá)到對(duì)集成電路的功能或參數(shù)進(jìn)行修調(diào)的目的。根據(jù)熔絲的熔斷方法，可以把熔絲分為電熔絲(Electrical Fuse)和激光熔絲(Laser fuse)，其中，所述激光熔絲一般采用一定能量的激光束照射熔絲，進(jìn)而使所述激光熔絲熔斷。

圖1為現(xiàn)有的一種具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述具有激光熔絲的集成電路包括：襯底11；位于所述襯底11上的層間介質(zhì)層12；形成于所述層間介質(zhì)層12上的激光熔絲13；以及，覆蓋所述層間介質(zhì)層12和激光熔絲13的保護(hù)層14，所述保護(hù)層14中形成有一位于所述激光熔絲13上方的凹槽14a，使位于凹槽14a下方的保護(hù)層的厚度較薄。即，位于所述激光熔絲13上方的部分區(qū)域的保護(hù)層14的厚度較薄，從而在后續(xù)的激光修調(diào)時(shí)，激光束通過(guò)所述凹槽14a照射于所述保護(hù)層上，進(jìn)而使激光熔絲13發(fā)生熔斷。

然而，在激光修調(diào)的過(guò)程中，所述激光熔絲13會(huì)發(fā)生汽化膨脹，進(jìn)而產(chǎn)生較高的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力將直接作用于所述層間介質(zhì)層12上，最終導(dǎo)致在所述層間介質(zhì)層12中產(chǎn)生裂紋甚至發(fā)生斷裂的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種具有激光熔絲的結(jié)構(gòu)，以解決在激光修調(diào)的過(guò)程中，使位于激光熔絲下方的層間介質(zhì)層產(chǎn)生裂紋甚至發(fā)生斷裂的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種具有激光熔絲的集成電路，包括：

一襯底；

一層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層形成于所述襯底上；

一緩沖層，所述緩沖層位于所述層間介質(zhì)層上；

一激光熔絲，所述激光熔絲形成于所述緩沖層上。

可選的，所述具有激光熔絲的集成電路還包括：

一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層形成于所述襯底上；以及

多個(gè)導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞貫穿所述層間介質(zhì)層，并分別連接所述導(dǎo)電層和所述激光熔絲。

可選的，所述激光熔絲覆蓋所述緩沖層和部分層間介質(zhì)層，一部分導(dǎo)電插塞直接連接所述激光熔絲的一端，另一部分導(dǎo)電插塞直接連接所述激光熔絲的另一端。

可選的，所述具有激光熔絲的集成電路還包括：

一保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述層間介質(zhì)層和所述激光熔絲。

可選的，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于

可選的，所述保護(hù)層包括：

一金屬間電介質(zhì)層，所述金屬間電介質(zhì)層覆蓋所述層間介質(zhì)層上和所述激光熔絲；

一金屬層，所述金屬層形成于所述金屬間電介質(zhì)層上；以及

一鈍化層，所述鈍化層形成于所述金屬間電介質(zhì)層和所述金屬層上。

可選的，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層的厚度小于

可選的，所述金屬間電介質(zhì)層中形成有一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層的厚度小于

可選的，在所述鈍化層中形成有一位于所述激光熔絲的上方并貫穿所述鈍化層的開(kāi)口。

可選的，所述保護(hù)層包括：

一鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述層間介質(zhì)層和所述激光熔絲。

可選的，所述鈍化層中形成有一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的鈍化層的厚度小于

可選的，所述層間介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅。

可選的，所述緩沖層的材質(zhì)為硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

可選的，所述激光熔絲的材質(zhì)為鋁。

本發(fā)明的又一目的在于，提供一種形成以上所述的具有激光熔絲的集成電路，包括：

提供一襯底，于所述襯底上形成一層間介質(zhì)層和一位于所述層間介質(zhì)層上的緩沖層；

于所述緩沖層上形成一激光熔絲。

可選的，所述層間介質(zhì)層和所述緩沖層的形成方法包括：

先通過(guò)沉積工藝形成所述層間介質(zhì)層；以及

再通過(guò)沉積工藝形成所述緩沖層。

可選的，所述層間介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅；所述緩沖層的材質(zhì)為硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

可選的，所述層間介質(zhì)層和所述緩沖層的形成方法包括：

通過(guò)沉積工藝形成一膜層；以及

通過(guò)光刻和蝕刻工藝去除部分膜層以形成所述層間介質(zhì)層和位于所述層間介質(zhì)層上的緩沖層。

可選的，所述層間介質(zhì)層和緩沖層的材質(zhì)均為氧化硅。

可選的，所述形成方法還包括：

于所述襯底上形成一導(dǎo)電層，所述層間介質(zhì)層形成于具有所述導(dǎo)電層的襯底上；

于所述層間介質(zhì)層中形成多個(gè)導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞分別連接所述導(dǎo)電層和所述激光熔絲。

可選的，所述形成方法還包括：于所述層間介質(zhì)層和所述激光熔絲上形成一保護(hù)層。

可選的，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于

可選的，所述保護(hù)層的形成方法包括：

于所述層間介質(zhì)層上形成一金屬間電介質(zhì)層，所述金屬間電介質(zhì)層覆蓋所述激光熔絲；

于所述金屬間電介質(zhì)層上形成一金屬層；

于所述金屬間電介質(zhì)層及所述金屬層上形成一鈍化層。

可選的，所述保護(hù)層的形成方法還包括：在所述金屬間電介質(zhì)層中形成一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層的厚度小于

可選的，所述保護(hù)層的形成方法還包括：于所述鈍化層中形成一位于所述激光熔絲上方并貫穿所述鈍化層的開(kāi)口。

可選的，所述保護(hù)層的形成方法包括：于所述層間介質(zhì)層上形成一鈍化層，所述鈍化質(zhì)層覆蓋所述激光熔絲。

可選的，所述保護(hù)層的形成方法還包括：于所述鈍化層中形成一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的鈍化層的厚度小于

本發(fā)明提供的具有激光熔絲的集成電路中，由于激光熔絲和層間介質(zhì)層之間設(shè)置有一緩沖層，從而在執(zhí)行激光修調(diào)工藝時(shí)，通過(guò)所述緩沖層可有效緩解所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力。即，避免了所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力直接作用于層間介質(zhì)層上，從而可有效改善所述層間介質(zhì)層中產(chǎn)生裂紋的問(wèn)題。

優(yōu)選的，緩沖層采用具有較強(qiáng)抗斷裂性能的材質(zhì)制成，例如，硼硅玻璃(PSG)、磷硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)等，從而更為有效的隔離所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，以進(jìn)一步提高對(duì)所述層間介質(zhì)層的保護(hù)強(qiáng)度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的一種具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中的具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中的具有激光熔絲的集成電路中激光熔絲的版圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二中的具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三中的具有激光熔絲的集成電路的形成方法的流程示意圖；

圖6a～圖6d為本發(fā)明實(shí)施例三中形成具有激光熔絲的集成電路的步驟示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有的具有激光熔絲的集成電路中，激光熔絲形成于一層間介質(zhì)層上。當(dāng)對(duì)所述集成電路進(jìn)行激光修調(diào)時(shí)，由于所述激光熔絲會(huì)發(fā)生汽化膨脹而產(chǎn)生較大的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，進(jìn)而會(huì)使位于所述激光熔絲下方的層間介質(zhì)層發(fā)生斷裂。

為此，本發(fā)明提供了一種具有激光熔絲的集成電路，包括：

一襯底；

一層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層形成于所述襯底上；

一緩沖層，所述緩沖層位于所述層間介質(zhì)層上；

一激光熔絲，所述激光熔絲覆蓋所述緩沖層。

本發(fā)明提供的具有激光熔絲的集成電路中，所述激光熔絲與層間介質(zhì)層之間還形成有一緩沖層，從而在進(jìn)行激光修調(diào)時(shí)，所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力將作用于所述緩沖層上，從而可避免對(duì)所述層間介質(zhì)層造成影響，改善所述層間介質(zhì)層發(fā)生斷裂的問(wèn)題。進(jìn)一步的，所述緩沖層可采用抗應(yīng)力能力較強(qiáng)的材質(zhì)，例如為硼磷硅玻璃，以提高其抗斷裂的性能，更為有效的保障所述層間介質(zhì)層的完整性。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的具有激光熔絲的集成電路及其形成方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

<實(shí)施例一>

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中的具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中的具有激光熔絲的集成電路中激光熔絲的版圖，結(jié)合圖2和圖3所示，所述具有激光熔絲的集成電路包括：襯底110、層間介質(zhì)層120、緩沖層150和激光熔絲130。其中，所述層間介質(zhì)層120形成于所述襯底110上，所述緩沖層150位于所述層間介質(zhì)層120上，所述激光熔絲130形成于所述緩沖層150上。

在以上所述的集成電路中，所述激光熔絲130與層間介質(zhì)層120之間還具有一緩沖層150。即，通過(guò)所述緩沖層150緩解所述激光熔絲130施加于所述層間介質(zhì)層120上的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，以改善在執(zhí)行激光修調(diào)時(shí)所述層間介質(zhì)層120中產(chǎn)生裂紋甚至發(fā)生斷裂的問(wèn)題。

其中，所述層間介質(zhì)層120與所述緩沖層150可采用不同的材質(zhì)制成。具體的，所述層間介質(zhì)層120的材質(zhì)可以為氧化硅，以改善信號(hào)串?dāng)_的問(wèn)題并可降低寄生電容；所述緩沖層150可以是硼硅玻璃(PSG)、磷硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)。由于摻雜有硼和/或磷的氧化硅層具有較小的膜層應(yīng)力，并且能夠承受較高的溫度，因此，其可有效提高緩沖層150的機(jī)械性能以及抗斷裂性能。可見(jiàn)，通過(guò)采用具有高機(jī)械性能的緩沖層150可有效隔離激光熔絲130所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，從而避免在激光修調(diào)時(shí)對(duì)所述層間介質(zhì)層120產(chǎn)生影響的問(wèn)題，進(jìn)一步保障膜層的完整性。

當(dāng)然，所述層間介質(zhì)層120與所述緩沖層150也可采用相同的材質(zhì)制成，例如其均為氧化硅。當(dāng)所述層間介質(zhì)層120與緩沖層150的材質(zhì)相同時(shí)，則可在同一工藝步驟中形成，簡(jiǎn)化工藝流程，節(jié)省成本。

進(jìn)一步的，所述具有激光熔絲的集成電路還包括形成于所述襯底110上的導(dǎo)電層160，所述導(dǎo)電層160與外部電路連接(圖中未示出)，并且，所述導(dǎo)電層160還與所述激光熔絲130連接，即，通過(guò)所述導(dǎo)電層160實(shí)現(xiàn)激光熔絲130與外部電路的電連接，當(dāng)進(jìn)行激光修調(diào)工藝以使所述激光熔絲130熔斷時(shí)，則其與外部電路的連接斷開(kāi)。其中，所述導(dǎo)電層160與所述激光熔絲130通過(guò)一位于層間介質(zhì)層120中的導(dǎo)電插塞170實(shí)現(xiàn)電連接，即，所述導(dǎo)電插塞170分別連接所述導(dǎo)電層160和所述激光熔絲130。本實(shí)施例中，一個(gè)所述激光熔絲130分別與兩個(gè)外部電路連接，當(dāng)執(zhí)行激光修調(diào)工藝以使所述激光熔絲130熔斷時(shí)，所述兩個(gè)外部電路的連接斷開(kāi)。為此，在所述層間介質(zhì)層120中相應(yīng)的形成有多個(gè)導(dǎo)電插塞170，其中一部分導(dǎo)電插塞170用于連接其中一個(gè)外部電路，另一部分導(dǎo)電插塞170用于連接另一個(gè)外部電路，所述一部分導(dǎo)電插塞170與所述另一部分導(dǎo)電插塞170分別與所述激光熔絲130的兩端接觸，從而實(shí)現(xiàn)兩個(gè)外部電路之間的電連接，當(dāng)執(zhí)行激光修調(diào)工藝時(shí)，則相應(yīng)的使所述兩個(gè)外部電路斷開(kāi)。此外，為使所述激光熔絲130具有較好的導(dǎo)電性能，所述激光熔絲130的材質(zhì)可以為鋁。

繼續(xù)參考圖3所示，本實(shí)施例中，所述具有激光熔絲的集成電路中包括多個(gè)導(dǎo)電層160，多個(gè)所述導(dǎo)電層160以陣列形式排列，橫向的兩個(gè)導(dǎo)電層160均與同一激光熔絲130連接。其中，每個(gè)導(dǎo)電層160與所述激光熔絲130之間通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)電插塞170連接，即，所述激光熔絲130的兩端分別連接兩個(gè)導(dǎo)電插塞170。

結(jié)合圖2及圖3所示，本實(shí)施例中，所述緩沖層150位于所述一分部導(dǎo)電插塞170和所述另一部分導(dǎo)電插塞170之間，如此，可提供一接觸空間以實(shí)現(xiàn)激光熔絲130和導(dǎo)電插塞170的連接。即，所述激光熔絲覆蓋所述緩沖層150以及部分層間介質(zhì)層120，其中一部分導(dǎo)電插塞直接連接所述激光熔絲130的一端，另一部分導(dǎo)電插塞直接連接所述激光熔絲130的另一端。

當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述緩沖層也可不受到導(dǎo)電插塞的限制，而具有更大的截面積，即，所述緩沖層于襯底方向上的投影區(qū)域覆蓋所述導(dǎo)電插塞于襯底方向上的投影區(qū)域，此時(shí)，可在所述層間介質(zhì)層和緩沖層中均形成一相互連接的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞由緩沖層引出并與激光熔絲連接，從而實(shí)現(xiàn)激光熔絲與導(dǎo)電層的電連接。也就是說(shuō)，在其他實(shí)施例中，所述激光熔絲也可只形成于所述緩沖層上而不覆蓋所述層間介質(zhì)層，直接通過(guò)一貫穿所述層間介質(zhì)層和緩沖層的導(dǎo)電插塞實(shí)現(xiàn)激光熔絲與導(dǎo)電層的電連接。

進(jìn)一步的，所述具有激光熔絲的集成電路還包括一保護(hù)層140，所述保護(hù)層140覆蓋所述層間介質(zhì)層120和所述激光熔絲130，以保護(hù)位于保護(hù)層140下方的電路。其中，使位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的保護(hù)層140的厚度優(yōu)選為小于其目的在于，所述部分區(qū)域?yàn)樵诩す庑拚{(diào)時(shí)激光束的照射區(qū)域，因此，若位于該部分區(qū)域上的保護(hù)層140的厚度較薄，可有利于所述激光熔絲130更快的吸收能量并發(fā)生斷裂。此外，在激光修調(diào)的過(guò)程中，所述激光熔絲130的上方覆蓋有一厚度較薄的保護(hù)層140，可有效避免被激光束熔斷的金屬熔絲發(fā)生飛濺的現(xiàn)象。較佳的，所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的保護(hù)層140的厚度為

具體參考圖2所示，所述保護(hù)層140包括一金屬間電介質(zhì)層141，所述金屬間電介質(zhì)層141形成于所述層間介質(zhì)層120上并覆蓋所述激光熔絲130。如上所述，為提高所述激光熔絲130的熔斷效率并確保不會(huì)對(duì)保護(hù)層下方的集成電路造成影響，因此，可使位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域(即，激光束的照射區(qū)域)的金屬間電介質(zhì)層141的厚度小于其中，當(dāng)位于所述激光熔絲130上方的金屬間電介質(zhì)層141的厚度較大時(shí)，則可于所述金屬間電介質(zhì)層141中形成有一位于所述激光熔絲130上方的凹槽，即，通過(guò)形成一凹槽以減薄激光熔絲130上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層的厚度，從而使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層的厚度小于進(jìn)一步的，在所述金屬間電介質(zhì)層141上還形成有一金屬層142，即，形成1P2M結(jié)構(gòu)(1poly‐2metel)。

本實(shí)施例中，所述保護(hù)層140還包括一鈍化層143，所述鈍化層143形成于所述金屬間電介質(zhì)層141上。類似的，為避免所述鈍化層覆蓋激光束的照射區(qū)域而影響激光熔絲130的熔斷效率，因此，在所述鈍化層143中形成有一位于所述激光熔絲130的上方并貫穿所述鈍化層143的開(kāi)口143a，所述開(kāi)口143a暴露出的區(qū)域即為激光束的照射區(qū)域。此外，本實(shí)施例中，所述鈍化層143上還開(kāi)設(shè)有暴露出所述金屬層142的開(kāi)口143b，從而可引出所述金屬層142。需說(shuō)明的是，在其他實(shí)施中，所述金屬間電介質(zhì)層141中形成有一位于所述激光熔絲130上方的凹槽時(shí)，即，所述凹槽對(duì)應(yīng)的區(qū)域即為激光束的照射區(qū)域，則此時(shí)，所述鈍化層142中位于所述激光熔絲上方的開(kāi)口暴露出所述凹槽。

<實(shí)施例二>

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二的具有激光熔絲的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例中所述保護(hù)層包括一鈍化層140，所述鈍化層140形成于所述層間介質(zhì)層120上并覆蓋上所述激光熔絲130。即，于所述激光熔絲130的上方直接形成一鈍化層140以對(duì)其下方的電路進(jìn)行保護(hù)。

與實(shí)施例一類似的，為確保所述激光熔絲130的熔斷效率并保護(hù)所述鈍化層140下方的電路，位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域(激光束的照射區(qū)域)的鈍化層140的厚度優(yōu)選為小于其中，當(dāng)所述鈍化層140的厚度較厚時(shí)，可于所述鈍化層140中形成一位于所述激光熔絲130上方的凹槽140a，以使得位于所述激光熔絲130上方的部分鈍化層的厚度小于較佳的，位于所述激光熔絲130上方的部分鈍化層的厚度為

<實(shí)施例三>

基于以上所述的具有激光熔絲的集成電路，本發(fā)明還提供一種形成所述集成電路的方法，包括：于所述襯底上形成一導(dǎo)電層，所述層間介質(zhì)層形成于具有所述導(dǎo)電層的襯底上；以及，于所述層間介質(zhì)層中形成多個(gè)導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞分別連接所述導(dǎo)電層和所述激光熔絲。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三中形成具有激光熔絲的集成電路的流程示意圖，圖6a～圖6d為本發(fā)明實(shí)施例三中形成具有激光熔絲的集成電路的步驟示意圖。下面結(jié)合圖5和圖6a～6d，以形成實(shí)施例一所述的具有激光熔絲的集成電路為例，進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

首先，執(zhí)行步驟S00，具體參考圖6a所示，提供一襯底110，于所述襯底110上形成一導(dǎo)電層160。所述導(dǎo)電層160用于連接外部電路(圖中未示出)。

接著，執(zhí)行步驟S10，具體參考圖6b所示，在具有所述導(dǎo)電層160的襯底110上形成一層間介質(zhì)層120和一位于所述層間介質(zhì)層120上的緩沖層150。

本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層120和緩沖層150可通過(guò)兩次沉積工藝形成。即，首先，通過(guò)沉積工藝于所述襯底上形成層間介質(zhì)層120；接著，再通過(guò)沉積工藝于所述層間介質(zhì)層120上形成緩沖層150。其中，所述層間介質(zhì)層120和緩沖層150可采用不同的材質(zhì)形成，例如，所述層間介質(zhì)層120的材質(zhì)為氧化硅，所述緩沖層的材質(zhì)為硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃等。

當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層120和所述緩沖層150也可通過(guò)一次沉積工藝形成。即，首先，通過(guò)沉積工藝于所述襯底110上形成一膜層，所述膜層的厚度為層間介質(zhì)層120和緩沖層150的厚度之和；接著，采用光刻及蝕刻工藝去除部分膜層，進(jìn)而可形成所述層間介質(zhì)層120和緩沖層150。當(dāng)所述層間介質(zhì)層和所述緩沖層的材質(zhì)相同時(shí)，例如其均為氧化硅等，則可采用這種一次沉積的方式，這種形成方法工藝較為簡(jiǎn)單，并可有效節(jié)省成本。

進(jìn)一步的，在所述層間介質(zhì)層120中還形成有多個(gè)導(dǎo)電插塞170，所述導(dǎo)電插塞170與接所述導(dǎo)電層160連接。

接著，執(zhí)行步驟S20，具體參考圖6c所示，于所述緩沖層150上形成一激光熔絲130，從而使激光熔絲130的部分區(qū)域(激光束的照射區(qū)域)不與層間介質(zhì)層120接觸，避免其所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力直接作用于所述層間介質(zhì)層120上。本實(shí)施例中，所述激光熔絲130與所述導(dǎo)電插塞170連接，即，通過(guò)所述導(dǎo)電插塞170實(shí)現(xiàn)激光熔絲與導(dǎo)電層160的電連接，進(jìn)而使所述激光熔絲130與外部電路連接。優(yōu)選的，所述激光熔絲130采用具有較高導(dǎo)電性能的鋁制成。

接著，執(zhí)行步驟S30，具體參考圖6d所示，于所述層間介質(zhì)層120和所述激光熔絲130上形成一保護(hù)層140，所述保護(hù)層140可用于保護(hù)其下方的電路。較佳的，在所形成的保護(hù)層140中，位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于從而可提供所述激光熔絲的熔斷效率并避免所述激光熔絲在熔斷時(shí)發(fā)生飛濺，本實(shí)施例中，位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的保護(hù)層的厚度優(yōu)選為

本實(shí)施例中，所述保護(hù)層140包括一金屬間電介質(zhì)層141、金屬層142和鈍化層143，其具體形成步驟包括：

步驟S31，于所述層間介質(zhì)層120上形成一金屬間電介質(zhì)層141，所述金屬間電介質(zhì)層141覆蓋所述激光熔絲130；

步驟S32，于所述金屬間電介質(zhì)層141上形成一金屬層142；

步驟S33，于所述金屬間電介質(zhì)層141及所述金屬層142上形成一鈍化層143。

此外，為使所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的金屬間電介質(zhì)層141的厚度小于于步驟S31中還包括：在所述金屬間電介質(zhì)層141中形成一位于所述激光熔絲130上方的凹槽。當(dāng)然，如果位于所述激光熔絲130上的金屬間電介質(zhì)層141的厚度足夠小時(shí)，則也可不必在所述金屬間電介質(zhì)層141中開(kāi)始所述凹槽。與之對(duì)應(yīng)的，在步驟S33中還包括：于所述鈍化層143中形成一位于所述激光熔絲130上方并貫穿所述鈍化層143的開(kāi)口143a。即，通過(guò)所述開(kāi)口143a以暴露出激光束的照射區(qū)域，以利于后續(xù)執(zhí)行激光修調(diào)工藝。此外，本實(shí)施例中，在所述金屬層142上方的鈍化層中也形成有一開(kāi)口143b，通過(guò)所述開(kāi)口143b以引出所述金屬層142。

另外，在其他實(shí)施例中，所述保護(hù)層140僅包括一鈍化層。即，所述保護(hù)層140的形成方法為：于所述層間介質(zhì)層120上形成一鈍化層，所述鈍化質(zhì)層覆蓋所述激光熔絲130。此時(shí)，為使位于所述激光熔絲130上方的部分區(qū)域的鈍化層的厚度小于則也可在所述鈍化層中形成一位于所述激光熔絲上方的凹槽。

綜上所述，本發(fā)明提供的具有激光熔絲的集成電路中，由于在激光熔絲和層間介質(zhì)層之間設(shè)置一緩沖層，從而在執(zhí)行激光修調(diào)工藝時(shí)，通過(guò)所述緩沖層可有效緩解所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，進(jìn)而可改善所述層間介質(zhì)層中產(chǎn)生裂紋的問(wèn)題。

優(yōu)選的，緩沖層采用具有較強(qiáng)抗斷裂性能的材質(zhì)制成，例如，硼硅玻璃(PSG)、磷硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)等，從而更為有效的隔離所述激光熔絲所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，以進(jìn)一步提高對(duì)所述層間介質(zhì)層的保護(hù)強(qiáng)度。

本說(shuō)明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。