本發(fā)明涉及例如使用有機材料的光電轉(zhuǎn)換元件以及包括該光電轉(zhuǎn)換元件的光檢測器。

背景技術(shù)：

1、例如，專利文獻1公開了一種攝像元件，其包括光電轉(zhuǎn)換部，該光電轉(zhuǎn)換部包括層疊的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極，其中在第一電極與光電轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有包含銦鎵鋅復(fù)合氧化物(igzo)的復(fù)合氧化物層，從而實現(xiàn)光響應(yīng)度的提高。

2、引用文獻列表

3、專利文獻

4、專利文獻1：國際公開號wo?2019/035252

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、然而，光電轉(zhuǎn)換元件和光檢測器需要具有提高的可靠性。

2、期望提供能夠提高可靠性的光電轉(zhuǎn)換元件和光檢測器。

3、根據(jù)本發(fā)明實施方案的光電轉(zhuǎn)換元件包括：彼此并排布置的第一電極和第二電極；與所述第一電極和所述第二電極相對設(shè)置的第三電極；設(shè)置在所述第一電極與所述第三電極之間以及所述第二電極與所述第三電極之間的光電轉(zhuǎn)換層；以及設(shè)置在所述第一電極與所述光電轉(zhuǎn)換層之間以及在所述第二電極與所述光電轉(zhuǎn)換層之間的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括從所述第一電極和所述第二電極一側(cè)按順序?qū)盈B的第一層和第二層，所述第一層的厚度小于所述第二層的厚度，所述第一層的厚度為3nm以上且5nm以下。

4、根據(jù)本發(fā)明實施方案的光檢測器包括多個像素，各像素包括一個或多個光電轉(zhuǎn)換元件，其中將根據(jù)本發(fā)明的實施方案的所述光電轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置為所述光電轉(zhuǎn)換元件。

5、在根據(jù)本發(fā)明的各個實施方案的光電轉(zhuǎn)換元件和光檢測器中，在第一電極與光電轉(zhuǎn)換層之間以及在第二電極與光電轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有包括第一層和第二層的半導(dǎo)體層，所述第一層和所述第二層從彼此并排布置的所述第一電極和所述第二電極一側(cè)按順序?qū)盈B，其中所述第一層的厚度小于所述第二層厚度并且為3nm以上且5nm以下。這在保持半導(dǎo)體層內(nèi)的載流子傳導(dǎo)的同時減輕了半導(dǎo)體層的表面的固定電荷的影響。

技術(shù)特征：

1.一種光電轉(zhuǎn)換元件，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第一層的膜厚度(t1)與所述第二層的膜厚度(t2)之間的比(t1/t2)為0.16以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第二層的膜厚度為32nm以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第一層和所述第二層分別具有結(jié)晶性。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第一層和所述第二層分別具有非晶性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述半導(dǎo)體層還包括位于所述光電轉(zhuǎn)換層與所述第二層之間的具有非晶性的第三層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第三層的膜厚度為1nm以上且10nm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，還包括設(shè)置在所述第一電極與所述半導(dǎo)體層之間以及在所述第二電極與所述半導(dǎo)體層之間的絕緣層，所述絕緣層在所述第一電極上方具有開口，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，還包括位于所述光電轉(zhuǎn)換層與所述半導(dǎo)體層之間的包含無機材料的保護層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第一電極和所述第二電極相對于所述光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在與光入射面相反的一側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中，所述第一電極和所述第二電極分別單獨地被施加有相應(yīng)的電壓。

13.一種包括多個像素的光檢測器，各所述像素包括一個或多個光電轉(zhuǎn)換元件，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光檢測器，其中，所述光電轉(zhuǎn)換元件還包括一個或多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域，所述一個或多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域執(zhí)行與所述一個或多個光電轉(zhuǎn)換元件不同的波長區(qū)域的光電轉(zhuǎn)換。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光檢測器，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光檢測器，其中，多層配線層形成在所述半導(dǎo)體基板的與所述光入射面相反一側(cè)的表面上。

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)本發(fā)明實施方案的光電轉(zhuǎn)換元件設(shè)置有：平行設(shè)置的第一電極和第二電極；與所述第一電極和所述第二電極相對設(shè)置的第三電極；設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極與所述第三電極之間的光電轉(zhuǎn)換層；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極與所述光電轉(zhuǎn)換層之間，并且包括從所述第一電極和第二電極一側(cè)連續(xù)層疊的第一層和第二層的半導(dǎo)體層，所述第一層的厚度小于所述第二層的厚度并且為3nm以上且5nm以下。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木涼介,八木巖,平田晉太郎,定榮正大
受保護的技術(shù)使用者：索尼半導(dǎo)體解決方案公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21