具有減小的反向恢復(fù)時間的整流器電路的制作方法
【專利摘要】公開了一種具有減小的反向恢復(fù)時間的整流器電路。一種整流器電路(20)包括MOSFET(M1(30))以及第一齊納二極管(D1(34))或仿真D1(34)的第一齊納仿真器(E1(50))。該電路(20)傳導(dǎo)從輸入(24)到輸出(26)的正向方向(22)上的電流，并且基本上阻隔反向方向上的電流。該M1(30)由接通電阻(33)來表征。D1的陰極或E1(50)的陰極接觸(56)連接至該輸入(24)，D1(34)的陽極或E1(50)的陽極接觸(54)連接至源極。該E1(50)包括互連的第一小齊納二極管(D11(62))、第一電阻器(R11(64))和第一晶體管(M11(66))以使得E1(50)仿真D1(34)并且由齊納電壓(36)表征。該齊納電壓(36)和該導(dǎo)通電阻(33)被選擇使得當(dāng)電流在正向方向(22)上流動時該體二極管(32)中的儲存電荷少于正向電荷閾值，由此減小該體二極管(32)的反向恢復(fù)時間。
【專利說明】
具有減小的反向恢復(fù)時間的整流器電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開總地涉及仿真二極管的整流器電路，更具體地涉及當(dāng)與同等尺寸的二極管相比較時具有減小的或更短的反向恢復(fù)時間的整流器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]已知使用二極管以傳導(dǎo)正向方向上的電流并且基本上阻隔反向方向上的電流。然而，在一些情況下，需要二極管功能的電路不能容許或忍受由于當(dāng)二極管的偏置從正向偏置轉(zhuǎn)換到反向偏置時的二極管的反向恢復(fù)時間造成的性能變差。需要的是一種整流器電路，提供具有減小的反向恢復(fù)時間的類似二極管功能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本文描述的是一種提供類似二極管整流的整流器電路，其反向恢復(fù)時間比可從可比較的分離或集成二極管得到的反向恢復(fù)時間更短。
[0004]根據(jù)一個實施例，提供一種整流器電路，配置為傳導(dǎo)從電路的輸入到輸出的正向方向上的電流，并且基本上阻隔從輸出到輸入的反向方向上的電流。此電路包括“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Ml)”和第一齊納(Zener) 二極管(Dl)13Ml限定柵極、漏極、源極和體二極管，該體二極管取向為允許電流從Ml的漏極流到源極。柵極連接至輸入，漏極連接至輸出，以及Ml由導(dǎo)通電阻來表征。Dl限定Dl的陽極和陰極。陰極連接至輸入，陽極連接至源極，以及Dl由齊納電壓來表征。齊納電壓和導(dǎo)通電阻被選擇使得當(dāng)電流在正向方向中流動時體二極管中的儲存電荷少于正向電荷閾值，由此減小體二極管的反向恢復(fù)時間。
[0005]在另一個實施例中，提供了一種整流器電路，配置為傳導(dǎo)從電路的輸入到輸出的正向方向上的電流，并且基本上阻隔從輸出到輸入的反向方向上的電流。此電路包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Ml)和第一齊納仿真器(El)13Ml限定柵極、漏極、源極和體二極管，該體二極管取向為允許電流從Ml的漏極流到源極。柵極連接至輸入，漏極連接至輸出，以及Ml由導(dǎo)通電阻來表征。El限定了 El的陽極接觸和陰極接觸。陰極接觸連接到輸入，并且陽極接觸連接至源極。El包括互連的第一小齊納二極管(D11)、第一電阻器(Rll)和第一晶體管(Ml I)以使得El仿真由齊納電壓表征的齊納二極管。齊納電壓和導(dǎo)通電阻被選擇使得當(dāng)電流在正向方向中流動時體二極管中的儲存電荷少于正向電荷閾值，由此減小體二極管的反向恢復(fù)時間。
[0006]在閱讀優(yōu)選實施例的下列詳細(xì)描述后，進(jìn)一步的特征和優(yōu)勢將更清楚地呈現(xiàn)出，這些優(yōu)選實施例僅作為非限定性的示例且結(jié)合附圖而給出。
【附圖說明】
[0007]現(xiàn)在將參考附圖借助示例來描述本發(fā)明，在附圖中:
[0008]圖1是根據(jù)一個實施例的具有整流器電路的高側(cè)驅(qū)動器的示意圖；以及
[0009]圖2是根據(jù)一個實施例的具有可選整流器電路的圖1的高側(cè)驅(qū)動器的示意圖。
【具體實施方式】
[0010]圖1示出用于控制施加到負(fù)載12的負(fù)載電壓(VL)的高側(cè)驅(qū)動器10的非限制性示例，在此非限制性示例中，負(fù)載12為燃料噴射器。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到高側(cè)驅(qū)動器廣泛地用于控制施加到多種負(fù)載(電動機、螺線管、加熱器元件等)的高側(cè)的電壓。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將認(rèn)識到本文描述的高側(cè)驅(qū)動器10使用所謂的自舉電路(boot-strap-circuit)以向柵極驅(qū)動器14提供自舉電壓(VBS)，此自舉電壓大于由切換裝置16控制的提供電壓(B+)。需要大于B+的電壓，從而可適當(dāng)?shù)仄没蛟鰪娗袚Q裝置16以控制VL。在此示例中，切換裝置16是N溝道MOSFET，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到對于切換裝置16可使用其他設(shè)備，例如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。作為示例而非限制，自舉電容器(CBS)的適當(dāng)值是一微法拉(Farad)(IuF)0
[0011]高側(cè)驅(qū)動器10包括整流器電路，下文中稱為電路20。通常，電路20被配置為傳導(dǎo)從電路20的輸入24到輸出26的正向方向22上的電流，并且基本上阻隔從輸出26到輸入24的反向方向上的電流，其中反向方向與正向方向22相反。如在本文中使用的，短語“基本上阻隔反向方向上的電流”意味著反向電流將總體上限于典型的半導(dǎo)體裝置泄露電流以及當(dāng)輸出26處的電壓從小于轉(zhuǎn)變?yōu)榇笥谳斎胩?4的電壓時在電路20從正向偏置轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚱闷陂g設(shè)法在反向方向上通過的電流。
[0012]本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到自舉電路的現(xiàn)有示例通常使用單個二極管或主動控制的整流器電路，而不是本文描述的電路20 ο主動控制的整流器電路在此被定義為一電路，該電路需要除了輸入24或輸出26以外的外部控制信號以主動地且故意地將整流器的工作模式設(shè)定為正向工作模式以實現(xiàn)從輸入到輸出的正向電流的傳導(dǎo)或者主動地將整流器的工作模式設(shè)置為反向工作模式以阻隔從輸出流到輸入的反向電流。然而，在此非限制性示例中，高側(cè)驅(qū)動器10包括電流源28，該電流源28例如將電流限制為二十四微安(24mA)。
[0013]電流源28的設(shè)計使得它可被反向電流損壞，如果電路20的輸入24處的電壓大于B+則會發(fā)生該反向電流。如將在下文描述的電路20的說明中變得顯而易見，當(dāng)與能夠傳導(dǎo)類似的正向與反向電流大小的尺寸相當(dāng)?shù)膯蝹€二極管或主動控制的整流器相比較時，電路20提供減小的反向恢復(fù)時間。即，如果使用單個二極管或主動控制的整流器代替本文描述的電路20，則電流源28將暴露于破壞性的反向電流的風(fēng)險更大。
[0014]電路20包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或MOSFET(Ml)，下文中稱為Ml30οΜ130限定柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和體二極管32。體二極管32(如圖)取向為允許電流從Ml的漏極(D)流到源極(S)。柵極(G)連接至輸入24，漏極(D)連接至輸出26。當(dāng)Ml 30的溝道適當(dāng)?shù)仄没蛟鰪姇r，諸如當(dāng)柵極到源極電壓在閾值電壓以上時，Ml由漏極與源極之間的導(dǎo)通電阻33來表征。導(dǎo)通電阻33通常被稱為RDS0N，此命名的最后四個字母通常是小寫字母和/或下標(biāo)。
[0015]電路20包括第一齊納二極管(Dl)，下文中稱為Dl34。如本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到，Dl 34限定或包括Dl 34的陽極(A)和陰極(C)。陰極連接至輸入24，陽極連接至Ml 30的源極。如本文中使用的，使用詞“連接”以指示直接電連接而不介入除了電線或其他低電阻導(dǎo)體以外的電部件。使用詞“耦合”以建議介入被增加在節(jié)點之間的電部件的選擇的可能性，被表征為電親合。
[0016]優(yōu)選地選擇或配置Ml30使得Ml 30的閾值電壓被最小化。即，出于將變得清楚的原因，優(yōu)選地，Ml 30被操作到接通狀態(tài)所需要的“柵極到源極”電壓被最小化。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到具有小于三伏特(3V)的閾值電壓的MOSFET是可用的。通過將MI 30操作到接通狀態(tài)，由Ml 30的導(dǎo)通電阻33表征的Ml 30的溝道區(qū)域與體二極管32并聯(lián)，使得正向電流將根據(jù)這兩個并聯(lián)路徑的電阻流過Ml 30的溝道區(qū)域并流過體二極管32。
[0017]在二極管能夠?qū)⑵涔ぷ鳡顟B(tài)從正向偏置的接通狀態(tài)改變?yōu)榉聪蚱玫臄嚅_狀態(tài)以有效地阻隔電流之前，必須移除儲存在正向偏置的二極管內(nèi)的電荷。移除此電荷所需的時間被稱為反向恢復(fù)時間。有利地最小化體二極管32的正向偏置從而最小化儲存的電荷量，使得如果電路20從正向偏置轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚱茫摧敵?6處的電壓從小于轉(zhuǎn)變?yōu)榇笥谳斎?4處的電壓，則最小化體二極管32的反向恢復(fù)時間。當(dāng)接通電阻33低得足以使得從輸入24到輸出26的正向電流基本上流過Ml的接通電阻33區(qū)域而不經(jīng)過正向偏置的體二極管32時，將最小化體二極管32的正向偏置。
[0018]如果輸入24處的電壓比輸出26處的電壓大了不止Ml 30的閾值電壓且大了不止Dl34的齊納電壓36，那么Ml 30將被操作為接通狀態(tài)并且電流將在正向方向22上流過Dl 34和Ml 30。Dl由齊納電壓36來表征，在此示例中為三伏特(3V)。如果輸入24處的電壓足夠大于輸出26處的電壓，那么Ml 30處的“柵極到源極”電壓將大約為3V，這足以操作Ml 30進(jìn)入接通狀態(tài)，由此電流將在正向方向22上流動。
[0019]盡管Ml30處于接通狀態(tài)，體二極管32上存在的正向偏置電壓將由電流和接通電阻33來確定。優(yōu)選地，體二極管32上的正向偏置電壓保持小于一百毫伏(10mV)。由于在此示例中電流源28將電流限制為24mA，Ml 30優(yōu)選地具有小于大約四歐姆的接通電阻(4 Ω )。換而言之，選擇齊納電壓36和接通電阻33使得體二極管32中的儲存電荷小于正向電荷閾值，此正向電荷閾值與體二極管32上的正向偏置電壓和體二極管32的設(shè)計有關(guān)。即，當(dāng)電流在正向方向22上流動時，體二極管32中的儲存電荷小于正向電荷閾值。由于體二極管32未完全正向偏置，即體二極管32上的正向偏置電壓遠(yuǎn)小于0.7V(典型的二極管正向壓降)，減小了體二極管32中存在的正向電荷，從而減小了體二極管32的反向恢復(fù)時間，如將被本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到。
[0020]因此，由Ml30和Dl 34的組合形成整流器電路，與尺寸相當(dāng)?shù)亩O管相比較時，該整流器電路提供具有減小的或更短的反向恢復(fù)時間的電流的整流。然而，注意在一些情況下，如果電路如至此所述僅包括Ml 30和Dl 34，則可能不完全或充分地實現(xiàn)電路20的減小的反向恢復(fù)時間益處。在一些情況下，諸如從正向偏置到反向偏置的快速轉(zhuǎn)變，或者當(dāng)經(jīng)歷從正向偏置到反向偏置的快速振蕩時，可增加附加的部件以使電路20更好地適應(yīng)某一特殊條件。
[0021]在一個實施例中，電路20可包括電容器，下文中稱為Cl 38oCl 38限定或具有連接到輸入24的第一端以及連接到參考電壓的第二端(下文中稱為GND 40)。盡管當(dāng)與尺寸相當(dāng)?shù)亩O管相比較時，電路20不提供較短的反向恢復(fù)時間，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到它不會將瞬時反向電流減小到零，由于但不限于與電路20相關(guān)聯(lián)的寄生電容(主要在Ml 30和Dl34中)。與電路20相關(guān)聯(lián)的寄生電容儲存了在電路20可從正向切換到反向之前必須移除的電荷，該移除的方式與必須移除正向偏置的體二極管32中的儲存電荷的方式相同。如此，電路20中包括Cl 38可通過吸收這些瞬時反向電流有利地穩(wěn)定在輸入24處的電壓以幫助移除與電路20相關(guān)聯(lián)的寄生電容上的儲存電荷并且進(jìn)一步減小反向電流經(jīng)過電流源28的風(fēng)險。
[0022]由于正向偏置的體二極管32內(nèi)儲存的電荷需要反向恢復(fù)時間來移除，其中反向恢復(fù)時間主要與其二極管的物理設(shè)計有關(guān)，將關(guān)于相對于Cl的寄生電容的尺寸移除儲存在電路20的寄生電容上的電荷。如此，適當(dāng)設(shè)計的電路20將在電路20的寄生電容內(nèi)具有其總儲存電荷的大多數(shù)，在體二極管32內(nèi)具有非常少的儲存電荷，并且將電路20從正向切換到反向所需要的時間將基本上與體二極管32的反向恢復(fù)時間無關(guān)。
[0023]應(yīng)該認(rèn)識到，不需要零伏(S卩，接地)的參考電壓。優(yōu)選的是具有相對較低電源阻抗的電壓源，從而Cl 38用作濾波器。即，使用高側(cè)驅(qū)動器10的GND 40作為Cl 38的參考電壓實現(xiàn)在此示例中，僅為了方便。此外，包含于電路20的Cl 38通過在因為切換設(shè)備16接通而電路從正向偏置轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚱脮r儲存來自CBS的電荷以及在因為切換設(shè)備16斷開而電路20從反向偏置轉(zhuǎn)變?yōu)檎蚱脮r向CBS返還電荷來改進(jìn)電路20的總體效率。作為示例而非限制，Cl 38的適當(dāng)值為十皮法拉(1pF)。
[0024]在另一個實施例中，電路20可包括第二齊納二極管，下文中稱為D242A2 42與體二極管32并聯(lián)并且取向為與體二極管32相同的極化(polarizat1n)。即，體二極管32與D242的陽極連接在一起，其體二極管32和D2 42的陰極連接在一起。通過增加D2 42，當(dāng)電流在正向方向22上流動時，選擇Dl 34的齊納電壓36和接通電阻使得結(jié)合的體二極管32和D2 42中的儲存電荷小于正向電荷閾值。例如，Ml 30的接通電阻33可能需要降低以使得在電路20從正向偏置轉(zhuǎn)變到反向偏置的偏置時發(fā)生的經(jīng)過電路20的總反向電流保持低于電流源28可容忍的電流。因此，當(dāng)與單獨使用D2 42而沒有以接通狀態(tài)工作的Ml所給予的減小的正向偏置電壓相比較時，體二極管32和D2 42的反向恢復(fù)時間降低了。作為示例而非限制，D2 42齊納鉗位(clamp)電壓的適當(dāng)值為12V。
[0025]為了理解增加D242的益處，首先描述沒有D2 42提供的12V鉗位的操作。以切換裝置16處于斷開狀態(tài)開始以使得電路20處于正向接通狀態(tài)工作模式且輸出26處的電壓或VBS在輸入處24的電壓的幾伏以內(nèi)，然后接通切換裝置16。當(dāng)輸入24處的電壓趨向于保持恒定時，尤其在提供Cl 38的情況下，VBS快速地上升，從而電路20變?yōu)榉聪蚱?。如果輸?4處的電壓小于B+，那么電流源28用轉(zhuǎn)換速率= 24mA/Cl拉高切換輸入。作為特殊情況，假定在輸入24處的電壓一直被拉高到B+之前立即斷開切換裝置16從而輸出26處的VBS斜變下降，并且還假定輸出26處的VBS不會下降或下落回到它在先前循環(huán)中那樣低。這些事件的結(jié)合可導(dǎo)致輸入24處的電壓小于輸出26，并且此情況將持續(xù)，直到電流源28將輸入24拉高到超過輸出26 3V為止。僅此時24mA將對CBS充電。
[0026]相比之下，如果通過包含D2 42來提供12V鉗位，并且以切換裝置16斷開并且電路對CBS充電的事件的相同次序開始。當(dāng)然后接通切換裝置16時，歸因于D2 42，輸出26相對較快地斜變上升且輸入24將遵循在12V以內(nèi)。這意味著Cl 38以與來自電流源28的24mA無關(guān)的速率快速地充電?，F(xiàn)在如果切換裝置16再次斷開，那么輸出26下降并且一旦輸出26低于輸入24 3V，CBS就將開始充電。此效率在快速切換應(yīng)用中存在優(yōu)勢。如果高壓時的切換時間和時滯(dead time)很長，那么電流源28將有時間將Cl 38預(yù)充電到B+并且沒有完全實現(xiàn)D2所提供的12V鉗位的益處。附加的優(yōu)勢是D2 42將可在Ml 30的漏極和源極之間出現(xiàn)的最大電壓固定為D2 42的齊納電壓，如此，減小了Ml 30上的最大安全工作電壓需求。
[0027]圖2示出了電路20的非限制性可選示例，下文稱為電路20’?？傮w上，當(dāng)與電路20相比較時，電路20’的優(yōu)勢是諸如Dl 34和D2 42之類的齊納二極管是相對漏電的(leaky)，優(yōu)選的是使它們盡可能得小以減小泄露電流。然而，如將在以下描述中變得顯而易見，齊納二極管(Dll，D21)可被制得更加小并且被安排為牽引相對較大的電阻(Rll，R21)并且使晶體管(Mil，M21)偏置以提供更有效的鉗位。如此，利用更小的裝置，電路20’在它被實施為集成電路的情況下會是優(yōu)選的，而電路20在它被實施為分離部件的情況下會是優(yōu)選的。此外，由于電路20 ’與電路20相比時降低了泄露電流，電路20 ’的增加的復(fù)雜性得益于電路20 ’與電路20相比時有增加的總體效率。
[0028]如同電路20，電路20’被配置為傳導(dǎo)從輸入24到輸出26的正向方向22上的電流，并且基本上阻隔與正向方向22相反的反向方向上的電流。類似地，電路20’包括Ml 30，限定了柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和體二極管32，該體二極管21取向為允許電流從Ml 30的漏極流向源極。并且，柵極連接至輸入24，漏極連接至輸出26，以及Ml由導(dǎo)通電阻33來表征。電路20’具有第一齊納仿真器，下文中稱為El 50，配置為復(fù)制或替代圖1的Dl 34的功能。類似地，電路20’選擇性地具有第二齊納仿真器，下文中稱為E2 52，配置為復(fù)制或替代圖1的D242的功能。
[0029]El 50限定了El 50的陽極接觸54和陰極接觸56。陰極接觸56連接至輸入24，陽極接觸54連接至Ml 30的源極。El 50包括:第一小齊納二極管，下文中的Dll 62;第一電阻器，下文中的RlI 64;以及第一晶體管，下文中的MlI 66oDll 62,Rll 64和MlI 66互連以使得El 50仿真由例如3V的齊納電壓表征的齊納二極管(例如Dl 34)。如同電路20，選擇齊納電壓和接通電阻33以使得當(dāng)電流在正向方向22上流動時體二極管32中的儲存電荷小于正向電荷閾值。如前所述，當(dāng)電流在正向方向22上流動時，體二極管32中的儲存電荷小于正向電荷閾值。由于體二極管32未完全正向偏置，即體二極管32上的正向偏置電壓遠(yuǎn)小于0.7V(典型的二極管正向壓降)，減小體二極管32中存在的正向電荷，從而減小了體二極管32的反向恢復(fù)時間，如將被本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到。
[0030]一個實施例，電路20’包括Cl 38，其限定連接至輸入24的第一端子和連接至GND40的第二端子。參考圖1在上文討論了提供或包含Cl 38的優(yōu)點。
[0031]如前所述，電路20’可選地包括與體二極管32并聯(lián)的E2520E2 52包括互連的第二小齊納二極管(D21)、第二電阻器(R21)和第二晶體管(M21)以使得E2 52仿真連接至體二極管32的齊納二極管(例如，D2 42)且具有與體二極管32相同的極化。
[0032]因此，提供了具有減小的反向恢復(fù)時間的整流器電路(例如，電路20和電路20’)。從正向偏置轉(zhuǎn)變到反向偏置的減小的反向恢復(fù)時間以及相應(yīng)的反向瞬時電流的減小用于增加諸如高側(cè)驅(qū)動器10之類的裝置的總體效率，并且防止過量的反向電流，該過量的反向電流會損壞高側(cè)驅(qū)動器10的各部分，諸如電流源28。
[0033]盡管已針對其優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而本發(fā)明不旨在如此限制，而是僅受所附權(quán)利要求書中給出的范圍限制。
【主權(quán)項】
1.一種整流器電路(20)，配置為傳導(dǎo)從所述電路(20)的輸入(24)到輸出(26)的正向方向(22)上的電流，并且基本上阻隔從所述輸出(26)到所述輸入(24)的反向方向上的電流，所述電路(20)包括: 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Ml (30))，其限定了柵極、漏極、源極和體二極管(32)，所述體二極管(32)取向為允許電流從所述Ml(30)的漏極流向所述源極，其中，所述柵極連接至所述輸入(24)，所述漏極連接至所述輸出(26)，并且所述Ml(30)由接通電阻(33)來表征；以及 第一齊納二極管(Dl(34))，其限定所述Dl(34)的陽極和陰極，其中，所述陰極連接至所述輸入(24 )，所述陽極連接至所述源極，并且所述DI (34)由齊納電壓(36)來表征，其中所述齊納電壓(36)和所述接通電阻(33)被選擇以使得當(dāng)電流在所述正向方向(22)上流動時所述體二極管(32)中的儲存電荷小于正向電荷閾值，由此減小所述體二極管(32)的反向恢復(fù)時間。2.如權(quán)利要求1所述的電路(20)，其特征在于，所述電路(20)包括電容器(Cl(38))，所述電容器(Cl(38))限定第一端子和第二端子，其中，所述第一端子連接至所述輸入(24)，所述第二端子連接至參考電壓(GND(40))。3.如權(quán)利要求1所述的電路(20)，其特征在于，所述電路(20)包括第二齊納二極管(D2(42))，所述第二齊納二極管(D2(42))與所述體二極管(32)并聯(lián)并且具有與所述體二極管(32)相同的極化。4.一種整流器電路(20)，配置為傳導(dǎo)從所述電路(20)的輸入(24)到輸出(26)的正向方向(22)上的電流，并且基本上阻隔從所述輸出(26)到所述輸入(24)的反向方向上的電流，所述電路(20)包括: 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Ml (30))，其限定了柵極、漏極、源極和體二極管(32)，所述體二極管(32)取向為允許電流從所述Ml(30)的漏極流向所述源極，其中，所述柵極連接至所述輸入(24)，所述漏極連接至所述輸出(26)，并且所述Ml(30)由接通電阻(33)來表征；以及 第一齊納仿真器(El(50))，其限定了 El(50)的陽極接觸(54)和陰極接觸(56)，其中所述陰極接觸(56)連接至所述輸入(24)，所述陽極接觸(54)連接至所述源極，El(50)包括互聯(lián)的第一小齊納二極管(Dll(62))、第一電阻器(Rll(64))和第一晶體管(Mll(66))以使得El(50)仿真由齊納電壓(36)表征的齊納二極管，并且所述齊納電壓(36)和所述接通電阻(33)被選擇以使得當(dāng)電流在所述正向方向(22)上流動時所述體二極管(32)中的儲存電荷小于正向電荷閾值，由此減小所述體二極管(32)的反向恢復(fù)時間。5.如權(quán)利要求4所述的電路(20)，其特征在于，所述電路(20)包括電容器(Cl(38))，所述電容器(Cl(38))限定第一端子和第二端子，其中，所述第一端子連接至所述輸入(24)，所述第二端子連接至參考電壓(GND(40))。6.如權(quán)利要求4所述的電路(20)，其特征在于，所述電路(20)包括與所述體二極管(32)并聯(lián)的第二齊納仿真器(E2(52))，并且所述E2(52)包括互連的第二小齊納二極管(D21)、第二電阻器(R21)和第二晶體管(M21)以使得E2(52)仿真連接至所述體二極管(32)且具有與所述體二極管(32)相同的極化的齊納二極管。
【文檔編號】H02M7/217GK105991052SQ201610146358
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月15日
【發(fā)明人】J·L·格蘭
【申請人】德爾福技術(shù)有限公司