光罩底部接觸面的顆粒偵測方法及輔助工具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，涉及一種光罩底部接觸面的顆粒偵測方法及輔助工具。
【背景技術(shù)】
[0002]在光刻工藝中，曝光時(shí)最重要的一環(huán)，而光罩又是重中之重。光罩又稱光掩模版、掩膜版，英文名稱為MASK或PHOTOMASK)，由石英玻璃作為襯底，在其上面鍍上一層金屬鉻和感光膠，成為一種感光材料，把已設(shè)計(jì)好的電路圖形通過電子激光設(shè)備曝光在感光膠上，被曝光的區(qū)域會被顯影出來，在金屬鉻上形成電路圖形，成為類似曝光后的底片的光掩模版，然后應(yīng)用于對集成電路進(jìn)行投影定位，通過集成電路光刻機(jī)對所投影的電路進(jìn)行光蝕亥IJ，其生產(chǎn)加工工序?yàn)?曝光，顯影，去感光膠，最后應(yīng)用于光蝕刻。
[0003]在納米級的工藝要求條件下，任何光罩上帶來的瑕疵都是無法接受的。在光罩的管理上，對于圖案區(qū)的瑕疵偵測是非常到位的。相對而言，對于光罩圖案區(qū)以外的接觸面的問題卻很少顧及。然而，光罩接觸面出問題(結(jié)晶、顆粒粘附、凹陷等)，卻會給生產(chǎn)的質(zhì)量帶來極大影響，并無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)。例如，光罩接觸面的顆粒將導(dǎo)致光罩傾斜，從而引起光罩一邊曝光時(shí)光路不垂直，由于光路不垂直，進(jìn)而引起聚焦面偏離。請參閱圖1，顯示為光罩101接觸面無顆粒時(shí)，光罩101水平放置，光路垂直，使得光罩101上的圖案102能夠順利聚焦于晶圓103上的示意圖。再請參閱圖2，顯示為光罩101接觸面上的顆粒104使得光罩101傾斜放置，引起一邊曝光時(shí)的光路不垂直，聚焦面偏離，使得光罩右邊的圖案102不能順利聚焦于晶圓103上的7K意圖。
[0004]目前，對于光罩底部的檢測時(shí)通過目檢的方式。這種方法對于納米級的差異來說是非常粗糙的，并且目檢法難以發(fā)現(xiàn)微米級的污染物，難以判斷污染物的位置對于曝光時(shí)的影響。
[0005]對于光罩圖案區(qū)的微粒問題可以利用光線反射這種常用的方法來檢測，請參閱圖
3,顯示為光罩101圖案區(qū)的微粒104被入射光照射并反射的示意圖，然而對于光罩接觸面的微粒問題，由于微粒104被光罩承載臺105所阻擋，光線無法直接照射到顆粒(如圖3中虛線光路所示)，進(jìn)而也就不存在反射，因此，光線反射法亦無法進(jìn)行光罩接觸面的微粒偵測。
[0006]因此，提供一種光罩底部接觸面的顆粒偵測方法及輔助工具以解決上述問題，改善聚焦面偏尚、提聞曝光質(zhì)量實(shí)屬必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種光罩底部接觸面的顆粒偵測方法及輔助工具，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中無法偵測光罩接觸面的污染狀況，并難以判斷污染物的位置對于曝光時(shí)的影響的問題。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種光罩底部接觸面的顆粒偵測方法，至少包括以下步驟:
[0009]S1:提供一校正光罩，所述校正光罩上設(shè)置有一對標(biāo)記，該一對標(biāo)記的中心坐標(biāo)分別為(_M，0)與(M，0)，所述標(biāo)記為中心對稱圖形；
[0010]S2:將所述校正光罩放置于曝光機(jī)的光罩承載臺上,將曝光光源的光束依次照射在左右兩個(gè)標(biāo)記上，測量得到所述校正光罩繞Y軸的等效傾斜角度K1 ；
[0011]S3:將所述校正光罩旋轉(zhuǎn)180°放置于曝光機(jī)的光罩承載臺上，將曝光光源的光束依次照射在左右兩個(gè)標(biāo)記上，測量得到所述校正光罩繞Y軸的等效傾斜角度K2 ；
[0012]S4:根據(jù)公式K1 = A+B與K2 = A_B，其中A為所述校正光罩繞Y軸的傾斜角度，B為曝光機(jī)繞Y軸的傾斜角度，從而獲得所述曝光機(jī)繞Y軸的傾斜角度B = (K1+K2) /2 ；
[0013]S5:提供待測光罩，利用所述曝光機(jī)測量所述待測光罩繞Y軸的等效傾斜角度E，獲得該待測光罩繞Y軸的傾斜角度F = E-B ;
[0014]S6:根據(jù)所述待測光罩繞Y軸的傾斜角度F的大小，判斷所述待測光罩底部接觸面的污染程度以采取相應(yīng)措施。
[0015]可選地，于所述步驟S2及步驟S3中，利用移動擋板使所述曝光光源的光依次照射在一對標(biāo)記上。
[0016]可選地，于所述步驟S2及步驟S3中，通過光探測器探測透過所述標(biāo)記的光照強(qiáng)度，并將透過一對標(biāo)記的光照強(qiáng)度進(jìn)行對比得到所述校正光罩繞Y軸的等效傾斜角度。
[0017]可選地，透過所述標(biāo)記的光通過一透鏡聚焦之后被所述光探測器探測。
[0018]可選地，于所述步驟S5中，提供一組待測光罩，在同一片晶圓上依次測量每一片待測光罩繞Y軸的等效傾斜角度，并獲得每一片待測光罩繞Y軸的傾斜角度。
[0019]可選地，所述標(biāo)記為間隔透光圖形。
[0020]可選地，所述標(biāo)記的整體輪廓為正方形、圓形、正六邊形或正八邊形。
[0021]本發(fā)明還提供一種用于光罩底部接觸面顆粒偵測的輔助工具，所述輔助工具為一校正光罩，所述校正光罩上設(shè)置有一對標(biāo)記，該一對標(biāo)記的中心坐標(biāo)分別為(-Μ,Ο)與(Μ,0)，所述標(biāo)記為中心對稱圖形。
[0022]可選地，所述標(biāo)記為間隔透光圖形。
[0023]可選地，所述標(biāo)記的整體輪廓為正方形、圓形、正六邊形或正八邊形。
[0024]可選地，所述標(biāo)記的坐標(biāo)值Μ大于所述校正光罩寬度的四分之一。
[0025]如上所述，本發(fā)明的光罩底部接觸面的顆粒偵測方法及輔助工具，具有以下有益效果:1)本發(fā)明利用校正光罩作為輔助工具進(jìn)行偵測，所述校正光罩上設(shè)置有一對標(biāo)記，該一對標(biāo)記的中心坐標(biāo)分別為(_Μ，0)與(Μ，0)，所述標(biāo)記為中心對稱圖形，使得所述校正光罩旋轉(zhuǎn)180度之后仍然可以用于曝光光源偵測，通過旋轉(zhuǎn)前與旋轉(zhuǎn)后兩次偵測可獲得曝光機(jī)臺本身的繞Υ軸的傾斜角度；從而對于待測光罩繞Υ軸的傾斜角度，只需要將測得的待測光罩繞Υ軸的等效傾斜角度值減去曝光機(jī)臺本身繞Υ軸的傾斜角度即可得到；2)考慮到FAB的生產(chǎn)壓力，本發(fā)明可通過建立一個(gè)偵測制程，實(shí)現(xiàn)多個(gè)待測光罩在同一片晶圓上依次做曝光，來測得每一片待測光罩繞Υ軸的傾斜角度，可以節(jié)省時(shí)間，提高效率，理論上要做多少塊光罩都是可實(shí)現(xiàn)的；3)本發(fā)明通過所述待測光罩繞Υ軸的傾斜角度值的大小，便可判斷光罩接觸面的污染程度，從而進(jìn)行清理，通過清理后光罩繞Υ軸的傾斜角度明顯改善；
4)本發(fā)明中，所述校正光罩旋轉(zhuǎn)前與旋轉(zhuǎn)后繞Υ軸的等效傾斜角度可利用ASML PAS850機(jī)臺的RYTILT參數(shù)來偵測，高效準(zhǔn)確。
【附圖說明】
[0026]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中光罩接觸面無顆粒時(shí)，光罩水平放置，光路垂直，使得光罩上的圖案能夠順利聚焦于晶圓上的示意圖。
[0027]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中光罩接觸面上的顆粒使得光罩傾斜放置，引起一邊曝光時(shí)的光路不垂直，聚焦面偏離，使得光罩右邊的圖案不能順利聚焦于晶圓上的示意圖。
[0028]圖3顯示為光罩圖案區(qū)的微粒被入射光照射并反射，而光罩接觸面的微粒被光罩承載臺所阻擋，光線無法直接照射到從而無反射的示意圖。
[0029]圖4顯示為本發(fā)明的光罩底部接觸面的顆粒偵測方法的工藝流程圖。
[0030]圖5顯示為本發(fā)明的光罩底部接觸面的顆粒偵測方法中校正光罩的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖6顯示為本發(fā)明的光罩底部接觸面的顆粒偵測方法中校正光罩放置于光罩承載臺上的示意圖。
[0032]圖7顯示為本發(fā)明的光罩底部接觸面的顆粒偵測方法中校正光罩旋轉(zhuǎn)180°后放