鐵氧體燒結(jié)板和鐵氧體燒結(jié)片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明提供鐵氧體燒結(jié)板和在該鐵氧體燒結(jié)板的表面設置有粘接層和/或保護 層的鐵氧體燒結(jié)片。更詳細而言，提供在便攜終端的數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的檢測器背面配置的 屏蔽板。
【背景技術(shù)】
[0002] 在智能手機、平板、個人電腦等便攜終端，搭載有觸控筆等由坐標指示器檢測液晶 畫面上的位置信息作為數(shù)字信息的數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用100kHz~1MHz左右的交 流磁場，利用坐標指示器與檢測器之間的磁耦合檢測位置信息。這樣，為了提高讀取靈敏度 和位置精度，在檢測器的背面配置屏蔽板，抑制來自外部的不需要磁場的影響。
[0003] 為了實現(xiàn)讀取靈敏度、位置精度的提高、輕質(zhì)化、薄型化這樣的市場需求，作為該 屏蔽板，公開了使用鐵氧體板或?qū)㈣F氧體顆粒分散于橡膠或塑料得到的片狀部件的技術(shù) (專利文獻1);使用由坡莫合金、非晶態(tài)金屬構(gòu)成的磁性薄板的技術(shù)（專利文獻2);使用鐵 氧體、鐵氧體含有體、羰基鐵壓粉體、坡莫合金壓粉體、鐵硅鋁磁性合金壓粉體的技術(shù)（專 利文獻3)。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開平6-149450號公報
[0007] 專利文獻2 :日本特開平6-309085號公報
[0008] 專利文獻3 :日本特開平8-221176號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明所要解決的課題
[0010] 為了提高便攜終端的讀取靈敏度、位置精度，需要增大屏蔽材料的電阻率，抑制渦 電流的發(fā)生，增大屏蔽板的磁導率的實部（μ^ )。另外，為了形成有效的系統(tǒng)，需要減小磁 導率的虛部（μ")，減小檢測電路的損耗。
[0011] 另外，為了便攜終端的輕質(zhì)化、薄型化，需要使屏蔽材料的厚度為數(shù)十ym程度。
[0012] 這樣使屏蔽材料的厚度變薄時，需要考慮μ'與厚度的關(guān)系。磁場的檢測中使用 的環(huán)形天線的電感依賴于和屏蔽板的厚度，μ'越大，另外屏蔽板的厚度越厚，則電感 越大。即，和厚度的積越大，位置信息的讀取靈敏度、位置精度越高。因此，在將屏蔽材 料薄膜化時，不僅是μ'和厚度，還需要將μ'和厚度的積設定在適當?shù)姆秶?br>[0013] 在專利文獻1中，公開了作為配置于檢測器背面的屏蔽板使用鐵氧體板的技術(shù)， 但是沒有考慮將鐵氧體控制得較薄。另外，也公開了使用使鐵氧體顆粒分散于橡膠或塑料 得到的片狀部件的技術(shù)。鐵氧體在塊體的狀態(tài)下具有高的μ'，將其形成為顆粒并分散于 樹脂等得到的片材的，由于在顆粒間存在非磁性的樹脂，所以上限為20左右。因此，為 了提高讀取靈敏度、位置精度，需要更高的。
[0014] 專利文獻2中，公開了作為該屏蔽板使用由坡莫合金、非晶態(tài)金屬構(gòu)成的磁性薄 板的技術(shù)。參照其實施例，該磁性薄板的有效磁導率在頻率提高時減少，因此，可知由渦電 流引起的磁損耗（μ")變大。因此，檢測電路整體的損耗也變大，難以說是有效的系統(tǒng)。
[0015] 專利文獻3中，公開了作為該屏蔽板使用羰基鐵壓粉體、坡莫合金壓粉體、鐵硅鋁 磁性合金壓粉體的技術(shù)，由于在磁性顆粒間存在間隙，所以壓粉體的的上限為50左 右。因此，為了提高讀取靈敏度、位置精度，需要更高的。
[0016] 為此，為了在數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)中實現(xiàn)充分的讀取靈敏度、位置精度，本發(fā)明的技術(shù) 課題在于提供一種電阻率高、磁導率中的實部大、虛部μ"小的鐵氧體燒結(jié)板和鐵氧 體燒結(jié)片。
[0017] 用于解決課題的方法
[0018] 上述技術(shù)課題能夠通過如下所述的本發(fā)明來完成。
[0019] 即，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)板，其特征在于，具有以氧化物換算包括47~ 50mol% 的Fe203、7. 0 ~26mol% 的Ni0、13 ~36mol% 的Ζη0、7· 0 ~12mol% 的Cu0、0 ~ 1. 5mol%的C〇0的組成，體積電阻率為IX10s~1X10 12Ωcm，厚度為10~60μm(本發(fā)明 1)〇
[0020] 另外，本發(fā)明為本發(fā)明1所述的鐵氧體燒結(jié)板，其中，500kHz的磁導率的實部為 160~1200,磁導率的虛部為0~90 (本發(fā)明2)。
[0021] 另外，本發(fā)明為本發(fā)明1或2所述的鐵氧體燒結(jié)板，其中，鐵氧體燒結(jié)板的500kHz 的磁導率的實部與鐵氧體燒結(jié)板的厚度的積為7500~72000(本發(fā)明3)。
[0022] 另外，本發(fā)明為本發(fā)明1~3中任一項所述的鐵氧體燒結(jié)板，其中，在至少一個表 面形成有至少一個槽（本發(fā)明4)。
[0023] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)片，其在本發(fā)明1~4中任一項所述的鐵氧體燒結(jié) 板的至少一個表面設置有粘接層或保護層（本發(fā)明5)。
[0024] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)片，其在本發(fā)明1~4中任一項所述的鐵氧體燒結(jié) 板的一個表面設置有粘接層，在相反側(cè)的表面設置有保護層（本發(fā)明6)。
[0025] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)片，其在本發(fā)明1~4中任一項所述的鐵氧體燒結(jié) 板的兩個面設置有粘接層（本發(fā)明7)。
[0026] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)片，其在本發(fā)明1~4中任一項所述的鐵氧體燒結(jié) 板的兩個面設置有保護層（本發(fā)明8)。
[0027] 另外，本發(fā)明為本發(fā)明5~8中任一項所述的鐵氧體燒結(jié)片，其中，鐵氧體燒結(jié)板 分割為小片狀（本發(fā)明9)。
[0028] 另外，本發(fā)明為本發(fā)明9所述的鐵氧體燒結(jié)片，其中，500kHz的磁導率的實部為 120~800,磁導率的虛部為0~30, 500kHz的磁導率的實部與鐵氧體燒結(jié)板的厚度的積為 5000 ~48000(本發(fā)明 10)。
[0029] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)板，其體積電阻率為IX10s~1X10 12Ωcm，厚度 為10~60ym，500kHz的磁導率的實部為160~1200,磁導率的虛部為0~90(本發(fā)明 11)〇
[0030] 另外，本發(fā)明為一種鐵氧體燒結(jié)片，其在體積電阻率為IX10s~1X10 12Ωcm的 鐵氧體燒結(jié)板的至少一個表面設置有粘接層或保護層，上述鐵氧體燒結(jié)板分割為小片狀， 該鐵氧體燒結(jié)片的500kHz的磁導率的實部為120~800,磁導率的虛部為0~30 (本發(fā)明12)〇
[0031] 另外，本發(fā)明為一種數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，其特征在于，包括檢測器和與檢測器相鄰配 置的屏蔽板，屏蔽板由本發(fā)明1~4、11中任一項所述的鐵氧體燒結(jié)板構(gòu)成（本發(fā)明13)。
[0032] 另外，本發(fā)明為一種數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)，其特征在于，包括檢測器和與檢測器相鄰配 置的屏蔽板，屏蔽板由本發(fā)明5~10、12中任一項所述的鐵氧體燒結(jié)片構(gòu)成（本發(fā)明14)。
[0033] 發(fā)明的效果
[0034] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板和鐵氧體燒結(jié)片由于電阻率高、μ'大、μ〃小，適于作為 提高數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的讀取靈敏度、位置精度的屏蔽板。
【具體實施方式】
[0035] 更詳細地說明本發(fā)明的構(gòu)成，如下所述。
[0036] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板的體積電阻率為1X10s~1X10 12Ωcm。體積電阻率低于 1X10sΩcm時，發(fā)生渦電流，數(shù)字轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的損耗變大。體積電阻率的上限作為本發(fā)明的 材料本來的特性，為1X1〇12Ωcm。更優(yōu)選的體積電阻率為2X10s~1X10 12Ωcm。
[0037] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板的組成，以氧化物換算計，為47~50mol%的Fe203、 7 ~26mol% 的NiO、13 ~36mol% 的ZnO、7 ~12mol% 的Cu0、0 ~1. 5mol% 的CoO,合計 lOOmol%。其中，也可以含有從原料、制造工序不可避免混入的微量的雜質(zhì)。
[0038] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板中的Fe203的組成低于47mol%時，μ^變小。超過50mol% 時，無法進行低溫的燒結(jié)。更優(yōu)選的Fe203的組成為47~49. 5mol%。
[0039] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板中的NiO的組成低于7mol%時，μ〃變大。超過26mol% 時，μ'變小。更優(yōu)選的NiO的組成為7.5~26.0mol%。
[0040] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板中的ZnO的組成低于13mol%時，μ^變小。超過36mol% 時，μ〃變大。更優(yōu)選的ZnO的組成為14. 0~35. 5mol%。
[0041] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板中的CuO的組成低于7mol%時，無法進行燒結(jié)。超過 12mol%時，μ^變小，并且體積電阻率變得低于lX10sQcm，由此渦流損耗變大，因此，位 置信息的讀取靈敏度、位置精度劣化，檢測電路整體的損耗也變大。更優(yōu)選的CuO的組成為 7. 5 ~ 11. 5mol%〇
[0042] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板中的C〇0在需要使μ〃進一步減小時含有。其組成超過 1.5mol%時，μ'的溫度變化變大，故而不優(yōu)選。
[0043] 本發(fā)明的鐵氧體燒結(jié)板的厚度為10~60μm。厚度低于10μm的鐵氧體燒結(jié)板在 工業(yè)上難以生產(chǎn)。超過60μm時不符合薄膜化的要求，另外，重量變重，因此，也不符合輕質(zhì) 化的要求。