日韩成人黄色,透逼一级毛片,狠狠躁天天躁中文字幕,久久久久久亚洲精品不卡,在线看国产美女毛片2019,黄片www.www,一级黄色毛a视频直播

線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法

文檔序號(hào):10627601閱讀:456來源:國知局
線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法,該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器包括一晶體管具有輸入端供連接發(fā)光二極管,該晶體管導(dǎo)通時(shí)該發(fā)光二極管被點(diǎn)亮。該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器還包括一保護(hù)電路根據(jù)該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè)來判斷是否發(fā)生瞬間高電壓變化并觸發(fā)保護(hù)功能。
【專利說明】
線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種線性發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)器,特別是關(guān)于一種可防止因瞬間電壓變化過大而造成電路異常或不穩(wěn)定的線性LED驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。【背景技術(shù)】
[0002]目前的LED驅(qū)動(dòng)器可以分為隔離式(isolated)及非隔離式(non-1solated),其中隔離式LED驅(qū)動(dòng)器需要變壓器來分隔一次側(cè)及二次側(cè),因此成本較為昂貴,而非隔離式LED 驅(qū)動(dòng)器由于無需變壓器,因此成本較低,但是非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器在遇到瞬間高電壓變化時(shí),可能會(huì)引發(fā)電路異?;虿环€(wěn)定的問題。
[0003]圖1顯示傳統(tǒng)的非隔離式的線性LED驅(qū)動(dòng)器10,其包括橋式整流器12用以整流交流電壓Vac產(chǎn)生直流電壓VIN給LED,以及集成電路14控制所要點(diǎn)亮的LED。在集成電路14 中,開關(guān)18、20、22及24各自經(jīng)接腳Sl、S2、S3及S4與LED串聯(lián),控制器16控制開關(guān)18、 20、22及24的切換以決定要點(diǎn)亮的LED。導(dǎo)致線性LED驅(qū)動(dòng)器10發(fā)生瞬間高電壓變化的情況有很多,例如雷擊、系統(tǒng)的靜電放電、多次快速開關(guān)交流電源或三端雙向硅控(Tr1de Alternating Current ;TRIAC)調(diào)光等。
[0004]以TRIAC調(diào)光為例,圖2A顯示傳統(tǒng)的TRIAC調(diào)光器,其包括電阻R1、電阻R2、電容 C1、雙向觸發(fā)二極管26以及三端雙向硅控開關(guān)28,其中電阻R1為可變電阻。三端雙向硅控開關(guān)28 —開始為關(guān)閉(off)狀態(tài),因此交流電壓Vac并未輸入負(fù)載,電阻R1及R2根據(jù)交流電壓Vac產(chǎn)生電流對(duì)電容C1充電,當(dāng)電容C1上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管26的轉(zhuǎn)折電壓時(shí),雙向觸發(fā)二極管26導(dǎo)通進(jìn)而使三端雙向硅控開關(guān)28導(dǎo)通。當(dāng)三端雙向硅控開關(guān) 28導(dǎo)通時(shí),交流電壓Vac輸入負(fù)載而且電容C1開始放電,三端雙向硅控開關(guān)28會(huì)維持導(dǎo)通狀態(tài)直至交流電壓為零或通過三端雙向硅控開關(guān)28的電流II小于一臨界值。簡(jiǎn)單的說, TRIAC調(diào)光器會(huì)將交流電壓Vac轉(zhuǎn)換為具有一導(dǎo)通角的交流切相電壓Vtr。而交流切相電壓Vtr再經(jīng)圖1中的橋式整流器12整流后將產(chǎn)生如圖2B中波形30所示的直流電壓VIN。 從圖2B的波形30可知,TRIAC調(diào)光產(chǎn)生的直流電壓VIN會(huì)瞬間從0V的電壓沖上一高壓, 造成瞬間高電壓變化。
[0005]圖3是圖1中開關(guān)18的示意圖,由于交流電壓Vac是高電壓,因此開關(guān)18必需是高壓元件,一般可以使用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ;M0SFET)或絕緣概雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor ;IGBT)。圖4是直流電壓VIN發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí)電壓的波形圖,其中波形 32是接腳S1的電壓,波形34是開關(guān)18的控制端電壓。參照?qǐng)D1、圖3及圖4,開關(guān)18的輸入端182連接至接腳S1,開關(guān)18的控制端184連接控制器16,開關(guān)18的輸出端連接至接地端,當(dāng)輸入電壓VIN發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),接腳S1上的電壓快速上升,如圖4的波形32 所示,此時(shí)將產(chǎn)生一大電流對(duì)開關(guān)18的輸入端及控制端之間的寄生電容Cdgl充電,進(jìn)而導(dǎo)致開關(guān)18的控制端的電壓快速上升,如圖4的波形34所示,當(dāng)開關(guān)18的控制端的電壓超過一臨界值Vth時(shí),可能造成不穩(wěn)定,甚至造成開關(guān)18燒毀。在一些應(yīng)用中,開關(guān)18的輸出端上還可能連接一些低壓電路,當(dāng)接腳S1上的電壓快速上升時(shí),將產(chǎn)生一大電流通過開關(guān)18,造成開關(guān)18的輸出端上的電壓快速上升,導(dǎo)致連接開關(guān)18的輸出端的低壓電路無法承受瞬間高電壓變化而損毀。
[0006]美國專利公開號(hào)US 2010/0253245公開一種解決瞬間高電壓變化的方式,其是在 LED驅(qū)動(dòng)器及LED之間增加一種類似過電壓保護(hù)電路的電流限制電路,該電流限制電路是檢測(cè)LED上的電壓來控制與LED串聯(lián)的開關(guān)。然而,該過電流限制電路是使用必須外掛在集成電路外面的大元件,因此具有較大的寄生電容,這導(dǎo)致該電流限制電路的反應(yīng)較慢。此夕卜,美國專利公開號(hào)US 2010/0253245的方式也只能解決電擊所造成的瞬間高電壓變化, 無法解決系統(tǒng)的靜電放電、多次快速開關(guān)交流電源或三端雙向娃控(Tr1de Alternating Current ;TRIAC)調(diào)光等造成的瞬間高電壓變化。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的之一,在于提供一種可防止因瞬間電壓變化過大而造成電路異?;虿环€(wěn)定的線性LED驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。
[0008]本發(fā)明的目的之一,在于提供一種能夠解決各種情況造成的瞬間高電壓變化的線性LED驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。
[0009]本發(fā)明的目的之一,在于提供一種對(duì)瞬間高電壓變化快速反應(yīng)的線性LED驅(qū)動(dòng)器及其控制方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明,一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,包括一晶體管、一電流源及一保護(hù)電路。該晶體管具有一輸入端供連接發(fā)光二極管,當(dāng)該晶體管導(dǎo)通時(shí),該發(fā)光二極管被點(diǎn)亮。 該電流源連接該晶體管的輸出端,用以調(diào)節(jié)通過該發(fā)光二極管的電流。該保護(hù)電路連接該晶體管,用以限制該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè)的最大值,以避免該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器因該晶體管的輸入端的瞬間電壓變化而發(fā)生異?;虿环€(wěn)定。其中該保護(hù)電路可以與該晶體管整合在同一集成電路中,故該保護(hù)電路的寄生電容較小,反應(yīng)較快。
[0011]根據(jù)本發(fā)明,一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的控制方法,該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器包含一晶體管具有一與發(fā)光二極管連接的輸入端、一控制端及一輸出端,該控制方法包括: 導(dǎo)通一晶體管以點(diǎn)亮發(fā)光二極管;以及限制該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè)的最大值,以避免該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器因該晶體管的輸入端的瞬間電壓變化而發(fā)生異常或不穩(wěn)定。
[0012]本發(fā)明是通過限制該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè)的最大值來達(dá)成瞬間高電壓變化的保護(hù),即本案是檢測(cè)該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè),因此不論是何種情況引發(fā)瞬間高電壓變化,本案都能確實(shí)檢測(cè)并達(dá)成保護(hù)。【附圖說明】
[0013]圖1顯示傳統(tǒng)的非隔離式的線性LED驅(qū)動(dòng)器;
[0014]圖2A顯示傳統(tǒng)的TRIAC調(diào)光器;
[0015]圖2B顯示圖2A中的交流切相電壓Vtr經(jīng)整流后的直流電壓VIN波形;
[0016]圖3是圖1中開關(guān)的示意圖;
[0017]圖4顯示直流電壓VIN發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí)圖3中開關(guān)上的電壓波形;
[0018]圖5顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例;
[0019]圖6顯示圖5中箝制電路的另一實(shí)施例;
[0020]圖7顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例;
[0021]圖8顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例;
[0022]圖9顯示圖8中箝制電路的另一實(shí)施例;
[0023]圖10顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例;以及
[0024]圖11顯示圖10的電路發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí)的電壓波形圖。
[0025]符號(hào)說明:
[0026]10線性LED驅(qū)動(dòng)器
[0027]12橋式整流器
[0028]14集成電路
[0029]16控制器
[0030]18開關(guān)
[0031]20開關(guān)
[0032]22開關(guān)[0〇33]24開關(guān)
[0034]26雙向觸發(fā)二極管
[0035]28三端雙向硅控開關(guān)
[0036]30波形
[0037]32波形
[0038]34波形
[0039]36晶體管
[0040]362輸入端
[0041]364控制端
[0042]366輸出端
[0043]38晶體管
[0044]382輸入端
[0045]384控制端
[0046]386輸出端
[0047]40電流源
[0048]42晶體管
[0049]44晶體管
[0050]46保護(hù)電路
[0051]48箝制電路
[0052]50運(yùn)算放大器
[0053]52開關(guān)
[0054]54稽納二極管
[0055]56箝制電路
[0056]58開關(guān)
[0057]60開關(guān)
[0058]62運(yùn)算放大器
[0059]64箝制電路
[0060]66箝制電路
[0061]68稽納二極管
[0062]70稽納二極管
[0063]72開關(guān)
[0064]74運(yùn)算放大器
[0065]76開關(guān)
[0066]78運(yùn)算放大器
[0067]80接腳S1的電壓波形
[0068]82波形
[0069]84波形【具體實(shí)施方式】
[0070]圖5顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例,在圖5中僅揭示線性LED驅(qū)動(dòng)器10中的集成電路14,線性LED驅(qū)動(dòng)器10的其余部分請(qǐng)參照?qǐng)D1。在集成電路14中,晶體管36的輸入端 362經(jīng)接腳S1連接LED,當(dāng)晶體管36導(dǎo)通時(shí),與晶體管36串聯(lián)的LED將被點(diǎn)亮。晶體管 38的輸入端382經(jīng)接腳S2連接LED,當(dāng)晶體管38導(dǎo)通時(shí),與晶體管38串聯(lián)的LED將被點(diǎn)亮。晶體管36及38為高壓元件,且可以是M0SFET或IGBT。晶體管36及38的輸出端366 及386連接電流源40,電流源40用以調(diào)節(jié)通過LED的電流使其等于預(yù)設(shè)的電流Iref,以控制LED的亮度。當(dāng)晶體管36及38的輸出端的電流Isl及Is2之和小于電流源40的電流 Iref時(shí),晶體管36及38的輸出端的電壓Vs下降,因而使通過晶體管42及44的電流Ibl 及Ib2下降,導(dǎo)致晶體管36及38的輸出端364及384的電壓上升,進(jìn)而使電流Isl及Is2 上升。相反的,當(dāng)電流Isl及Is2之和大于電流源40的電流Iref時(shí),電壓Vs上升使電流 Ibl及Ib2上升,導(dǎo)致晶體管36及38的輸出端364及384的電壓下降,進(jìn)而使電流Isl及 Is2下降。保護(hù)電路46連接晶體管36及38以限制晶體管36及38上的電壓最大值,以避免該線性LED驅(qū)動(dòng)器10因晶體管36或38的輸入端362或382的瞬間電壓變化而發(fā)生異常或不穩(wěn)定。保護(hù)電路46包括一箝制電路48連接晶體管36及38的輸出端366及386,以限制晶體管36及38的輸出端366及386的最大電壓。在此實(shí)施例中,箝制電路48為一主動(dòng)式電路,其包括一運(yùn)算放大器50及一開關(guān)52,其中開關(guān)52連接在該晶體管的輸出端及一接地端之間,運(yùn)算放大器50的正輸入端連接晶體管36及38的輸出端366及386,運(yùn)算放大器50的負(fù)輸入端接收一臨界值Vrefl,運(yùn)算放大器50的輸出端連接開關(guān)52的控制端。當(dāng)接腳S1或S2上的電壓發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),晶體管36及38的輸出端366及386上的電流Isl及Is2上升使晶體管36及38的輸出端366及386的電壓Vs上升,在電壓Vs大于臨界值Vref2時(shí),運(yùn)算放大器50控制開關(guān)52導(dǎo)通以形成一放電路徑以對(duì)電壓Vs放電, 進(jìn)而限制晶體管36及38的輸出端366及386的最大電壓。
[0071]圖6顯示圖5中箝制電路48的另一實(shí)施例,在此實(shí)施例中,箝制電路48為一被動(dòng)式電路,其包括一稽納二極管(Zener d1de) 54用以限制晶體管36及38的輸出端366及 386的最大電壓,稽納二極管54的陽極連接一接地端,而稽納二極管的陰極連接晶體管36 及38的輸出端366及386。當(dāng)接腳S1或S2上的電壓發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),晶體管36及 38的輸出端366及386的電壓Vs上升,在電壓Vs大于一臨界值(即稽納二極管54的擊穿電壓)時(shí),稽納二極管54導(dǎo)通以形成一放電路徑對(duì)電壓Vs放電,進(jìn)而限制晶體管36及38 的輸出端366及386的最大電壓。
[0072]在圖5及圖6的實(shí)施例中,晶體管36及38是共用一個(gè)電流源40及一個(gè)箝制電路 48,但在其他實(shí)施例中,晶體管36及38也可以各自配置不同的電流源40及箝制電路48。
[0073]圖7顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例,其與圖5的電路同樣包括晶體管36、38、42及44以及電流源40,但圖7的保護(hù)電路46包括一箝制電路56連接晶體管36及38的控制端364 及384以及晶體管36及38的輸出端366及386,箝制電路56檢測(cè)晶體管36及38的輸出端366及386的電壓Vs,在電壓Vs大于一臨界值Vref2時(shí),關(guān)閉晶體管36及38以限制晶體管36及38的輸出端366及386的最大電壓。在圖7的實(shí)施例中,箝制電路56為一主動(dòng)式電路,其包括開關(guān)58及60以及運(yùn)算放大器62,其中開關(guān)58連接在晶體管36的控制端 364及接地端之間,開關(guān)60連接在晶體管38的控制端384及接地端之間,運(yùn)算放大器62的正輸入端連接晶體管36及38的輸出端366及386,運(yùn)算放大器62的負(fù)輸入端接收一臨界值Vref2,運(yùn)算放大器62的輸出端連接開關(guān)58及60的控制端。當(dāng)接腳S1或S2上的電壓發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),晶體管36及38的輸出端366及386的電壓Vs上升,在電壓Vs大于臨界值Vref2時(shí),運(yùn)算放大器62導(dǎo)通開關(guān)58及60以關(guān)閉晶體管36及38,進(jìn)而限制晶體管36及38的輸出端366及386的最大電壓。在圖7的實(shí)施例中,晶體管36及38是共用一個(gè)電流源40及一個(gè)運(yùn)算放大器62,但在其他實(shí)施例中,晶體管36及38也可以各自配置不同的電流源40及運(yùn)算放大器62。此外,箝制電路56也可以是由被動(dòng)元件組成的被動(dòng)式電路。
[0074]圖8顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例,其與圖5的電路同樣包括晶體管36、38、42及44 以及電流源40,但圖7的保護(hù)電路46包括箝制電路64及66分別連接晶體管36及38的控制端364及384,以限制晶體管36及38的控制端364及384的最大電壓。在圖8的實(shí)施例中,箝制電路64及66皆為被動(dòng)式電路。箝制電路64包括一稽納二極管68用以限制晶體管36的控制端364的最大電壓,稽納二極管68的陽極連接接地端,稽納二極管的陰極連接晶體管36的控制端364。箝制電路66包括一稽納二極管70用以限制晶體管38的控制端 384的最大電壓,稽納二極管70的陽極連接接地端,稽納二極管的陰極連接晶體管38的控制端384。當(dāng)接腳S1及S2上的電壓發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),將產(chǎn)生電流Icpl及Icp2分別晶體管36的輸入端362及控制端364之間的寄生電容Cdgl以及晶體管38的輸入端382 及控制端384之間的寄生電容Cdg2充電,進(jìn)而導(dǎo)致晶體管36及38的控制端364及366的電壓Vgl及Vg2快速上升。在電壓Vgl大于臨界值(即稽納二極管68的擊穿電壓)時(shí),稽納二極管68導(dǎo)通以形成放電路徑供放電晶體管36的控制端364的電壓Vgl,以限制晶體管 36的控制端364的最大電壓。同樣的,在電壓Vg2大于臨界值(即稽納二極管70的擊穿電壓)時(shí),稽納二極管70導(dǎo)通以形成放電路徑供放電晶體管38的控制端384的電壓Vg2,以限制晶體管38的控制端384的最大電壓。
[0075]圖9顯示圖8中箝制電路64及66的另一實(shí)施例,在此實(shí)施例中,箝制電路64及 66為主動(dòng)式電路。在圖9中,箝制電路64包括開關(guān)72及運(yùn)算放大器74,其中開關(guān)72連接在晶體管36的控制端364及接地端之間,運(yùn)算放大器74的正輸入端連接晶體管36的控制端364,運(yùn)算放大器74的負(fù)輸入端接收臨界值Vref3,運(yùn)算放大器74的輸出端連接開關(guān)72 的控制端。在該晶體管的控制端的電壓大于一臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以限制該晶體管的控制端的最大電壓。箝制電路66包括開關(guān)76及運(yùn)算放大器78,其中開關(guān)76連接在晶體管 38的控制端384及接地端之間,運(yùn)算放大器78的正輸入端連接晶體管38的控制端384, 運(yùn)算放大器78的負(fù)輸入端接收臨界值Vref3,運(yùn)算放大器78的輸出端連接開關(guān)76的控制端。當(dāng)接腳S1及S2上的電壓發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí),將產(chǎn)生電流Icpl及Icp2分別晶體管36的輸入端362及控制端364之間的寄生電容Cdgl以及晶體管38的輸入端382及控制端384之間的寄生電容Cdg2充電,進(jìn)而導(dǎo)致晶體管36及38的控制端364及366的電壓 Vgl及Vg2快速上升,在電壓Vgl大于臨界值Vref3時(shí),運(yùn)算放大器74導(dǎo)通開關(guān)72以限制晶體管36的控制端364的最大電壓。同樣的,在電壓Vg2大于臨界值Vref3時(shí),運(yùn)算放大器78導(dǎo)通開關(guān)76以限制晶體管38的控制端384的最大電壓。
[0076]圖10顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例,其與圖5的電路同樣包括晶體管36、38、42及44 以及電流源40,但圖10的保護(hù)電路46包括箝制電路48、56、64及66。圖10的箝制電路48 的架構(gòu)及操作與圖5的箝制電路48相同,圖10的箝制電路56的架構(gòu)及操作與圖7的箝制電路56相同,圖10的箝制電路64及66的架構(gòu)及操作與圖8的箝制電路64及66相同。在其他實(shí)施例中,圖10的箝制電路48及56也可以使用被動(dòng)式電路,圖10的箝制電路64及 66也可以使用主動(dòng)式電路。
[0077]圖11顯示圖10的電路發(fā)生瞬間高電壓變化時(shí)的電壓波形圖,其中波形80是接腳 S1的電壓,波形82是晶體管36的控制端364的電壓Vgl,波形84是晶體管36的輸出端366 的電壓Vs。參照?qǐng)D10及圖11,當(dāng)發(fā)生瞬間高電壓變化使接腳S1的電壓快速上升時(shí),如圖 11的時(shí)間tl所示,電壓Vgl及Vs都開始上升,在時(shí)間t2時(shí),電壓Vgl已達(dá)到箝制電路64 中的稽納二極管68的擊穿電壓,故稽納二極管68導(dǎo)通以限制電壓Vgl的最大值,以防止線性LED驅(qū)動(dòng)器出現(xiàn)不穩(wěn)定或燒毀,此時(shí)電壓Vs仍持續(xù)上升。當(dāng)電壓Vs大于臨界值Vrefl 時(shí),箝制電路48的開關(guān)52被導(dǎo)通以對(duì)電壓Vs放電,但由于接腳S1的電壓仍在劇烈變化, 因此晶體管36的輸出端366仍持續(xù)產(chǎn)生大電流Isl,箝制電路48無法完全將電流Isl泄放至接地端,導(dǎo)致電壓Vs仍持續(xù)上升。在電壓Vs達(dá)到臨界值Vref2時(shí),箝制電路56中的開關(guān)58被導(dǎo)通以使晶體管36關(guān)閉,所以晶體管36的輸出端366不再輸出電流Isl,隨著箝制電路48持續(xù)放電,電壓Vs開始下降。當(dāng)電壓Vs低于臨界值Vref2時(shí),箝制電路56中的開關(guān)58被關(guān)閉,故晶體管36的控制端364的電壓Vgl開始上升,此時(shí)電壓Vgl還不足以導(dǎo)通晶體管36,所以電壓Vs仍持續(xù)下降。當(dāng)晶體管36再次被導(dǎo)通后,若接腳S1的電壓仍在劇烈變化,如時(shí)間t4所示,電壓Vs將再次上升。之后反復(fù)前述操作,直到接腳S1的電壓穩(wěn)定后,電壓Vs將穩(wěn)定在正常操作范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,包括:一晶體管,具有一輸入端供連接發(fā)光二極管,其中在該晶體管導(dǎo)通時(shí),該發(fā)光二極管被 點(diǎn)殼;一電流源,連接該晶體管的輸出端,用以調(diào)節(jié)通過該發(fā)光二極管的電流;以及一保護(hù)電路,連接該晶體管,用以限制該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端 的電壓其中至少一個(gè)的最大值,以避免該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器因該晶體管的輸入端的瞬 間電壓變化而發(fā)生異?;虿环€(wěn)定。2.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該保護(hù)電路包括一箝制 電路連接該晶體管的輸出端,以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。3.如權(quán)利要求2所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的輸出端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的輸出端及該開關(guān),在該晶體管的輸出端的電壓大于一 臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。4.如權(quán)利要求2所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該箝制電路包括一稽納 二極管用以限制該晶體管的輸出端的最大電壓,該稽納二極管的陽極連接一接地端,該稽 納二極管的陰極連接該晶體管的輸出端。5.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該保護(hù)電路包括一箝制 電路連接該晶體管的控制端及該晶體管的輸出端,檢測(cè)該晶體管的輸出端的電壓,在該晶 體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),關(guān)閉該晶體管以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。6.如權(quán)利要求5所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的控制端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的輸出端及該開關(guān),在該晶體管的輸出端的電壓大于該 臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以關(guān)閉該晶體管。7.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該保護(hù)電路包括一箝制 電路連接該晶體管的控制端,以限制該晶體管的控制端的最大電壓。8.如權(quán)利要求7所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該箝制電路包括一稽納 二極管用以限制該晶體管的控制端的最大電壓,該稽納二極管的陽極連接一接地端,該稽 納二極管的陰極連接該晶體管的控制端。9.如權(quán)利要求7所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的控制端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的控制端及該開關(guān),在該晶體管的控制端的電壓大于一 臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以限制該晶體管的控制端的最大電壓。10.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該保護(hù)電路包括:一第一箝制電路,連接該晶體管的輸出端,以限制該晶體管的輸出端的最大電壓;一第二箝制電路,連接該晶體管的控制端及該晶體管的輸出端,檢測(cè)該晶體管的輸出 端的電壓,在該晶體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),關(guān)閉該晶體管以限制該晶體管的 輸出端的最大電壓;以及一第三箝制電路,連接該晶體管的控制端,以限制該晶體管的控制端的最大電壓。11.如權(quán)利要求10所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該第一箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的輸出端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的輸出端及該開關(guān),在該晶體管的輸出端的電壓大于一 第二臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。12.如權(quán)利要求10所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該第一箝制電路包括 一稽納二極管用以限制該晶體管的輸出端的最大電壓,該稽納二極管的陽極連接一接地 端,該稽納二極管的陰極連接該晶體管的輸出端。13.如權(quán)利要求10所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該第二箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的控制端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的輸出端及該開關(guān),在該晶體管的輸出端的電壓大于該 臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以關(guān)閉該晶體管。14.如權(quán)利要求10所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該第三箝制電路包括 一稽納二極管用以限制該晶體管的控制端的最大電壓,該稽納二極管的陽極連接一接地 端,該稽納二極管的陰極連接該晶體管的控制端。15.如權(quán)利要求10所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該第三箝制電路包括:一開關(guān),連接在該晶體管的控制端及一接地端之間;以及一運(yùn)算放大器,連接該晶體管的控制端及該開關(guān),在該晶體管的控制端的電壓大于一 臨界值時(shí),導(dǎo)通該開關(guān)以限制該晶體管的控制端的最大電壓。16.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該晶體管是高壓元件。17.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該晶體管是金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。18.如權(quán)利要求1所述的線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器,其特征在于,該晶體管是絕緣柵雙極 晶體管。19.一種線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的控制方法,其特征在于,該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器包 含一晶體管具有一與發(fā)光二極管連接的輸入端、一控制端及一輸出端,該控制方法包括下 列步驟:導(dǎo)通該晶體管以點(diǎn)亮該發(fā)光二極管;以及限制該晶體管的控制端的電壓及該晶體管的輸出端的電壓其中至少一個(gè)的最大值,以 避免該線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器因該晶體管的輸入端的瞬間電壓變化而發(fā)生異常或不穩(wěn)定。20.如權(quán)利要求19所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管上的電壓最大值的 步驟包括限制該晶體管的輸出端的最大電壓。21.如權(quán)利要求20所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的輸出端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),形成一放電路徑供放電該晶體 管的輸出端的電壓,以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。22.如權(quán)利要求20所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的輸出端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),關(guān)閉該晶體管以限制該晶體管 的輸出端的最大電壓。23.如權(quán)利要求19所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管上的電壓最大值的 步驟包括限制該晶體管的控制端的最大電壓。24.如權(quán)利要求23所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的控制端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的控制端的電壓大于一臨界值時(shí),形成一放電路徑供放電該晶體 管的控制端的電壓,以限制該晶體管的控制端的最大電壓。25.如權(quán)利要求19所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管上的電壓最大值的 步驟包括:限制該晶體管的輸出端的最大電壓;以及限制該晶體管的控制端的最大電壓。26.如權(quán)利要求25所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的輸出端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),形成一放電路徑供放電該晶體 管的輸出端的電壓,以限制該晶體管的輸出端的最大電壓。27.如權(quán)利要求25所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的輸出端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的輸出端的電壓大于一臨界值時(shí),關(guān)閉該晶體管以限制該晶體管 的輸出端的最大電壓。28.如權(quán)利要求25所述的控制方法,其特征在于,該限制該晶體管的控制端的最大電 壓的步驟包括在該晶體管的控制端的電壓大于一臨界值時(shí),形成一放電路徑供放電該晶體 管的控制端的電壓,以限制該晶體管的控制端的最大電壓。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK105992439SQ201510087261
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月25日
【發(fā)明人】潘均宏, 饒東錚, 李惟, 李一惟, 陳曜洲
【申請(qǐng)人】立锜科技股份有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1