一種屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種屏蔽結(jié)構(gòu)，尤其是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)設(shè)備中的屏蔽結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]中壓(3.6kV?40.5kV)開(kāi)關(guān)設(shè)備，小型化，低成本是將來(lái)開(kāi)關(guān)設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。設(shè)備的小型化就要求元器件結(jié)構(gòu)緊湊，布局合理，高度集成。小型化設(shè)備如果結(jié)構(gòu)和布置設(shè)計(jì)不合理，高壓導(dǎo)電體電場(chǎng)就會(huì)集中，造成絕緣件局部放電量大，長(zhǎng)期運(yùn)行，絕緣件就會(huì)老化，絕緣性能降低，引發(fā)開(kāi)關(guān)設(shè)備相與相之間或相與地之間發(fā)生短路故障，影響供電可靠。特別在絕緣介質(zhì)為氣體絕緣(如SF6、C02、N2等或其混合氣體)或純空氣絕緣的開(kāi)關(guān)設(shè)備中，如果結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理，時(shí)常會(huì)引起開(kāi)關(guān)設(shè)備相與相之間或相對(duì)地之間發(fā)生短路故障常有發(fā)生。
[0003]目前開(kāi)關(guān)設(shè)備只能通過(guò)增加相間或相對(duì)地之間的電氣凈距離、增加絕緣件厚度或?qū)w倒圓角來(lái)解決絕緣問(wèn)題。它具有如下缺點(diǎn):導(dǎo)體倒圓角方法在實(shí)際制造中改善電場(chǎng)集中作用有限；而通過(guò)增加相間或相對(duì)地之間電氣凈距離、增加絕緣件厚度方案就會(huì)造成開(kāi)關(guān)設(shè)備體積龐大，造成開(kāi)關(guān)設(shè)備制造商制造成本增加，使用開(kāi)關(guān)設(shè)備的用戶(hù)不得不擴(kuò)大設(shè)備使用面積，增加使用成本，在環(huán)境比較惡劣的運(yùn)行環(huán)境中，維護(hù)設(shè)備成本增加。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其克服了【背景技術(shù)】中所述的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)設(shè)備的絕緣改善作用有限，增加電氣距離和絕緣厚度導(dǎo)致設(shè)備體積龐大、制造成本提高，無(wú)法實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化的缺點(diǎn)。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種屏蔽結(jié)構(gòu)，包括固化成型的絕緣件、屏蔽罩和真空滅弧室，屏蔽罩固設(shè)于絕緣件與真空滅弧室之間，所述屏蔽罩與真空滅弧室的靜端高壓一次回路相固接并電接，所述高壓一次回路包括靜觸頭和靜端，所述真空滅弧室的靜端和靜觸頭都罩在屏蔽罩內(nèi)。
[0007]一實(shí)施例之中:所述屏蔽罩包括屏蔽網(wǎng)、嵌件和連接線，所述連接線的兩端分別連接該屏蔽網(wǎng)和嵌件。
[0008]—實(shí)施例之中:所述屏蔽網(wǎng)為一 U型片狀構(gòu)件，所述屏蔽網(wǎng)的外邊緣設(shè)有圓形翻邊或倒圓角。
[0009]一實(shí)施例之中:所述屏蔽網(wǎng)上開(kāi)設(shè)有通孔。
[0010]一實(shí)施例之中:所述屏蔽罩的上端超出真空滅弧室的靜端封蓋且至少超出3cm。
[0011]一實(shí)施例之中:所述屏蔽罩的下端超出真空滅弧室中的靜觸頭下端且至少超出3cm0
[0012]一實(shí)施例之中:所述嵌件通過(guò)螺釘與靜觸頭固定連接。
[0013]一實(shí)施例之中:所述嵌件通過(guò)螺釘與靜觸頭、靜端封蓋固定連接。
[0014]一實(shí)施例之中:所述固化成型的絕緣件為半敞開(kāi)式的U型構(gòu)件。
[0015]一實(shí)施例之中:所述屏蔽網(wǎng)、連接線和嵌件之間通過(guò)焊接或鑄造連接。
[0016]本技術(shù)方案與【背景技術(shù)】相比，它具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0017]通過(guò)增加屏蔽罩結(jié)構(gòu)，將靜端的一次高壓回路的高電壓直接轉(zhuǎn)移到屏蔽罩上和絕緣性能更加優(yōu)良固化成型的絕緣件內(nèi)；屏蔽罩外形結(jié)構(gòu)呈U型片狀，可以把動(dòng)靜觸頭內(nèi)部復(fù)雜電場(chǎng)全部屏蔽起來(lái)，U型屏蔽罩表面電場(chǎng)分布均勻，整體上提高開(kāi)關(guān)設(shè)備的絕緣性能；減小了開(kāi)關(guān)設(shè)備的體積，減少絕緣材料的用量，在滿(mǎn)足產(chǎn)品性能前提下，還能直接降低制造成本，提高用戶(hù)在產(chǎn)品使用上的安全性。
【附圖說(shuō)明】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0019]圖1繪示了固化成型的絕緣件的立體結(jié)構(gòu)視圖。
[0020]圖2繪示了屏蔽罩的立體結(jié)構(gòu)視圖。
[0021]圖3繪示了本實(shí)用新型所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)的安裝視圖之一。
[0022]圖4繪示了本實(shí)用新型所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)的安裝視圖之二。
【具體實(shí)施方式】
[0023]請(qǐng)查閱圖1至圖4，一種屏蔽結(jié)構(gòu)，包括固化成型的絕緣件10、屏蔽罩20和真空滅弧室30，屏蔽罩20固設(shè)于絕緣件10與真空滅弧室30之間并澆注在成型的絕緣件10上。該固化成型的絕緣件10為半敞開(kāi)式的U型構(gòu)件。屏蔽罩20與真空滅弧室30的靜端高壓一次回路相固接并電接，高壓一次回路包括靜觸頭31和靜端，真空滅弧室的靜端和靜觸頭31都罩在屏蔽罩20內(nèi)。
[0024]屏蔽罩20包括屏蔽網(wǎng)21、嵌件22和連接線23，連接線23的兩端分別連接該屏蔽網(wǎng)21和嵌件22。屏蔽網(wǎng)21、連接線23和嵌件22之間可通過(guò)焊接或鑄造連接。該屏蔽網(wǎng)21為一 U型片狀構(gòu)件，屏蔽網(wǎng)21的外邊緣設(shè)有圓形翻邊或倒圓角212。屏蔽網(wǎng)21上開(kāi)設(shè)有通孔211，使其與絕緣件10的粘合更加牢固。
[0025]該屏蔽罩20的上端超出真空滅弧室30的靜端封蓋且至少超出3cm。屏蔽罩20的下端超出真空滅弧室30中的靜觸頭31下端且至少超出3cm，即，使屏蔽罩能夠罩蓋住真空滅弧室的靜端、靜觸頭以及與靠近靜觸頭的動(dòng)觸頭部分32。
[0026]較佳方案中，該嵌件22可通過(guò)螺釘24與靜觸頭31固定連接。另一較佳方案中，該嵌件22可通過(guò)螺釘24與靜觸頭31、靜端封蓋三者同時(shí)固定連接，將高壓一次回路的高壓電場(chǎng)直接轉(zhuǎn)移到屏蔽罩上。
[0027]該固化成型的絕緣件10的材料可采用環(huán)氧樹(shù)脂混合膠或PA6、PA66、PET等工程材料，該屏蔽罩20的材料可采用半導(dǎo)體或金屬導(dǎo)體材料。
[0028]該固化成型的絕緣件10上還固設(shè)有接地嵌件和接地安裝件11。
[0029]本實(shí)用新型所述的屏蔽結(jié)構(gòu)不但可以適用于固體絕緣的開(kāi)關(guān)設(shè)備中，還適用于氣體絕緣(如絕緣氣體SF6、CO2, N2、或其中兩種以上混合氣體等)或純空氣絕緣的開(kāi)關(guān)設(shè)備中。通過(guò)該屏蔽結(jié)構(gòu)將高電壓轉(zhuǎn)移到絕緣性能更加的絕緣件內(nèi)，而屏蔽罩又設(shè)為U型構(gòu)件，表面電場(chǎng)分布均勻，整體上提高了開(kāi)關(guān)設(shè)備的絕緣性能，使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更加緊湊，體積更小。
[0030]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能依此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型專(zhuān)利范圍及說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型涵蓋的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種屏蔽結(jié)構(gòu)，包括固化成型的絕緣件、屏蔽罩和真空滅弧室，屏蔽罩固設(shè)于絕緣件與真空滅弧室之間，其特征在于:所述屏蔽罩與真空滅弧室的靜端高壓一次回路相固接并電接，所述高壓一次回路包括靜觸頭和靜端，所述真空滅弧室的靜端和靜觸頭都罩在屏蔽罩內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽罩包括屏蔽網(wǎng)、嵌件和連接線，所述連接線的兩端分別連接該屏蔽網(wǎng)和嵌件。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽網(wǎng)為一U型片狀構(gòu)件，所述屏蔽網(wǎng)的外邊緣設(shè)有圓形翻邊或倒圓角。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽網(wǎng)上開(kāi)設(shè)有通孔。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽罩的上端超出真空滅弧室的靜端封蓋且至少超出3cm。6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽罩的下端超出真空滅弧室中的靜觸頭下端且至少超出3cm。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述嵌件通過(guò)螺釘與靜觸頭固定連接。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述嵌件通過(guò)螺釘與靜觸頭、靜端封蓋固定連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述固化成型的絕緣件為半敞開(kāi)式的U型構(gòu)件。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽網(wǎng)、連接線和嵌件之間通過(guò)焊接或鑄造連接。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種屏蔽結(jié)構(gòu)，它包括固化成型的絕緣件、屏蔽罩和真空滅弧室，屏蔽罩固設(shè)于絕緣件與真空滅弧室之間，屏蔽罩與真空滅弧室的靜端高壓一次回路相固接并電接，高壓一次回路包括靜觸頭和靜端，真空滅弧室的靜端和靜觸頭都罩在屏蔽罩內(nèi)。它具有如下優(yōu)點(diǎn)：將靜端的一次高壓回路的高電壓直接轉(zhuǎn)移到屏蔽罩上和絕緣性能更加優(yōu)良固化成型的絕緣件內(nèi)，提高了開(kāi)關(guān)設(shè)備的絕緣性能，減小了開(kāi)關(guān)設(shè)備的體積，降低制造成本，提高用戶(hù)在產(chǎn)品使用上的安全性。
【IPC分類(lèi)】H02B13/00, H02B13/025
【公開(kāi)號(hào)】CN204680979
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520376501
【發(fā)明人】吳良云, 游一民, 肖夢(mèng)媚
【申請(qǐng)人】廈門(mén)華電開(kāi)關(guān)有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月3日