實施方式涉及一種電路板和包括該電路板的半導體封裝。

背景技術：

1、近來，已經(jīng)致力于開發(fā)改進的5g(5th?generation、第5代)通信系統(tǒng)或準5g通信系統(tǒng)以滿足無線數(shù)據(jù)流量的需求。

2、5g通信系統(tǒng)使用超高頻(mmwave、毫米波)帶(sub?6ghz、28ghz、38ghz或更高頻率)來實現(xiàn)高數(shù)據(jù)傳輸速率。該高頻帶由于波長的長度而被稱為毫米波(mmwave)。

3、為了減輕超高頻帶中無線電波的路徑損耗并增加無線電波的傳輸距離，在5g通信系統(tǒng)中正在開發(fā)諸如波束成形(beamforming)、大規(guī)模mimo(massive?mimo)和陣列天線(array?antenna)之類的集成技術。

4、考慮到這些頻帶可以由數(shù)百個波長的有源天線組成，天線系統(tǒng)可能會相對較大。

5、這意味著構成有源天線系統(tǒng)的多個板，即，天線板、天線饋電板、收發(fā)器(transceiver)板和基帶(baseband)板，必須集成到一個緊湊單元(one?compactunit)中。

6、因此，應用于常規(guī)5g通信系統(tǒng)的電路板具有其中集成了多個基板的結構，因此具有相對較厚的厚度。

7、同時，為了減小現(xiàn)有技術中的電路板的厚度，在電路板中形成空腔，并且在所形成的空腔中設置各種部件元件。在這種情況下，電路板包括其上安裝有各種部件元件的焊盤。另外，焊盤具有其中表面通過空腔暴露的結構。

8、然而，在通過空腔暴露的焊盤的情況下，存在通過空腔暴露的焊盤在后續(xù)工藝中連續(xù)暴露以產(chǎn)生損壞(例如，化學損壞)的問題。另外，由于上述損壞，焊盤具有比目標厚度薄的厚度，或者其形狀發(fā)生變形，從而導致物理或電可靠性問題。

9、另外，通常，焊盤的厚度被設定成補償焊盤厚度的變化。例如，當焊盤的最終目標厚度為10μm時，考慮到化學損壞，焊盤的初始厚度形成為約15μm至20μm。然而，當焊盤的厚度增加時，對包括焊盤的電路圖案層的小型化存在限制，因此，存在電路板的總體積增加的問題。

10、因此，需要具有新結構的電路板和半導體封裝。

技術實現(xiàn)思路

1、技術問題

2、實施方式提供了一種具有新結構的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

3、另外，實施方式提供了一種能夠防止在形成空腔的激光工藝期間發(fā)生對焊盤的損壞的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

4、另外，實施方式提供了一種能夠使通過空腔暴露的焊盤細化的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

5、另外，實施方式提供了一種能夠防止在空腔形成之后的后續(xù)工藝中發(fā)生對焊盤的損壞的電路板和包括該電路板的封裝基板。

6、所提出的實施方式要解決的技術問題不限于上述技術問題，所屬領域的技術人員可以從以下描述提出的實施方式清楚地理解未提及的其他技術問題。

7、技術方案

8、根據(jù)實施方式的電路板包括：第一絕緣層；第一圖案層，所述第一圖案層設置在所述第一絕緣層的上表面上；第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述第一絕緣層的上表面上并且包括空腔；以及阻擋層，所述阻擋層設置在所述第一圖案層之中的與所述空腔垂直重疊的第一圖案層上，其中所述第一絕緣層的上表面包括：第一上表面，所述第一上表面與所述空腔的下表面垂直重疊，以及第二上表面，所述第二上表面不與所述空腔的下表面垂直重疊，其中所述第一圖案層包括：第一圖案部分，所述第一圖案部分設置在所述第一絕緣層的所述第一上表面上，以及第二圖案部分，所述第二圖案部分設置在所述第一絕緣層的所述第二上表面上，其中所述第一圖案部分的上表面通過所述空腔暴露而不接觸所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，并且其中所述阻擋層設置在所述第一圖案部分的上表面上。

9、另外，所述第一絕緣層的所述第一上表面構成所述空腔的下表面，并且所述第一絕緣層的所述第二上表面與所述第一上表面具有臺階差，所述第一圖案部分的厚度小于所述第二圖案部分的厚度，并且所述第一圖案部分的側表面的至少一部分被所述第一絕緣層覆蓋。

10、另外，所述第一圖案部分的所述側表面完全被所述第一絕緣層覆蓋，并且所述阻擋層包括：第一部分，所述第一部分設置在所述第一圖案部分的上表面上，以及第二部分，所述第二部分從所述第一部分延伸并且設置在所述第一絕緣層的所述第一上表面上。

11、另外，所述第一圖案部分的厚度小于所述第二圖案部分的厚度，所述第一圖案部分的上表面定位成低于所述第二圖案部分的上表面，并且所述第一圖案部分的下表面位于與所述第二圖案部分的下表面相同的平面上。

12、另外，所述第一圖案層包括設置在所述第一絕緣層的所述第一上表面與所述第二上表面之間的邊界區(qū)域上的第三圖案部分，并且所述第三圖案部分的厚度小于所述第二圖案部分的厚度。

13、另外，所述第一圖案部分的上表面不與所述第二絕緣層接觸，所述第二圖案部分的上表面和所述第三圖案部分的上表面與所述第二絕緣層接觸，所述第三圖案部分的上表面定位成高于所述第一圖案部分的上表面，并且位于與所述第二圖案部分的上表面相同的平面上，并且所述第三圖案部分的下表面定位成高于所述第二圖案部分的下表面，并且等于或高于所述第一圖案部分的上表面。

14、另外，所述第二圖案部分包括：第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一圖案部分水平重疊；以及第二金屬層，所述第二金屬層設置在所述第一金屬層上并且與所述第一絕緣層的所述第二上表面接觸，所述第二圖案部分的所述第一金屬層的厚度對應于所述第一圖案部分的厚度，并且所述第二圖案部分的所述第二金屬層的厚度對應于所述第三圖案部分的厚度。

15、另外，所述第一絕緣層的所述第一上表面定位成低于所述第二上表面、所述第二圖案部分的上表面和所述第三圖案部分的上表面。

16、另外，所述第一絕緣層的所述第一上表面定位成低于所述第一圖案部分的上表面，所述第一圖案部分的側表面包括：第一側表面，所述第一側表面被所述第一絕緣層覆蓋，以及第二側表面，所述第二側表面通過所述空腔暴露而不被所述第一絕緣層覆蓋，所述阻擋層包括：第一部分，所述第一部分設置在所述第一圖案部分的上表面上，以及第二部分，所述第二部分設置在所述第一圖案部分的所述第二側表面上。

17、另外，所述第一絕緣層的所述第一上表面定位成高于所述第一圖案部分的上表面，所述第一絕緣層包括由所述第一上表面與所述第一圖案部分的上表面之間的臺階形成的凹入部分，并且所述阻擋層設置在所述凹入部分中。

18、另外，所述第一圖案部分在所述第一絕緣層的所述第一上表面上突出，所述第一圖案部分的側表面包括：第一側表面，所述第一側表面被所述第二絕緣層覆蓋，和第二側表面，所述第二側表面通過所述空腔暴露而不被所述第二絕緣層覆蓋，并且所述阻擋層包括第一部分，所述第一部分設置在所述第一圖案部分的上表面上，和第二部分，所述第二部分設置在所述第一圖案部分的所述第二側表面上。

19、另外，所述第一圖案部分在所述第一絕緣層的所述第一上表面上突出，并且所述第一圖案部分的側表面通過所述空腔完全暴露而不接觸所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，并且所述阻擋層包括：第一部分，所述第一部分設置在所述第一圖案部分的上表面上，和第二部分，所述第二部分設置在所述第一圖案部分的側表面上。

20、另外，所述阻擋層以多層結構設置在所述第一圖案部分上。

21、另外，所述阻擋層包括：第一層，所述第一層設置在所述第一圖案部分上并且包括鎳，第二層，所述第二層設置在所述第一層上并且包括鈀，以及第三層，所述第三層設置在所述第二層上并且包括金。

22、同時，根據(jù)實施方式的半導體封裝包括：第一絕緣層；第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述第一絕緣層的一個表面上并且包括空腔；第一圖案層，所述第一圖案層設置在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，并且包括：第一圖案部分，所述第一圖案部分設置在與所述空腔垂直重疊的第一區(qū)域中，第二圖案部分，所述第二圖案部分設置在不與所述空腔垂直重疊的第二區(qū)域中，以及第三圖案部分，所述第三圖案部分設置在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的邊界區(qū)域中；第二圖案層，所述第二圖案層設置在所述第一絕緣層的另一表面上；第三圖案層，所述第三圖案層設置在所述第二絕緣層的上表面上；阻擋層，所述阻擋層設置在所述第一圖案層的所述第一圖案部分上；連接部分，所述連接部分設置在所述阻擋層上；以及器件，所述器件安裝在所述連接部分上，其中所述第一圖案部分的上表面定位成低于所述第二圖案部分的上表面和所述第三圖案部分的上表面，所述第二圖案部分的上表面位于與所述第三圖案部分的上表面相同的平面上，所述第三圖案部分的下表面定位成高于所述第一圖案部分的下表面和所述第二圖案部分的下表面，并且所述第一圖案部分的下表面位于與所述第二圖案部分的下表面相同的平面上。

23、有益效果

24、根據(jù)上述實施方式，電路板包括其上表面通過空腔暴露的第一圖案部分。另外，阻擋層設置在第一圖案部分上。阻擋層可以由多層組成。例如，阻擋層可以包括第一層至第三層。阻擋層可以用于在形成空腔之后的后續(xù)工藝中保護第一圖案部分。因此，實施方式不需要考慮到在后續(xù)工藝中發(fā)生的第一圖案部分的厚度的變化而增加第一圖案部分的厚度。因此，實施方式可以使第一圖案部分小型化。此外，實施方式可以通過減小第一圖案部分的厚度來降低制造成本。另外，實施方式可以防止在后續(xù)工藝中發(fā)生的第一圖案部分的形狀變化。因此，實施方式可以允許芯片穩(wěn)定地安裝在第一圖案部分上。因此，實施方式可以提高電路板的物理和電可靠性。

25、另外，實施方式的電路板包括第一基板層和第二基板層。第二基板層包括空腔。第一基板層包括最靠近第一基板層設置的第1-1絕緣層和設置在第1-1絕緣層的上表面上的第一圖案層。第一圖案層包括設置在與空腔垂直重疊的第一區(qū)域中的第一圖案部分、設置在不與空腔垂直重疊的第二區(qū)域中的第二圖案部分、以及設置在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的邊界區(qū)域中的第三圖案部分。第一至第三圖案部分中的至少一個的厚度與第一至第三圖案部分中的至少另一個的厚度不同。另外，第一至第三圖案部分中的至少一個的上表面或下表面中的至少一個位于與第一至第三圖案部分中的至少另一個的上表面或下表面不同的平面上。實施方式允許設置在與空腔相鄰的區(qū)域中的第一圖案層具有其中不同厚度或表面設置在不同位置處的結構，從而改善形成空腔的工藝的工藝特性。因此，實施方式解決在形成空腔的過程期間可能發(fā)生的可靠性問題。

26、具體地，實施方式允許第一圖案層在形成第一圖案層的工藝中通過兩階段鍍覆而具有包括第一金屬層和第二金屬層的兩層結構。此時，使用第一金屬層和第二金屬層中的一個形成作為安裝焊盤的第一圖案部分，使用第一金屬層和第二金屬層中的另一個形成作為激光阻擋器的第三圖案部分，并且使用第一金屬層和第二金屬層兩者形成第二圖案部分。因此，實施方式可以解決當安裝焊盤和阻擋器設置在同一平面上時發(fā)生的可靠性問題。例如，在比較例中，在安裝焊盤上形成單獨的保護層(未示出)，以防止在形成空腔的激光加工中損壞安裝焊盤，然后執(zhí)行去除單獨的保護層的工藝。相反，實施方式可以利用用作激光阻擋器的第三圖案部分的一部分作為用作安裝焊盤的第一圖案部分的保護部分。因此，可以省略形成用于保護第一圖案部分的附加保護層的工藝，同時防止作為安裝焊盤的第一圖案部分在形成空腔的工藝中被損壞。

27、另外，第一基板層包括與空腔垂直重疊的第一區(qū)域和除第一區(qū)域以外的第二區(qū)域。另外，第二基板層包括對應于空腔的第三區(qū)域和除第三區(qū)域以外的第四區(qū)域。在這種情況下，實施方式的第二基板層的第三區(qū)域是其中設置有驅動器件的區(qū)域，并且第四區(qū)域是其中設置有天線圖案層的區(qū)域。在上述實施方式中，在使用第二基板層的空腔安裝驅動器件的同時，在水平方向上與驅動器件相鄰的第二基板層的第四區(qū)域中放置天線圖案層。因此，在實施方式中，可以使天線圖案層與驅動器件之間的信號傳輸距離減到最小，因此可以使信號傳輸損耗減到最小。例如，與使用單獨連接方法連接設置有驅動器件的基板和設置有天線圖案層的基板相比，實施方式可以減小信號傳輸距離并減小由單獨連接方法引起的信號傳輸損耗。另外，實施方式可以具有天線圖案層和驅動器件沿水平方向設置的結構，因此，實施方式可以利用與第二基板層的第四區(qū)域垂直重疊的第一基板層的第二區(qū)域作為第二天線圖案層。因此，可以使用一個電路圖案在不同方向上實現(xiàn)天線圖案輻射和信號接收。

28、另外，實施方式可以將驅動器件安裝在第二基板層的空腔中，從而將電路板的總厚度減小到與空腔的深度相對應。

29、另外，實施方式的空腔包括具有第一斜度的第一部分和具有不同于第一斜度的第二斜度的第二部分。在這種情況下，第二斜度相對于空腔的下表面具有小于第一斜度的傾斜角。另外，實施方式的具有第二斜度的第二部分的垂直長度比具有第一斜度的第一部分的垂直長度長。因此，與比較例相比，實施方式可以減小由空腔占據(jù)的空間，從而改善電路集成。例如，實施方式可以通過減小空腔占據(jù)的空間來增加具有與比較例相同尺寸的基板中的天線圖案層的長度，從而改善通信性能。

30、另外，實施方式可以允許貫通電極的厚度與電路層的厚度相同或小于電路層的厚度。因此，實施方式可以允許貫通電極的厚度與電路層的厚度相同或小于電路層的厚度，因此，可以減小電路板的厚度。另外，實施方式可以通過減小貫通電極的厚度來減小包括貫通電極的信號傳輸路徑中的信號傳輸距離，從而使信號傳輸損耗減到最小。

31、另外，實施方式可以通過在具有與比較例相同厚度的電路板的結構中減小絕緣層和貫通電極的厚度來增加電路層的層數(shù)，從而改善電路集成和通信性能。