芯片級封裝led的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種芯片級封裝LED，包括LED芯片，在LED芯片的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠；LED芯片包括芯片本體和電極，在電極上設(shè)有延伸電極，延伸電極的面積大于電極的面積，在芯片本體的下方設(shè)有白膠層。本實(shí)用新型組裝方便、可靠，提高了電連接的可靠性，有效的防止了錫膏上爬，防止出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，提高了反射率，從而提高了出光率。
【專利說明】
芯片級封裝LED
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片級封裝LED。
【背景技術(shù)】
[0002]LED的傳統(tǒng)封裝是先將芯片固定到基板上，然后在基板上對芯片實(shí)現(xiàn)封裝工藝，采用這種封裝工藝形成的LED器件，一方面，在封裝過程中，芯片可能會出現(xiàn)移動的現(xiàn)象，造成芯片封裝的位置精度不高，而且還會影響到芯片與基板的導(dǎo)電性能，另一方面，封裝膠的厚度均勻性難以控制，對出光也有一定的影響。對于在同一基板上封裝了多個芯片的LED器件，如COB光源等，一旦封裝完成，被封裝的芯片被確定，假如出現(xiàn)芯片一致性不好或是某些芯片被損壞的現(xiàn)象，則會影響出光的一致性和出光效率以及光色，在這個情況下，如需要更換芯片，操作起來非常的困難。
[0003]后來，隨著倒裝芯片的出現(xiàn)，人們開始研究芯片級封裝(CSP)技術(shù)，即在將芯片安裝到基板上之前在芯片上進(jìn)行封裝。目前，這種封裝技術(shù)形成的封裝級芯片，體積最小、重量輕、電性能好。
[0004]現(xiàn)有不帶基板的單個CSP的制作工藝是:首先在機(jī)臺上鋪設(shè)薄膜，然后在薄膜上放置多個芯片，接著在薄膜上封裝熒光膠，并讓熒光膠固化，讓熒光膠包覆在除底面以外的芯片上，然后將上述成型芯片群切割成單顆的CSP。
[0005]芯片級封裝結(jié)構(gòu)一般是針對倒裝晶片，在固定芯片級封裝結(jié)構(gòu)時，利用倒裝晶片本身的電極與基板的焊盤電性連接，而由于倒裝晶片本身的電極面積小，因此，不方便固定芯片級封裝結(jié)構(gòu)，而且電連接性能不可靠；另外，在焊接過程中，由于電極的側(cè)面與倒裝晶片本體的側(cè)面基本平齊，因此，錫膏很容易沿著電極上爬到倒裝晶片本體上，容易出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了組裝方便、可靠，為了提高電連接的可靠性，為了有效的防止錫膏上爬，防止出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，本實(shí)用新型提供了一種芯片級封裝LED。
[0007]為達(dá)到上述目的，芯片級封裝LED，包括LED芯片，在LED芯片的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠；LED芯片包括芯片本體和電極，在電極上設(shè)有延伸電極，延伸電極的面積大于電極的面積。
[0008]上述芯片級封裝LED，由于延伸電極的面積大于電極的面積，使得該芯片級封裝LED與基板等連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極的下方設(shè)置了延伸電極，而且面積相對較大，因此，焊接的錫膏不容易上爬到芯片本體上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。
[0009]進(jìn)一步地，在芯片本體的下方設(shè)有白膠層，由于在芯片本體的下方成型了白膠層，白膠層的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED安裝后，倒裝晶片本體向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到黑色基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到黑色基本上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0010]進(jìn)一步的，延伸電極的外端凸出電極。能可靠的避免錫膏上爬到電極和倒裝晶片本體上。
[0011]進(jìn)一步的，白膠層高于延伸電極的底面。當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板上后，白膠層與基板之間有間隙。因此，即使白膠層具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極與基板的緊密接觸，另外，如果白膠層受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極與基板焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極與基板之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板的連接更加的牢固。
[0012]進(jìn)一步的，所述的封裝膠為熒光膠。使得該芯片級封裝LED五面出光。
[0013]進(jìn)一步的，熒光膠的底面高于電極的底面。
[0014]進(jìn)一步的，所述的封裝膠包括擋光膠和熒光膠;在芯片本體的兩相對側(cè)設(shè)有擋光膠，在芯片本體的另外兩相對側(cè)和頂面上設(shè)有熒光膠。由于兩相對側(cè)面設(shè)置了擋光膠，因此，該結(jié)構(gòu)的芯片級封裝LED只有兩相對側(cè)面和頂面三面出光，LED芯片側(cè)面的出光角度大，因此，使得具有熒光膠的兩側(cè)面的出光角度大，再加上擋光膠對光具有反射作用，通過擋光膠能將其中兩相對側(cè)面的光反射出去，使得三面出光更加均勻，在具有熒光膠的兩側(cè)暗區(qū)范圍明顯減小，也提高了光的利用率。
[0015]進(jìn)一步的，在芯片本體與擋光膠之間設(shè)有熒光膠。使得LED芯片側(cè)面發(fā)出的光激發(fā)擋光膠與LED芯片之間的熒光膠產(chǎn)生的光被擋光膠反射出光，進(jìn)而提升出光效率。
[0016]進(jìn)一步的，所述的封裝膠包括擋光膠和熒光膠;在芯片本體的四周設(shè)有擋光膠，在芯片本體的頂面上設(shè)有熒光膠。通過擋光膠將光反射出去，該結(jié)構(gòu)為單面出光，提高了出光效率。
[0017]進(jìn)一步的，所述的LED芯片為倒裝晶片或正裝芯片。
【附圖說明】
[0018]圖1為實(shí)施例1芯片級封裝LED的示意圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。圖3為延伸電極金屬層的示意圖。圖4為將實(shí)施例1中的芯片級封裝LED安裝到基板上的示意圖。圖5為實(shí)施例1白膠高于延伸電極的芯片級封裝LED的示意圖。圖6為將實(shí)施例1白膠高于延伸電極的芯片級封裝LED安裝到基板上的示意圖。圖7為實(shí)施例1在中間未填充白膠的芯片級封裝LED。圖8為實(shí)施例2芯片級封裝LED的示意圖。圖9為實(shí)施例2白膠層高于延伸電極的芯片級封裝LED的示意圖。圖10為圖12中B-B芯片級封裝LED三面出光示意圖。圖11為圖12中C-C剖視圖。圖12為圖10中的D-D剖視圖。圖13為三面出光的熒光膠覆蓋在擋光膠上的芯片級封裝LED的示意圖。圖14為三面出光的熒光膠覆蓋在部分擋光膠上的芯片級封裝LED的示意圖。圖15為三面出光的熒光膠包裹住倒裝晶片的芯片級封裝LED的示意圖。圖16為三面出光的封裝膠高于電極底面的芯片級封裝LED的示意圖。圖17為圖16E-E的剖視圖。圖18為芯片級封裝LED單面出光圖。圖19為圖20中G-G剖視圖。圖20為圖17中的H-H剖視圖。圖21為單面出光熒光膠全部覆蓋擋光膠頂面的芯片級封裝LED。圖22為單面出光熒光膠部分覆蓋擋光膠頂面的芯片級封裝LED。圖23為單面出光在倒裝晶片全部包裹熒光膠的示意圖。圖24為單面出光封裝膠高于電極底面的芯片級封裝LED的示意圖。圖25為圖24中1-1剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0020]芯片級封裝LED包括LED芯片，在LED芯片的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠；LED芯片包括芯片本體和電極，在電極上設(shè)有延伸電極，延伸電極的面積大于電極的面積，在芯片本體的下方設(shè)有白膠層。所述的LED芯片為倒裝晶片或正裝芯片。在以下的實(shí)施例中，以倒裝晶片為例來說明。
[0021]實(shí)施例1。
[0022]如圖1和圖2所示，芯片級封裝LED100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0023]在倒裝晶片I的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠為熒光膠;封裝膠2的底面與電極12的底面平齊。
[0024]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0025]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0026]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。
[0027]在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及延伸電極外填充有白膠形成白膠層4。
[0028]如圖4所示，將上述芯片級封裝LED安裝基板10上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板10連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0029]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板10上后，白膠層4與基板10之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板10的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板10連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板10焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板10之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板10的連接更加的牢固。
[0030]在涂白膠時，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
[0031]實(shí)施例2。
[0032]如圖8所示，芯片級封裝LED100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0033]在倒裝晶片I的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠為熒光膠;封裝膠2的底面高于電極12的底面。
[0034]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0035]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0036]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。
[0037]如圖8所示，在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及封裝膠底面填充有白膠形成白膠層4。
[0038]將上述芯片級封裝LED安裝基板10上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板10連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0039]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板10上后，白膠層4與基板10之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板10的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板10連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板10焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板10之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板10的連接更加的牢固。
[0040]在涂白膠時，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
[0041 ] 實(shí)施例3。
[0042]如圖10至圖12所示，芯片級封裝LED 100三面出光，芯片級封裝LED 100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0043]在倒裝晶片I的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠包括擋光膠2a和熒光膠2b。倒裝晶片I的兩相對側(cè)面封裝有擋光膠2a，擋光膠為白膠，這種擋光膠吸光少，而且對光具有反射作用。倒裝晶片I的另外兩相對側(cè)面和頂面上封裝有熒光膠2b;擋光膠2a的底面與電極的底面平齊，熒光膠2b的底面與電極12的底面平齊。
[0044]如圖11所示，擋光膠2a的頂面與頂面的熒光膠2b平齊。避免因擋光膠2a高于熒光膠而影響出光角度。
[0045]作為另一種結(jié)構(gòu)，如圖13所示，頂面的熒光膠2b可全部覆蓋在倒裝晶片和擋光膠2a上。
[0046]作為改進(jìn)，如圖14所示，擋光膠2a的頂面與倒裝晶片本體11的頂面平齊，頂面的熒光膠蓋住擋光膠2a的一部分，減小在擋光膠2a的上方出現(xiàn)黃光。
[0047]作為改進(jìn)，如圖15所示，在倒裝晶片的側(cè)面和頂面封裝有熒光膠2b，在兩相對側(cè)面且位于熒光膠外設(shè)有擋光膠2a，由于倒裝晶片I與擋光膠2a之間也設(shè)有封裝膠2b，從而能使得倒裝晶片側(cè)面發(fā)出的光激發(fā)封裝膠產(chǎn)生的光被擋光膠反射出光，進(jìn)而提升出光效率。
[0048]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0049]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0050]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。[0051 ]在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及延伸電極外填充有白膠形成白膠層4。白膠層可以高于延伸電極3的底面。
[0052]在本實(shí)施例中，由于兩相對側(cè)面設(shè)置了擋光膠2a，因此，該結(jié)構(gòu)的芯片級封裝LED只有兩相對側(cè)面和頂面三面出光，倒裝晶片I側(cè)面的出光角度大，因此，使得具有熒光膠的兩側(cè)面的出光角度大，再加上擋光膠2a對光具有反射作用，通過擋光膠2a能將其中兩相對側(cè)面的光反射出去，使得三面出光更加均勻，在具有熒光膠的兩側(cè)暗區(qū)范圍明顯減小，也提高了光的利用率。
[0053]將上述芯片級封裝LED安裝基板上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0054]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板上后，白膠層4與基板之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板的連接更加的牢固。
[0055]在本實(shí)施例中，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
[0056]實(shí)施例4。
[0057]如圖16和圖17所示，芯片級封裝LED三面出光，芯片級封裝LED 100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0058]在倒裝晶片本體11的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠包括擋光膠2a和熒光膠2b ο倒裝晶片本體11的兩相對側(cè)面封裝有擋光膠2a，擋光膠為白膠，這種擋光膠吸光少，而且對光具有反射作用。倒裝晶片本體11的另外兩相對側(cè)面和頂面上封裝有熒光膠2b;擋光膠2a的底面高于電極的底面，熒光膠2b的底面高于電極12的底面。
[0059]如圖17所示，擋光膠2a的頂面與頂面的熒光膠2b平齊。避免因擋光膠2a高于熒光膠而影響出光角度。
[0060]作為另一種結(jié)構(gòu)，頂面的熒光膠2b可全部覆蓋在倒裝晶片和擋光膠2a上。
[0061]作為改進(jìn)，擋光膠2a的頂面與倒裝晶片本體11的頂面平齊，頂面的熒光膠蓋住擋光膠2a的一部分，減小在擋光膠2a的上方出現(xiàn)黃光。
[0062]作為改進(jìn)，在倒裝晶片的側(cè)面和頂面封裝有熒光膠2b，在兩相對側(cè)面且位于熒光膠外設(shè)有擋光膠2a，由于倒裝晶片I與擋光膠2a之間也設(shè)有封裝膠2b，從而能使得倒裝晶片側(cè)面發(fā)出的光激發(fā)封裝膠產(chǎn)生的光被擋光膠反射出光，進(jìn)而提升出光效率。
[0063]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0064]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0065]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。
[0066]在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及延伸電極外填充有白膠形成白膠層4。白膠層可以高于延伸電極的底面。
[0067]在本實(shí)施例中，由于兩相對側(cè)面設(shè)置了擋光膠2a，因此，該結(jié)構(gòu)的芯片級封裝LED只有兩相對側(cè)面和頂面三面出光，倒裝晶片I側(cè)面的出光角度大，因此，使得具有熒光膠的兩側(cè)面的出光角度大，再加上擋光膠2a對光具有反射作用，通過擋光膠2a能將其中兩相對側(cè)面的光反射出去，使得三面出光更加均勻，在具有熒光膠的兩側(cè)暗區(qū)范圍明顯減小，也提高了光的利用率。
[0068]將上述芯片級封裝LED安裝基板上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0069]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板上后，白膠層4與基板之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板的連接更加的牢固。
[0070]在本實(shí)施例中，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
[0071]實(shí)施例5。
[0072]如圖18至圖20所示，芯片級封裝LED 100單面出光，芯片級封裝LED 100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0073]在倒裝晶片I的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠包括擋光膠2a和熒光膠2b。倒裝晶片I的四周封裝有擋光膠2a，擋光膠為白膠，這種擋光膠吸光少，而且對光具有反射作用。倒裝晶片I的頂面上封裝有熒光膠2b;擋光膠2a的底面與電極的底面平齊。
[0074]如圖18所示，擋光膠2a的頂面與頂面的熒光膠2b平齊。避免因擋光膠2a高于熒光膠而影響出光角度。
[0075]作為另一種結(jié)構(gòu)，如圖21所示，頂面的熒光膠2b可全部覆蓋在倒裝晶片和擋光膠2a上。
[0076]作為改進(jìn)，如圖22所示，擋光膠2a的頂面與倒裝晶片本體11的頂面平齊，頂面的熒光膠蓋住擋光膠2a的一部分，減小在擋光膠2a的上方出現(xiàn)黃光。
[0077]作為改進(jìn)，如圖23所示，在倒裝晶片的側(cè)面和頂面封裝有熒光膠2b，在側(cè)面且位于熒光膠外設(shè)有擋光膠2a，由于倒裝晶片I與擋光膠2a之間也設(shè)有封裝膠2b，從而能使得倒裝晶片側(cè)面發(fā)出的光激發(fā)封裝膠產(chǎn)生的光被擋光膠反射出光，進(jìn)而提升出光效率。
[0078]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0079]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0080]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。[0081 ]在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及延伸電極外填充有白膠形成白膠層4。白膠層可以高于延伸電極的底面。
[0082]在本實(shí)施例中，由于四周設(shè)置了擋光膠2a，因此，該結(jié)構(gòu)的芯片級封裝LED只有頂面出光，再加上擋光膠2a對光具有反射作用，通過擋光膠2a能將四周的光反射出去，提高了光的利用率。
[0083]將上述芯片級封裝LED安裝基板上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0084]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板上后，白膠層4與基板之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板的連接更加的牢固。
[0085]在本實(shí)施例中，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
[0086]實(shí)施例6。
[0087]如圖24和圖25所示，芯片級封裝LED 100單面出光，芯片級封裝LED 100包括倒裝晶片I，倒裝晶片I包括倒裝晶片本體11和設(shè)在倒裝晶片本體11底部的電極12，所述的電極包括正電極和負(fù)電極。
[0088]在倒裝晶片本體11的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠2，所述的封裝膠包括擋光膠2a和熒光膠2b。倒裝晶片本體11的四周封裝有擋光膠2a，擋光膠為白膠，這種擋光膠吸光少，而且對光具有反射作用。倒裝晶片本體11的頂面上封裝有熒光膠2b;擋光膠2a的底面高于電極的底面。
[0089]如圖24所示，擋光膠2a的頂面與頂面的熒光膠2b平齊。避免因擋光膠2a高于熒光膠而影響出光角度。
[0090]作為另一種結(jié)構(gòu)，頂面的熒光膠2b可全部覆蓋在倒裝晶片和擋光膠2a上。
[0091]作為改進(jìn)，擋光膠2a的頂面與倒裝晶片本體11的頂面平齊，頂面的熒光膠蓋住擋光膠2a的一部分，減小在擋光膠2a的上方出現(xiàn)黃光。
[0092]作為改進(jìn)，在倒裝晶片的側(cè)面和頂面封裝有熒光膠2b，在四周且位于熒光膠外設(shè)有擋光膠2a，由于倒裝晶片I與擋光膠2a之間也設(shè)有封裝膠2b，從而能使得倒裝晶片側(cè)面發(fā)出的光激發(fā)封裝膠產(chǎn)生的光被擋光膠反射出光，進(jìn)而提升出光效率。
[0093]在電極12的底部設(shè)有延伸電極3，延伸電極3的外端凸出電極12，延伸電極3的面積大于電極12的面積，在本實(shí)用新型中，所記載的面積為正投影面積。
[0094]在本實(shí)施例中，延伸電極包括正延伸電極和負(fù)延伸電極，正延伸電極連接在正電極的底面上，負(fù)延伸電極連接在負(fù)電極的底面上，正延伸電極的面積大于正電極的面積，正延伸電極的外端凸出正電極，負(fù)延伸電極的面積大于負(fù)電極的面積，負(fù)延伸電極的外端凸出負(fù)電極。
[0095]如圖3所示，所述的延伸電極3包括依次連接的鈦層31、鎳層32和銅層33，鈦層31與電極連接，一般電極為金，而銅與金的連接性能欠佳，為了讓金與銅更好的連接，連接牢固，在電極12與銅層33之間形成了鈦層31和鎳層32，而且鈦層31和鎳層32能起到緩沖作用。
[0096]在倒裝晶片本體11的下方設(shè)有白膠層4，在本實(shí)施例中，在正電極和負(fù)電極之間以及延伸電極外填充有白膠形成白膠層4。白膠層可以高于延伸電極的底面。
[0097]將上述芯片級封裝LED安裝基板上后，由于延伸電極3的面積大于電極12的面積，使得該芯片級封裝LED 100與基板連接時，電連接的面積大，因此，方便固定本實(shí)用新型的芯片級封裝LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且電連接性也好。由于在電極12的下方成型了延伸電極3，而且面積相對較大，延伸電極3的外端凸出電極12，因此，焊接的錫膏不容易上爬到倒裝晶片本體11上，避免出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。由于成型了白膠層4，白膠層4的反射率高，當(dāng)芯片級封裝LED 100安裝后，倒裝晶片本體11向下的大部分光被白膠反射出去，因此，出光率高。經(jīng)試驗(yàn)，將本實(shí)用新型的芯片級封裝LED固定到基板上和將普通的CSP封裝結(jié)構(gòu)固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0098]如果白膠層4高于延伸電極3的底面，當(dāng)芯片級封裝LED安裝到基板上后，白膠層4與基板之間有間隙。因此，即使白膠層4具有向下的毛刺，也不會影響延伸電極3與基板的緊密接觸，另外，如果白膠層4受熱膨脹，白膠層下方也給予其膨脹的空間，因此，減小芯片級封裝LED與基板連接的空洞率，解決了由于白膠層切割存在毛刺以及延伸電極3與基板焊接過程中受熱導(dǎo)致延伸電極3與基板之間電連接不可靠的問題，使得芯片級封裝LED與基板的連接更加的牢固。
[0099]在本實(shí)施例中，可以在同一倒裝晶片的正負(fù)電極之間不填充白膠。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.芯片級封裝LED，包括LED芯片，在LED芯片的側(cè)面和頂面封裝有封裝膠;其特征在于:LED芯片包括芯片本體和電極，在電極上設(shè)有延伸電極，延伸電極的面積大于電極的面積，在芯片本體的下方設(shè)有白膠層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于:延伸電極的外端凸出電極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片級封裝LED，其特征在于:白膠層高于延伸電極的底面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于:所述的封裝膠為熒光膠。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片級封裝LED，其特征在于:熒光膠的底面高于電極的底面。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于:所述的封裝膠包括擋光膠和熒光膠;在芯片本體的兩相對側(cè)設(shè)有擋光膠，在芯片本體的另外兩相對側(cè)和頂面上設(shè)有熒光膠。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片級封裝LED，其特征在于:在芯片本體與擋光膠之間設(shè)有熒光膠。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于:所述的封裝膠包括擋光膠和熒光膠;在芯片本體的四周設(shè)有擋光膠，在芯片本體的頂面上設(shè)有熒光膠。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于:所述的LED芯片為倒裝芯片或正裝芯片。
【文檔編號】H01L33/38GK205595364SQ201521121354
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2015年12月31日
【發(fā)明人】熊毅, 郭生樹, 吳瑤, 呂天剛, 王躍飛
【申請人】廣州市鴻利光電股份有限公司