一種用于x射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括：至少一碳纖維板；至少一通過(guò)形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，至少一形成于所述高分子膜層表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層的厚度為3~10微米。本實(shí)用新型用于解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽防護(hù)能力不足的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種解決X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。【背景技術(shù)】
[0002]在X線攝影中，數(shù)字化X線影像同普通X線影像相比具有圖像分辨率高、灰階度廣、 圖像信息量大，有助于提高診斷準(zhǔn)確率。數(shù)字化攝片(Digital Rad1graphy，DR)中，X線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)是通過(guò)平板探測(cè)器(Flat Plane Detector，F(xiàn)PD)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，所以平板探測(cè)器的特性會(huì)對(duì)DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。
[0003]自然界，生活工作環(huán)境中，存在各種頻段的電磁波，會(huì)對(duì)電路中傳輸?shù)男盘?hào)產(chǎn)生干擾，形成噪聲。目前的DR設(shè)備自動(dòng)化程度高，各種轉(zhuǎn)動(dòng)部分所使用的電機(jī)都會(huì)產(chǎn)生電磁干擾，其中，平板探測(cè)器TFT電路正面的電磁干擾防護(hù)能力比較薄弱，在磁場(chǎng)干擾下，DR圖像質(zhì)量會(huì)產(chǎn)生比較大的影響，從而影響客戶體驗(yàn)。
[0004]為了解決電磁干擾問(wèn)題，多數(shù)廠家在平板探測(cè)器TFT電路正面會(huì)進(jìn)行電磁屏蔽設(shè)計(jì)，比如添加鋁薄膜。但是鋁薄膜對(duì)電場(chǎng)的屏蔽較好，對(duì)于磁場(chǎng)的干擾屏蔽效果一般?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽防護(hù)能力不足的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括:至少一碳纖維板;至少一通過(guò)形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層， 至少一形成于所述高分子膜層表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層的厚度為3?10微米。
[0007]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽層的材料為坡莫合金。
[0008]優(yōu)選地，至少一通過(guò)膠粘劑形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，所述膠粘劑為壓敏膠或AB膠。
[0009]優(yōu)選地，所述高分子膜層的材料為PET或PP。
[0010]優(yōu)選地，所述高分子膜層厚度為45?55微米。[〇〇11]優(yōu)選地，所述用于形成高分子膜層的高分子膜寬度為500?550微米。[〇〇12] 優(yōu)選地，所述高分子膜表面磁控濺射的面積為500X500微米。
[0013]本實(shí)用新型還提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法包括: 提供至少一碳纖維板;于所述碳纖維板表面形成至少一高分子膜層;于所述高分子膜層表面形成至少一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層的厚度為3?10微米。
[0014]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽層采用磁控濺射的方式形成。
[0015]優(yōu)選地，所述高分子膜層通過(guò)膠粘劑形成于所述碳纖維板表面。
[0016]如上所述，本實(shí)用新型的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果:
[0017]1)本實(shí)用新型提高了平板探測(cè)器中場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)電路正面的抗電磁干擾能力。
[0018]2)解決了大面積薄膜材料的成型和加工問(wèn)題，解決薄膜材料支撐體強(qiáng)度和韌性。
[0019]3)適當(dāng)?shù)碾姶牌帘螌雍穸仍诰哂须姶牌帘蔚男Ч耐瑫r(shí)，也盡可能減少了對(duì)X射線的吸收。
[0020]4)成本增加有限，可以使圖像質(zhì)量好，提升公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力?！靖綀D說(shuō)明】
[0021]圖1顯示為本實(shí)用新型的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0022]圖2顯示為本實(shí)用新型的一種具有電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的X射線平板探測(cè)器的示意圖。[〇〇23]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明[〇〇24] 0平板區(qū)域標(biāo)識(shí)板[〇〇25]1碳纖維板[〇〇26]2高分子膜層[〇〇27]3電磁屏蔽層
[0028]4閃爍體層
[0029] 5TFT非晶硅面板[〇〇3〇]6金屬結(jié)構(gòu)件
[0031]7電路板[〇〇32]8金屬機(jī)殼【具體實(shí)施方式】
[0033]以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0034]請(qǐng)參閱圖1至圖2。須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、 “右”、“中間”及“一”等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。[〇〇35] 實(shí)施例一
[0036]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括:
[0037]至少一碳纖維板1;至少一通過(guò)形成于碳纖維板1表面的高分子膜層2,至少一形成于所述高分子膜層2表面的電磁屏蔽層3,所述電磁屏蔽層3的厚度為3?10微米;至少一通過(guò)膠粘劑形成于碳纖維板1表面的高分子膜層2。其中，本實(shí)施中的電磁屏蔽層3的厚度為5 微米，既避免屏蔽膜對(duì)X射線的大量吸收，也可以起到一定的電磁屏蔽效果。
[0038]其中，所述電磁屏蔽層3采用磁控濺射的方式形成于高分子膜層2表面。具體的，采用用磁控濺射方式，在PET或PP或其它高分子薄膜上沉積一層3?10微米左右的電磁屏蔽層 3。磁控濺射是一種制備薄膜的方法，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。[〇〇39]其中，用于形成高分子膜層2的高分子膜厚度為45?55微米，寬度為500?550毫米，比高分子膜表面磁控濺射的面積大，形成的高分子膜層2厚度與高分子膜厚度一致。所述高分子膜層的材料為PET，PP或其它柔韌性好的高分子薄膜材料。本實(shí)施例中的高分子膜層可對(duì)20微米以內(nèi)的電磁屏蔽層提供好的韌性和支撐，而且易加工和復(fù)合在剛性襯底上。 其他實(shí)施例中也可以使用其他高分子薄膜材料。
[0040]本實(shí)施例中，用于形成高分子膜層2的高分子膜厚度為50微米，寬度為550毫米。高分子膜表面磁控濺射的面積為500mmX500mm。高分子膜表面磁控濺射的面積比產(chǎn)品所需要的尺寸大，便于之后根據(jù)產(chǎn)品尺寸不同，按需求裁剪，然后把按需求裁剪好的具有電磁屏蔽層3的高分子膜通過(guò)膠粘劑復(fù)合到碳纖維板1表面。所述膠粘劑為壓敏膠或AB膠。其它實(shí)施例中，也可以采用其他膠粘劑或粘連方式。
[0041]其中，電磁屏蔽層3的材料為能夠防護(hù)電磁干擾的坡莫合金。本實(shí)施例中，坡莫合金指鐵鎳合金，其含鎳量的范圍很廣，在35%?90%之間。坡莫合金的最大特點(diǎn)是具有很高的弱磁場(chǎng)導(dǎo)磁率。本實(shí)施例中使用市場(chǎng)上能購(gòu)買到的坡莫合金靶材。其他實(shí)施例中，還可以使用其他具有抗電磁干擾功能的金屬作為電磁屏蔽層3,例如金屬鎳，不局限于本實(shí)施例中的材料。[〇〇42] 實(shí)施例二
[0043]如圖2所示，本實(shí)用新型提供一種具有電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的X射線平板探測(cè)器。
[0044]本實(shí)施例中的X射線平板探測(cè)器至少包括:包括金屬機(jī)殼8內(nèi)的探測(cè)器電路板7，位于該探測(cè)器電路板7上的金屬結(jié)構(gòu)件6,位于金屬結(jié)構(gòu)件6上的TFT非晶硅面板5;形成于該 TFT非晶硅面板5上表面的閃爍體層4;形成于所述閃爍體層4上的碳纖維板1，形成于所述碳纖維板1下表面的高分子膜層2及形成于高分子膜層下表面的電磁屏蔽層3;形成于所述碳纖維板1上的平板區(qū)域標(biāo)識(shí)板0。
[0045]具體的講，先在高分子膜層2上形成電磁屏蔽層3,再將具有電磁屏蔽層3的高分子膜層2通過(guò)膠粘劑復(fù)合在碳纖維板1下表面，并形成于所述閃爍體層4上。其它實(shí)施例也可以先將高分子膜層2通過(guò)膠粘劑復(fù)合在碳纖維板1下表面，再在高分子膜上形成電磁屏蔽層3。
[0046]其中，電磁屏蔽層3可以使用下面的方法獲得:使用真空鍍膜的方式在高分子膜上鍍上厚度3?10微米的電磁屏蔽層3。真空鍍膜方式，包括熱蒸發(fā)、磁控濺射、電子槍等各種 PVD、CVD成膜方法。
[0047]其他實(shí)施例中，所述電磁屏蔽層3可以包括多個(gè)電磁屏蔽層3,也可以根據(jù)需要藉由粘合材料以及多個(gè)高分子膜層2分別結(jié)合于所述碳纖維板1的上表面或者下表面。本實(shí)施例不限制電磁屏蔽層3和高分子膜層2的數(shù)量，以及放置位置和放置方式。
[0048]綜上所述，本實(shí)用新型的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:
[0049]1)本實(shí)用新型提高了平板探測(cè)器中場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)電路正面的抗電磁干擾能力。
[0050]2)解決了大面積薄膜材料的成型和加工問(wèn)題，解決薄膜材料支撐體強(qiáng)度和韌性。
[0051]3)適當(dāng)?shù)碾姶牌帘螌雍穸仍诰哂须姶牌帘蔚男Ч耐瑫r(shí)，也盡可能減少了對(duì)X射線的吸收。[〇〇52]4)成本增加有限，可以使圖像質(zhì)量好，提升公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0053]所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。 [〇〇54]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括:至少一碳纖維板；至少一通過(guò)形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，至少一形成于所述高分子膜層表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層的厚度為3?10微 米。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電 磁屏蔽層的材料為坡莫合金。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:至少一 通過(guò)膠粘劑形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，所述膠粘劑為壓敏膠或AB膠。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高 分子膜層的材料為PET或PP。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高 分子膜層厚度為45?55微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述用 于形成高分子膜層的高分子膜寬度為500?550微米。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高 分子膜表面磁控濺射的面積為500 X 500微米。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK205645812SQ201620387886
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月3日
【發(fā)明人】周作興, 程丙勛, 崔亞輝
【申請(qǐng)人】奕瑞影像科技（太倉(cāng)）有限公司