技術特征：

1.一種具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，包括：

一襯底；

一層間介質層，所述層間介質層形成于所述襯底上；

一緩沖層，所述緩沖層位于所述層間介質層上；

一激光熔絲，所述激光熔絲形成于所述緩沖層上。

2.如權利要求1所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，還包括：

一導電層，所述導電層形成于所述襯底上；以及

多個導電插塞，所述導電插塞貫穿所述層間介質層，并分別連接所述導電層和所述激光熔絲。

3.如權利要求2所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述激光熔絲覆蓋所述緩沖層和部分層間介質層，一部分導電插塞直接連接所述激光熔絲的一端，另一部分導電插塞直接連接所述激光熔絲的另一端。

4.如權利要求1所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，還包括：

一保護層，所述保護層覆蓋所述層間介質層和所述激光熔絲。

5.如權利要求4所述的具有激光熔絲的結構，其特征在于，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的保護層的厚度小于

6.如權利要求4所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述保護層包括：

一金屬間電介質層，所述金屬間電介質層覆蓋所述層間介質層上和所述激光熔絲；

一金屬層，所述金屬層形成于所述金屬間電介質層上；以及

一鈍化層，所述鈍化層形成于所述金屬間電介質層和所述金屬層上。

7.如權利要求6所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質層的厚度小于

8.如權利要求6所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述金屬間電介質層中形成有一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質層的厚度小于

9.如權利要求6所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，在所述鈍化層中形成有一位于所述激光熔絲的上方并貫穿所述鈍化層的開口。

10.如權利要求4所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述保護層包括：

一鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述層間介質層和所述激光熔絲。

11.如權利要求10所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述鈍化層中形成有一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的鈍化層的厚度小于

12.如權利要求1所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述層間介質層的材質為氧化硅。

13.如權利要求1所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述緩沖層的材質為硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

14.如權利要求1所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述激光熔絲的材質為鋁。

15.一種權利要求1～14其中之一所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，包括：

提供一襯底，于所述襯底上形成一層間介質層和一位于所述層間介質層上的緩沖層；

于所述緩沖層上形成一激光熔絲。

16.如權利要求15所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述層間介質層和所述緩沖層的形成方法包括：

先通過沉積工藝形成所述層間介質層；以及

再通過沉積工藝形成所述緩沖層。

17.如權利要求16所述的具有激光熔絲的集成電路，其特征在于，所述層間介質層的材質為氧化硅；所述緩沖層的材質為硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

18.如權利要求15所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述層間介質層和所述緩沖層的形成方法包括：

通過沉積工藝形成一膜層；以及

通過光刻和蝕刻工藝去除部分膜層以形成所述層間介質層和位于所述層間介質層上的緩沖層。

19.如權利要求18所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述層間介質層和緩沖層的材質均為氧化硅。

20.如權利要求15所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：

于所述襯底上形成一導電層，所述層間介質層形成于具有所述導電層的襯底上；

于所述層間介質層中形成多個導電插塞，所述導電插塞分別連接所述導電層和所述激光熔絲。

21.如權利要求15所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：于所述層間介質層和所述激光熔絲上形成一保護層。

22.如權利要求21所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，位于所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的保護層的厚度小于

23.如權利要求21所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法包括：

于所述層間介質層上形成一金屬間電介質層，所述金屬間電介質層覆蓋所述激光熔絲；

于所述金屬間電介質層上形成一金屬層；

于所述金屬間電介質層及所述金屬層上形成一鈍化層。

24.如權利要求23所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法還包括：在所述金屬間電介質層中形成一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的金屬間電介質層的厚度小于

25.如權利要求23所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法還包括：于所述鈍化層中形成一位于所述激光熔絲上方并貫穿所述鈍化層的開口。

26.如權利要求21所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法包括：于所述層間介質層上形成一鈍化層，所述鈍化質層覆蓋所述激光熔絲。

27.如權利要求26所述的具有激光熔絲的集成電路的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法還包括：于所述鈍化層中形成一位于所述激光熔絲上方的凹槽，使所述激光熔絲上方的部分區(qū)域的鈍化層的厚度小于