半導體元件安裝用封裝體的制造方法以及脫模膜的制作方法

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半導體元件安裝用封裝體的制造方法以及脫模膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供使用模具制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和具有由固化性樹脂構成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、由安裝面和封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體時，不產生基材凹陷和損傷以及從模具脫模不良的情況、能夠防止樹脂飛邊的制造方法，以及適用于該制造方法的脫模膜。在具有形狀與半導體元件安裝用封裝體的凹部對應的凸部的上模具中配置整體厚度大致一定的脫模膜，在下模具中配置基材，將所述上模具和所述下模具合模，使所述凸部和所述基材的所述安裝面通過所述脫模膜密合，在形成于所述上模具和所述下模具之間的空間內充滿固化性樹脂并使之固化，該固化物與基材同時從模具脫模。
【專利說明】
半導體元件安裝用封裝體的制造方法從及脫模膜
技術領域
[0001] 本發(fā)明設及半導體元件安裝用封裝體的制造方法、W及用于所述制造方法的脫模膜。
【背景技術】
[0002] 近年來，已知為了實現低成本化，在搭載固體攝像元件和MEMS(微機電系統， Micro-Electro-Mechanical Systems)等半導體元件的中空結構的半導體封裝體（W下稱作"中空封裝體"）的封裝體基底(封裝體主體）中采用樹脂。另外，作為封裝體結構，DIP(雙列直插式封裝，Dual Inline化ckage)為主流，但是近年來開始采用表面安裝型的SOP(小輪廓封裝，Small Outline F*ackage)和QFP(四方形扁平封裝，如ad Flat Package)，進一步也開始了SON(小輪廓無引腳封裝，Small Outline Non leaded Package)、QFN(四方形扁平無引腳封裝，如ad Flat Non Leaded化ckage)等無引腳化封裝結構的探討。運是由于針對中空封裝體具有小型化、薄型化的要求，中空封裝體的面安裝技術的探討也正在進展。
[0003] 作為中空封裝體，例如已知有在具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材（印刷電路基板、引腳框等)上形成具備用固化性樹脂圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體，將由所述安裝面和框狀部形成的凹部的開口用蓋體覆蓋的類型。
[0004] 作為所述中空封裝體的制造方法，有如下方法:如圖12所示，將在型腔面上具有與所要形成中空的部分的形狀對應的凸部200的上模具202的凸部200直接按壓在配置于下模具204的金屬制的引腳框206的所要露出的部分，W該狀態(tài)在上模具202和下模具204之間的空間內填充樹脂208來成形(傳遞成形）（例如專利文獻1)。
[0005] 但是，該方法中，凸部200和引腳框206之間的密合性差，填充后的樹脂208容易進入凸部200和引腳框206之間，容易產生所謂的"樹脂飛邊"。特別地，由于引腳框206的厚度存在偏差，可能會發(fā)生引腳框206上一部分部位不產生樹脂飛邊、但是其他部位容易產生飛邊的情況。如果為了防止樹脂飛邊而提高緊固壓力，則會產生引腳框206發(fā)生凹陷、損傷等其他問題。
[0006] 作為中空封裝體的另一種制造方法，提出了使用型腔面平坦的上模具替代型腔面具有凸部200的上模具202、在該型腔面上配置一體形成有與所要形成中空的部分的形狀對應的凸部的脫模膜、將所述凸部按壓在引腳框的所要露出的部分來實施傳遞成形的方法 (專利文獻2)。該方法中，脫模膜的凸部的彈性模量低于模具，因此能夠輕度按壓于引腳框，能夠防止樹脂飛邊和損傷。
[0007] 但是，該方法中由于需要在脫模膜上一體形成凸部的工序而較為繁雜。不僅如此，由于凸部由樹脂形成，凸部高度的偏差大，存在產生樹脂飛邊的部位和不產生樹脂飛邊的部位。如果為了防止樹脂飛邊而提高緊固壓力，則如圖13所示，脫模膜210的凸部212的前端變形，伸出至填充樹脂208的空間一側。如果在該狀態(tài)下實施傳遞成形，則伸出的部分侵入封裝體主體，引起封裝體主體的脫模不良。而且，封裝體主體的形狀也不良。
[000引作為中空封裝體的另一種制造方法，提出了如下方法:如圖14所示，在引腳框206 的所要露出的部分的周圍預先用樹脂形成攔截體214,將上模具202的凸部200按壓于該攔截體214來進行傳遞成形(專利文獻3)。該方法中，利用攔截體214,則樹脂208不會泄漏至引腳框206的所要露出的部分一側。
[0009] 但是，該方法中，在加工引腳框206時需要形成攔截體214的額外的工序，不僅工序繁雜，而且如果攔截體214的高度存在偏差，則會形成產生樹脂飛邊的部位。
[0010] 現有技術文獻
[0011] 專利文獻
[0012] 專利文獻1:日本專利特開2006-128354號公報
[0013] 專利文獻2:日本專利特開2007-81307號公報
[0014] 專利文獻3:日本專利特開2010-10227號公報

【發(fā)明內容】

[001引發(fā)明所要解決的技術問題
[0016] 本發(fā)明的目的在于提供使用模具制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和包含由固化性樹脂構成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、由所述安裝面和所述封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體時，不產生基材凹陷和損傷W及從模具脫模不良、能夠防止樹脂飛邊的制造方法，W及適用于該制造方法的脫模膜。
[0017] 解決技術問題所采用的技術方案
[0018] 本發(fā)明提供使具有W下[1]~[10]的構成的半導體元件安裝用封裝體的制造方法 W及脫模膜。
[0019] [1]半導體元件安裝用封裝體的制造方法，它是使用具備上模具和下模具的模具來制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和具有由固化性樹脂的固化物構成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、且由所述安裝面和所述封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體的方法，其中，包括
[0020] 在具有形狀與所述凹部對應的凸部的上模具中配置整體厚度大致一定的脫模膜、在下模具中配置所述基材、將所述上模具和所述下模具合模、使所述凸部和所述基材的所述安裝面通過所述脫模膜密合的工序，和
[0021] 在形成于所述上模具和所述下模具之間的空間內充滿固化性樹脂、使所述固化性樹脂固化的工序，和
[0022] 使所述固化性樹脂的固化物與所述基材同時從所述模具脫模的工序。
[0023] [2] [1]所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其中，所述脫模膜具有在所述固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和第二層，
[0024] 所述第一層的厚度為3~25μπι，且180°C時的拉伸儲能模量為10~50MPa，
[00巧]所述第二層的180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為2000~13000。
[0026] [3][2]所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其中，所述第一層的厚度為5 ~1化m，
[0027] 所述第二層的180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為3,000~8,000。
[0028] [4][2]或[3]所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其中，所述脫模膜還具有在所述固化性樹脂的固化時與模具接觸的第Ξ層，
[0029] 所述第Ξ層的厚度為3~25μπι，且25°C時的拉伸儲能模量相對于第一層的25°C時的拉伸儲能模量之比（第Ξ層的25Γ時的拉伸儲能模量/第一層的25Γ時的拉伸儲能模量）為0.5~2。
[0030] [5]脫模膜，它是用于[1]所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的脫模膜，其中，
[0031] 具有在所述固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和第二層，
[0032] 所述第一層的厚度為3~25μπι，且180°C時的拉伸儲能模量為10~50MPa，
[0033] 所述第二層的180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為2000~13000。
[0034] [6][引所述的脫模膜，其中，所述第一層的厚度為5~12皿，
[00巧]所述第二層的180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為3000~8000。
[0036] [7][5]或[6]所述的脫模膜，其中，還具有在所述固化性樹脂的固化時與模具接觸的第Ξ層，
[0037] 該第Ξ層的厚度為3~25μπι，且25°C時的拉伸儲能模量相對于第一層的25°C時的拉伸儲能模量之比（第Ξ層的25Γ時的拉伸儲能模量/第一層的25Γ時的拉伸儲能模量)為 0.5 ~2〇
[0038] [引[5]~[7]中任一項所述的脫模膜，其中，構成所述第一層的樹脂選自氣樹脂、聚苯乙締、和烙點在200°CW上的聚締控中的至少一種。
[0039] [9][5]~[引中任一項所述的脫模膜，其中，構成所述第二層的樹脂選自非拉伸聚酷胺、雙軸拉伸聚酷胺、聚對苯二甲酸下二醇醋、聚對苯二甲酸乙二醇醋、和易成形聚對苯二甲酸乙二醇醋中的至少一種。
[0040] [10][引~[9]中任一項所述的脫模膜，其中，構成所述第Ξ層的樹脂選自氣樹脂、氣樹脂、丙締酸橡膠、熱固化性有機娃、聚醋、聚酷胺、聚苯乙締、乙締/乙締醇共聚物和烙點在200°CW上的聚締控中的至少一種。
[0041] 發(fā)明效果
[0042] 如果利用本發(fā)明，則在使用模具制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和包含由固化性樹脂構成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、由所述安裝面和所述封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體時，即使配置于模具的下模具的基材 (引腳框等）的安裝面的高度不同、或上模具的凸部的高度不同，也能通過配置于上模具的凸部的脫模膜來抵消運些不同，能夠抑制整個安裝面上的樹脂飛邊。也能通過不在基材上產生凹陷和損傷的程度的弱的緊固壓力來充分抑制樹脂飛邊。
[0043] 因此，利用本發(fā)明，則能夠簡便且穩(wěn)定地制造基材上無凹陷和損傷、基材的整個安裝面上無樹脂飛邊的半導體元件安裝用封裝體。
【附圖說明】
[0044] 圖1是通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法而得的半導體元件安裝用封裝體的一個示例的簡要剖視圖。
[0045] 圖2是圖1所示的半導體元件安裝用封裝體的立體圖。
[0046] 圖3是通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法而得的半導體元件安裝用封裝體的另一個示例的簡要剖視圖。
[0047] 圖4是本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式中采用的模具的一個示例的剖視圖。
[0048] 圖5是表示本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式的工序 (曰1)的示意剖視圖。
[0049] 圖6是表示本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式的工序 (曰2)的示意剖視圖。
[0050] 圖7是表示本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式的工序 (曰3)的示意剖視圖。
[0051] 圖8是表示本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式的工序 (曰4)的示意剖視圖。
[0052] 圖9是表示本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式的工序 (曰5)的示意剖視圖。
[0053] 圖10是表示本發(fā)明的脫模膜的第1實施方式的簡要剖視圖。
[0054] 圖11是表示本發(fā)明的脫模膜的第2實施方式的簡要剖視圖。
[0055] 圖12是說明W往的中空封裝體的制造方法的一個示例的簡要剖視圖。
[0056] 圖13是說明W往的中空封裝體的制造方法的另一個示例W及問題點的簡要剖視圖。
[0057] 圖14是說明W往的中空封裝體的制造方法的另一個示例的簡要剖視圖。
【具體實施方式】
[0058] 本說明書中，W下術語分別表示下述含義。
[0059] 樹脂的"單元"表示構成該樹脂的構成單元(單體單元）。
[0060] "氣樹脂"表示結構中含有氣原子的樹脂。
[0061] 脫模膜的厚度、構成多層結構的脫模膜的層(第一層、第二層等）的厚度、18(TC時的拉伸儲能模量分別通過實施例中記載的方法進行測定。
[0062] 算術平均粗糖度(Ra)是根據JIS B0601:2013(IS04287:1997，Amd. 1:2009)測定的算術平均粗糖度。粗糖度曲線用的基準長度lr(截斷值Ac)設定為0.8mm。
[0063] 〔半導體元件安裝用封裝體的制造方法）
[0064] 本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法是使用具備上模具和下模具的模具來制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和具有由固化性樹脂形成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、由所述安裝面和所述封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體的方法，其中，具有
[0065] 在具有形狀與所述凹部對應的凸部的上模具中配置整體厚度大致一定的脫模膜、在下模具中配置所述基材、將所述上模具和所述下模具合模、使所述凸部和所述基材的所述安裝面通過所述脫模膜密合的工序，和
[0066] 在形成于所述上模具和所述下模具之間的空間內充滿固化性樹脂、使所述固化性樹脂固化的工序，和
[0067] 使所述固化性樹脂的固化物與所述基材同時從所述模具脫模的工序。
[0068] (半導體元件安裝用封裝體）
[0069] 通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法來而制造的半導體元件安裝用封裝體不限于具備所述基材和所述封裝體主體的半導體元件安裝用封裝體，可從公知的半導體元件安裝用封裝體中進行適當選擇。
[0070] 圖1是通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法制造的半導體元件安裝用封裝體的一個示例的簡要剖視圖。圖2是圖1所示的半導體元件安裝用封裝體的立體圖。
[0071] 半導體元件安裝用封裝體110具備基材10、由固化性樹脂形成的封裝體主體12。基材10是印刷電路基板，具有安裝半導體元件的安裝面10a?；?0在安裝面10a上具有內引腳(未圖示），在與安裝面10a側相反一側的表面具有外引腳(未圖示），內引腳和外引腳電連接。封裝體主體12是圍住安裝面10a的框狀部。
[0072] 半導體元件安裝用封裝體110中，通過基材10和封裝體主體12形成有用于搭載半導體元件的凹部14。將半導體元件配置于半導體元件安裝用封裝體110的凹部14的底面(安裝面10a)，將半導體元件與內引腳電連接，用蓋體覆蓋凹部14的開口，藉此得到具有中空部的封裝體的所述中空部中搭載了半導體元件的半導體裝置。
[0073] 圖3是通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法制造的半導體元件安裝用封裝體的另一個示例的簡要剖視圖。
[0074] 半導體元件安裝用封裝體120具備基材16和由固化性樹脂形成的封裝體主體18。基材16是引腳框，具有內引腳16a、外引腳16b、墊料片舊文：歹八、VK)16c，內引腳16a和外引腳16b電連接。
[0075] 封裝體主體18具有圍住基材16的安裝面（內引腳16a的上表面W及墊料片16c的上表面)的框狀部18a和底部18b。
[0076] 半導體元件安裝用封裝體120中，通過基材16的內引腳16a和墊料片16c W及封裝體主體18的底部18b和框狀部18a形成了用于搭載半導體元件的凹部20。
[0077] 將半導體元件配置于半導體元件安裝用封裝體120的凹部20的底面(墊料片16c的上表面），將半導體元件與內引腳16a電連接，用蓋體覆蓋凹部20的開口，藉此得到具有中空部的封裝體的所述中空部中搭載有半導體元件的半導體裝置。
[0078] 作為安裝于半導體元件安裝用封裝體的半導體元件，例如可例舉各種傳感器等。
[0079] (第1實施方式）
[0080] 作為本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的一種實施方式，針對通過傳遞成形法制造圖1所示的半導體安裝用封裝體110的情況進行詳細說明。本發(fā)明的實施方式的半導體元件安裝用封裝體的制造方法具有下述工序(α1)~(曰6)。
[0081] (α1)在具備具有型腔且型腔面具有多個凸部的上模具、和具有用于設置基材的基材設置部的下模具的模具的所述上模具中配置整體厚度大致一定的脫模膜W覆蓋所述上模具的型腔的工序。
[0082] (α2)將所述脫模膜真空吸附于所述上模具的型腔面?zhèn)鹊墓ば颉?br>[0083] (α3)在所述下模具的基材設置部中，將具有多個安裝面的基材W與所述多個安裝面相反的一側朝向下模具側的方式進行配置，將上模具和下模具合模，所述基材的多個安裝面通過所述脫模膜分別與所述上模具的多個凸部密合的工序。
[0084] (α4)在所述上模具和所述下模具之間的空間內填充固化性樹脂并使之固化，藉此得到具備所述基材與所述固化性樹脂的固化物的結構體的工序。
[0085] (α 5)從所述模具內取出所述結構體的工序。
[0086] (α6)將所述結構體的基材和固化物切割W使所述多個安裝面分離，藉此得到半導體元件安裝用封裝體110的工序。
[0087] 模具；
[0088] 作為第1實施方式中的模具，例如可例舉如圖4所示的具有上模具50和下模具52的模具。上模具50中形成有型腔54和向型腔54中導入固化性樹脂40的凹狀的樹脂導入部60。型腔54的形狀與工序(α4)中在基材上形成的固化物的形狀對應，上模具50的型腔面形成有多個形狀與半導體元件安裝用封裝體110的凹部14的形狀翻轉的凸部56。
[0089] 下模具52中形成有設置基材的基材設置部58、和配置固化性樹脂的樹脂配置部 62。另外，在樹脂配置部62內設置有將固化性樹脂向上模具50的樹脂導入部60擠出的柱塞 64。
[0090] 工序(α1):
[0091] 如圖5所示，配置脫模膜30W覆蓋上模具50的型腔54。脫模膜30優(yōu)選W覆蓋型腔54 和樹脂導入部60的整體的方式進行配置。脫模膜30通過放卷漉（圖示略)和收卷漉（圖示略）被拉伸，W被拉伸的狀態(tài)配置來覆蓋上模具50的型腔54。
[0092] 作為脫模膜30,使用整體厚度大致一定的膜。整體厚度大致一定是指，按照 IS04591:1992(利用JIS Κ7130:1999的A法、機械掃描法測定厚度的方法)進行測定的、在膜的走向和與走向方向垂直的方向上在Im的長度內測定時的厚度的最大值和最小值的差值相對于最大值和最小值各自的平均值在15% W內。關于脫模膜30在之后進行詳細說明。
[0093] 工序(α2):
[0094] 如圖6所示，通過在上模具50的型腔54的外部形成的溝（圖示略)抽真空，對上模具 50和脫模膜30之間的空間（上模具50的型腔面及樹脂導入部60的內壁和脫模膜30之間的空間)進行減壓，將脫模膜30拉伸而使之變形，從而真空吸附于上模具50的型腔面。
[00Μ]另外，根據高溫環(huán)境下的脫模膜30的機械強度、厚度及型腔54的形狀，脫模膜30不一定密合于型腔面。如圖6所示，在工序(α2)的真空吸附階段中，也可在脫模膜30和型腔面之間殘留少量的空隙。
[0096] 工序(α3):
[0097] 如圖7所示，將具有多個安裝面(未圖示）的基材10Α設置于基材設置部58并將上模具50和下模具52合模，基材10Α的多個安裝面分別通過脫模膜30與上模具50的多個凸部56 密合。另外，在樹脂配置部62的柱塞64上預先配置固化性樹脂40。
[0098] 將上模具50和下模具52合模時的緊固壓力為W下程度的壓力:夾持于凸部56和基材10Α之間的脫模膜30不會過度變形而伸入至型腔54側。藉此，能夠防止伸入至脫模膜30的型腔54側的部分呈現侵入固化性樹脂40的固化物的狀態(tài)并防止引起固化物的脫模不良。另夕h能夠防止基材10Α的安裝面的凹陷和損傷。
[0099] 緊固壓力具體優(yōu)選為10~80噸，特別優(yōu)選為20~70噸。單位面積的壓力優(yōu)選為25 ~200MPa，特別優(yōu)選為50~175MPa。
[0100] 本發(fā)明所用的脫模膜30的整體厚度大致一定，因此與所述的專利文獻2所示的使用凸部為一體成形的脫模膜的情況相比，即使緊固壓力高也不易發(fā)生上述的凸部伸入現象。在基材10A不產生凹陷和損傷的范圍內，如果緊固壓力高，則防止樹脂飛邊的效果優(yōu)良。
[0101] 作為固化性樹脂40,使用半導體封裝體的制造中所用的各種固化性樹脂即可。優(yōu) 選環(huán)氧樹脂、有機娃樹脂等熱固化性樹脂，特別優(yōu)選環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，例如可例舉住友電木株式會社（住友八一夕弓斗14王）審揃スミ3シEME G770H型F ver.GR、長懶凱姆泰克斯株式會社（十方電ク厶テッ夕ス社）制的T693/R4719-SP10等。作為有機娃樹脂的市售品，可例舉信越化學工業(yè)株式會社(信越化學工業(yè)社)制的LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
[0102] 固化性樹脂40也可含有炭黑、烙融二氧化娃、結晶二氧化娃、氧化侶、氮化娃、氮化侶等。
[0103] 工序(α4):
[0104] 如圖8所示，上推下模具52的柱塞64,通過樹脂導入部60向型腔54內填充固化性樹月旨40。接著，對模具加熱，使固化性樹脂40固化。
[0105] 工序(α4)中，通過向型腔54內填充固化性樹脂40,利用樹脂壓力進一步將脫模膜 30推向上模具50的型腔面?zhèn)?，通過拉伸變形而密合于型腔面56。因此，形成的固化物的形狀是與型腔54的形狀對應的形狀。
[0106] 使固化性樹脂40固化時的模具的加熱溫度、即固化性樹脂40的加熱溫度優(yōu)選為 100~185°C，特別優(yōu)選140~175°C。如果加熱溫度在上述范圍的下限值W上，則半導體元件安裝用封裝體110的生產性得到提高。如果加熱溫度在上述范圍的上限值W下，則固化性樹脂40的劣化得到抑制。從抑制由固化性樹脂40的熱膨脹率引起的其固化物的形狀變化的方面考慮，在特別要求半導體元件安裝用封裝體110的保護的情況下，優(yōu)選W上述范圍內的盡量低的溫度進行加熱。
[0107] 填充固化性樹脂40時的樹脂壓力優(yōu)選2~30MPa，特別優(yōu)選3~lOMPa。樹脂壓力如果在上述范圍的下限值W上，則不容易產生固化性樹脂40的填充不足等缺點。如果樹脂壓力在所述范圍的上限值W下，則容易獲得品質優(yōu)良的半導體元件安裝用封裝體110。固化性樹脂40的樹脂壓力可通過柱塞64進行調整。
[010引工序(α5):
[0109] 如圖9所示，將工序(α4)中形成的結構體110Α從模具中取出。
[0110] 結構體110Α具備基材10Α和在型腔54內固化的固化性樹脂40的固化物12Α。將結構體110Α從模具取出時，結構體110Α的固化物12Α附著有在樹脂導入部60內固化的固化性樹脂40的固化物19。從模具取出結構體110Α后，將該固化物19切除。
[0111] 工序(α4)中填充固化性樹脂40時，基材10Α的安裝面與脫模膜30密合，因此不與固化性樹脂40接觸。因此，W分別圍住基材10Α的多個安裝面的方式形成固化物12Α，基材10Α 的多個安裝面分別露出。因此，結構體110Α中，通過基材10Α和分別圍住其多個安裝面的固化物12Α形成有多個凹部14。
[0112] 工序(α6):
[011引將工序(α5)中所得的結構體110Α的基材10Α和固化物12Α切割(單片化），W使結構體110A的多個凹部14分離。藉此，得到具備具有至少一個安裝面10a的基材10和圍住所述安裝面10a的框狀的封裝體主體12的半導體元件安裝用封裝體110。
[0114]單片化可通過公知的方法實施，例如可例舉切割法（日文：歹斗シシ少法）。切割法是使切割刀片旋轉的同時將對象物切斷的方法。作為切割刀片，典型的是使用將金剛石粉燒結在圓盤的外周而得的旋轉刀片(金剛石切割器）。利用切割法的單片化例如可通過W下方法實施:通過夾具將切斷對象物(結構體IlOA)固定在處理臺上，W切斷對象物的切斷區(qū) 域與所述夾具之間具有切割刀片的插入空間的狀態(tài)使切割刀片行進。
[0115] 工序(α6)中也可包含如下工序:在如前所述將切斷對象物切斷的工序(切斷工序）之后，從配置于遠離覆蓋所述切割刀片的殼體的位置的噴嘴向所述切斷對象物供給液體的同時使所述處理臺移動而除去異物的工序。
[0116] W上，針對本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的第1實施方式進行了說明，但是本發(fā)明不限于上述實施方式。上述實施方式中的各種構成及其組合等是一種示例，只要在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內，可進行構成的增加、省略、替換W及其他變更。
[0117] 例如，將結構體110Α從脫模膜30剝離的時機不限于從模具取出結構體110Α時，也可W同時從模具取出脫模膜和結構體110Α，之后再從結構體110Α剝離脫模膜。
[0118] 設置于下模具52的基材10所具有的安裝面的數量也可W是一個。運種情況下，也可不實施工序(曰6)。
[0119] 基材10具有多個安裝面的情況下，多個安裝面各自之間的距離既可均一也可不均一。另外，多個安裝面各自的形狀可相同也可不同。
[0120] 工序(α6)之后(或工序(α6)之前且在在工序(α5)之后），也可實施在封裝體主體12 (或固化物12Α)的表面涂布油墨、形成油墨層的工序W表示任意信息。
[0121] 作為通過油墨層表示的信息，無特別限制，可例舉序列號、制造商相關信息和零件的類別等。作為油墨無特別限制，可從公知的油墨中適當選擇。
[0122] 油墨的涂布方法無特別限制，例如可使用噴墨法、絲網印刷、從橡膠版轉印等各種印刷方法。
[0123] 作為油墨層的形成方法，從固化速度快且封裝體上的滲漏少、或未施W熱風而封裝體的位置偏移少等觀點考慮，優(yōu)選使用光固化性油墨、通過噴墨法使該油墨附著于封裝體主體12的表面、利用光照使該油墨固化的方法。
[0124] 典型的光固化性油墨是使用含有聚合性化合物(單體、低聚物等）的材料的油墨。根據需要，油墨也可含有顏料和染料等著色材料、液體介質（溶劑或分散介質）、阻聚劑、光聚合引發(fā)劑、其他各種添加劑等。作為其他添加劑，例如可例舉增滑劑、聚合促進劑、浸透促進劑、潤濕劑(保濕劑）、定影劑、防霉劑、防腐劑、抗氧化劑、福射吸收劑、馨合劑、抑調整劑、增粘劑等。
[0125] 作為使光固化性油墨固化的光，可例舉紫外線、可見光、紅外線、電子射線、放射線等。
[0126] 作為紫外線的光源，可例舉滅菌燈、紫外線用巧光燈、碳弧燈、氣燈、復印用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬面化物燈、紫外線發(fā)光二極管、紫外線激光二極管、自然光等。
[0127] 光照可在常壓下進行，也可在減壓下進行。此外，可在空氣中進行，也可在氮氣氣氛、二氧化碳氣氛等惰性氣體氣氛中進行。
[0128] 另外，通過本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法制造的半導體元件安裝用封裝體不限于半導體元件安裝用封裝體110。例如也可W是半導體元件安裝用封裝體 120。
[0129] 除了使用基材16代替基材10、使凸部56的形狀與凹部20吻合之外，能夠與第1實施方式同樣地制造半導體元件安裝用封裝體120。
[0130] 〔脫模膜）
[0131] 本發(fā)明的脫模膜30可W是單層結構的脫模膜，也可W是多層結構的脫模膜。
[0132] 對于本脫模膜30,要求具備脫模性、能夠耐受成形時的模具的溫度(通常是150~ 180°C)的耐熱性、能夠耐受密封樹脂的流動及加壓力的機械強度。
[0133] 在單層結構的膜的情況下，作為脫模膜30,從脫模性、耐熱性、機械強度、高溫時的伸長率的方面考慮，優(yōu)選是由選自氣樹脂和烙點在20(TCW上的聚締控中的至少一種構成的膜，特別優(yōu)選由氣樹脂構成的膜。在之后分別針對氣樹脂和烙點在20(TCW上的聚締控進行詳細說明。
[0134] 作為多層結構的膜，例如可例舉具備在固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和其它層的膜。其它層可W是一層，也可W是兩層W上。
[0135] 作為多層結構的膜，從針對脫模不良和樹脂飛邊的防止效果優(yōu)良的觀點考慮，優(yōu) 選W下的脫模膜(I)。
[0136] 脫模膜(I):具有在固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和第二層，
[0137] 所述第一層的厚度為3~25μπι，且180°C時的拉伸儲能模量為10~50MPa，
[013引所述第二層在180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為2000~13000。
[0139] 在使用脫模膜(I)實施所述本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的情況下，優(yōu)選在使所述上模具的凸部和所述基材的安裝面通過脫模膜密合的工序中，W所述第一層側的表面朝向基材側(安裝面?zhèn)?的方式將脫模膜(I)配置于上模具。
[0140] 與安裝面直接接觸的第一層是18(TC時的拉伸儲能模量在一定值W下的柔軟的層，且具有一定值W上的厚度，藉此，將凸部按壓于安裝面時，即便是在基材不產生凹陷和損傷的程度的輕緊固壓力下，第一層也會適度變形。另外，通過使第二層在180°C時的拉伸儲能模量和厚度之積在一定值W下，脫模膜(I)充分順應上模具。因此，即使基材的安裝面的高度和凸部的高度存在偏差，通過第一層可將所述偏差抵消，上模具的凸部通過脫模膜 (I)與基材的安裝面整體充分密合。因此，固化性樹脂不易進入凸部和安裝面之間，安裝面整體上不易產生樹脂飛邊。
[0141] 另外，第二層優(yōu)選是18(TC時的拉伸儲能模量與厚度之積大于第一層、比第一層硬度更高的層。通過使第一層在180°C時的拉伸儲能模量在一定值W上且厚度在一定值W下、 W及使硬度比第一層高的第二層相比于第一層更靠近上模具側，將上模具的凸部按壓于基材的安裝面時，不會產生第一層過度變形并伸入型腔側而引起脫模不良和脫模膜（I)破裂的問題。
[0142] 所述第一層在180°C時的拉伸儲能模量特別優(yōu)選為10~40MPa。所述第一層的厚度更優(yōu)選為5~12μπι，特別優(yōu)選7~12皿。
[0143] 所述第二層在180°C時的拉伸儲能模量(Μ化）與厚度(皿)之積特別優(yōu)選為3000~ 8000。
[0144] 所述第二層在18(TC時的拉伸儲能模量與厚度分別可W是使所述積在所述范圍內的任意的值，無特別限定。其中，180°C時的拉伸儲能模量優(yōu)選90~eOOMPa，特別優(yōu)選110~ SOOMPa。厚度優(yōu)選為6~50μπι，特別優(yōu)選12~3祉m。
[0145] 根據W上內容，脫模膜(I)中優(yōu)選所述第一層的厚度為5~12μπι，所述第二層在180 °C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積為3000~8000。其中，特別優(yōu)選所述第一層的厚度為7~12皿，所述第二層的180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為3000~8000。
[0146] 第一層、第二層各自的拉伸儲能模量能夠通過調整分別構成第一層和第二層的樹月旨下也分別稱作第一層用樹脂、第二層用樹脂)的結晶度來進行調整。具體而言，樹脂的結晶度越低，則由該樹脂構成的層的拉伸儲能模量越低。樹脂的結晶度可根據公知的方法調整。例如，在乙締/四氣乙締共聚物的情況下，可通過調整基于四氣乙締和乙締的單元的比例、基于四氣乙締和乙締之外的其他單體的單元的種類和含量來進行調整。
[0147] (第1實施方式的脫模膜）
[0148] 圖10是表示脫模膜(I)的第1實施方式的簡要剖視圖。
[0149] 本實施方式的脫模膜第一層2、第二層3的順序層疊而成。在所述固化性樹脂的固化時，脫模膜1的第一層2與固化性樹脂接觸（即表面2a與固化性樹脂接觸），第二層3與模具的上模具接觸(即表面3a與模具的上模具接觸）。
[0150] <第一層〉
[0151] 第一層是用于平滑地剝離固化的固化性樹脂和脫模膜1的脫模層。第一層2在180 °C時的拉伸儲能模量和厚度的范圍W及它們的優(yōu)選范圍分別如上所述。
[0152] 作為構成第一層2的樹脂下也稱作第一層用樹脂），滿足所述拉伸儲能模量即可，可從公知的熱塑性樹脂、橡膠等樹脂中進行適當選擇。
[0153] 第一層2優(yōu)選具有如下脫模性:在制造所述半導體元件安裝用封裝體時，能夠將W 與脫模膜1的第一層2接觸的狀態(tài)固化的固化性樹脂(封裝體主體)從脫模膜1平滑地剝離。另外，優(yōu)選具有能夠耐受成形時模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐熱性。從所述觀點出發(fā)，作為第一層用樹脂，優(yōu)選是選自氣樹脂、聚苯乙締、烙點在20(TCW上的聚締控中的至少一種。運些可W單獨使用1種，也可W2種W上組合使用。
[0154] 作為第一層用樹脂，從脫模性優(yōu)良的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選氣樹脂。第一層2由氣樹脂構成時，固化性樹脂的固化物從模具的脫模性優(yōu)良。另外，脫模膜1充分具有能夠耐受成形時模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐熱性、能夠承受固化性樹脂的流動和加壓壓力的強度等，在高溫時的伸長率也優(yōu)良。
[0155] 作為氣樹脂，從脫模性及耐熱性優(yōu)良的觀點出發(fā)，優(yōu)選氣化締控類聚合物。氣化締控類聚合物是具有基于氣化締控的單元的聚合物。作為氣化締控，可例舉四氣乙締、氣乙締、偏氣乙締、Ξ氣乙締、六氣丙締、Ξ氣氯乙締等。氣化締控可單獨使用1種，也可W2種W 上組合使用。
[0156] 作為氣化締控類聚合物，可例舉乙締/四氣乙締共聚物下也稱作ETFE)、聚四氣乙締、全氣(烷基乙締基酸)/四氣乙締共聚物等。氣化締控類共聚物可單獨使用巧巾，也可W 2種W上組合使用。
[0157] 作為聚苯乙締，從脫模性及耐熱性優(yōu)良的觀點出發(fā)，優(yōu)選間規(guī)聚苯乙締。聚苯乙締可被拉伸，也可含有添加劑。聚苯乙締可單獨使用1種，也可W2種W上組合使用。
[0158] 烙點在200°C W上的聚締控的烙點優(yōu)選在200°CW上300°CW下。
[0159] 作為烙點在20(TCW上的聚締控，從脫模性及模具順應性優(yōu)良的角度考慮，優(yōu)選聚甲基戊締。聚締控可單獨使用1種，也可W 2種W上組合使用。
[0160] 作為第一層用樹脂，優(yōu)選是選自所述樹脂中的氣化締控類聚合物和聚甲基戊締中的至少一種，更優(yōu)選氣化締控類聚合物。其中，從高溫時的伸長率大的角度考慮，特別優(yōu)選 ET陽。ET陽可單獨使用1種，也可W2種W上組合使用。
[0161] ETFE是具有基于四氣乙締下也稱作TFE)的單元和基于乙締下也稱作E)的單元的共聚物。
[0162] 作為ETFE，優(yōu)選具有基于TFE的單元、基于E的單元、基于TFE和E之外的第3單體的單元。根據基于第3單體的單元的種類和含量容易調整ETFE的結晶度，即第1熱塑性樹脂膜層2的拉伸儲能模量。另外，通過具有基于第3單體(特別是具有氣原子的單體)的單元，高溫 (特別是180°C左右)時的拉伸強度得到提高。
[0163] 作為第3單體，可例舉含有氣原子的單體和不含氣原子的單體。
[0164] 作為含有氣原子的單體，可例舉下述單體(al)~(a5):
[0165] 單體(al):碳數在3W下的氣化締控類；
[0166] 單體(曰2): WX(CF2)nCY = C出（其中，X和Y分別獨立地是氨原子或氣原子，η是2~8 的整數。）表示的全氣烷基乙締；
[0167] 單體(曰3):氣化乙締基酸類；
[0168] 單體(a4):含有官能基的氣化乙締基酸類；
[0169] 單體(a5):具有脂肪族環(huán)結構的含氣單體。
[0170] 作為單體(al)，可例舉氣化乙締類(Ξ氣乙締、偏氣乙締、氣乙締、Ξ氣氯乙締等）、氣化丙締類(六氣丙締下也稱作HFPJ、2-氨五氣丙締等)等。
[0171] 作為單體(a2)，優(yōu)選η為2~6的單體，特別優(yōu)選η為2~4的單體。另外，特別優(yōu)選X為氣原子、Υ為氨原子的單體，即（全氣烷基)乙締。
[0172] 作為單體(a2)的具體例可例舉下述化合物。
[0173] CF3CF2CH=C出、
[0174] CF3CF2CF2CF2CH=師（(全氣T基)乙締。W下也稱作PF邸。）、
[01 巧]CF3CF2CF2CF2CF = C出、
[0176] CF 抽CF2CF2CF = C出、
[0177] CF 抽 CF2CF2CF2CF = C 出等。
[0178] 作為單體(a3)的具體例可例舉下述化合物。另外，下述化合物中作為二締的單體是能夠環(huán)化聚合的單體。
[0179] CF2 = CF0CF3、
[0180] CF2 = CF0CF2CF3、
[0181 ] CF2 = CF(CF2)2CF3(全氣(丙基乙締基酸）。W下也稱作PPVE。）、
[0182] CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 2C 的、
[0183] CF2 = CF0(CF2)30(CF2)2C 的、
[0184] CF2 = CF0 (CF2CF (CF3) 0) 2 (CF2) 2CF3、
[0185] CF2 = CF0CF2CF (CF3) 0 (CF2) 2C 的、
[0186] CF2 = CF0CF2CF = CF2、
[0187] CF2 = CF0(CF2)2CF = CF2 等。
[0188] 作為單體(a4)的具體例可例舉下述化合物。
[01 例 CF2 = CF0(CF2)3C02C 出、
[0190] CF2 = CF0CF2CF ( CF3 ) 0 ( CF2 ) 3CO2CH3、
[0191] CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 2SO2F 等。
[0192] 作為單體(a5)的具體例，可例舉全氣(2,2-二甲基-1，3-間二氧雜環(huán)戊締）、2,2,4- Ξ氣-5-Ξ氣甲氧基-1,3-間二氧雜環(huán)戊締、全氣(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二氧戊環(huán))等。
[0193] 作為不含氣原子的單體，可例舉下述單體(bl)~化4)。
[0194] 單體(bl):締控類。
[01巧]單體化2):乙締基醋類。
[0196] 單體化3):乙締基酸類。
[0197] 單體化4):不飽和酸酢。
[0198] 作為單體(bl)的具體例，可例舉丙締、異下締等。
[0199] 作為單體化2)的具體例，可例舉乙酸乙締醋等。
[0200] 作為單體(b3)的具體例，可例舉乙基乙締基酸、下基乙締基酸、環(huán)己基乙締基酸、徑基下基乙締基酸等。
[0201] 作為單體化4)的具體例，可例舉馬來酸酢、衣康酸酢、巧康酸酢、納迪克酸酢(5-降冰片締-2,3-二簇酸酢)等。
[0202] 第3單體可W單獨使用1種，也可W2種W上組合使用。作為第3單體，從容易調整結晶度、即容易調整拉伸儲能模量的觀點、從通過具有基于第3單體(特別是含氣原子的單體）的單元而在高溫時(特別是180°C左右）的拉伸強度優(yōu)良的觀點出發(fā)，優(yōu)選單體(a2)、HFP、 PPVE、乙酸乙締醋，更優(yōu)選HFP、PPVE、C的CF2CH=C出、PFBE，特別優(yōu)選PF邸。即，作為ET陽，特別優(yōu)選具有基于TFE的單元、基于E的單元、基于PF邸的單元的共聚物。
[0203] ETFE中的基于??Ε的單元與基于E的單元的摩爾比（TFE/E)優(yōu)選80/20~40/60,更優(yōu)選70/30~45/55,特別優(yōu)選65/35~50/50dTFE/E如果在上述范圍內，貝IJEWE的耐熱性W 及機械物性優(yōu)良。
[0204] ETFE中的基于第3單體的單元相對于構成ETFE的所有單元的合計（100摩爾％ )的比例優(yōu)選0.01~20摩爾％，更優(yōu)選0.10~15摩爾％，特別優(yōu)選0.20~10摩爾％?；诘?單體的單元的比例如果在所述范圍內，貝化TFE的耐熱性和機械物性優(yōu)良。
[0205] 基于第3單體的單元含有基于PFBE的單元的情況下，基于PFBE的單元相對于構成 ET陽的所有單元的合計（100摩爾％ )的比例優(yōu)選0.5~4.0摩爾％，更優(yōu)選0.7~3.6摩爾％，特別優(yōu)選1.0~3.6摩爾％?；赑F邸的單元的比例如果在所述范圍內，則能夠將脫模膜在 18(TC時的拉伸模量調整至所述范圍內。另外，高溫(特別是18(TC左右)時的拉伸強度和伸長率得到提高。
[0206] ETFE的烙體流動速率(MFR)優(yōu)選2~40g/10分鐘，更優(yōu)選5~30g/10分鐘，特別優(yōu)選 10~20g/10分鐘。ETFE的MFR如果在所述范圍內，貝化TFE的成形性得到提高，脫模膜的機械特性優(yōu)良。
[0207] Ε??Ε的MFR是按照ASTM D3159在負荷49N、297°C的條件下測定的值。
[0208] 第一層2可W僅由第一層用樹脂構成，也可滲入無機類添加劑、有機類添加劑等添加物。作為無機類添加劑，可例舉炭黑、二氧化娃、玻璃纖維、碳纖維、氧化鐵等無機填料。作為有機類添加劑，可例舉硅油、金屬皂等。
[0209] <第二層〉
[0210] 第二層3的18(TC時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積的范圍、所述積、拉伸儲能模量和厚度的優(yōu)選范圍分別如上所述。
[0211] 作為構成第二層3的樹脂下也稱作第二層用樹脂），所述拉伸儲能模量與厚度之積在所述范圍內即可，可從公知的熱塑性樹脂、橡膠等樹脂中進行適當選擇。
[0212] 第二層3優(yōu)選具有如下程度的脫模性:在制造所述半導體元件安裝用封裝體時，脫模膜1能夠從上模具平順地剝離。另外，優(yōu)選具有能夠耐受成形時模具的溫度(通常是150~ 18(TC)的耐熱性。從所述觀點出發(fā)，作為第二層用樹脂，優(yōu)選為選自非拉伸聚酷胺、雙軸拉伸聚酷胺、聚對苯二甲酸下二醇醋下也稱作PBT)、聚對苯二甲酸乙二醇醋下也稱作 PET) W及易成形PET中的至少一種。
[0213] 作為聚酷胺，從耐熱性、強度、阻氣性的方面考慮，優(yōu)選尼龍6和尼龍MXD6。
[0214] 易成形PET是指將乙二醇和對苯二甲酸(或對苯二甲酸二甲醋）與其他單體共聚而改良了成形性的聚合物。具體而言，是用W下方法測定的玻璃化溫度Tg在105°CW下的PET。
[0215] Tg是按照ISO 6721-4:1994QIS K7244-4:1999)測定的儲能模量E'和損耗模量護之比tanS化"/E'）取最大值時的溫度。在頻率為10化、靜力為0.98N、動態(tài)位移為0.035%時 W 2 °C /分鐘的速率將溫度從20°C升溫至180°C來測定Tg。
[0216] 運些第二層用樹脂可W單獨使用巧巾，也可W2種W上組合使用。
[0217] 作為第二層用樹脂，特別優(yōu)選所述樹脂中的PBT或易成形PET。
[0218] 第二層3可W僅由第二層用樹脂構成，也可滲入無機類添加劑、有機類添加劑等添加物。作為無機類添加劑和有機類添加劑可分別例舉與前述相同的添加劑。
[0219] 脫模膜1中，第一層2和第二層3既可直接層疊，也可通過未在圖中示出的粘接層進行層疊。
[0220] <脫模膜的表面形狀〉
[0221] 脫模膜1的在固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的面、即第一層2側的表面2a 可W是平滑的，也可形成有用于提高脫模性的凹凸。另外，脫模膜1的在固化性樹脂的固化時與模具的上模具接觸的面、即第二層3側的表面3a可W是平滑的，也可形成有用于提高脫模性的凹凸。
[0222] 平滑情況下的表面的算術平均粗糖度(Ra)優(yōu)選0.01~0.2皿，特別優(yōu)選0.05~0.1 皿。成形有凹凸時的表面的Ra優(yōu)選1.5~2.1皿，特別優(yōu)選1.6~1.9皿。
[0223] 形成有凹凸時的表面形狀可W是多個凸部和/或凹部隨機分布的形狀，也可W是多個凸部和/或凹部規(guī)則排列的形狀。另外，多個凸部和/或凹部的形狀和大小既可相同也可不同。作為凸部，可例舉在脫模膜的表面延伸的長條狀的凸條、散布的突起等。作為凹部，可例舉在脫模膜的表面延伸的長條狀的溝、散布的孔等。
[0224] 作為凸條或溝的形狀，可例舉直線、曲線、彎折形狀等。在脫模膜表面，多條凸條或溝也可平行存在來形成條紋狀。作為凸條或溝的與長邊方向正交的方向的截面形狀，可例舉Ξ角形(V字形)等多邊形、半圓形等。
[0225] 作為突起或孔的形狀，可例舉Ξ角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形，圓錐形、半球形、多面體形、其他各種不定形等。
[0226] 脫模膜1中，表面2a和表面3a可W兩者都平滑，也可W表面2a和表面3a兩者都形成有凹凸，還可W表面2a和表面3a中一方平滑、另一方形成有凹凸。表面2a和表面3a兩者都形成有凹凸時，各表面的Ra和表面形狀可相同也可不同。
[0227] 從防止樹脂飛邊的角度考慮，第一層2側的表面2a的Ra越小越好，特別優(yōu)選是平滑的。
[0228] 從脫模膜1從模具的脫模性優(yōu)良的角度考慮，優(yōu)選第二層3側的表面3a形成有凹凸。
[0229] <脫模膜的厚度〉
[0230] 脫模膜1的厚度優(yōu)選為15~75μπι，更優(yōu)選為17~62μπι，特別優(yōu)選為19~50μπι。如果厚度在所述范圍的下限值W上，則脫模膜1容易操作，W拉伸脫模膜1的同時使其覆蓋上模具的型腔的方式進行配置時，不易產生權皺。如果厚度在所述范圍的上限值W下，則脫模膜 1容易變形，針對上模具的型腔形狀的順應性提高，因此脫模膜1能夠牢固地密合于型腔面。因此，能夠穩(wěn)定地形成高品質的封裝體主體。
[0231] 上模具的型腔越大，脫模膜1的厚度在上述范圍內越是W薄為宜。此外，越是具有多個型腔的復雜的模具，脫模膜的厚度在上述范圍內越是W薄為宜。
[0232] <脫模膜1的制造方法〉
[0233] 脫模膜1的制造方法無特別限定，可利用公知的多層膜的制造方法。作為具體例，可例舉W下的（1)、（2)等，考慮各層的材質、厚度等可進行適當選擇。
[0234] (1)將由第一層用樹脂形成的樹脂膜和由第二層用樹脂形成的樹脂膜層疊的方法。
[0235] (2)將第一層用樹脂和第二層用樹脂共擠出成形的方法。
[0236] 作為脫模膜1的制造方法，從生產性優(yōu)良的方面考慮，優(yōu)選(1)的方法。
[0237] (1)的方法中，作為將各樹脂膜層疊的方法，可采用公知的各種層疊方法，例如擠出層疊法、干式層疊法和熱層疊法等。
[0238] 干式層疊法中使用粘接劑將各樹脂膜層疊。作為粘接劑，可使用作為干式層疊用的粘接劑的公知的粘接劑。例如可使用聚乙酸乙締醋類粘接劑；由丙締酸醋（丙締酸乙醋、丙締酸下醋、丙締酸2-乙基己醋等）的均聚物或共聚物，或丙締酸醋與其他單體（甲基丙締酸甲醋、丙締臘、苯乙締等）的共聚物等形成的聚丙締酸醋類粘接劑;氯基丙締酸醋類粘接劑；由乙締與其他單體（乙酸乙締醋、丙締酸乙醋、丙締酸、甲基丙締酸等）的共聚物等形成的乙締共聚物類粘接劑;纖維素類粘接劑;聚醋類粘接劑;聚酷胺類粘接劑;聚酷亞胺類粘接劑；由尿素樹脂或Ξ聚氯胺樹脂等形成的氨基樹脂類粘接劑;酪醒樹脂類粘接劑;環(huán)氧類粘接劑;多元醇(聚酸多元醇、聚醋多元醇等)與異氯酸醋和/或異氯脈酸醋交聯的聚氨醋類粘接劑;反應型（甲基)丙締酸類粘接劑；由氯下橡膠、下臘橡膠、苯乙締-下二締橡膠等構成的橡膠類粘接劑;有機娃類粘接劑；由堿金屬娃酸鹽、低烙點玻璃等形成的無機類粘接劑；其他粘接劑等。
[0239] (1)的方法中的層疊樹脂膜可使用市售的樹脂膜，也可使用由公知的制造方法制造的樹脂膜。也可對樹脂膜實施電暈處理、大氣壓等離子體處理、真空等離子體處理、底涂料涂布處理等表面處理。
[0240] 作為樹脂膜的制造方法，無特別限定，可利用公知的制造方法。
[0241] 作為兩面平滑的熱塑性樹脂膜的制造方法，例如可例舉使用具備具有規(guī)定的縫隙寬度的Τ模具的擠出機進行烙融成形的方法等。
[0242] 作為單面或雙面上形成有凹凸的熱塑性樹脂膜的制造方法，例如可例舉在熱加工時在熱塑性樹脂膜的表面轉印母模（日文:元型）的凹凸的方法，從生產性的角度考慮，優(yōu)選下述方法(i)、（ii)等。方法(i)、（ii)中，通過使用漉狀的母模能夠進行連續(xù)加工，形成了凹凸的熱塑性樹脂膜的生產性顯著提高。
[0243] (i)使熱塑性樹脂膜從母模漉和壓印漉之間通過、將形成于母模漉的表面的凹凸連續(xù)轉印于熱塑性樹脂膜的表面的方法。
[0244] (ii)使從擠出機的模具擠出的熱塑性樹脂從母模漉和壓印漉之間通過、將該熱塑性樹脂成形為膜狀的同時、把形成于母模漉的表面的凹凸連續(xù)轉印于該膜狀的熱塑性樹脂的表面的方法。
[0245] 方法中，作為壓印漉如果使用表面形成有凹凸的漉，則能得到雙面形成有凹凸的熱塑性樹脂膜。
[0246] (第2實施方式的脫模膜）
[0247] 圖11是表示脫模膜(I)的第2實施方式的簡要剖視圖。
[0248] 本實施方式的脫模膜5W第一層6、第二層7和第Ξ層8的順序層疊而成。在所述固化性樹脂固化時，脫模膜5的第一層6與固化性樹脂接觸，第Ξ層8與模具的上模具接觸。
[0249] 第一層6與第1實施方式的第一層2相同。
[0250] 第二層7與第1實施方式的第二層3相同。
[0巧1] <第^層〉
[0252] 第Ξ層8是用于防止脫模膜5發(fā)生卷曲的層。
[0253] 如第1實施方式所示的2層結構（第二層/第一層）中，在第一層和第二層的材質不同時，根據第二層的厚度和拉伸儲能模量等存在脫模膜發(fā)生卷曲的情況。脫模膜如果卷曲，則使脫模膜吸附于模具時，存在脫模膜因卷曲而無法充分吸附于模具的情況。特別是將預先剪切為與模具的大小吻合的短的脫模膜供給于模具時，卷曲的問題顯著。如果使用不發(fā) 生卷曲的高拉伸儲能模量的或厚的第二層，則模具順應性變差，不適用于要求具有模具順應性的脫模膜。
[0254] 通過在第二層的與第一層側相反一側設置第Ξ層，則即便不使用高拉伸儲能模量的或厚的第二層，也能夠抑制卷曲。
[0255] 第Ξ層8的25°C時的拉伸儲能模量與第一層6既可相同也可不同，優(yōu)選它們的比 (第Ξ層8的25Γ時的拉伸儲能模量/第一層6的25Γ時的拉伸儲能模量)為0.5~2。
[0256] 25Γ時的拉伸儲能模量之比如果在所述范圍內，則能夠良好地抑制卷曲。
[0257] 第Ξ層8的厚度與第一層6的厚度既可相同也可不同，優(yōu)選其差值在扣mW內。第Ξ 層8的厚度如果在所述范圍內，則能夠良好地抑制卷曲。第Ξ層8的厚度例如優(yōu)選為3~25μ m，更優(yōu)選為5~12皿，特別優(yōu)選為7~12皿。
[0258] 作為構成第Ξ層8的樹脂下也稱作第Ξ層用樹脂），從脫模膜1從模具的脫模性、能夠耐受成形時模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐熱性等方面考慮，優(yōu)選是選自氣樹脂、丙締酸橡膠、熱固化性有機娃、聚醋、聚酷胺、聚苯乙締、乙締/乙締醇共聚物W及烙點在200°CW上的聚締控中的至少一種。
[0259] 作為氣樹脂、聚苯乙締、烙點在200°CW上的聚締控，可分別例舉與所述相同的成分。
[0260] 作為聚醋，從耐熱性和強度方面考慮，優(yōu)選PET、易成形PET、PBT、聚對苯二甲酸糞二醇醋（日文：求リナフ夕レシテレフ夕レ一H。
[0261] 作為聚酷胺，從耐熱性、強度、阻氣性的方面考慮，優(yōu)選尼龍6和尼龍MXD6。聚酷胺可W是被拉伸的，也可W是未被拉伸的。
[0262] 運些可W單獨使用巧巾，也可W2種W上組合使用。
[0263] 作為第Ξ層用樹脂，優(yōu)選是選自所述樹脂中的氣樹脂和烙點在20(TCW上的聚締控中的至少一種。
[0264] 第Ξ層8可W僅由第Ξ層用樹脂構成，也可滲入無機類添加劑、有機類添加劑等添加物。作為無機類添加劑和有機類添加劑可分別例舉與前述相同的添加劑。
[0265] 脫模膜5中，第一層6和第二層7既可直接層疊，也可通過未在圖中示出的粘接層進行層疊。同樣地，第二層7和第Ξ層8既可直接層疊，也可通過未在圖中示出的粘接層進行層疊。
[0266] <脫模膜的表面形狀〉
[0267] 脫模膜5的在固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的面、即第一層6側的表面6a 可W是平滑的，也可形成有用于提高脫模性的凹凸。另外，脫模膜5的在固化性樹脂的固化時與模具的上模具接觸的面、即第Ξ層8側的表面8a可W是平滑的，也可形成有用于提高脫模性的凹凸。平滑情況下的表面的算術平均粗糖度(Ra)優(yōu)選0.01~0.2μπι，特別優(yōu)選0.05~ 0. ：1皿。
[0%引形成有凹凸時的表面的Ra優(yōu)選1.5~2. Ιμπι，特別優(yōu)選1.6~1.9μπι。形成有凹凸時的表面形狀可W是多個凸部和/或凹部隨機分布的形狀，也可W是多個凸部和/或凹部規(guī)則排列的形狀。另外，多個凸部和/或凹部的形狀和大小既可相同也可不同。作為凸部、凹部、凸條、突起或孔的具體示例，可例舉與前述相同的示例。
[0269] 脫模膜5中，表面6a和表面8a可W兩者都平滑，也可W表面6a和表面8a兩者都形成有凹凸，還可W表面6a和表面8a中一方平滑、另一方形成有凹凸。表面6a和表面8a兩者都形成有凹凸時，各表面的Ra和表面形狀可相同也可不同。
[0270] 從脫模膜5從模具的脫模性優(yōu)良的角度考慮，優(yōu)選第Ξ層8側的表面8a形成有凹凸。
[0271] <脫模膜的厚度〉
[0272] 脫模膜5的厚度優(yōu)選為18~100μπι，特別優(yōu)選30~75μπι。厚度的所述范圍的下限值和上限值各自的優(yōu)選理由與脫模膜1的情況相同。
[0273] <脫模膜5的制造方法〉
[0274] 脫模膜5的制造方法無特別限定，可利用公知的多層膜的制造方法。例如，除了將2 層結構變更為3層結構W外，可與脫模膜1同樣地制造。
[0275] W上，針對脫模膜(I)示出第1和第2實施方式并進行了說明，但是本發(fā)明不限于上述實施方式。上述實施方式中的各種構成及其組合等是一種示例，只要在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內，可進行構成的增加、省略、替換W及其他變更。
[0276] 例如，第1實施方式的脫模膜1的第一層2和第二層3之間，根據需要也可進一步設置粘接層W外的其它層。同樣地，第2實施方式的脫模膜5的第一層6和第二層7之間，W及第二層7和第Ξ層8之間，根據需要也可進一步設置粘接層W外的其它層。作為其他層，例如可例舉阻氣層等。作為阻氣層，例如可例舉金屬層、金屬蒸鍛層、金屬氧化物蒸鍛層等。
[0277]從本發(fā)明的效果方面考慮，與固化性樹脂接觸的第一層和第二層之間優(yōu)選不具有粘接層W外的其它層。即，優(yōu)選第一層和第二層直接層疊，或者通過粘接層進行層疊。
[027引實施例
[0279] W下示出實施例對本發(fā)明進行詳細說明。但是，本發(fā)明不限于W下的記載。后述的例1~18中，例1~16是實施例，例17~18是比較例。各例中使用的材料和評價方法在W下示出。
[0280] [使用材料]
[0281] ETFE(1):制造例1中制造的四氣乙締/乙締/PF邸= 52.5/46.3/1.2(摩爾比）的共聚物(MW為12g/10分鐘）。
[0282] ETFE(2):制造例2中制造的四氣乙締/乙締/PF邸= 56.3/40.2/3.5(摩爾比）的共聚物(MW為12.5g/10分鐘）。
[0283] <制造例1:ETFE(1)的制造〉
[0284] 對內容積為1.化的具有攬拌機的聚合槽進行排氣，在其中加入881.9g的1-氨十Ξ 氣己燒、335.5g的1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氣丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子株式會社(旭硝子社）制，W 下稱作AK225cb。）、7. Og的C出=CHCF2CF2CF2C的（PF?。瑝喝?165.2g的T陽、9.8g 的乙締下稱作E。），將聚合槽內升溫至66°C，加入7.7ml的過氧化新戊酸叔下醋下稱作PBPV。）的1質量％的41(225(^溶液作為聚合引發(fā)劑溶液，開始聚合。
[0285] W聚合中壓力達到一定值的條件，連續(xù)添加 TFE/E = 54/46摩爾比的單體混合氣體。另外，與單體混合氣體的添加相應，連續(xù)添加了相當于TFE與E的合計摩爾數的1.4摩爾％的量的PFBE。聚合開始2.9小時后，在添加了 lOOg的單體混合氣體的時間點，將聚合槽內溫度降至室溫的同時將聚合槽的壓力排氣至常壓。
[0286] 之后，用玻璃過濾器對獲得的漿料抽濾，回收固體成分并通過在150°C下干燥15小時而得到了 105g的ET陽（1)。
[0287] <制造例2:ETFE(2)的制造〉
[0288] 將聚合槽的內容積變更為1.化，聚合開始前向其中加入的1-氨十Ξ氣己燒的量從 881.9g變更為0g、AK225cb的量從335.5g變更為291.6g、PF邸的量從7. Og變更為16.0g、TFE 的量從165.2g變更為186.6g、E的量從9.8g變更為6.4g、PBPV的1質量％的41(225誠溶液的量從5.8mL變更為5.3血，聚合中連續(xù)添加的單體混合氣體TFE/E的摩爾比從54/46變更為58/ 42，PF邸的量從(相對于TFE和E總摩爾數)0.8摩爾％變更為3.6摩爾％，聚合開始3小時后，在添加90g的單體混合氣體的時間點將聚合槽內的溫度降溫至室溫，除此W外與制造例1相同，得到了 90g 的 ETFE(2)。
[0289] <熱塑性樹脂膜〉
[0290] ETFE膜（1-1):厚度16皿。單面具有凹凸，單面的Ra為0.5，相反面的Ra為0.1。按W 下步驟制造了 ETFE膜(1-1)。
[0291] 通過縫隙開度調整后的擠出機在320°C下將ETFE(l)烙融擠出，使膜厚為16μπι。調整母模漉、制膜速度、擠壓壓力，制造了 ETFE膜。
[0292] ETFE膜（1-2):厚度12μπι。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。除了調整了各條件之外，與 ETFE膜（1 -1)同樣地制造了ETFE膜（1 -2)。
[0293] ETFE膜（1-3):厚度2扣m。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。除了調整了各條件之外，與 ETFE膜（1 -1)同樣地制造了ETFE膜（1 -3)。
[0294] ETFE膜（1-4):厚度50μπι。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。除了調整了各條件之外，與 ET陽膜（1 -1)同樣地制造了ET陽膜（1 -4)。
[02M] ETFE膜（1-5):厚度3皿。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。在調整了各條件的基礎上，使來自T模具的烙融后的ETFE( 1)在母模漉上與PET膜接觸，與PET膜共同被收卷來進行制膜，除此W外，與ETFE膜(1 -1)同樣地制造了ETFE膜(1 -5)。
[0巧6] ETFE膜（2-1):厚度12μπι。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。除了使用ETFE(2)代替ETFE (1)并調整了各條件之外，與ETFE膜(1-1)同樣地制造了 ETFE膜(2-1)。
[0297]陽T膜（1):厚度12皿。使用了氣Mクシテb口シNS"(帝人杜邦膜株式會社(帝人尹二求シ厶社）制）的厚度為12μπι的膜。玻璃化溫度：118°C。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。 [029引陽T膜（2):厚度16皿。使用了 "歹^了木^瓜冊00" (Ξ菱樹脂株式會社（Ξ菱樹脂社)制）的厚度為16μπι的膜。玻璃化溫度:118°C。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。
[0299] 陽T膜(3):厚度25皿。使用了 "夕'V7木人レ冊00"(Ξ菱樹脂株式會社制）的厚度為25皿的膜。玻璃化溫度：118°C。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。
[0300] 易成形陽T膜:厚度25μπι。使用的帝人杜邦膜株式會社制的"テフレッ夕乂尸了3口護。玻璃化溫度:86 °C。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。
[0301] 非拉伸尼龍膜:厚度20μπι。使用了"ク^アミ口シC-Z"(Ξ菱樹脂株式會社制）。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。
[0302] 雙軸拉伸尼龍膜:厚度12μπι。使用了 "八一テ'シN1100"(東洋紡株式會社（東洋紡社)制）。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。
[0303] PTFE膜:厚度50皿。使用了 "二bフ口シPTFE 900U1；'（日東電工株式會社（日東電工社)制）。兩面平滑，兩面的Ra為0.2。
[0304] 聚甲基戊締膜:厚度12μπι。兩面平滑，兩面的Ra為0.1。按W下步驟制造了聚甲基戊締膜。
[0305] 通過設置有縫隙開度調整后T模具的擠出機在28(TC下將聚甲基戊締樹脂"TPX ΜΧ004"(Ξ井化學株式會社(Ξ井化學社)制)烙融擠出，使膜厚為12μπι。調整母模漉、制膜速度、擠壓壓力，得到了聚甲基戊締膜。
[0306] ΡΒΤ膜（1):厚度3祉m。單面的Ra為1.2,相反面的Ra為0.1。通過設置有縫隙開度調整后T模具的擠出機在28(TC下將"7八尹'二弓シ5020" (Ξ菱工程塑料株式會社(Ξ菱工シク二アリシクククステッ夕社）制)烙融擠出，使膜厚為38μπι，調整母模漉、制膜速度、擠壓壓力，得到了 ΡΒΤ膜(1)。
[0307] ΡΒΤ膜(2):厚度3祉m。單面的Ra為1.2,相反面的Ra為0.1。通過設置有縫隙開度調整后T模具的擠出機在28(TC下將八尹二弓シ5505"(立菱工程塑料株式會社制)烙融擠出，使得厚度為3祉m，調整母模漉、制膜速度、擠壓壓力，制造了PBT膜(2)。
[0308] 各膜中，將Ra小的面作為干式層疊中的貼合面。另外，各膜在干式層疊中的貼合面的基于IS08296:1987(JIS Κ6768:1999)的濕潤張力在40mN/mW下時，實施電暈處理W使?jié)?潤張力在40mN/n擬上。
[0309] <粘接層〉
[0310] 作為在將各膜貼合的干式層疊工序中使用的粘接劑，使用了 W下的氨基甲酸醋類粘接劑A。
[0311] [氨基甲酸醋類粘接劑A]
[0312] 主劑：夕リス樂シNT-258(DIC株式會社(DIC社）制）固化劑：3 口幸一b2096(日本聚氨醋工業(yè)株式會社（日本求リクレ夕シ工業(yè)社）制）。主劑和固化劑W固體成分的質量比（主劑:固化劑)為10:1的方式混合，使用乙酸乙醋作為稀釋劑。
[0313] 〔評價方法）
[0314] <厚度〉
[0315] 在接觸式厚度儀DG-525H(株式會社小野測器(小野測器社）制）上使用測定頭八八- 026( Φ 10mm SR7)，W寬度方向上距離相等的方式測定10處片料（日文：原反）的厚度，將其平均值作為厚度。
[0316] <180°C拉伸儲能模量〉
[0317] 使用動態(tài)粘彈性裝置ッリッKレ1(東洋精機株式會社（東洋精機）制），按照ISO 6721-4:1994(JIS K7244-4:1999)測定了儲能模量E'。使樣品測定尺寸為寬8mmX長20mm、頻率為10化、靜力為0.98N、動態(tài)位移為0.035%，^2°(：/分鐘的速度將溫度從20°(：升至180 °C，將18(TC的值時測定的E'作為18(TC拉伸儲能模量。
[0318] <引腳框的損傷?凹陷〉
[0319] 針對各例中制造的封裝體的引腳框，W目視確認與突起接觸的部分是否有凹陷和損傷，按W下標準進行了評價。
[0320] 0(良好）：未觀察到損傷和凹陷。
[0321] X(不良）：觀察到了損傷和凹陷。
[0322] <樹脂飛邊〉
[0323] 針對各例中制造的封裝體的引腳框，用光學顯微鏡觀察與突起接觸的部分(接觸部位），對該接觸部位拍攝照片后，用網格分割照片，由觀察到了樹脂飛邊的網格的數量求出了樹脂飛邊的發(fā)生比例（％)。其結果按照W下標準進行了評價。
[0324] 〇(良好）：10%W 下。
[0325] Δ(尚可）：30%W下且超過10%。
[0326] X(不良）：超過30%。
[0327] <脫模膜的侵入〉
[0328] 針對各例中制造的封裝體的封裝體主體，W目視確認是否有脫模膜侵入的跡象，按W下標準進行了評價。
[0329] 〇(良好）：未觀察到脫模膜的侵入。
[0330] Δ(尚可）：觀察到了若干脫模膜的侵入，引腳框和封裝體主體的界面觀察到了凹陷。
[0331 ] X (不良）：脫模膜完全侵入封裝體主體，未能脫模。
[0332] [例1]
[0333] (脫模膜的制造）
[0334] 在PBT膜（1)的Ra為0.1的面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋類粘接劑 A，通過干式層疊與ETFE膜（1-2)的電暈處理面貼合，得到了脫模膜。干式層疊的條件為:基材寬度1000mm，輸送速度20m/分鐘，干燥溫度80~100°C，層疊棍溫度25°C，漉壓力3.5MPa。
[0335] (利用傳遞成形法的封裝體的制造）
[0336] 將具有500個〇5mm的圓形形狀的凸部的上模具和安裝固定了引腳框的下模具在 18(TC下加熱進行準備，將脫模膜設置于上模具之后，通過真空累將上模具和脫模膜之間的空氣抽真空排出，使脫模膜吸附于上模具。之后，移動下模具來進行緊固，直至上模具的凸部和引腳框的所要露出的部分通過脫模膜接觸，使樹脂進行了流動。藉此，在上模具和下模具之間的空間填充了樹脂并使之固化，從而形成封裝體主體，得到了由引腳框和封裝體主體構成的封裝體。該封裝體具有500個Φ 5mm的圓形形狀的凹部，引腳框的一部分在凹部的底面露出。另外，樹脂的注塑壓力是在各個脫模膜中轉印中空封裝體的形狀所需的最小注塑壓力，緊固壓力是使樹脂飛邊減少的最小壓力。作為樹脂，使用了スミ3シEME G770H型F ver.GR(住友電木株式會社(住友八一夕弓王)制）。
[0337] [例2~6、8]
[0338] 除了選定材料W形成表1的膜的構成之外，與例1同樣地得到了脫模膜。
[0339] 使用所得的脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[0340] [例7]
[0341] 在PBT膜（1)的Ra為0.1的面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋類粘接劑 A，W與PET膜（1-1)層疊的狀態(tài)與ETFE膜（1-5)的電暈處理面貼合，將PET膜（1-1)剝離而得到了脫模膜。
[0342] 使用所得的脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[0；343][例9]
[0344] 在PET膜（1)的單面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋類粘接劑A，與ETFE 膜（1-2)的電暈處理面進行了貼合。進一步在相反面也同樣地貼合了 ETFE膜（1-2)，得到了脫模膜。
[0345] 使用所得的脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[0；346][例10 ~14]
[0347] 除了選定材料W形成表2的膜的構成之外，與例9同樣地得到了脫模膜。
[0348] 使用所得的脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[0349] [例15]
[0350] 使用Ε??Ε膜（1-4)作為脫模膜。
[0351] 使用該脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[03W][例 16]
[0353] 使用Ρ??Ε膜(1)作為脫模膜。
[0354] 使用該脫模膜與例1同樣地制造了封裝體。
[03對[例17]
[0356] 不使用脫模膜，與例1同樣地制造了封裝體。
[0357] [例18]
[0358] 通過蝕刻等對具有與封裝體下面部的高度相同的厚度的平坦形狀的PTFE膜進行加工，在與封裝體下面部對應的位置使凸部殘留，藉此得到了脫模膜(凸部形成脫模膜）。
[0359] 使用不具有凸部的上模具，W與所得脫模膜的凸部和引腳框接觸的例1同樣的方式制造了封裝體。
[0360] 例1~16和18的脫模膜的膜構成、第二層的18(TC拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι) 之積(18(TC拉伸儲能模量X厚度）、第一層和第Ξ層的18(TC拉伸儲能模量、評價結果（引腳框的損傷?凹陷、樹脂飛邊、脫模膜侵入)示于表1~3。
[0361] [表1]
[0362]
[0363] [表 2]
[0364]
[0365] [表 3]
[0366]
[0367] 如上述結果所示，例1~16中，未觀察到引腳框的損傷和凹陷，也充分防止了樹脂飛邊。另外，也防止了脫模膜對封裝體主體的侵入。另一方面，未使用脫模膜且上模具的凸部與引腳框直接接觸的例17中，所得的封裝體的引腳框中觀察到了損傷和凹陷，還存在大量的樹脂飛邊。
[0368] 使用了一體形成有凸部的脫模膜的例18中，脫模膜侵入的評價中脫模膜完全侵入了封裝體主體，封裝體無法脫模。
[0369] 例1~16中、例5、8、12、15中觀察到了若干脫模膜的侵入，例1~4、6~7、9~11、13 ~14、16在脫模膜侵入的評價中未觀察到脫模膜的侵入，結果良好。
[0370] 認為例1~4、6~7、9~11、13~14、16的結果比例5、12更為優(yōu)良的原因在于，第二層的18(TC拉伸儲能模量X厚度大于例5、12,脫模膜較硬，緊固時不易變形。
[0371] 認為例1~4、6~7、9~11、13~14、16的結果比例8更為優(yōu)良的原因在于，第一層的厚度薄于例8,緊固時第一層變形時的厚度變化率相對較小。
[0372] 認為例1~4、6~7、9~11、13~14、16的結果比例15更為優(yōu)良的原因在于，由于脫模膜具有第二層，與僅具有第一層巧TFE的單層膜)的例15相比更硬，緊固時不易變形，且第一層的厚度比例15更薄，因此變形時的厚度變化率相對較小。
[0373] 例1~16中，例7、11、16的樹脂飛邊發(fā)生比例在30% W下且超過10%，例1~6、8~ 10、12~15(8、10、13~14、12、15)中，樹脂飛邊發(fā)生比例在10% W下。
[0374] 認為例1~6、8~10、12~15的結果比例7更為優(yōu)良的原因在于，第一層的厚度比例 7更厚，緊固時存在容易變形的傾向。
[03巧]認為例1~6、8~10、12~15的結果比例11更為優(yōu)良的原因在于，第二層的18(TC拉伸儲能模量X厚度小于例11，脫模膜相對柔軟，緊固時存在容易變形的傾向。
[0376] 認為例1~6、8~10、12~15的結果比例16更為優(yōu)良的原因在于，與接觸部位接觸的第一層比PTFE膜更為柔軟，因此在緊固時脫模膜容易變形，存在脫模膜與接觸部位的密合性變高的傾向。
[0377] 由W上結果可確認，作為上述封裝體的制造時使用的脫模膜，特別優(yōu)選如例1~4、 6、9~10、13~14中所用的具備180°C時的拉伸儲能模量為10~50M化且厚度為5~12皿的第一層、180°C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(皿)之積為3000~8000的第二層的脫模膜。
[0378] 產業(yè)上利用的可能性
[0379] 本發(fā)明的半導體元件安裝用封裝體的制造方法作為搭載固體攝像元件、MEMS等半導體元件、特別是中空結構的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，可在廣泛的領域內使用。
[0380] 另外，運里引用2014年3月7日提出申請的日本專利申請2014-045466號的說明書、權利要求書、附圖和摘要的全部內容作為本發(fā)明的說明書的掲示。
[0381] 符號說明
[0382 ] 1脫模膜、2第一層、2a表面、3第二層、3a表面、5脫模膜、6第一層、6a表面、7第二層、 8第Ξ層、8a表面、10基材、10a安裝面、10A基材、12封裝體主體、12A固化物、14凹部、16基材、 16a內引腳、1化外引腳、16c墊料片、18封裝體主體、18a框狀部、18b底部、19固化物、20凹部、 30脫模膜、40固化性樹脂、50上模具、52下模具、54型腔、56凸部、58基材設置部、60樹脂導入部、62樹脂配置部、64柱塞、110半導體元件安裝用封裝體、120半導體元件安裝用封裝體、 200凸部、202上模具、204下模具、206引腳框、208樹脂、210脫模膜、212凸部、214攔截體。
【主權項】
1. 半導體元件安裝用封裝體的制造方法，它是使用具備上模具和下模具的模具來制造具備具有用于安裝半導體元件的安裝面的基材和具有由固化性樹脂的固化物構成并圍住所述安裝面的框狀部的封裝體主體、且由所述安裝面和所述封裝體主體形成了凹部的半導體元件安裝用封裝體的方法，其特征在于，包括在具有形狀與所述凹部對應的凸部的上模具中配置整體厚度大致一定的脫模膜、在下模具中配置所述基材、將所述上模具和所述下模具合模來使所述凸部和所述基材的所述安裝面通過所述脫模膜密合的工序，和在形成于所述上模具和所述下模具之間的空間內充滿固化性樹脂并使所述固化性樹脂固化的工序，和使所述固化性樹脂的固化物與所述基材同時從所述模具脫模的工序。2. 如權利要求1所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其特征在于，所述脫模膜具有在所述固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和第二層，所述第一層的厚度為3~25μπι，且180°C時的拉伸儲能模量為10~50MPa，所述第二層在180 °C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積為2000~13000。3. 如權利要求2所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其特征在于，所述第一層的厚度為5~12μηι，所述第二層在180 °C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積為3000~8000。4. 如權利要求2或3所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法，其特征在于，所述脫模膜還具有在所述固化性樹脂的固化時與模具接觸的第三層，所述第三層的厚度為3~25μπι，且25°C時的拉伸儲能模量相對于第一層在25°C時的拉伸儲能模量之比（第三層在25°C時的拉伸儲能模量/第一層在25°C時的拉伸儲能模量)為 0 · 5~2〇5. 脫模膜，它是用于權利要求1所述的半導體元件安裝用封裝體的制造方法的脫模膜，其特征在于，具有在所述固化性樹脂的固化時與固化性樹脂接觸的第一層、和第二層，所述第一層的厚度為3~25μπι，且180°C時的拉伸儲能模量為10~50MPa，所述第二層在180 °C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積為2000~13000。6. 如權利要求5所述的脫模膜，其特征在于，所述第一層的厚度為5~12μπι，所述第二層在180 °C時的拉伸儲能模量(MPa)與厚度(μπι)之積為3000~8000。7. 如權利要求5或6所述的脫模膜，其特征在于，還具有在所述固化性樹脂的固化時與模具接觸的第三層，該第三層的厚度為3~25μπι，且25°C時的拉伸儲能模量相對于第一層在25°C時的拉伸儲能模量之比（第三層在25°C時的拉伸儲能模量/第一層在25°C時的拉伸儲能模量)為0.5 ~2〇8. 如權利要求5~7中任一項所述的脫模膜，其特征在于，構成所述第一層的樹脂是選自氟樹脂、聚苯乙烯、和熔點在200°C以上的聚烯烴中的至少一種。9. 如權利要求5~8中任一項所述的脫模膜，其特征在于，構成所述第二層的樹脂是選自非拉伸聚酰胺、雙軸拉伸聚酰胺、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、和易成形聚對苯二甲酸乙二醇酯中的至少一種。10.如權利要求5~9中任一項所述的脫模膜，其特征在于，構成所述第三層的樹脂是選自氟樹脂、氟樹脂、丙烯酸橡膠、熱固化性有機硅、聚酯、聚酰胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物和熔點在200°C以上的聚烯烴中的至少一種。
【文檔編號】B29C45/14GK106062947SQ201580012262
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年3月6日公開號201580012262.2, CN 106062947 A, CN 106062947A, CN 201580012262, CN-A-106062947, CN106062947 A, CN106062947A, CN201580012262, CN201580012262.2, PCT/2015/56733, PCT/JP/15/056733, PCT/JP/15/56733, PCT/JP/2015/056733, PCT/JP/2015/56733, PCT/JP15/056733, PCT/JP15/56733, PCT/JP15056733, PCT/JP1556733, PCT/JP2015/056733, PCT/JP2015/56733, PCT/JP2015056733, PCT/JP201556733
【發(fā)明人】笠井涉
【申請人】旭硝子株式會社

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