一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，LDMOS(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor ；橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)由于在增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能等方面的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用于通訊類半導(dǎo)體器件之中。
[0003]在如圖1所示，在現(xiàn)有的某些半導(dǎo)體器件中，往往需要同時(shí)具備隔離LDNMOS (isoLDNMOS ;即，隔離的 N 型 LDM0S)、非隔離 LDNM0S(Non-1so LDNMOS ;即，非隔離的 N 型 LDM0S)和LDPMOS (B卩，普通的P型LDM0S)。此外，還可能包括其他器件，例如普通CMOS器件。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，采用常規(guī)LDMOS工藝制備如圖1所示的半導(dǎo)體器件時(shí)，制備隔離LDNMOS中的深P阱(DNW)1l需要一次掩膜(MASK)工藝，制備隔離LDNMOS中的深N阱(DPW)102需要一次掩膜工藝，制備隔離LDNMOS中的N型漂移區(qū)(N-Drift) 103與非隔離LDNMOS中的N型漂移區(qū)(N-Drift)203需要一次掩膜工藝，制備LDPMOS中的P型漂移區(qū)(P-Drift)304需要一次掩膜工藝。也就是說，如果采用常規(guī)LDMOS工藝制備該半導(dǎo)體器件，需要額外增加DNW、DPW、N-Drift以及P-Drift共4次掩膜工藝，這就導(dǎo)致了該半導(dǎo)體器件的制造成本往往比較高。
[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法，可以節(jié)省掩膜工藝，減少工藝步驟，節(jié)省成本。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括:
[0008]步驟SlOl:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一掩膜層并利用所述第一掩膜層對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，以在擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域、擬形成非隔離LDNMOS的區(qū)域以及擬形成LDPMOS的區(qū)域分別形成用于容置淺溝槽隔離的溝槽；
[0009]步驟S102:在所述半導(dǎo)體襯底上形成在擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域、擬形成非隔離LDNMOS的區(qū)域以及擬形成LDPMOS的區(qū)域具有開口的第二掩膜層，通過所述第二掩膜層對(duì)所述半導(dǎo)體襯底依次進(jìn)行三次離子注入，以在所述擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域、擬形成非隔離LDNMOS的區(qū)域以及擬形成LDPMOS的區(qū)域均形成包括第一 N型摻雜區(qū)、第二 N型摻雜區(qū)和第一 P型摻雜區(qū)的摻雜結(jié)構(gòu)；
[0010]步驟S103:在所述用于容置淺溝槽隔離的溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離。
[0011 ] 可選地，在所述步驟S102中，所述第二掩膜層的開口的一側(cè)暴露出部分所述第一掩膜層。
[0012]可選地，在所述步驟S102中，在進(jìn)行第一次離子注入時(shí)，所注入的摻雜物包括砷，結(jié)深小于所述第一掩膜層的厚度；在進(jìn)行第二次離子注入時(shí)，所注入的摻雜物包括磷；在進(jìn)行第三次離子注入時(shí)，所注入的摻雜物包括硼，并且結(jié)深大于所述第一掩膜層厚度。
[0013]可選地，所述第一掩膜層包括氮化硅，所述第二掩膜層包括光刻膠。
[0014]可選地，在擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域的所述摻雜結(jié)構(gòu)中，所述第一 N型摻雜區(qū)和第二 N型摻雜區(qū)作為隔離LDNMOS的N型漂移區(qū)，所述第一 P型摻雜區(qū)作為隔離LDNMOS的深P講。
[0015]可選地，在擬形成非隔離LDNMOS的區(qū)域的所述摻雜結(jié)構(gòu)中，所述第一 N型摻雜區(qū)和第二 N型摻雜區(qū)作為非隔離LDNMOS的N型漂移區(qū)。
[0016]可選地，在所述步驟SlOl中，在形成所述溝槽之前還包括如下步驟:
[0017]對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入以在所述半導(dǎo)體襯底的擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域以及擬形成LDPMOS的區(qū)域分別形成深N阱。
[0018]可選地，在所述步驟S103之后還包括步驟S104:
[0019]在所述擬形成LDPMOS的區(qū)域形成N阱；
[0020]形成位于所述擬形成隔離LDNMOS的區(qū)域內(nèi)的P阱、位于擬形成非隔離LDNMOS的區(qū)域內(nèi)的P阱以及位于擬形成LDPMOS的區(qū)域內(nèi)的P阱，其中，位于擬形成LDPMOS的區(qū)域內(nèi)的P阱與位于擬形成LDPMOS的區(qū)域內(nèi)的所述第一 P型摻雜區(qū)相連接。
[0021]可選地，在擬形成LDPMOS的區(qū)域中，所述P阱與所述第一 P型摻雜區(qū)作為L(zhǎng)DPMOS的P型漂移區(qū)。
[0022]可選地，在所述步驟S104之后還包括步驟S105:
[0023]形成隔離LDNM0S、非隔離LDNMOS和LDPMOS的柵極、源極和漏極。
[0024]可選地，所述步驟S103包括:
[0025]在所述溝槽內(nèi)沉積介電材料；
[0026]通過化學(xué)機(jī)械拋光法去除多余的介電材料以形成所述淺溝槽隔離。
[0027]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，通過在刻蝕形成用于容置淺溝槽隔離的步驟之后、形成淺溝槽隔離的步驟之前增加使用一張掩膜進(jìn)行三次離子注入的步驟，可以省略現(xiàn)有技術(shù)中的形成DPW、N-Drift以及P-Drift的三道掩膜工藝，因而可以減少兩道掩膜(MASK)工藝,有利于簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件的制造工藝，降低制造成本。
【附圖說明】
[0028]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0029]附圖中:
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0031]圖2A至2C為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的圖形的剖視圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的一種示意性流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0034]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0035]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0036]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向