一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種太赫茲功能器件，特別涉及一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)。一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)光，包括兩種不同的周期結(jié)構(gòu)中空?qǐng)A柱狀金屬波導(dǎo)，波導(dǎo)I和波導(dǎo)II，兩個(gè)波導(dǎo)以套扣的形式連接起來(lái)。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易操作、材料低廉的優(yōu)點(diǎn)；本發(fā)明結(jié)構(gòu)為完全的金屬結(jié)構(gòu)，可以有效的防止外界的電磁輻射，而且介質(zhì)損耗很低，無(wú)需封裝；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)尺寸小的優(yōu)點(diǎn)，可用于太赫茲集成系統(tǒng)當(dāng)中；本發(fā)明具有插入損耗低、響應(yīng)快、可重復(fù)使用和壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種太赫茲功能器件，特別涉及一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002] 太赫茲光開(kāi)光是太赫茲網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中對(duì)信號(hào)進(jìn)行控制的核心器件，在太赫茲領(lǐng)域廣 泛的應(yīng)用于光層的路由選擇、上下話(huà)路、光交叉連接、器件測(cè)試、波長(zhǎng)選擇及自愈保護(hù)等方 面。光開(kāi)關(guān)按照工作原理可分為機(jī)械式光開(kāi)關(guān)和波導(dǎo)型光開(kāi)關(guān)，相對(duì)于波導(dǎo)型光開(kāi)關(guān)，機(jī)械 式光開(kāi)關(guān)具有價(jià)格便宜、插入損耗低、串?dāng)_小和重復(fù)性好的優(yōu)勢(shì)。
[0003] 近些年，對(duì)于光開(kāi)關(guān)方面國(guó)內(nèi)外都取得了很多研究成果。2007年，美國(guó)波士頓大學(xué) 的Hou-Tong Chen 等人在 Opt.Lett.上發(fā)表了文章"Ultrafast optical switching of terahertzmetamaterials fabricated on ErAs/GaAsnanoislandsuperlattices"，石開(kāi)究了 在ErAs/GaAs納米晶格基底上制作太赫茲超材料光開(kāi)關(guān)，其復(fù)原時(shí)間可以達(dá)到20皮秒之短。 2009年，我國(guó)華中科技大學(xué)的王濤和李慶等人在《光學(xué)學(xué)報(bào)》上發(fā)表了文章《有源光子帶隙 高速全光開(kāi)關(guān)的研究》，提出了一種基于非共振光學(xué)斯塔克效應(yīng)的有源光子帶隙全光偏振 開(kāi)關(guān)，此種開(kāi)關(guān)具有體積小和開(kāi)關(guān)時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)。2012年，英國(guó)南安普頓大學(xué)的Andreg E ? Nikolaenko等人在Opt ? Express上發(fā)表了文章 "THz band width optical switching with carbon nanotube metaterial"，研究了一種基于碳納米管材料的太赫茲光開(kāi)關(guān)，具 有低開(kāi)關(guān)能量和超快的弛豫時(shí)間的性能。2015年，我國(guó)南京郵電大學(xué)的劉佳和陳鶴鳴在《光 通信研究》上發(fā)表了文章《復(fù)式晶格光子晶體多波長(zhǎng)THz光開(kāi)關(guān)》，提出了一種基于復(fù)式晶格 光子晶體的多波長(zhǎng)THz光開(kāi)關(guān)，此結(jié)構(gòu)能過(guò)實(shí)現(xiàn)四波長(zhǎng)THz波的開(kāi)關(guān)控制，它的消光比可以 達(dá)到40dB，插入損耗為0.109dB。
[0004]已發(fā)表的相關(guān)專(zhuān)利也是碩果累累，2010年天津大學(xué)的胡明和陳濤等人申請(qǐng)了專(zhuān)利 《一種THz波段氧化釩光開(kāi)關(guān)及其制作方法》，專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)為CN 101950092 A，是一種氧化釩 薄膜結(jié)構(gòu)，具有消光比高等優(yōu)點(diǎn)。2013年廣西安捷訊電子科技有限公司的姚鳳岐申請(qǐng)了名 為《2X2機(jī)械光開(kāi)關(guān)》的發(fā)明專(zhuān)利，其專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)為CN 103487893 A，此發(fā)明可以降低封裝 難度，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種采用完全的金屬結(jié)構(gòu)，可以有效的避免外界的電磁輻 射產(chǎn)生的干擾，而且不用考慮封裝的問(wèn)題的復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)。
[0006] 本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0007 ] -種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)光，包括兩種不同的周期結(jié)構(gòu)中空?qǐng)A柱狀金屬 波導(dǎo)，波導(dǎo)I和波導(dǎo)II，兩個(gè)波導(dǎo)以套扣的形式連接起來(lái)。
[0008] 所述的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)管壁所采用的材料是低損耗的金屬。
[0009] 復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為中空的波導(dǎo)，其填充物為空氣。
[0010] 所述的兩種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)是由色散曲線(xiàn)中相同的Bragg共振點(diǎn)，但二 階橫向模式的截止頻率不同的情況下得到的，所述的色散曲線(xiàn)函數(shù)如下：
[0012]其中，m代表第m階橫向模式，/(廣> 是第m階Bessel函數(shù)的零點(diǎn)，r是周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的 長(zhǎng)半徑與短半徑的平均值，0是傳播常數(shù)，n是布拉格共振的階數(shù)，A是矩形起伏結(jié)構(gòu)的周期 長(zhǎng)度。
[0013]所述的兩個(gè)周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)就是由相同橫模間的共振條件，但波導(dǎo)I二 階橫向模式的截止頻率在m = 1，n = 1和m = 1，n = -1的交點(diǎn)下方，波導(dǎo)II二階橫向模式的截 止頻率在m=l，n = l和m=l，n = -l交點(diǎn)的下方的條件下給出的。
[0014]其制作方法是使用MEMS深度光刻工藝在聚合物上分別加工出波導(dǎo)I和波導(dǎo)II的起 伏結(jié)構(gòu)形成基底，其中波導(dǎo)I的最后一個(gè)周期內(nèi)長(zhǎng)半徑端多加工出20wii的長(zhǎng)度，波導(dǎo)II的第 一個(gè)長(zhǎng)半徑端多加工出一段半徑與波導(dǎo)I長(zhǎng)半徑相等的圓柱;成形之后利用X-LIGA工藝在 上述聚合物基底上涂覆一層金屬層，其厚度是10M1，其中波導(dǎo)II的第一個(gè)長(zhǎng)半徑端多加工 出的與波導(dǎo)I長(zhǎng)半徑相等的圓柱上，只在其與波導(dǎo)II的連接的那個(gè)底面所漏出的圓環(huán)處涂 覆金屬層;然后將聚合物基底腐蝕掉;最后將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端插到波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端，最 后利用電子束噴射技術(shù)在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端的波導(dǎo)內(nèi)的端頭上，加工出一個(gè)長(zhǎng)度為10M1的 內(nèi)徑大于波導(dǎo)II長(zhǎng)半徑的圓環(huán)，將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端口套在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端口內(nèi)。
[0015]本發(fā)明的有益效果在于：
[0016] 本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易操作、材料低廉的優(yōu)點(diǎn)；本發(fā)明結(jié)構(gòu)為完全的金屬結(jié)構(gòu)， 可以有效的防止外界的電磁輻射，而且介質(zhì)損耗很低，無(wú)需封裝;本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)尺寸小的 優(yōu)點(diǎn)，可用于太赫茲集成系統(tǒng)當(dāng)中；本發(fā)明具有插入損耗低、響應(yīng)快、可重復(fù)使用和壽命長(zhǎng) 的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為本發(fā)明一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0018]圖2為本發(fā)明一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)分別在"開(kāi)"、"關(guān)"狀態(tài)下 的頻譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 下面結(jié)合附圖和理論計(jì)算的實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0020] 本發(fā)明涉及的是光器件領(lǐng)域，具體是一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)。這種結(jié) 構(gòu)是由兩種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)(波導(dǎo)I波導(dǎo)II)組成的，兩種波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)是由相同的布拉格 共振條件，但它們二階橫向模式的截止頻率所處的位置不同的條件下給出的，其特點(diǎn)是波 導(dǎo)I的短半徑rn和波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑rm相同。兩個(gè)波導(dǎo)均取六個(gè)周期，太赫茲波由波導(dǎo)I的短 半徑端入射，有波導(dǎo)II的短半徑端出射。兩個(gè)波導(dǎo)的連接處，將波導(dǎo)II的最開(kāi)始的半個(gè)周期 (長(zhǎng)半徑端)套入波導(dǎo)I的最后半個(gè)周期(長(zhǎng)半徑端）內(nèi)形成一種套扣的形式，使其能夠進(jìn)行 拉伸。在沒(méi)有將波導(dǎo)II拉伸出來(lái)時(shí)，即呈現(xiàn)出波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端與波導(dǎo)I的短半徑端相連的 情況，此時(shí)處于"關(guān)"的狀態(tài)，當(dāng)將波導(dǎo)II拉伸出來(lái)后，即呈現(xiàn)出波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端與波導(dǎo)I 長(zhǎng)半徑端連接的情況，此時(shí)處于"開(kāi)"狀態(tài)。本結(jié)構(gòu)無(wú)需封裝、材料低廉、容易生產(chǎn)、可用于大 規(guī)模的生產(chǎn)加工。
[0021] 圖1中灰色帶條紋部分為波導(dǎo)I，灰色實(shí)體部分為波導(dǎo)II，虛線(xiàn)框內(nèi)是套扣部分； rii、r2dP A :分別為波導(dǎo)I的短半徑、長(zhǎng)半徑和周期長(zhǎng)度;rm、r2ii和A n分別為波導(dǎo)II的短 半徑、長(zhǎng)半徑和周期長(zhǎng)度。
[0022] 本發(fā)明提供了一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，它是由兩種中空的周期結(jié)構(gòu) 波導(dǎo)(波導(dǎo)I和波導(dǎo)II)以一種套扣的形式連接起來(lái)而成的。這兩種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參 數(shù)是由不同二階橫向模式截止頻率條件下的布拉格共振給出的，其中波導(dǎo)I的二階橫向模 式的截止頻率在第一階橫向模式的一階共振之下，波導(dǎo)II的二階橫向模式的截止頻率在第 一階橫向模式的一階共振之上。兩個(gè)波導(dǎo)的連接處均是各自的長(zhǎng)半徑端，將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半 徑端套入波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端，使其在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端的內(nèi)部能夠拉伸，當(dāng)波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑 端插到波導(dǎo)I里面與波導(dǎo)I的短半徑處連接時(shí)，此結(jié)構(gòu)處于"關(guān)"的狀態(tài)，當(dāng)波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑 端拉到波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端端口時(shí)與波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑處連接，此結(jié)構(gòu)處于"開(kāi)"的狀態(tài)，兩個(gè)波 導(dǎo)均取六個(gè)周期，太赫茲波由波導(dǎo)I的短半徑端進(jìn)，波導(dǎo)II的短半徑端出。
[0023] 所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的管壁為低損耗的金屬材料制作而成的，復(fù)合波導(dǎo)為中空波 導(dǎo)，其芯內(nèi)填充物為空氣。其制作方法是利用MEMS深度光刻工藝在聚合物上分別加工出波 導(dǎo)I和波導(dǎo)II的起伏結(jié)構(gòu)形成基底，其中波導(dǎo)I的最后一個(gè)周期內(nèi)長(zhǎng)半徑端多加工出20wii的 長(zhǎng)度，波導(dǎo)II的第一個(gè)長(zhǎng)半徑端多加工出一段半徑與波導(dǎo)I長(zhǎng)半徑相等的圓柱。成形之后利 用X-LIGA工藝在上述聚合物基底上涂覆一層金屬層，其厚度是lOwii，其中波導(dǎo)II的第一個(gè) 長(zhǎng)半徑端多加工出的與波導(dǎo)I長(zhǎng)半徑相等的圓柱上，只在其與波導(dǎo)II的連接的那個(gè)底面所 漏出的圓環(huán)處涂覆金屬層。然后將聚合物基底腐蝕掉。最后將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端插到波導(dǎo)I 的長(zhǎng)半徑端，最后利用電子束噴射技術(shù)在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端的波導(dǎo)內(nèi)的端頭上，加工出一個(gè) 長(zhǎng)度為10M1的內(nèi)徑大于波導(dǎo)II長(zhǎng)半徑的圓環(huán)，將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端口套在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑 端口內(nèi)。
[0024] 在周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)中電磁波的橫向模式之間會(huì)發(fā)生共振，從而產(chǎn)生頻率禁帶，使得 某些特定頻率范圍內(nèi)的電磁波不能通過(guò)此種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)。當(dāng)共振條件不同時(shí)得到的兩種 周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)且它們有相同的頻率禁帶的情況下，使這兩種波導(dǎo)連接起來(lái)，不但不能更有 效的抑制電磁波的傳輸，反過(guò)來(lái)由于局部共振的原因，會(huì)在兩波導(dǎo)重合的頻率禁帶內(nèi)出現(xiàn) 通帶，當(dāng)其中的一個(gè)波導(dǎo)的周期完整性被破壞后，這種局部共振效應(yīng)會(huì)消失，使其產(chǎn)生的通 帶消失，這樣就可以實(shí)現(xiàn)光開(kāi)關(guān)的功能。
[0025] 兩種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)是由色散曲線(xiàn)中相同的Bragg共振點(diǎn)，但二階橫向 模式的截止頻率不同的情況下得到的，所述的色散曲線(xiàn)函數(shù)如下：
[0027]其中，m代表第m階橫向模式，是第m階Bessel函數(shù)的零點(diǎn)，r是周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的 長(zhǎng)半徑與短半徑的平均值，0是傳播常數(shù)，n是布拉格共振的階數(shù)，A是矩形起伏結(jié)構(gòu)的周期 長(zhǎng)度。在周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)中，由于周期狀起伏結(jié)構(gòu)的存在，使得橫向模式之間會(huì)發(fā)生共振，從 而產(chǎn)生頻率禁帶。當(dāng)m相同時(shí)是由相同橫向模式之間發(fā)生的共振被稱(chēng)為布拉格共振，產(chǎn)生布 拉格禁帶。這里的兩個(gè)周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)就是由相同橫模間的共振條件(m=l，n = 0 和m= 1，n = 1 )，但不同二階橫向模式截止頻率條件下的布拉格共振給出的，其中波導(dǎo)I的二 階橫向模式的截止頻率在第一階橫向模式的一階共振之下，波導(dǎo)II的二階橫向模式的截止 頻率在第一階橫向模式的一階共振之上。
[0028] -種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，如圖1所示為本發(fā)明結(jié)構(gòu)的剖面圖，本發(fā)明 是由兩種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)組成的，所述的周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的一個(gè)周期A內(nèi)的短半徑rdP長(zhǎng)半徑 r 2部分各占一半，且兩個(gè)部分曾交替狀態(tài)的起伏周期結(jié)構(gòu)。兩個(gè)波導(dǎo)以一種套扣的形式，將 波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端套入波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端連接起來(lái)的。
[0029] 如圖1所示，為理論計(jì)算時(shí)所用的模型，這兩個(gè)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)尺寸分別為:波導(dǎo)I:riI =171um，r2i = 209iim，A i = 182細(xì)；波導(dǎo)II :rm = 139 ? 5ym，r2ii = 171um，A n = 224iim。
[0030] 如圖1所示，灰色帶條紋部分為波導(dǎo)I，灰色實(shí)體部分為波導(dǎo)II，虛框內(nèi)為兩波導(dǎo)的 連接處的套扣結(jié)構(gòu)，當(dāng)波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端插到波導(dǎo)I里面與波導(dǎo)I的短半徑處連接時(shí)，0.86 ~1. ITHz范圍內(nèi)完全為禁帶，此時(shí)處于"關(guān)"的狀態(tài)，當(dāng)波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端拉到波導(dǎo)I的長(zhǎng)半 徑端端口時(shí)與波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑處連接，會(huì)在0.9634THZ附近出現(xiàn)一個(gè)很窄的透射峰，此時(shí)處 于"開(kāi)"的狀態(tài)。
[0031] 以上所述的實(shí)施例子僅用于說(shuō)明本發(fā)明，其中各部件的結(jié)構(gòu)、連接方式和尺寸等 都是可以根據(jù)設(shè)計(jì)而變化的，凡是在本發(fā)明技術(shù)方案的基礎(chǔ)上進(jìn)行的同等變換和改進(jìn)，均 包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)光，其特征在于:包括兩種不同的周期結(jié)構(gòu)中空?qǐng)A 柱狀金屬波導(dǎo)，波導(dǎo)I和波導(dǎo)II，兩個(gè)波導(dǎo)以套扣的形式連接起來(lái)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)光，其特征在于:所述的波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)管壁所采用的材料是低損耗的金屬。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，其特征在于:復(fù)合波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)為中空的波導(dǎo)，其填充物為空氣。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，其特征在于:所述的兩 種周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)是由色散曲線(xiàn)中相同的Bragg共振點(diǎn)，但二階橫向模式的截止 頻率不同的情況下得到的，所述的色散曲線(xiàn)函數(shù)如下：其中，m代表第m階橫向模式，是第m階Bessel函數(shù)的零點(diǎn)，r是周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的長(zhǎng)半 徑與短半徑的平均值，β是傳播常數(shù)，η是布拉格共振的階數(shù)，Λ是矩形起伏結(jié)構(gòu)的周期長(zhǎng) 度。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，其特征在于:所述的兩 個(gè)周期結(jié)構(gòu)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)參數(shù)就是由相同橫模間的共振條件，但波導(dǎo)I二階橫向模式的截止 頻率在m=l，n = l和m=l，n = -l的交點(diǎn)下方，波導(dǎo)II二階橫向模式的截止頻率在m=l，n=l 和m=l，n = -l交點(diǎn)的下方的條件下給出的。6. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種復(fù)合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)機(jī)械式THz光開(kāi)關(guān)，其特征在于:其制 作方法是使用MEMS深度光刻工藝在聚合物上分別加工出波導(dǎo)I和波導(dǎo)II的起伏結(jié)構(gòu)形成基 底，其中波導(dǎo)I的最后一個(gè)周期內(nèi)長(zhǎng)半徑端多加工出20μηι的長(zhǎng)度，波導(dǎo)II的第一個(gè)長(zhǎng)半徑端 多加工出一段半徑與波導(dǎo)I長(zhǎng)半徑相等的圓柱;成形之后利用X-LIGA工藝在上述聚合物基 底上涂覆一層金屬層，其厚度是ΙΟμπι，其中波導(dǎo)II的第一個(gè)長(zhǎng)半徑端多加工出的與波導(dǎo)I長(zhǎng) 半徑相等的圓柱上，只在其與波導(dǎo)II的連接的那個(gè)底面所漏出的圓環(huán)處涂覆金屬層;然后 將聚合物基底腐蝕掉;最后將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端插到波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端，最后利用電子束噴 射技術(shù)在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端的波導(dǎo)內(nèi)的端頭上，加工出一個(gè)長(zhǎng)度為IOwn的內(nèi)徑大于波導(dǎo)II 長(zhǎng)半徑的圓環(huán)，將波導(dǎo)II的長(zhǎng)半徑端口套在波導(dǎo)I的長(zhǎng)半徑端口內(nèi)。
【文檔編號(hào)】G02B6/35GK105891966SQ201610356582
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年5月25日
【發(fā)明人】樊亞仙, 徐蘭蘭, 桑湯慶, 張鷺, 陶智勇
【申請(qǐng)人】哈爾濱工程大學(xué)