專利名稱：等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置，特別是涉及一種等離子體顯示裝置的尋址驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
等離子體顯示平板是一種使用通過氣體放電產(chǎn)生的等離子體以顯示字符或圖像的平板顯示器。根據(jù)其尺寸，等離子體顯示平板包括多于幾十個(gè)到幾百萬個(gè)以矩陣形式排列的像素。根據(jù)施加到其上的驅(qū)動(dòng)電壓的波形模式及其放電單元的結(jié)構(gòu)，這些等離子體顯示平板被分類成直流(DC)型和交流(AC)型。
典型的AC型等離子體顯示平板具有在其一側(cè)上并列的掃描電極和維持電極，還具有在其另一側(cè)上與掃描電極和維持電極交叉的尋址電極。形成維持電極以對(duì)應(yīng)于各掃描電極，每個(gè)維持電極的一端被共同耦合到這些掃描電極。
通常，驅(qū)動(dòng)AC等離子體顯示平板的方法可以由時(shí)間操作周期、即復(fù)位周期、尋址周期和維持周期表示。復(fù)位周期是用于復(fù)位每個(gè)單元的狀態(tài)從而平滑執(zhí)行每個(gè)單元的尋址操作的周期。尋址周期是將尋址電壓施加到被尋址單元以在被尋址單元上聚集壁電荷從而在PDP上選擇將被導(dǎo)通的單元和將不被導(dǎo)通的單元的周期。維持周期是將維持放電電壓脈沖施加到被尋址單元、借此根據(jù)圖形被實(shí)際顯示來執(zhí)行放電。
通常，當(dāng)掃描電壓被連續(xù)施加給掃描電極時(shí)，尋址電壓Va通過將發(fā)射光的放電單元施加給尋址電極，非尋址電壓(通常為0v)通過從被施加有掃描電壓的掃描電極處形成的放電單元中不發(fā)射光的放電單元施加給尋址電極。當(dāng)數(shù)據(jù)經(jīng)過尋址驅(qū)動(dòng)IC施加到尋址電極時(shí)，電壓Va和0v有選擇地被施加到尋址電極，和當(dāng)所述尋址驅(qū)動(dòng)IC將數(shù)據(jù)Va和0V施加到尋址電極時(shí)，數(shù)據(jù)被同時(shí)施加到尋址電極上。在這個(gè)例子中，施加到尋址電極上的電壓保持為0V、保持為Va、從0V變化到電壓Va或者從電壓Va變化到0V。當(dāng)在上述4種狀態(tài)中電壓從0V變化到電壓Va或者從電壓Va變化到0V時(shí)，特別是，當(dāng)在相鄰多個(gè)尋址電極中的一個(gè)尋址電極處的電壓從0V變化到電壓Va和在其另一個(gè)尋址電極處的電壓從電壓Va變化到0V時(shí)，由于在相鄰尋址電極之間形成的電容，使得與當(dāng)電壓從0V變化到電壓2Vs時(shí)產(chǎn)生的功率相當(dāng)?shù)墓β时粨p耗，并且功率損耗相當(dāng)大。因此，傳統(tǒng)地使用功率恢復(fù)電路來減少功率損耗。但是，當(dāng)在多個(gè)相鄰尋址電極中的一個(gè)尋址電極處的電壓從0V變化到電壓Va和其另一個(gè)尋址電極處的電壓從Va變化到0V時(shí)，尋址電極的電壓需要被從0V增加到Va和再次將其減小為0V，或者從Va減小到0V并再次將其增加到電壓Va。因此，不需要數(shù)據(jù)變化的尋址電極的電壓必須同時(shí)變化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種具有最小功率損耗的尋址驅(qū)動(dòng)電路。
根據(jù)本發(fā)明以實(shí)施例的示例性等離子體顯示裝置包括平板和多個(gè)選擇電路。所述平板包括在第一方向上的多個(gè)第一電極和在與第一方向交叉的第二方向上的多個(gè)第二電極。選擇電路包括第一選擇電路和第二選擇電路，它們分別包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管的第一端子被耦合到用于提供尋址電壓的第一電源，并且第二端子被耦合到第二電極，第二晶體管的第一端子被耦合到第二電極，并且第二端子被耦合到用于提供非尋址電壓的第二電源。第一晶體管將尋址電壓施加到被選擇的第二電極，第二晶體管將所述非尋址電壓施加到未被選擇的第二電極。第一選擇電路的第一晶體管導(dǎo)通的時(shí)間不同于第二選擇電路的第二晶體管導(dǎo)通的時(shí)間。
所述等離子體顯示裝置還包括控制電路。該控制電路根據(jù)輸入信號(hào)輸出用于控制第一和第二晶體管的導(dǎo)通/截止操作的控制信號(hào)。施加輸入信號(hào)之后直到第一選擇電路的第一晶體管導(dǎo)通的延遲時(shí)間不同于施加所述輸入信號(hào)之后直到第二選擇電路的第二晶體管導(dǎo)通的延遲時(shí)間。控制電路包括反相器(inverter)和第一延遲電路。該反相器具有耦合到第二晶體管的控制端的輸出端。第一延遲電路具有用于接收輸入信號(hào)的輸入端，和共同耦合到反相器的輸入端和第二晶體管的控制端的輸出端。第一延遲電路的上升延遲時(shí)間不同于它的下降延遲時(shí)間。
是其它是實(shí)施例中，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體具有在第一方向上的多個(gè)第一電極和在與第一方向交叉的第二方向上的多個(gè)第二電極。當(dāng)上升尋址脈沖被施加到多個(gè)第二電極中的一個(gè)和下降尋址脈沖被施加到另一個(gè)第二電極時(shí)，上升尋址脈沖的上升時(shí)間不同于下降尋址脈沖的下降時(shí)間。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示裝置；圖2A和2B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的施加到尋址電極上的波形；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的尋址驅(qū)動(dòng)電路；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在尋址驅(qū)動(dòng)電路中的尋址選擇電路圖；圖5A示出了當(dāng)上升延遲時(shí)間對(duì)下降延遲時(shí)間的比值是圖4給出的1∶2時(shí)各節(jié)點(diǎn)的輸出波形圖；和圖5B示出了當(dāng)上升延遲時(shí)間對(duì)下降延遲時(shí)間的比值是圖4給出的2∶1時(shí)各節(jié)點(diǎn)的輸出波形圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照?qǐng)D1描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)。等離子體顯示裝置包括等離子體顯示平板100、尋址電極驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器320、X電極驅(qū)動(dòng)器340和控制器400。
等離子體顯示平板100包括在列方向上的多個(gè)尋址電極A1到Am，和在行方向上的第一維持電極Y1到Y(jié)n以及第二維持電極X1到Xn。尋址電極驅(qū)動(dòng)器200從控制器400接收尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA，并將用于選擇將被顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到該尋址電極。Y電極驅(qū)動(dòng)器320和X電極驅(qū)動(dòng)器340從控制器400接收Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY和X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX并將它們分別施加到X電極和Y電極。控制器400接收外部圖像信號(hào)，產(chǎn)生尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY、X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX，并將它們分別傳送給尋址電極驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器320和X電極驅(qū)動(dòng)器340。
通常，通過將幀分成多個(gè)子場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)等離子體顯示平板，和在每個(gè)子場(chǎng)的尋址周期中從多個(gè)放電單元中選擇將放電的放電單元。在這個(gè)例子中，掃描電壓被連續(xù)地施加到掃描電極，沒有被施加掃描電壓的掃描電極以正電壓偏置，以便在尋址周期選擇放電單元。尋址電壓通過將被選擇的放電單元施加到尋址電極，非尋址電壓被施加到不是從由被施加了掃描電壓的掃描電極形成的放電單元中選擇的尋址電極。尋址電壓和非尋址電壓分別使用正電壓和地電壓，并且掃描電壓使用地電壓或負(fù)電壓，從而使被施加了尋址電壓的尋址電極和被放電掃描電壓的掃描電極以及相應(yīng)的放電單元被選擇為發(fā)光單元。
下面將詳細(xì)描述尋址電極驅(qū)動(dòng)器200中的尋址驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)相鄰尋址電極處的電壓不同地變化(例如增加或減小)時(shí)，防止相鄰尋址電極處的并發(fā)電壓變化，以使功率損耗和電極間有效充電/放電電容最小。即，可以使一個(gè)尋址電極處的電壓上升，然后在另一個(gè)尋址電極處的電壓下降，或者在一個(gè)尋址電極處的電壓下降，然后另一個(gè)尋址電極處的電壓上升。
圖2A和2B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的施加到尋址電極的波形。圖2A示出了其中假設(shè)下降延遲時(shí)間被給出為0的情況下，所建立的上升延遲時(shí)間TD1長于下降延遲時(shí)間的情況。圖2B示出了其中假設(shè)上升延遲時(shí)間被給出為0的情況下所建立下降延遲時(shí)間TD2長于上升延遲時(shí)間的情況。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于施加圖2A和2B的波形的尋址驅(qū)動(dòng)電路。
如圖3所示，尋址驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)尋址選擇電路2201到220m。所述尋址選擇電路2201到220m被分別耦合到多個(gè)尋址電極A1到Am，并分別包括兩個(gè)驅(qū)動(dòng)和接地開關(guān)AH和AL。具有體二極管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以被用做開關(guān)AH和AL，也可以應(yīng)用執(zhí)行相同或類似功能的其它開關(guān)。
驅(qū)動(dòng)開關(guān)AH的第一端被耦合到用于提供尋址電壓的電源(電壓)Va，并且其第二端被耦合到平板電容器Cp的尋址電極A1到Am上，和當(dāng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)AH導(dǎo)通時(shí)，尋址電壓Va被傳送給尋址電極A1到Am。接地開關(guān)AL被耦合在尋址電極A1到Am和地之間，當(dāng)接地開關(guān)AL導(dǎo)通時(shí)，地電壓被傳送給尋址電極A1到Am。由于驅(qū)動(dòng)開關(guān)AH和接地開關(guān)AL不同時(shí)導(dǎo)通，所以，它們通常被認(rèn)為是變化開關(guān)。
如所述，耦合到尋址電極A1到Am的尋址選擇電路2201到220m的開關(guān)AH和AL通過控制信號(hào)被導(dǎo)通或截止，尋址電壓Va或地電壓因此被施加到尋址電極A1到Am上。即，選擇在尋址周期內(nèi)驅(qū)動(dòng)開關(guān)AH導(dǎo)通時(shí)被施加有尋址電壓Va的尋址電極，并且不選擇在尋址周期內(nèi)接地開關(guān)AL導(dǎo)通時(shí)被施加有地電壓的尋址電極。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在尋址驅(qū)動(dòng)電路中的尋址選擇電路的電路圖。為便于描述，圖4示出易于說明的單個(gè)尋址選擇電路。
如圖4所示，開關(guān)AH和開關(guān)AL的控制端被耦合到延遲電路410和420，反相器430被耦合到與開關(guān)AL耦合的延遲電路420的第一端。延遲電路440耦合在信號(hào)Sa的輸入端和反相器430與延遲電路410的節(jié)點(diǎn)之間。延遲電路410、420和430的上升延遲時(shí)間被建立得長于它們的下降延遲時(shí)間，以便輸出圖2A所示的波形。
圖5A示出了當(dāng)上升延遲時(shí)間TDR對(duì)下降延遲時(shí)間TDF的比值被給出為圖4所示的2∶1時(shí)各節(jié)點(diǎn)的輸出波形圖。如圖5A所示，當(dāng)輸入信號(hào)Sa時(shí)，延遲電路440輸出其上升沿被延遲兩步(step)、下降沿被延遲一步的信號(hào)A。延遲電路410接收信號(hào)A并輸出其上升沿被延遲兩步、下降沿被延遲一步的信號(hào)B。反相器430反相信號(hào)A，延遲電路420接收反相的信號(hào)A并輸出其上升沿(即，反相的下降沿)被延遲兩步、下降沿(即，反相的上升沿)被延遲一步的信號(hào)C。當(dāng)信號(hào)B為高時(shí)，開關(guān)AH導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)C為高時(shí)，開關(guān)AL導(dǎo)通，當(dāng)開關(guān)導(dǎo)AH通時(shí)，電壓Va被施加到尋址電極，和當(dāng)開關(guān)AL導(dǎo)通時(shí)，地電壓被施加到尋址電極。
因此，當(dāng)信號(hào)Sa的上升沿被延遲4步時(shí)，開關(guān)AH導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)Sa的下降沿被延遲3步時(shí)，開關(guān)AL導(dǎo)通，信號(hào)D被施加到尋址電極。延遲電路410、420和440的下降延遲時(shí)間被建立為長于它們的上升延遲時(shí)間，以便輸出圖2B的波形。
圖5B示出了當(dāng)上升延遲時(shí)間TDR對(duì)下降延遲時(shí)間TDF的比值被給出為圖4所示的1∶2時(shí)各節(jié)點(diǎn)的輸出波形圖。
如圖5B所示，當(dāng)輸入信號(hào)Sa時(shí)，延遲電路440輸出其下降沿被延遲兩步和上升沿被延遲一步的信號(hào)A。延遲電路410接收信號(hào)A并輸出其下降沿被延遲兩步和上升沿被延遲一步的信號(hào)B。反相器430反相信號(hào)A，延遲電路420接收反相的信號(hào)A，并輸出其下降沿被延遲兩步和上升沿被延遲一步的信號(hào)C。因此，當(dāng)信號(hào)Sa的上升沿被延遲兩步時(shí)，開關(guān)AH導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)Sa的下降沿被延遲4步時(shí)，開關(guān)AL導(dǎo)通，和信號(hào)D被施加到尋址電極。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的功耗效率。
如圖3所示，當(dāng)現(xiàn)定在相鄰尋址電極A1和尋址電極A2之間形成的電容是C1和在尋址電極A1、尋址電極A2和其它電極(X電極和Y電極)之間形成的電容是C2(對(duì)應(yīng)于圖3的Cp)時(shí)，當(dāng)相鄰尋址電極處的電壓反向變化時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗被給出為1/2*C1*(2Va2)+2*(1/2*C2*Va2)＝(2C1+C2)*Va2。但是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)電壓先下降然后上升或同樣的上升然后下降時(shí)產(chǎn)生的功率損耗被給出為2*(1/2*C1*Va2)+2(1/2*C2*Va2)＝(C1+C2)*Va2。因此，與兩個(gè)相鄰尋址電極處的電壓同時(shí)變化的情況相比較，功率損耗減小了。
如上所述，在開關(guān)AH和AL的控制端和信號(hào)Sa的輸入端之間提供了三個(gè)延遲電路，另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，可以將各延遲電路集成為一單一的延遲電路耦合到信號(hào)Sa的輸入端而不必向開關(guān)AH和AL的控制端增加延遲電路。
根據(jù)本發(fā)明，通過向開關(guān)的控制端添加延遲電路和使尋址驅(qū)動(dòng)電路中的上升延遲和下降延遲不同，可以避免相鄰尋址電極處電壓的反向同時(shí)變化。因此，由尋址驅(qū)動(dòng)電路引起的功耗最小并且不需要應(yīng)用功率恢復(fù)電路。
盡管已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前考慮到的實(shí)際范例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不受所披露的實(shí)施例的限制，相反，本發(fā)明試圖覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效物。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括平板，包括在第一方向上的多個(gè)第一電極和在與第一方向交叉的第二方向上的多個(gè)第二電極；和多個(gè)選擇電路，包括第一選擇電路和第二選擇電路，該第一選擇電路和第二選擇電路分別包括具有耦合到用于提供尋址電壓的第一電源的第一端和耦合到第二電極的第二端的第一晶體管，和具有耦合到第二電極的第一端和耦合到用于提供非尋址電壓的第二電源的第二端的第二晶體管，第一晶體管向所選擇的第二電極施加尋址電壓，和第二晶體管向未被選擇的第二電極施加非尋址電壓；其中，第一選擇電路的第一晶體管的導(dǎo)通時(shí)間不同于第二選擇電路的第二晶體管的導(dǎo)通時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述等離子體顯示裝置還包括控制電路，用于根據(jù)輸入信號(hào)輸出用于控制第一和第二晶體管的導(dǎo)通/截止操作的控制信號(hào)；和在施加輸入信號(hào)之后直到第一選擇電路的第一晶體管導(dǎo)通的延遲時(shí)間不同于在施加所述輸入信號(hào)之后直到第二選擇電路的第二晶體管導(dǎo)通的延遲時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述控制電路包括反相器，具有耦合到第二晶體管的控制端的輸出端；和第一延遲電路，具有用于接收輸入信號(hào)的輸入端和被共同耦合到反相器的輸入端和第二晶體管的控制端的輸出端，其中，第一延遲電路的上升延遲時(shí)間不同于它的下降延遲時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示裝置，其中，所述控制電路還包括耦合在第一延遲電路的輸出端和第一晶體管的控制端之間的第二延遲電路；和耦合在反相器的輸出端和第二晶體管的控制端之間的第三延遲電路；和其中，第二和第三延遲電路的上升延遲時(shí)間和下降延遲時(shí)間是不同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，當(dāng)一個(gè)第二電極處的電壓被從尋址電壓改變成非尋址電壓和在另一個(gè)第二電極處的電壓被從非尋址電壓改變成尋址電壓時(shí)，在一個(gè)第二電極處的電壓被改變成非尋址電壓和然后在另一個(gè)第二電極處的電壓開始被改變。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，當(dāng)一個(gè)第二電極處的電壓被從尋址電壓改變成非尋址電壓和在另一個(gè)第二電極處的電壓被從非尋址電壓改變成尋址電壓時(shí)，在另一個(gè)第二電極處的電壓被改變成尋址電壓和然后在一個(gè)第二電極處的電壓開始被改變。
7.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體顯示裝置包括在第一方向上的多個(gè)第一電極和在與第一方向交叉的第二方向上的多個(gè)第二電極，其中，當(dāng)上升尋址脈沖被施加到一個(gè)第二電極和下降尋址脈沖被施加到其另一個(gè)第二電極時(shí)，上升尋址脈沖的上升時(shí)間不同于下降尋址脈沖的下降時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在用于施加上升尋址脈沖的控制信號(hào)之后用于尋址脈沖上升的時(shí)間不同于在用于施加下降尋址脈沖的控制信號(hào)之后用于尋址脈沖下降的時(shí)間。
全文摘要
一種等離子體顯示平板，延遲電路被加到開關(guān)的控制端和在尋址驅(qū)動(dòng)電路中上升延遲時(shí)間被建立為不同于下降延遲時(shí)間，從而使得相鄰尋址電極處的電壓不能反向同時(shí)變化。因此，由尋址驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)致的功耗被最小化且不需要功率恢復(fù)電路。
文檔編號(hào)G09G3/298GK1744173SQ20051009240
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2005年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者梁振豪, 鄭宇埈, 金泰城 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社