本申請(qǐng)一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板、顯示面板的制作方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

玻璃膠封裝是顯示面板(例如，有機(jī)發(fā)光顯示面板)常用的一種封裝形式，如圖1a和圖1b所示，示出了現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板使用玻璃膠封裝的一個(gè)示例。

如圖1a所示，顯示面板通?？砂@示區(qū)域191和圍繞顯示區(qū)域191的封裝區(qū)域192。如圖1b所示，在封裝區(qū)域192中，顯示面板可包括陣列基板11、蓋板12以及將陣列基板11和蓋板粘合在一起的玻璃膠13。現(xiàn)有技術(shù)中，通常在陣列基板11的玻璃基板10上設(shè)置金屬襯底14(其上沉積有絕緣膜)，通過激光將玻璃膠13熔解并固化在陣列基板11和蓋板12之間。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中，金屬襯底14與玻璃膠13接觸的表面平坦，平坦式接觸的粘合力有限，易于發(fā)生封裝不良，導(dǎo)致水汽、氧等進(jìn)入顯示面板內(nèi)，使液晶分子或有機(jī)發(fā)光材料惡化甚至失效。而增大粘合力，則需要將封裝區(qū)域加寬(進(jìn)而增加金屬襯底14與玻璃膠13之間的接觸面積)，這與窄邊框的發(fā)展趨勢(shì)相悖。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種顯示面板、顯示面板的制作方法和顯示裝置，以期解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種顯示面板，包括陣列基板、蓋板以及用于將陣列基板和蓋板粘合在一起的框膠，陣列基板包括設(shè)/置在封裝區(qū)域的第一金屬襯底和第二金屬襯底，封裝區(qū)域圍繞顯示區(qū)域，框膠設(shè)置在封裝區(qū)域；在顯示區(qū)域同一側(cè)的封裝區(qū)域中，第一金屬襯底包括多條第一金屬線，第二金屬襯底包括多條第二金屬線，第一金屬線與第二金屬線彼此交叉；在垂直顯示面板的方向上，陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，并且在第一金屬線與第二金屬線重疊的區(qū)域具有最大厚度。

在一些實(shí)施例中，陣列基板還包括設(shè)置在封裝區(qū)域的第一絕緣襯底和第二絕緣襯底；第一絕緣襯底覆蓋第一金屬襯底，第二絕緣襯底覆蓋第二金屬襯底。

在一些實(shí)施例中，陣列基板還包括設(shè)置在顯示區(qū)域的柵電極層、第一絕緣層、源/漏電極層和第二絕緣層；第一絕緣層覆蓋柵電極層，第二絕緣層覆蓋源/漏電極層。

在一些實(shí)施例中，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與柵極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與源/漏電極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

在一些實(shí)施例中，陣列基板還包括設(shè)置在顯示區(qū)域的遮光金屬層和第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋遮光金屬層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與遮光金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

在一些實(shí)施例中，陣列基板還包括設(shè)置在顯示區(qū)域的第四金屬層和第四絕緣層，第四絕緣層覆蓋第四金屬層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與第四金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

在一些實(shí)施例中，第一絕緣襯底和/或第二絕緣襯底的材料為氮化硅和氧化硅中的至少一種。

在一些實(shí)施例中，顯示面板為有機(jī)發(fā)光顯示面板。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面還提供了一種顯示面板的制作方法，包括：沉積第一金屬導(dǎo)電膜；刻蝕第一金屬導(dǎo)電膜以在封裝區(qū)域形成第一金屬襯底；沉積第二金屬導(dǎo)電膜；刻蝕第二金屬導(dǎo)電膜以在封裝區(qū)域形成第二金屬襯底；在封裝區(qū)域涂覆框膠；貼合蓋板并固化框膠以將蓋板與陣列基板粘合在一起；其中，陣列基板包括第一金屬襯底和第二金屬襯底，在顯示區(qū)域同一側(cè)的封裝區(qū)域中，第一金屬襯底包括多條第一金屬線，第二金屬襯底包括多條第二金屬線，第一金屬線與第二金屬線彼此交叉，封裝區(qū)域圍繞顯示區(qū)域；在垂直顯示面板的方向上，陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，并且在第一金屬線與第二金屬線重疊的區(qū)域具有最大厚度。

在一些實(shí)施例中，方法還包括：沉積第一絕緣膜以在封裝區(qū)域覆蓋第一金屬襯底形成第一絕緣襯底；沉積第二絕緣膜以在封裝區(qū)域覆蓋第二金屬襯底形成第二絕緣襯底；其中，陣列基板還包括第一絕緣襯底和第二絕緣襯底。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝唤^緣襯底位于第一金屬襯底和第二金屬襯底之間時(shí)，在沉積第二金屬導(dǎo)電膜之前，還刻蝕所述第一金屬線之間的區(qū)域中的第一絕緣襯底。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝唤^緣襯底位于第一金屬襯底和第二金屬襯底之間時(shí)，在涂覆框膠之前，還刻蝕在第二金屬線之間的區(qū)域中的第二絕緣襯底，但不刻透第二絕緣襯底。

在一些實(shí)施例中，方法還包括：在顯示區(qū)域形成柵電極層；在顯示區(qū)域覆蓋柵電極層形成第一絕緣層；在顯示區(qū)域形成源/漏電極層；在顯示區(qū)域覆蓋源/漏電極層形成第二絕緣層；其中，陣列基板還包括柵電極層、第一絕緣層、源/漏電極層和第二絕緣層。

在一些實(shí)施例中，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與柵極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與源/漏電極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

在一些實(shí)施例中，方法還包括：在顯示區(qū)域形成遮光金屬層；在顯示區(qū)域覆蓋遮光金屬層形成第三絕緣層；其中，陣列基板還包括遮光金屬和第三絕緣層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與遮光金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

在一些實(shí)施例中，方法還包括：在顯示區(qū)域形成第四金屬層；在顯示區(qū)域覆蓋第四金屬層形成第四絕緣層；其中，陣列基板還包括第四金屬和第四絕緣層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與第四金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

根據(jù)本申請(qǐng)的又一方面還提供了一種顯示裝置，包括如上的顯示面板。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑娘@示面板、顯示面板的制作方法和顯示裝置，通過在封裝區(qū)域設(shè)置兩層金屬線作為封裝襯底，并使不同層的金屬線彼此交叉，使得陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，增大了框膠與陣列基板的接觸面積，從而提高封裝的可靠性。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1a示出了現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的俯視圖；

圖1b為圖1a沿線ab的剖視圖；

圖2a示出了本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的顯示面板的俯視圖；

圖2b為圖2a沿線cd的剖視圖；

圖2c為圖2a的局部示意圖；

圖3a～圖3c示出了圖2a和圖2b所示的實(shí)施例的顯示面板的制備工藝的示意圖。

圖4示出了圖2a所示的實(shí)施例的另一實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；

圖5示出了圖2a所示的實(shí)施例的又一實(shí)現(xiàn)方式的剖視圖；

圖6示出了本申請(qǐng)另一實(shí)施例的顯示面板的剖視圖；

圖7a～圖7e示出了圖6所示的實(shí)施例的顯示面板的制備工藝的示意圖；

圖8a為圖7b所示的制備工藝的另一實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；

圖8b為圖7c所示的制備工藝的另一實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；

圖9示出了本申請(qǐng)又一實(shí)施例的顯示面板的剖視圖；

圖10示出了本申請(qǐng)?jiān)僖粚?shí)施例的顯示面板的剖視圖；

圖11示出了本申請(qǐng)顯示面板的制作方法的一個(gè)實(shí)施例的示意性流程圖；

圖12示出了本申請(qǐng)的顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。

圖2a示出了本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的顯示面板的俯視圖，圖2b為圖2a沿線cd的剖視圖，圖2c為圖2a的局部示意圖。

如圖2a和圖2b所示，顯示面板可包括陣列基板21、蓋板22以及用于將陣列基板21和蓋板22粘合在一起的框膠23，框膠23設(shè)置在封裝區(qū)域292。

陣列基板21可包括設(shè)置在封裝區(qū)域292的第一金屬襯底241b和第二金屬襯底242b，在顯示區(qū)域291同一側(cè)的封裝區(qū)域292中，第一金屬襯底241b可包括多條第一金屬線l241，第二金屬襯底242b可包括多條第二金屬線l242，第一金屬線l241可與第二金屬線l242彼此交叉。這里，封裝區(qū)域292圍繞顯示區(qū)域291。

在垂直顯示面板的方向上，陣列基板21在封裝區(qū)域292具有變化的厚度，并且在第一金屬線l241與第二金屬線l242重疊的區(qū)域具有最大厚度。

具體而言，由于第一金屬線l241和第二金屬線l242彼此交叉，并且各自具有一定的膜厚，因此，根據(jù)第一金屬線l241和第二金屬線l242的位置關(guān)系，可將封裝區(qū)域分成幾種不同的區(qū)域，例如，同時(shí)被第一金屬線l241和第二金屬線l242覆蓋的區(qū)域i、僅被第一金屬線l241覆蓋的區(qū)域ii、僅被第二金屬線l242覆蓋的區(qū)域iii以及未被第一金屬線l241和第二金屬線l242覆蓋的區(qū)域iv，如圖2c所示。

其中，在區(qū)域i中陣列基板21可具有第一厚度，在區(qū)域ii中陣列基板21可具有第二厚度，在區(qū)域iii中陣列基板21可具有第三厚度，在區(qū)域iv中陣列基板21可具有第四厚度。這里，第一厚度>第二厚度/第三厚度>第四厚度，第二厚度與第三厚度可以相同或不同。

這樣，當(dāng)通過框膠23將陣列基板21和蓋板22粘合在一起時(shí)，框膠23與陣列基板21在上述各區(qū)域彼此接觸地粘合，這種凹凸不平的粗糙表面使得陣列基板21與框膠23之間的接觸面積大大增加，從而提高了框膠23與陣列基板21之間的粘合力。

本實(shí)施例中，通過在封裝區(qū)域設(shè)置兩層金屬線(例如，第一金屬線和第二金屬線)作為封裝襯底，并使不同層的金屬線彼此交叉，使得陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，增大了框膠與陣列基板的接觸面積，從而提高封裝的可靠性。

與現(xiàn)有技術(shù)的平坦式接觸相比，由于增大了框膠與陣列基板的接觸面積，本實(shí)施例的顯示面板在保證封裝可靠性的情況下，可減少封裝區(qū)域所占的面積，例如，可減少至少30％的封裝區(qū)域，這有利于窄邊框的實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)施例的有益之處還在于：一方面，由于金屬具有較佳的導(dǎo)熱特性，第一/第二金屬襯底可在框膠熔解期間進(jìn)行散熱避免局部過熱；另一方面，當(dāng)使用諸如激光、紫外光之類的光源對(duì)框膠進(jìn)行固化時(shí)，由于金屬襯底的反光特性，可以提高光源的利用率，降低光源的功率。

此外，將第一/第二金屬襯底設(shè)置成多條金屬線的形式，還可以使工藝過程中產(chǎn)生的金屬應(yīng)力釋放更充分，從而避免由于形變而導(dǎo)致封裝失效。

盡管圖2a示出了第一金屬線l241和第二金屬線l242相互垂直，但這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，第一金屬線l241與第二金屬線l242可以呈任意合適的角度，只要第一金屬線l241和第二金屬線l242形成交叉即可，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的需要進(jìn)行設(shè)置。

盡管圖2b示出了第二金屬襯底242b設(shè)置在第一金屬襯底241b之上，應(yīng)當(dāng)理解，第二金屬襯底242b與第一金屬襯底241b的位置可以互換，例如，第一金屬襯底241b可設(shè)置在第二金屬襯底242b之上。

盡管圖2b示出了蓋板22與框膠23之間的接觸表面平坦，應(yīng)當(dāng)理解，蓋板22與框膠23之間也可以形成與框膠23和陣列基板21之間的接觸表面類似的粗糙表面，以進(jìn)一步提高封裝的可靠性。

此外，框膠23可以是玻璃膠，但本實(shí)施例并不局限于此?？蚰z也可以是其他合適的粘合劑，例如，紫外光固化膠等。

可選地，顯示面板為液晶顯示面板。

當(dāng)顯示面板為液晶顯示面板時(shí)，蓋板22可以是彩膜基板，顯示面板還可包括位于陣列基板21和彩膜基板22之間的液晶層，通過框膠23將液晶層中的液晶分子密封在兩個(gè)基板之間。

可選地，顯示面板為有機(jī)發(fā)光顯示面板。

當(dāng)顯示面板為有機(jī)發(fā)光顯示面板時(shí)，顯示面板還可包括有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管可包括陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的有機(jī)發(fā)光層。通過框膠23將有機(jī)發(fā)光二極管密封在陣列基板21和蓋板22之間。

下面將參考圖3a～圖3c來描述制作本實(shí)施例的顯示面板的工藝流程。

首先，在陣列基板21的基底基板201上沉積第一金屬導(dǎo)電膜，并刻蝕第一金屬導(dǎo)電膜，以在封裝區(qū)域292形成第一金屬襯底241b，如圖3a所示。

其中，第一金屬襯底241b可包括多條第一金屬線，各第一金屬線可彼此平行地設(shè)置。

接下來，在基底基板201和第一金屬襯底241b上沉積第二金屬導(dǎo)電膜，并刻蝕第二金屬導(dǎo)電膜，以在封裝區(qū)域292形成第二金屬襯底242b，如圖3b所示。

其中，第二金屬襯底242b可包括多條第二金屬線，各第二金屬線可彼此平行地設(shè)置。并且，第二金屬線與第一金屬線彼此交叉。

最后，在封裝區(qū)域292涂覆框膠23，貼合蓋板22并固化框膠23，以將蓋板22與陣列基板21粘合在一起，如圖3c所示。其中，可使用能量源28(例如，激光、紫外光等)對(duì)框膠23施加能量，以使框膠23熔解并固化。

通過上述步驟實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例的顯示面板的制作，從圖中可以看出，經(jīng)過上述步驟制作而成的顯示面板，框膠23與陣列基板21之間形成了凹凸不平的粗糙表面，從而增大了它們之間的接觸面積。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白，在結(jié)合圖3a～圖3c描述本實(shí)施例的顯示面板的制程時(shí)，忽略了對(duì)一些公知的制作工藝步驟的描述。為了不模糊本實(shí)施例的發(fā)明點(diǎn)，在此不再對(duì)這些公知的制作工藝步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。

需要說明的是，雖然各第一金屬線l241可彼此平行，各第二金屬線l242可彼此平行，如圖2a所示，但本實(shí)施例并不限于此。在一些可選地實(shí)現(xiàn)方式中，各第一金屬線l241或各第二金屬線l242可相交。例如，在圖4所示的實(shí)現(xiàn)方式中，分別位于顯示區(qū)域相鄰兩側(cè)的第二金屬線l242可在其延伸方向上相交。

可選地，陣列基板還包括設(shè)置在封裝區(qū)域的第一絕緣襯底和第二絕緣襯底，第一絕緣襯底覆蓋第一金屬襯底，第二絕緣襯底覆蓋第二金屬襯底。

如圖5所示，陣列基板21還可包括設(shè)置在封裝區(qū)域的第一絕緣襯底251b和第二絕緣襯底252b，第一絕緣襯底251b覆蓋第一金屬襯底241b，第二絕緣襯底252b覆蓋第二金屬襯底242b。

一般而言，相對(duì)于金屬材料，絕緣材料(例如，無機(jī)絕緣材料)與框膠23之間的表面粘合力更強(qiáng)。因此，通過設(shè)置第一絕緣襯底251b和第二絕緣襯底252b，可進(jìn)一步增強(qiáng)框膠23與陣列基板21之間的粘合力，使封裝的可靠性更高。

可選地，第一絕緣襯底251b和/或第二絕緣襯底252b的材料為氮化硅或氧化硅中的至少一種。

框膠23通常為包含硅(si)的粘合劑，當(dāng)絕緣襯底包括氮化硅、氧化硅等含有硅的絕緣材料時(shí)，框膠23與第一絕緣襯底251b/第二絕緣襯底252b粘合接觸時(shí)，接觸表面的分子間作用力大于襯底材料中不含硅時(shí)的分子間作用力，因此，通過采用氮化硅和/或氧化硅來制作第一絕緣襯底251b和第二絕緣襯底252b，可以進(jìn)一步增強(qiáng)顯示面板的封裝可靠性。

繼續(xù)參考圖6，示出了本申請(qǐng)另一實(shí)施例的顯示面板的剖視圖。

與圖5所示的顯示面板類似，本實(shí)施例中，顯示面板同樣可包括陣列基板61、蓋板62和框膠63。陣列基板61同樣可包括設(shè)置在封裝區(qū)域692的第一金屬襯底641b、第一絕緣襯底651b、第二金屬襯底642b和第二絕緣襯底652b。

與圖5所示的顯示面板不同的是，如圖6所示，本實(shí)施例中，陣列基板61還可包括設(shè)置在顯示區(qū)域691的柵電極層641a、第一絕緣層651a、源/漏電極層642a和第二絕緣層652a。其中，第一絕緣層651a可覆蓋柵電極層641a，第二絕緣層652a可覆蓋源/漏電極層642a。

具體而言，第一金屬襯底641b與柵極層641a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二金屬襯底642b與源/漏電極層642a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。相應(yīng)地，第一絕緣襯底651b與第一絕緣層651a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二絕緣襯底652b與第二絕緣層652a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

這里，柵電極層641a和第一金屬襯底641b位于同一層，指的是柵電極層641a和第一金屬襯底641b是由同一層金屬導(dǎo)電膜形成，兩者在垂直顯示面板的方向上與基底基板之間的距離可以不同。

這樣，就可以在形成柵電極層641a、第一絕緣層651a、源/漏電極層642a和第二絕緣層652a的過程中，同時(shí)形成第一金屬襯底641b、第一絕緣襯底651b、第二金屬襯底642b和第二絕緣襯底652b，從而不需要額外的制作工藝，并且也不會(huì)增加工藝難度。

本實(shí)施例中，通過在金屬襯底上設(shè)置絕緣襯底，在增大框膠與陣列基板接觸面積的基礎(chǔ)上，增強(qiáng)了接觸表面的粘合力提高了封裝的可靠性。并且，通過將第一金屬襯底和柵極層設(shè)置為同層、第二金屬襯底和源/漏電極層設(shè)置為同層，簡(jiǎn)化了顯示面板的制作工藝。

盡管圖6示出了第一金屬襯底641b與柵極層641a同層，第二金屬襯底642b與源/漏電極層642a同層，但本實(shí)施例并不限于此。應(yīng)當(dāng)理解，第一金屬襯底641b和第二金屬襯底642b可互換，即，第一金屬襯底641b可與源/漏電極層642a同層，第二金屬襯底642b可與柵極層641a同層。

另外，陣列基板61除了上述結(jié)構(gòu)之外，還可包括一些公知的結(jié)構(gòu)，例如，半導(dǎo)體層66、柵絕緣層67等，為了不模糊本實(shí)施例的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。

下面將以第一金屬襯底641b與柵極層641a同層，第二金屬襯底642b與源/漏電極層同層642a為例，結(jié)合圖7a～圖7e和圖8a～圖8b來描述制作本實(shí)施例的顯示面板的工藝流程。

首先，在陣列基板61的基底基板601上沉積第一金屬導(dǎo)電膜，經(jīng)過一道圖形化工藝，在顯示區(qū)域691形成柵極層641a和在封裝區(qū)域692形成第一金屬襯底641b，如圖7a所示。其中，第一金屬襯底641b包括多條第一金屬線(未示出)。

該步驟中的圖形化工藝可包括：在第一金屬導(dǎo)電膜上形成第一光刻膠圖案，第一光刻膠圖案在顯示區(qū)域691覆蓋待形成柵極層641a的區(qū)域并且在封裝區(qū)域692覆蓋待形成第一金屬襯底641b的區(qū)域；刻蝕第一金屬導(dǎo)電膜，去除未被第一光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；去除第一光刻膠圖案。通過上述過程，使第一金屬導(dǎo)電膜同時(shí)形成了柵極層641a和第一金屬襯底641b。

此外，為了更好地描述本實(shí)施例的制作方法，圖7a還示出了，在沉積第一金屬導(dǎo)電膜之前，在基底基板601的顯示區(qū)域691中形成半導(dǎo)體層66和柵絕緣層67。

接下來，在柵極層641a和第一金屬襯底641b上沉積第一絕緣膜，以在顯示區(qū)域691形成第一絕緣層651a和在封裝區(qū)域692形成第一絕緣襯底651b，如圖7b所示。

可選地，刻蝕在第一金屬線之間的區(qū)域gap1中的第一絕緣襯底651b，如圖8a所示，以使得陣列基板61在區(qū)域gap1處具有更大的高度差(在垂直顯示面板的方向上)，從而進(jìn)一步增大框膠63與陣列基板61之間的接觸面積。

盡管圖8a示出了第一絕緣襯底651b在區(qū)域gap1被刻透，這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，第一絕緣襯底651b在區(qū)域gap1也可被部分刻蝕(不刻透)而保留部分厚度。

刻蝕第一絕緣襯底651b可與刻蝕第一絕緣層651a同時(shí)進(jìn)行。例如，當(dāng)需要暴露半導(dǎo)體66的一部分(例如，源區(qū)和漏區(qū)的部分)時(shí)，可刻蝕第一絕緣層651a和柵絕緣層67形成暴露半導(dǎo)體66的一部分的接觸孔k1和k2。也就是說，不需要增加額外的工藝對(duì)第一絕緣襯底651b進(jìn)行刻蝕，從而簡(jiǎn)化了制作工藝。

接下來，在第一絕緣層651a和第一絕緣襯底651b上沉積第二金屬導(dǎo)電膜，經(jīng)過一道圖形化工藝，在顯示區(qū)域691形成源/漏電極層642a和在封裝區(qū)域692形成第二金屬襯底642b，如圖7c所示。其中，第二金屬襯底642b包括多條第二金屬線，第二金屬線與第一金屬線彼此交叉。

該步驟中的圖形化工藝可包括：在第二金屬導(dǎo)電膜上形成第二光刻膠圖案，第二光刻膠圖案在顯示區(qū)域691覆蓋待形成源/漏電極層642a的區(qū)域并且在封裝區(qū)域692覆蓋待形成第二金屬襯底642b的區(qū)域；刻蝕第二金屬導(dǎo)電膜，去除未被第二光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；去除第二光刻膠圖案。通過上述過程，使第二金屬導(dǎo)電膜同時(shí)形成了源/漏電極層642a和第二金屬襯底642b。

需要說明的是，當(dāng)圖形化工藝中使用的掩膜版為能形成具有厚度差的光刻膠圖案的掩膜版(例如，半色調(diào)掩膜版，狹縫掩膜版等)時(shí)，還可對(duì)在第一金屬線之間的區(qū)域gap1中的第二金屬襯底642b(或第二金屬線)進(jìn)行刻蝕，如圖8b所示。從圖中可以看出，刻蝕之后，區(qū)域gap1中的第二金屬線的厚度d2小于與第一金屬線重疊的第二金屬線的厚度d1，即，陣列基板61在區(qū)域gap1處具有更大的高度差，從而增大框膠63與陣列基板61之間的接觸面積。

需要注意的是，區(qū)域gap1中的第二金屬線不被刻透(即，完全刻蝕)，以便于第二金屬線反射光線和傳導(dǎo)熱量。

接下來，在源/漏電極層642a和第二金屬襯底642b上沉積第二絕緣膜，以在顯示區(qū)域691形成第二絕緣層652a和在封裝區(qū)域692形成第二絕緣襯底652b，如圖7d所示。

可選地，刻蝕在第二金屬線之間的區(qū)域中的第二絕緣襯底652b，但不刻透，以使得陣列基板61在該區(qū)域處具有更大的高度差，并且確保框膠63與第二絕緣襯底652b接觸，從而在進(jìn)一步增大框膠63與陣列基板61之間的接觸面積的同時(shí)，確保接觸表面具有較高的分子間作用力。

當(dāng)然，還可對(duì)位于第二金屬線上被刻蝕的區(qū)域(區(qū)域gap1)中的第二絕緣襯底652b進(jìn)行刻蝕(但不刻透)，進(jìn)一步增大框膠63與陣列基板61之間的接觸面積。

最后，在封裝區(qū)域涂覆框膠63，貼合蓋板62并固化框膠63，以將蓋板62與陣列基板61粘合在一起，如圖7e所示。其中，可使用能量源68(例如，激光、紫外光等)對(duì)框膠63施加能量，以使框膠63熔解并固化。

通過上述步驟實(shí)現(xiàn)了本實(shí)施例的顯示面板的制作，從圖中可以看出，經(jīng)過上述步驟制作而成的顯示面板，框膠63與陣列基板61之間形成了凹凸不平的粗糙表面，從而增大了它們之間的接觸面積。

繼續(xù)參考圖9，示出了本申請(qǐng)又一實(shí)施例的顯示面板的剖視圖。

與圖6所示的實(shí)施例類似，本實(shí)施例中，顯示面板同樣可包括陣列基板91、蓋板92和框膠93。陣列基板91同樣可包括設(shè)置在封裝區(qū)域992的第一金屬襯底943b、第一絕緣襯底953b、第二金屬襯底941b和第二絕緣襯底951b以及設(shè)置在顯示區(qū)域991的柵電極層941a、源/漏電極層942a、第一絕緣層951a和第二絕緣層952a。

與圖6所示的實(shí)施例不同的是，如圖9所示，本實(shí)施例中，陣列基板91還包括設(shè)置在顯示區(qū)域991的遮光金屬層943a和第三絕緣層953a，第三絕緣層953a可覆蓋遮光金屬層943a。

具體而言，第一金屬襯底943b與遮光金屬層943a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二金屬襯底941b與柵電極層941a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。相應(yīng)地，第一絕緣襯底953b與第三絕緣層953a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二絕緣襯底951b與第一絕緣層951a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

這樣，就可以在形成柵電極層941a、源/漏電極層942a、第一絕緣層951a、第二絕緣層952a、遮光金屬層943a和第三絕緣層953a的過程中，同時(shí)形成第一金屬襯底943b、第一絕緣襯底953b、第二金屬襯底941b和第二絕緣襯底951b，從而不需要額外的制作工藝，并且也不會(huì)增加工藝難度。

本實(shí)施例中，由于所設(shè)置的金屬襯底和絕緣襯底，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)增大框膠與陣列基板的接觸面積和增強(qiáng)表面粘合力的效果。同時(shí)，由于遮光金屬層可與第一/第二金屬襯底同層，從而進(jìn)一步豐富了本實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)樣式。

盡管圖9示出了第一金屬襯底943b和遮光金屬層943a同層，第二金屬襯底941b和柵極層941a同層，但本實(shí)施例并不限于此。應(yīng)當(dāng)理解，第一金屬襯底943b和第二金屬襯底941b兩者之一與遮光金屬層943a同層，第一金屬襯底943b和第二金屬襯底941b兩者中的另一個(gè)與柵電極層941a和源/漏電極層942a兩者之一同層。例如，第一金屬襯底943b與源/漏電極層942a同層，第二金屬襯底941b與遮光金屬層943a同層等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的需要進(jìn)行設(shè)置。

繼續(xù)參考圖10，示出了本申請(qǐng)?jiān)僖粚?shí)施例的顯示面板的剖視圖。

與圖6所示的實(shí)施例類似，本實(shí)施例中，顯示面板同樣可包括陣列基板1010、蓋板1020和框膠1030。陣列基板1010同樣可包括設(shè)置在封裝區(qū)域1092的第一金屬襯底1041b、第一絕緣襯底1051b、第二金屬襯底1044b和第二絕緣襯底1054b以及設(shè)置在顯示區(qū)域1091的柵電極層1041a、源/漏電極層1042a、第一絕緣層1051a和第二絕緣層1052a。

與圖6所示的實(shí)施例不同的是，如圖10所示，本實(shí)施例中，陣列基板1010還包括設(shè)置在顯示區(qū)域1091的第四金屬層1044a和第四絕緣層1054a，第四絕緣層1054a可覆蓋遮光金屬層1044a。例如，第四金屬層1044a可以是電容金屬層，即，可作為存儲(chǔ)電容的一個(gè)金屬極板，與柵極層1041a同層的另一金屬電極1041c可作為存儲(chǔ)電容的另一金屬極板，則這兩個(gè)金屬極板之間可產(chǎn)生存儲(chǔ)電容。

具體而言，第一金屬襯底1041b與柵電極層1041a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二金屬襯底1044b與柵電極層1044a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。相應(yīng)地，第一絕緣襯底1051b與第一絕緣層1051a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第二絕緣襯底1054b與第四絕緣層1054a可位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

這樣，就可以在形成柵電極層1041a、源/漏電極層1042a、第一絕緣層1051a、第二絕緣層1052a、第四金屬層1044a和第四絕緣層1054a的過程中，同時(shí)形成第一金屬襯底1041b、第一絕緣襯底1051b、第二金屬襯底1044b和第二絕緣襯底1054b，從而不需要額外的制作工藝，并且也不會(huì)增加工藝難度。

本實(shí)施例中，由于所設(shè)置的金屬襯底和絕緣襯底，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)增大框膠與陣列基板的接觸面積和增強(qiáng)表面粘合力的效果。同時(shí)，由于第四金屬層(例如，電容金屬層)可與第一/第二金屬襯底同層，從而進(jìn)一步豐富了本實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)樣式。

盡管圖10示出了第一金屬襯底1041b與柵極層1041a同層，第二金屬襯底1044b與第四金屬層1044a同層，但本實(shí)施例并不限于此。應(yīng)當(dāng)理解，第一金屬襯底1041b和第二金屬襯底1044b兩者之一與第四金屬層1044a同層，第一金屬襯底1041b和第二金屬襯底1044b兩者中的另一個(gè)與柵電極層1041a和源/漏電極層1042a兩者之一同層。

此外，本申請(qǐng)還公開了一種顯示面板的制作方法，用于制作上述各實(shí)施例的顯示面板。

圖11示出了本申請(qǐng)顯示面板的制作方法的一個(gè)實(shí)施例的示意性流程圖。

在本實(shí)施例中，顯示面板的制作方法可包括如下步驟：

步驟1110，沉積第一金屬導(dǎo)電膜。

步驟1120，刻蝕第一金屬導(dǎo)電膜以在封裝區(qū)域形成第一金屬襯底。

步驟1130，沉積第二金屬導(dǎo)電膜。

步驟1140，刻蝕第二金屬導(dǎo)電膜以在封裝區(qū)域形成第二金屬襯底。

步驟1150，在封裝區(qū)域涂覆框膠。

步驟1160，貼合蓋板并固化框膠以將蓋板與陣列基板粘合在一起；其中，陣列基板包括第一金屬襯底和第二金屬襯底，在顯示區(qū)域同一側(cè)的封裝區(qū)域中，第一金屬襯底包括多條第一金屬線，第二金屬襯底包括多條第二金屬線，第一金屬線與第二金屬線彼此交叉，封裝區(qū)域圍繞顯示區(qū)域；在垂直顯示面板的方向上，陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，并且在第一金屬線與第二金屬線重疊的區(qū)域具有最大厚度。

應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管圖11示出了步驟1110～步驟1160的執(zhí)行順序，但這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖牵襟E1110～步驟1140可以以不同于附圖中所標(biāo)記的順序發(fā)生，例如，步驟1130和步驟1140可先于步驟1110和步驟1120執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。

通過上述步驟制作而成的顯示面板，陣列基板在封裝區(qū)域具有變化的厚度，使得框膠與陣列基板之間形成了凹凸不平的粗糙表面，從而增大了接觸面積。

可選地，該方法還包括：沉積第一絕緣膜以在封裝區(qū)域覆蓋第一金屬襯底形成第一絕緣襯底；沉積第二絕緣膜以在封裝區(qū)域覆蓋第二金屬襯底形成第二絕緣襯底；其中，陣列基板還包括第一絕緣襯底和第二絕緣襯底。

通過形成第一/第二絕緣襯底，增強(qiáng)了框膠與陣列基板之間的粘合力。

可選地，當(dāng)?shù)谝唤^緣襯底位于第一金屬襯底和第二金屬襯底之間時(shí)，在沉積第二金屬導(dǎo)電膜之前，還刻蝕第一金屬線之間的區(qū)域中的第一絕緣襯底。

這樣，陣列基板在該區(qū)域處可具有更大的高度差，從而進(jìn)一步增大了框膠與陣列基板的接觸面積。

可選地，當(dāng)?shù)谝唤^緣襯底位于第一金屬襯底和第二金屬襯底之間時(shí)，在涂覆框膠之前，還刻蝕在第二金屬線之間的區(qū)域中的第二絕緣襯底，但不刻透第二絕緣襯底。

這樣，陣列基板在該區(qū)域處可具有更大的高度差，從而進(jìn)一步增大了框膠與陣列基板的接觸面積。

可選地，方法還包括：在顯示區(qū)域形成柵電極層；在顯示區(qū)域覆蓋柵電極層形成第一絕緣層；在顯示區(qū)域形成源/漏電極層；在顯示區(qū)域覆蓋源/漏電極層形成第二絕緣層；其中，陣列基板還包括柵電極層、第一絕緣層、源/漏電極層和第二絕緣層。

可選地，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與柵極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與源/漏電極層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

通過上述方式形成第一和第二金屬襯底，簡(jiǎn)化了顯示面板的制作工藝。

可選地，方法還包括：在顯示區(qū)域形成遮光金屬層；在顯示區(qū)域覆蓋遮光金屬層形成第三絕緣層；其中，陣列基板還包括遮光金屬和第三絕緣層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與遮光金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

通過上述方式形成第一和第二金屬襯底，簡(jiǎn)化了顯示面板的制作工藝，并豐富了顯示面板的結(jié)構(gòu)樣式。

可選地，方法還包括：在顯示區(qū)域形成第四金屬層；在顯示區(qū)域覆蓋第四金屬層形成第四絕緣層；其中，陣列基板還包括第四金屬和第四絕緣層；第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者之一與第四金屬層位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成，第一金屬襯底和第二金屬襯底兩者中的另一個(gè)與柵電極層和源/漏電極層兩者之一位于同一層且在同一道圖形化工藝中制作形成。

通過上述方式形成第一和第二金屬襯底，簡(jiǎn)化了顯示面板的制作工藝，并豐富了顯示面板的結(jié)構(gòu)樣式。

前述各實(shí)施例已經(jīng)對(duì)上述工藝步驟進(jìn)行了詳細(xì)介紹和具體說明，在此不作贅述。

本申請(qǐng)還公開了一種顯示裝置，如圖12中所示。其中，顯示裝置1200可包括如上的顯示面板。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，顯示裝置除了包括如上的顯示面板之外，還可以包括一些其它的公知的結(jié)構(gòu)。為了不模糊本申請(qǐng)的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步描述。

本申請(qǐng)的顯示裝置可以是任何包含如上的顯示面板的裝置，包括但不限于如圖12所示的蜂窩式移動(dòng)電話1200、平板電腦、計(jì)算機(jī)的顯示器、應(yīng)用于智能穿戴設(shè)備上的顯示器、應(yīng)用于汽車等交通工具上的顯示裝置等等。只要顯示裝置包含了本申請(qǐng)公開的顯示面板的結(jié)構(gòu)，便視為落入了本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑娘@示面板、顯示面板的制作方法和顯示裝置，增大了框膠與陣列基板的接觸面積，從而提高了封裝的可靠性。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。