具有垂直柱的重疊的堆疊管芯封裝的制作方法
【專利摘要】一些形式涉及包括管芯（11）的電子組件（10），所述管芯包括上表面（12）和從上表面（12）延伸的導(dǎo)電柱（13），使得除了在導(dǎo)電柱（13）與管芯（11）接合的地方之外，導(dǎo)電柱（13）不被任何材料圍繞。其他形式涉及包括電子組件（10）的堆疊（20）的電子封裝（19），其中每個(gè)電子組件（10）包括管芯（11），所述管芯具有上表面（12）和從上表面（12）延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱（13），使得除了在導(dǎo)電柱（13）與管芯（11）接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱（13）不被任何材料圍繞，并且其中以重疊配置布置電子組件（10）的堆疊（20），使得在每個(gè)電子組件（10）上的多個(gè)導(dǎo)電柱（13）不被另一電子組件（10）覆蓋。
【專利說明】
具有垂直柱的重疊的堆疊管芯封裝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本文描述的實(shí)施例一般地涉及堆疊管芯封裝(stacked die package)，并且更特別地涉及包括導(dǎo)電柱的重疊的堆疊管芯封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]移動(dòng)產(chǎn)品(例如，移動(dòng)電話、智能電話、平板計(jì)算機(jī)等)非常受限于可用空間，因?yàn)橥ǔ４嬖卺槍?duì)芯片/封裝面積和高度的嚴(yán)格限制(除其他物理和電參數(shù)之外)。因此，減少在系統(tǒng)板(例如，印刷電路板PCB)上的電子部件(例如，封裝的芯片或分立的器件、集成無源器件(Iro)、表面安裝器件(SMD)等)的尺寸是非常重要的。
[0003]常規(guī)堆疊電子部件通常需要相對(duì)大的z高度，使得它們更加難以裝配(fit)在移動(dòng)產(chǎn)品的外殼內(nèi)部，尤其是當(dāng)需要將多個(gè)芯片、Iro或SMD組裝和/或堆疊在彼此的頂部上時(shí)。另外，如大多數(shù)電子部件一樣，通常存在提高的電氣性能的目標(biāo)。
[0004]存在兩個(gè)針對(duì)高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝的現(xiàn)有的封裝方法。一種方法形成基于焊線(wire bond)的封裝，其中基底和外模(over mold)向封裝添加額外的z高度。另外，由于在封裝中利用的電線(wire)的數(shù)量和長(zhǎng)度，所以基于焊線的封裝的性能也通常受限。
[0005]針對(duì)高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝的另一現(xiàn)有封裝方法利用硅穿孔(ThruSiliconVia)( TSV)技術(shù)。利用TSV的高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝通常具有相對(duì)高的速度。然而，利用TSV，z高度減少仍是困難的。另外，使用TSV技術(shù)形成的通孔經(jīng)常用盡在硅上的寶貴空間。還通常存在與利用TSV技術(shù)相關(guān)聯(lián)的相對(duì)高的制造成本，使得使用TSV技術(shù)生產(chǎn)高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝更加昂貴。常規(guī)的16管芯BGA堆疊管芯封裝的典型z高度是1.35 mm，其中每個(gè)管芯薄至35 um。
【附圖說明】
[0006]圖1是示例管芯的側(cè)視圖。
[0007]圖2是在圖1中示出的示例管芯的側(cè)視圖，所述示例管芯具有在管芯上形成的至少一個(gè)導(dǎo)電柱。
[0008]圖3是在圖2中示出的導(dǎo)電柱的放大的側(cè)視圖。
[0009]圖4是在圖2中示出的管芯的頂視圖。
[0010]圖5是包括電子組件的重疊的堆疊的封裝的側(cè)視圖。
[0011]圖6是在圖5中示出的封裝的頂視圖。
[0012]圖7是在圖5和圖6中示出的封裝的側(cè)視圖，其中管芯的重疊的堆疊被包封(enclose)在模子中。
[0013]圖8是在圖7中示出的封裝的側(cè)視圖，其中已經(jīng)移除了模子的部分以暴露在管芯的重疊的堆疊上的柱。
[0014]圖9是在圖8中示出的封裝的側(cè)視圖，其中再分布層被放置于管芯的重疊的堆疊的暴露的柱上。
[0015]圖10是在圖9中示出的封裝的側(cè)視圖，其中焊料凸塊被放置于管芯的重疊的堆疊的再分布層上。
[0016]圖11是在圖10中示出的封裝的側(cè)視圖，其中類似的附加封裝是反向的并且與在圖10中示出的封裝上的焊料球?qū)R(align with)。
[0017]圖12是圖示了重疊電子組件的堆疊以形成電子封裝的方法的流程圖。
[0018]圖13是包括本文描述的電子組件和/或電子封裝的電子裝置的框圖。
[0019]圖14是另一電子裝置的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下的描述和圖充分地說明了具體實(shí)施例以使得本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員能夠?qū)嵭兴鼍唧w實(shí)施例。其他實(shí)施例可以并入結(jié)構(gòu)上的、邏輯上的、電的、過程的以及其他的改變。一些實(shí)施例的部分和特征可以被包括在其他實(shí)施例的部分和特征中或者代替其他實(shí)施例的部分和特征。在權(quán)利要求中闡述的實(shí)施例涵蓋那些權(quán)利要求的所有可用等同物。
[0021]如在本申請(qǐng)中使用的那樣，相對(duì)于與常規(guī)平面或者晶片或基底的表面平行的平面定義諸如“水平”之類的方向術(shù)語，不論晶片或者基底的方向。術(shù)語“垂直”是指垂直于如上文定義的水平的方向。相對(duì)于常規(guī)平面或者處于晶片或者基底的頂表面上的表面，定義諸如“在……上，，、“側(cè)”(如在“側(cè)壁”中)、“較高”、“較低”、“在……之上”和“在……之下，，之類的介詞，不論晶片和基底的方向。
[0022]本文描述的電子組件、封裝和方法可以解決與使用焊線封裝技術(shù)和TSV技術(shù)來形成高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝相關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)。另外，本文描述的電子組件、封裝和方法可以提高高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝的電氣性能。
[0023]本文描述的電子組件、封裝和方法可以提供優(yōu)于使用常規(guī)TSV技術(shù)來形成高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝的一些益處。
[0024]首先，可以實(shí)現(xiàn)較小的管芯到管芯間隙(standoff)/空間。常規(guī)的TSV技術(shù)通常創(chuàng)建數(shù)十微米的間隙，而本文描述的組件、封裝和方法可以創(chuàng)建5 um以及更小的間隙。該較小的間隙可以降低高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝的總體尺寸和厚度。
[0025]其次，本文描述的電子組件、封裝和方法的硅利用效率可以高于TSV技術(shù)，因?yàn)門SV技術(shù)必須通過硅的外圍區(qū)域制造通孔。在硅中制造開口來為通孔信息創(chuàng)建開口的這種需要(i)使用在硅上的寶貴空間；并且(ii)增加與形成高管芯計(jì)數(shù)的堆疊管芯封裝相關(guān)聯(lián)的制造成本。本文描述的電子組件、封裝和方法不需要任何類型的制造來為通孔創(chuàng)建在硅中的開口。
[0026]最后，本文描述的電子組件、封裝和方法可以利用現(xiàn)有的焊線設(shè)備以在管芯的上表面上創(chuàng)建導(dǎo)電柱。潛在地使用現(xiàn)有焊線設(shè)備的這種能力可以降低與制造本文描述的電子組件、封裝和方法相關(guān)聯(lián)的成本。
[0027]本文描述的電子組件、封裝和方法可以提供優(yōu)于使用常規(guī)的基于基底的焊線技術(shù)的一些益處。
[0028]首先，本文描述的電子組件、封裝和方法可以提供改進(jìn)的電氣性能。因?yàn)閷?dǎo)電柱比在常規(guī)的焊線技術(shù)中使用的電線短，所以電氣性能可以更佳。
[0029]其次，本文描述的方法、封裝和電子組件的總體尺寸可以比利用常規(guī)的焊線技術(shù)的基于基底的封裝小得多。可以降低總體尺寸是因?yàn)?i)可以節(jié)省線接合(wire bonding)通常需要的、在基底上的X-Y空間；(ii)可以消除在線接合中使用的導(dǎo)線通常需要的額外的外制模(molding)以降低z高度；以及(iii)不需要基底，因?yàn)榫€接合不是必需的。
[0030]圖1是示例管芯11的側(cè)視圖，而圖2是在圖1中示出的示例管芯11的側(cè)視圖，所述示例管芯11具有在管芯11上形成的至少一個(gè)導(dǎo)電柱13以創(chuàng)建電子組件10。圖3是在圖2中示出的導(dǎo)電柱13的放大的側(cè)視圖，而圖4是在圖2中示出的電子組件10的頂視圖。
[0031]圖2-4圖示了電子組件10，其包括具有上表面12的管芯11(或者一些其他形式的電子部件)。電子組件10進(jìn)一步包括導(dǎo)電柱13，所述導(dǎo)電柱從上表面12延伸，使得除了在導(dǎo)電柱13與管芯11接合(engage)的地方之外，導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞。
[0032]作為示例，導(dǎo)電柱13可以為數(shù)百um長(zhǎng)。應(yīng)注意，導(dǎo)電柱13可能不具有與在圖中示出的縱橫比一樣高的縱橫比(即，沒有按比例繪制導(dǎo)電柱13)。導(dǎo)電柱13的縱橫比的示例范圍將從I到20。
[0033]在圖2-4中示出的示例電子組件10中，管芯11包括導(dǎo)電性襯墊14使得導(dǎo)電柱13從在管芯11上的導(dǎo)電性襯墊14延伸。應(yīng)注意，在圖1-4中示出的導(dǎo)電性襯墊14僅僅是導(dǎo)體的示例，所述導(dǎo)體可以被包括在管芯11的上表面12上，用于與導(dǎo)電柱13接合。
[0034]另外，導(dǎo)電柱13可以包括球形部分16，所述球形部分16接合導(dǎo)電性襯墊14以及從球形部分16延伸的圓柱部分17。應(yīng)注意，針對(duì)導(dǎo)電柱13設(shè)想了其他形式。導(dǎo)電柱13的配置和尺寸將部分地取決于電子組件10的總體設(shè)計(jì)以及與制造導(dǎo)電柱13相關(guān)聯(lián)的制造考慮(除其他因素之外)。
[0035]如在圖4中所示的那樣，導(dǎo)電柱13可以是從上表面12延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱13的部分，使得除了在導(dǎo)電柱13與管芯11接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞。在圖4中不出的不例電子組件10中，多個(gè)導(dǎo)電柱13接近管芯11的一條邊18排(align)成一行。
[0036]應(yīng)注意，可以在管芯11的上表面12上以任何方式布置多個(gè)導(dǎo)電柱13。作為示例，可以在管芯11的上表面12上以L形、C形或者多行配置布置多個(gè)導(dǎo)電柱13。在管芯11的上表面12上的多個(gè)導(dǎo)電柱13的布置將部分地取決于電子組件10的總體設(shè)計(jì)以及與制造電子組件1相關(guān)聯(lián)的制造考慮(除其他因素之外)。
[0037]圖5是封裝19的側(cè)視圖，其包括與在圖2-4中示出的電子組件10類似的電子組件10的重疊的堆疊20。圖6是在圖5中示出的電子組件10的重疊的堆疊的頂視圖。
[0038]在圖5和圖6中示出的封裝19包括電子組件10的堆疊20，其中每個(gè)電子組件10包括管芯11，所述管芯11具有上表面12以及從上表面12延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱13，使得除了在導(dǎo)電柱13與相應(yīng)的管芯11接合的地方之外，在堆疊20中的每個(gè)導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞。以重疊配置布置電子組件10的堆疊20，使得在每個(gè)電子組件10上的多個(gè)導(dǎo)電柱13不被另一電子組件1覆蓋。
[0039]在圖5和圖6中示出的電子組件10的重疊的堆疊中，在每個(gè)電子組件10中的多個(gè)導(dǎo)電柱13接近相應(yīng)的管芯11的一條邊排成一行，所述相應(yīng)的管芯11包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電柱
13。在每個(gè)電子組件10中的多個(gè)導(dǎo)電柱13的該配置允許以帶狀皰疹(shingles)配置布置電子組件10的堆疊20。應(yīng)注意，電子組件10重疊以形成電子組件10的堆疊20的方式將部分地取決于如何在每個(gè)相應(yīng)的管芯11上配置多個(gè)導(dǎo)電柱13。
[0040]從每個(gè)管芯11延伸的導(dǎo)電柱13可以具有相同或不同的縱橫比。另外，在形成電子封裝19的每個(gè)電子組件10中可以存在不同數(shù)量的導(dǎo)電柱13。應(yīng)注意，在電子封裝I的每個(gè)電子組件10中的管芯11可以相同，或者具有不同的尺寸、厚度、材料或者功能。
[0041]圖7是在圖5和圖6中示出的管芯11的重疊的堆疊20的側(cè)視圖，其中封裝19被包封在模子21中。作為示例，模子21可以圍繞封裝19并且由諸如環(huán)氧基樹脂之類的熱固性模塑料形成(除其他類型的材料之外)。在電子封裝19的一些形式中，可以暴露(或者不暴露，如在圖7中示出的那樣)在電子組件10的重疊的堆疊20中的底部管芯11的底面。
[0042]圖8是在圖7中示出的電子組件10的重疊的堆疊20的側(cè)視圖，其中已經(jīng)移除了模子21的部分以暴露在電子封裝19上的多個(gè)導(dǎo)電柱13。作為示例，可以通過研磨移除模子21的部分，盡管如此應(yīng)注意，設(shè)想了其他材料移除方法。應(yīng)注意，設(shè)想了封裝19的其他形式，其中可以移除模子21的部分使得暴露在最上部(upper most)的電子組件10中的管芯11的上表面12。
[0043]圖9是在圖8中示出的示例電子封裝19側(cè)視圖，其中可以將再分布層22放置于在電子組件10的重疊的堆疊20中的暴露的柱13上?？梢砸袁F(xiàn)在已知或未來發(fā)現(xiàn)的任何方式將再分布層22放置于暴露的柱13上。另外，再分布層22的配置將部分地取決于在電子封裝19的總體設(shè)計(jì)中的暴露的柱13的位置。
[0044]圖10是在圖9中示出的電子封裝19的側(cè)視圖，其中可以將焊料凸塊23放置于在模子21的上表面上的導(dǎo)電性再分布層22上和/或多個(gè)導(dǎo)電柱13中的一些導(dǎo)電柱13的暴露的部分上?？梢砸袁F(xiàn)在已知或未來發(fā)現(xiàn)的任何方式將焊料凸塊23放置于導(dǎo)電性再分布層22上和/或暴露的柱13上。另外，焊料凸塊13的配置將部分地取決于在電子封裝19的總體設(shè)計(jì)中的暴露的柱13的位置和再分布層22的配置。
[0045]圖11是在圖10中示出的封裝19的側(cè)視圖，其中類似的附加封裝30是反向的并且與在圖10中示出的管芯的重疊的堆疊上的焊料凸塊23對(duì)齊。應(yīng)注意，盡管封裝19被示出為準(zhǔn)備好組裝到在圖11中的第二類似的附加封裝30，但是可以使用焊料凸塊23(或者某些其他類型的導(dǎo)體)將封裝19安裝到許多其他類型的電子器件(例如，基底、管芯、芯片集、母版、卡和/或不同類型的電子封裝，除其他類型的電子器件之外)。另外，可以使管芯11或者封裝20變薄(例如，通過研磨)以便降低電子組件10和/或封裝20的高度。還設(shè)想了示例，其中將附加的電子器件(例如，類似于電子封裝19的另一封裝)安裝到電子封裝19的另一側(cè)以便形成多個(gè)電子封裝的堆疊。
[0046]圖12是圖示了示例方法
[1200]的流程圖。方法
[1200]包括
[1210]通過將導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12來形成電子組件10，使得導(dǎo)電柱13從上表面12延伸并且除了在導(dǎo)電柱12與管芯11接合的地方之外，導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞(見圖2和圖3)。在方法
[1200]的一些形式中，將導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12包括使用線接合技術(shù)將導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12，盡管現(xiàn)在已知或者未來發(fā)現(xiàn)的任何技術(shù)可以被用于將導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12。
[0047]如在圖4中示出的那樣，
[1210]形成電子組件10包括將多個(gè)導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12，使得導(dǎo)電柱13從上表面12延伸，并且除了在導(dǎo)電柱13與管芯11接合的地方之外，導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞。在方法
[1200]的一些形式中，將多個(gè)導(dǎo)電柱13附接到管芯11的上表面12包括使多個(gè)導(dǎo)電柱13接近管芯11的一條邊18排成一行。
[0048]如在圖5和圖6中示出的那樣，方法
[1200]可以進(jìn)一步包括
[1220]將附加的電子組件10堆疊到電子組件10上以形成電子封裝19。每個(gè)附加的電子組件10包括管芯11，所述管芯11具有上表面12以及從上表面12延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱13，使得除了在導(dǎo)電柱13與相應(yīng)的管芯11接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱13不被任何材料圍繞。以重疊配置布置形成封裝19的電子組件10，使得在每個(gè)電子組件10上的多個(gè)導(dǎo)電柱13不被另一電子組件10覆蓋。
[0049]方法
[1200]可以進(jìn)一步包括
[1230]形成圍繞電子組件10的堆疊20的模子21(見圖7)。另外，方法
[1220]可以包括
[1240]移除模子21的部分以通過模子21的上表面暴露導(dǎo)電柱13(見圖8)。
[0050]如在圖9中示出的那樣，方法
[1200]可以進(jìn)一步包括
[1250]形成在模子21的上表面上的導(dǎo)電性再分布層22。在方法
[1200]的一些形式中，導(dǎo)電性再分布層22可以與多個(gè)導(dǎo)電柱13中的每個(gè)的暴露的部分接合。方法還可以包括
[1260]形成在導(dǎo)電性再分布層22或者多個(gè)導(dǎo)電柱13中的一些導(dǎo)電柱13的暴露的部分上的焊料凸塊23(見圖10)。
[0051 ]取決于將在其中使用封裝19的應(yīng)用，方法
[1200]可以進(jìn)一步包括
[1270]將電子封裝反轉(zhuǎn)，以及
[1280]將在電子封裝19上的焊料凸塊23附接到另一電子器件(例如，見在圖11中的封裝30)。當(dāng)在特定的應(yīng)用中使用封裝19時(shí)，封裝19附接到的電子器件的類型將部分地取決于封裝19的期望的功能。
[°°52] 應(yīng)注意，雖然許多電子組件10和封裝19被示出為單數(shù)(singulated)形式，但是本文描述的方法、電子組件10和封裝19可以以晶片形式、行形式或者促進(jìn)電子組件10以及電子組件1的重疊的堆疊20的制造的任何其他形式。由方法、電子組件1、封裝19采取的形式將部分地取決于電子組件10和封裝19的制造成本以及總體期望的功能。
[0053]圖13是電子裝置1300的框圖，所述電子裝置1300并入了本文描述的至少一個(gè)電子組件10和或電子封裝19。電子裝置1300僅僅是電子裝置的一個(gè)示例，可以在所述電子裝置中使用本文描述的電子組件10、電子封裝19的形式。電子裝置1300的示例包括但不限于:個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、游戲設(shè)備、MP3或其他數(shù)字音樂播放器等。在該示例中，電子裝置1300包括數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)包括系統(tǒng)總線1302以耦合電子裝置1300的各種部件。系統(tǒng)總線1302提供在電子裝置1300的各種部件之中的通信鏈路并且可以被實(shí)現(xiàn)為單個(gè)總線、被實(shí)現(xiàn)為總線的組合或以任何其他合適的方式。
[0054]如本文描述的電子裝置1300可以耦合到系統(tǒng)總線1302。電子裝置1300可以包括任何電路或者電路的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，電子裝置1300包括可以是任何類型的處理器1312。如本文使用的那樣，“處理器”意味著任何類型的計(jì)算電路，諸如但不限于微處理器、微控制器、復(fù)雜指令集計(jì)算(CISC)微處理器、精簡(jiǎn)指令集計(jì)算(RISC)微處理器、超長(zhǎng)指令字(VLIW)微處理器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、多核處理器或者任何其他類型的處理器或處理電路。
[0055]可以被包括在電子裝置1300中的其他類型的電路是定制電路、專用集成電路(ASIC)等等，諸如例如，用于在比如移動(dòng)電話、平板計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、雙向無線電廣播設(shè)備以及類似的電子系統(tǒng)的無線設(shè)備中使用的一個(gè)或多個(gè)電路(諸如通信電路1314XIC可以執(zhí)行任何其他類型的功能。
[0056]電子裝置1300還可以包括外部存儲(chǔ)器1320，所述外部存儲(chǔ)器1320繼而可以包括適于特定應(yīng)用的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器元件，諸如以隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RAM)形式的主存儲(chǔ)器1322、一個(gè)或多個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器1324和/或處理可移動(dòng)介質(zhì)1326的一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器，所述可移動(dòng)介質(zhì)1326諸如壓縮盤(⑶)、閃存卡、數(shù)字視頻盤(DVD)等等。
[0057]電子裝置1300還可以包括顯示設(shè)備1316、一個(gè)或多個(gè)揚(yáng)聲器1318以及鍵盤和/或控制器1330(其可以包括鼠標(biāo)、跟蹤球(trackball)、觸摸屏、語音識(shí)別設(shè)備)，或任何其他設(shè)備，所述任何其他設(shè)備準(zhǔn)許系統(tǒng)用戶向電子裝置1300輸入信息以及從電子裝置1300接收信息。
[0058]圖14圖示了示例裝置50，其包括第一管芯11’以及在第一管芯11’的表面上的第一導(dǎo)電柱17’。第二管芯11’ ’被布置于相鄰于第一管芯11’并且第二導(dǎo)電柱17’ ’在第二管芯11’ ’的表面上。
[0059]在每個(gè)相應(yīng)的表面處以及在每個(gè)相應(yīng)的第一導(dǎo)電柱17’和第二導(dǎo)電柱17’’處，模子材料21接觸第一管芯11’和第二管芯11’’。模子材料21展示了跨第一導(dǎo)電柱17’和第二導(dǎo)電柱17 ’ ’中的每個(gè)的特性流(character i st ic f low)，并且其中模子材料是整體的(integral)ο
[0060]在裝置50的一些示例形式中，裝置50進(jìn)一步包括隨后的(subsequent)管芯11’ ’ ’以及在隨后的管芯11’ ’ ’的表面上的隨后的導(dǎo)電柱17 ’ ’ ’。模子材料21還展示了跨隨后的導(dǎo)電柱17’ ’ ’的特性剩余流。
[0061]用于形成導(dǎo)電柱的常規(guī)技術(shù)通常包括鉆孔通過模子材料以到達(dá)管芯，并且隨后用導(dǎo)電性材料填充鉆的孔以形成導(dǎo)電柱。通過在早已存在的導(dǎo)電柱周圍流動(dòng)模子材料形成的配置將展示不同的物理特性，所述物理特性可檢測(cè)并且不同于通過在事后鉆孔和填充而形成的配置。這樣的物理差異的示例包括但不限于在模子聚合物或者其他材料中的微結(jié)構(gòu)的差異，所述模子聚合物或其他材料在導(dǎo)電柱周圍彎曲作為來自流動(dòng)的剩余人工產(chǎn)物。
[0062]一個(gè)其他的示例物理差異包括在模子21中的流動(dòng)標(biāo)記和焊接線。焊接線表示在模制的部件中的光學(xué)以及機(jī)械的缺陷。焊接線通常出現(xiàn)在注入(inject1n)過程期間聚合物流聚集的區(qū)域中。
[0063]另一示例物理差異包括槽(groove)。槽是表面缺陷，在其處“環(huán)”出現(xiàn)在主要圍繞針孔形饒口(pin point gate)以及同心地散布在模子之上的模制的部件的表面處。噴射(jetting)是類似于槽的缺陷，其中粗糙或者無光澤(matt)的線出現(xiàn)在模制的表面處，起始于澆口(gate)處并且散布在整個(gè)部件之上。
[0064]另一示例物理差異包括夾氣條紋(airstreak)。在模制的部件中的夾氣條紋表現(xiàn)為在模制的部件的表面處的無光澤的、銀色的或白色的線(條紋)。通?？梢栽诮咏讽?dome)和肋狀物(rib)以及模制的部件的壁厚度可能變化的地方發(fā)現(xiàn)它們。它們還可以接近注入口(sprue)或者接近刻蝕和凹陷(depress1n)出現(xiàn)。
[0065]為了更好地說明本文公開的電子組件、電子封裝和方法，本文提供了示例的非限制性列表:
示例I包括電子組件，所述電子組件包括管芯，所述管芯包括上表面以及從上表面延伸的導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。
[0066]示例2包括示例I的電子組件，其中管芯包括導(dǎo)電性襯墊，使得導(dǎo)電柱從在管芯上的導(dǎo)電性襯墊延伸。
[0067 ]示例3包括示例1-2中的任一項(xiàng)的電子組件，其中導(dǎo)電柱包括與導(dǎo)電性襯墊接合的球形部分以及從球形部分延伸的圓柱部分。[OO68]不例4包括不例1-3中的任一項(xiàng)的電子組件，其中導(dǎo)電柱是從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱的部分，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。
[0069 ]不例5包括不例1-4中的任一項(xiàng)的電子組件，其中使多個(gè)導(dǎo)電柱接近管芯的一條邊排成一行。
[0070]示例6包括電子封裝，所述電子封裝包括電子組件的堆疊，其中每個(gè)電子組件包括管芯，所述管芯具有上表面以及從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞，并且其中以重疊配置布置電子組件的堆疊使得在每個(gè)電子組件上的多個(gè)導(dǎo)電柱不被另一電子組件覆蓋。
[0071]示例7包括示例6的電子封裝，其中使在每個(gè)電子組件中的多個(gè)導(dǎo)電柱接近相應(yīng)的管芯的一條邊排成一行，所述相應(yīng)的管芯包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電柱。
[0072]示例8包括示例6-7中的任一項(xiàng)的電子封裝，并且進(jìn)一步包括圍繞電子組件的堆疊的模子。
[0073]示例9包括示例6-8中的任一項(xiàng)的電子封裝，其中移除模子的部分以通過模子的上表面暴露導(dǎo)電柱。
[0074]示例10包括示例6-9中的任一項(xiàng)的電子封裝，并且進(jìn)一步包括在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層，導(dǎo)電性再分布層與多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)的暴露的部分接合。
[0075]示例11包括示例6-10中的任一項(xiàng)的電子封裝，并且進(jìn)一步包括焊料凸塊，所述焊料凸塊與在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層接合或者與多個(gè)導(dǎo)電柱中的一些導(dǎo)電柱的暴露的部分接合。
[0076]示例12包括示例6-11中的任一項(xiàng)的電子封裝，并且進(jìn)一步包括附加的電子封裝，所述附加的電子封裝是反向的，并且通過連接在電子封裝上的焊料凸塊和在附加的電子封裝上的焊料凸塊來與電子封裝結(jié)合。
[0077]示例13是一種方法，其包括通過將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面來形成電子組件，使得導(dǎo)電柱從上表面延伸，并且除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。
[0078]示例14包括示例13的方法，其中將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面包括使用線接合技術(shù)將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面。
[0079 ]不例15包括不例13-14中的任一項(xiàng)的方法，其中形成電子組件包括將多個(gè)導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面，使得導(dǎo)電柱從上表面延伸，并且除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之夕卜，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。
[0080]示例16包括示例13-15中的任一項(xiàng)的方法，其中將多個(gè)導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面包括使多個(gè)導(dǎo)電柱接近管芯的一條邊排成一行。
[0081]示例17包括示例13-16中的任一項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括將附加的電子組件堆疊到電子組件上以形成電子封裝，其中每個(gè)附加的電子組件包括管芯，所述管芯具有上表面以及從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與相應(yīng)的管芯接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞，并且其中以重疊配置布置電子組件，使得在每個(gè)電子組件上的多個(gè)導(dǎo)電柱不被另一電子組件覆蓋。
[0082]示例18包括示例13-17中的方法，并且進(jìn)一步包括形成圍繞電子組件的堆疊的模子。
[0083]示例19包括示例13-18中的任一項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括移除模子的部分以通過模子的上表面暴露導(dǎo)電柱。
[0084I示例20包括示例13-19中的方法，并且進(jìn)一步包括形成在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層，其中導(dǎo)電性再分布層與多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)的暴露的部分接合，并且形成在導(dǎo)電性再分布層上或者在多個(gè)導(dǎo)電柱中的一些導(dǎo)電柱的暴露的部分上的焊料凸塊。
[0085 ]示例21包括示例13 -20中的任一項(xiàng)的方法，并且進(jìn)一步包括使電子封裝反轉(zhuǎn)，并且將在電子封裝上的焊料凸塊附接到另一電子設(shè)備。
[0086]示例22包括示例裝置，其包括第一管芯以及在第一管芯的表面上的第一導(dǎo)電柱。第二管芯被布置于相鄰于第一管芯并且第二導(dǎo)電柱在第二管芯的表面上。在每個(gè)相應(yīng)的表面處以及在每個(gè)相應(yīng)的第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱處，模子材料接觸第一管芯和第二管芯。模子材料展示了跨第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱中的每個(gè)的特性流，并且其中模子材料是整體的。
[0087]示例23包括示例22的裝置，并且進(jìn)一步包括隨后的管芯以及在隨后的管芯的表面上的隨后的導(dǎo)電柱。模子材料還展示了跨隨后的導(dǎo)電柱的特性剩余流。
[0088]該綜述意圖提供本主題的非限制性示例。不意圖提供排他的或者窮舉的解釋。包括詳細(xì)描述以提供關(guān)于方法的進(jìn)一步信息。
[0089]以上的詳細(xì)描述包括對(duì)附圖的參考，其形成詳細(xì)描述的一部分。通過圖示的方式，所述圖示出了在其中可以實(shí)行本發(fā)明的具體實(shí)施例。本文也將這些實(shí)施例稱作“示例”。這樣的示例可以包括除了被示出或者描述那些元素之外的元素。然而，本發(fā)明人還設(shè)想在其中僅提供被示出或者描述的那些元素的示例。此外，本發(fā)明人還設(shè)想使用被示出或者描述的那些元素(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)的任何組合或者排列的示例，所述示例相對(duì)于特定示例(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)或者相對(duì)于本文示出或者描述的其他示例(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)。
[0090]在該文檔中，如在專利文檔中常見的一樣，使用術(shù)語“一”或者“一個(gè)”用以包括一個(gè)或多于一個(gè)，獨(dú)立于“至少一個(gè)”或者“一個(gè)或多個(gè)”的任何其他實(shí)例或者使用。在該文檔中，除非以其他方式指示，否則術(shù)語“或者”被用于指代非排他的或，使得“A或B”包括“A但沒有B”、“B但沒有A”以及“A和B”。在該文檔中，術(shù)語“包括”和“在其中”被用作相應(yīng)的術(shù)語“包含”和“其中”的簡(jiǎn)明英語的等同物。并且，在以下的權(quán)利要求中，術(shù)語“包括”和“包含”是開放式的，即，包括除了在權(quán)利要求中的這樣的術(shù)語之后列出的那些元素之外的元素的系統(tǒng)、設(shè)備、物品、合成物、公式或者過程，仍被認(rèn)為落入該權(quán)利要求的范圍。此外，在以下的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅被用作標(biāo)記，并且不意圖在它們的對(duì)象上強(qiáng)加數(shù)值的要求。
[0091]以上描述意圖是說明性的并且不是限制性的。例如，上述示例(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)可以彼此組合地使用。其他實(shí)施例可以諸如被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員中的一個(gè)在回顧以上描述時(shí)使用。
[0092]提供摘要以遵守37C.F.R.§1.72(b)，以允許讀者快速確定技術(shù)公開的本質(zhì)。摘要的提交被賦予這樣的理解，即它將不會(huì)被用于解釋或者限制本權(quán)利要求的范圍或含義。
[0093]另外，在以上的詳細(xì)描述中，可以將各種特征集中在一起以簡(jiǎn)化(streamline)本公開。這不應(yīng)被解釋為意圖未要求保護(hù)的公開的特征對(duì)任何權(quán)利要求是必要的。相反，本發(fā)明主題可以處于少于特定的公開的實(shí)施例的所有特征中。因此，以下的權(quán)利要求據(jù)此并入到詳細(xì)描述中，其中每個(gè)權(quán)利要求獨(dú)立地作為單獨(dú)的實(shí)施例，并且設(shè)想這樣的實(shí)施例可以以各種組合或排列彼此組合。應(yīng)該參考所附權(quán)利要求連同等同物的全部范圍來確定本發(fā)明的范圍，這樣的權(quán)利要求對(duì)所述等同物享有權(quán)利。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子組件，其包括: 管芯，所述管芯包括上表面；以及 從上表面延伸的導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。2.如權(quán)利要求1所述的電子組件，其中管芯包括導(dǎo)電性襯墊，使得導(dǎo)電柱從在管芯上的導(dǎo)電性襯墊延伸。3.如權(quán)利要求1-2所述的電子組件，其中導(dǎo)電柱包括與導(dǎo)電性襯墊接合的球形部分以及從球形部分延伸的圓柱部分。4.如權(quán)利要求1-3所述的電子組件，其中導(dǎo)電柱是從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱的部分，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。5.如權(quán)利要求3-4所述的電子組件，其中使多個(gè)導(dǎo)電柱接近管芯的一條邊排成一行。6.—種電子封裝，其包括: 電子組件的堆疊，其中每個(gè)電子組件包括管芯，所述管芯具有上表面以及從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞；以及 其中以重疊配置布置電子組件的堆疊使得在每個(gè)電子組件上的多個(gè)導(dǎo)電柱不被另一電子組件覆蓋。7.如權(quán)利要求6所述的電子封裝，其中使在每個(gè)電子組件中的多個(gè)導(dǎo)電柱接近相應(yīng)的管芯的一條邊排成一行，所述相應(yīng)的管芯包括相應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電柱。8.如權(quán)利要求6-7所述的電子封裝，進(jìn)一步包括圍繞電子組件的堆疊的模子。9.如權(quán)利要求6-8所述的電子封裝，其中移除模子的部分以通過模子的上表面暴露導(dǎo)電柱。10.如權(quán)利要求6-9所述的電子封裝，進(jìn)一步包括在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層，導(dǎo)電性再分布層與多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)的暴露的部分接合。11.如權(quán)利要求6-10所述的電子封裝，進(jìn)一步包括焊料凸塊，所述焊料凸塊與在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層接合或者與多個(gè)導(dǎo)電柱中的一些導(dǎo)電柱的暴露的部分接合。12.如權(quán)利要求6-11所述的電子封裝，進(jìn)一步包括附加的電子封裝，所述附加的電子封裝是反向的，并且通過連接在電子封裝上的焊料凸塊和在附加的電子封裝上的焊料凸塊來與電子封裝結(jié)合。13.—種方法，其包括通過將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面來形成電子組件，使得導(dǎo)電柱從上表面延伸，并且除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面包括使用線接合技術(shù)將導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面。15.如權(quán)利要求13-14所述的方法，其中形成電子組件包括將多個(gè)導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面，使得導(dǎo)電柱從上表面延伸，并且除了在導(dǎo)電柱與管芯接合的地方之外，導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞。16.如權(quán)利要求13-15所述的方法，其中將多個(gè)導(dǎo)電柱附接到管芯的上表面包括使多個(gè)導(dǎo)電柱接近管芯的一條邊排成一行。17.如權(quán)利要求13-16所述的方法，進(jìn)一步包括將附加的電子組件堆疊到電子組件上以形成電子封裝，其中每個(gè)附加的電子組件包括管芯，所述管芯具有上表面以及從上表面延伸的多個(gè)導(dǎo)電柱，使得除了在導(dǎo)電柱與相應(yīng)的管芯接合的地方之外，每個(gè)導(dǎo)電柱不被任何材料圍繞，并且其中以重疊配置布置電子組件，使得在每個(gè)電子組件上的多個(gè)導(dǎo)電柱不被另一電子組件覆蓋。18.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括形成圍繞電子組件的堆疊的模子。19.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括移除模子的部分以通過模子的上表面暴露導(dǎo)電柱。20.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括: 形成在模子的上表面上的導(dǎo)電性再分布層，其中導(dǎo)電性再分布層與多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)的暴露的部分接合;以及 形成在導(dǎo)電性再分布層上或者在多個(gè)導(dǎo)電柱中的一些導(dǎo)電柱的暴露的部分上的焊料凸塊。21.如權(quán)利要求20所述的方法，進(jìn)一步包括: 使電子封裝反轉(zhuǎn)；以及 將在電子封裝上的焊料凸塊附接到另一電子設(shè)備。22.—種裝置，其包括: 第一管芯； 在第一管芯的表面上的第一導(dǎo)電柱； 第二管芯，其被布置于相鄰于第一管芯； 在第二管芯的表面上的第二導(dǎo)電柱； 在每個(gè)相應(yīng)的表面處以及在每個(gè)相應(yīng)的第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱處，模子材料接觸第一管芯和第二管芯，其中模子材料展示了跨第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱中的每個(gè)的特性流，并且其中模子材料是整體的。23.如權(quán)利要求22所述的裝置，進(jìn)一步包括隨后的管芯以及在隨后的管芯的表面上的隨后的導(dǎo)電柱，其中模子材料還展示了跨隨后的導(dǎo)電柱的特性剩余流。
【文檔編號(hào)】H01L23/00GK105830212SQ201480008902
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2014年10月3日
【發(fā)明人】J.趙, C.楊
【申請(qǐng)人】英特爾公司