專利名稱：：9－芳基和雙芳基取代的聚芴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體聚合物、半導(dǎo)體聚合物的合成及其在光學(xué)器件中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：電化學(xué)活性聚合物常用于諸如WO90/13148中公開(kāi)的聚合物發(fā)光二極管(“PLED”)、WO90/16449中公開(kāi)的光電器件以及US5523555中公開(kāi)的光檢測(cè)器等的許多種光學(xué)器件中。通常的PLED包括在陽(yáng)極與陰極之間置有一層有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光層。在運(yùn)作時(shí)，空穴經(jīng)陽(yáng)極注入到器件中，電子經(jīng)陰極注入到器件中?？昭ㄟM(jìn)入場(chǎng)致發(fā)光聚合物的最高占據(jù)分子軌道(“HOMO”)，而電子進(jìn)入最低未占據(jù)分子軌道(“LUMO”)，然后復(fù)合成經(jīng)輻射衰變而發(fā)光的激子。從場(chǎng)致發(fā)光聚合物發(fā)射的光顏色決定于HOMO-LUMO的帶隙。電子傳遞材料通常用來(lái)幫助電子從陰極傳遞到場(chǎng)致發(fā)光聚合物的LUMO，從而提高器件的效率。適用的電子傳遞材料是那些LUMO能極處于場(chǎng)致發(fā)光聚合物的LUMO能級(jí)與陰極逸出功之間的物質(zhì)。同樣，通常采用的空穴傳遞材料是那些HOMO能級(jí)處于陽(yáng)極逸出功與發(fā)射材料的HOMO能級(jí)之間的物質(zhì)。例如，WO99/48160公開(kāi)了一種空穴傳遞聚合物、電子傳遞聚合物和場(chǎng)致發(fā)光聚合物的共混物。另一方面，如WO00/55927所述，可通過(guò)嵌段共聚物的不同嵌段來(lái)獲得電子的傳遞功能和發(fā)射功能。PLED領(lǐng)域的研究焦點(diǎn)已集中于對(duì)全色顯示器件的研制，因而需要研制發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物，例如參見(jiàn)SyntheticMatals111-112(2000)，125-128。為此，根據(jù)PAL標(biāo)準(zhǔn)1931CIE參數(shù)的規(guī)定，已發(fā)表了大量關(guān)于發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的三種顏色中每種色光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的研制報(bào)告。發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物所面臨的困難是它們的使用壽命(在一定電流下，從指定的起始亮度至減半時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間)往往較相應(yīng)的發(fā)射紅光或綠光的物質(zhì)的使用壽命短。已提出了關(guān)于發(fā)射藍(lán)光材料衰減較快的因素之一是該材料的LUMO能級(jí)并由此引起的電子注入LUMO后的荷電狀態(tài)的能級(jí)往往沒(méi)有相應(yīng)的發(fā)射紅光或綠光的材料深。因此，可能是由于這些具體較低的電子親合力的材料的電化學(xué)穩(wěn)定性較低，從而更易于衰減。為簡(jiǎn)使起見(jiàn)，對(duì)于所有發(fā)射三種色光的場(chǎng)致發(fā)光材料來(lái)說(shuō)，全色顯示器會(huì)優(yōu)選配置相同的陰極材料，但這樣做會(huì)產(chǎn)生另一個(gè)問(wèn)題由于通常發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的LOMO與陰極的逸出功之間的能帶寬度大于通常發(fā)射紅光或綠光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的LUMO-與陰極逸出功之間的能帶寬度，因而可能會(huì)導(dǎo)致器件的效率下降。顯然，希望有一種有助于使電子注入到發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的電子傳遞材料，然而電子傳遞材料的選擇會(huì)受發(fā)射材料的最小帶隙的限制。這一限制尤其會(huì)影響到采用發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的情況，因?yàn)榘l(fā)射藍(lán)光所需帶隙在發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的帶隙中是最大的。芴重復(fù)單元的鏈如包含二烷基芴重復(fù)單元的均聚物或嵌段共聚物可用作電子傳遞材料。除了電子傳遞性質(zhì)外，聚芴還具有可熔于常規(guī)有機(jī)溶劑和優(yōu)良的成膜性的優(yōu)點(diǎn)。此外，芴單體還適合于Yamamoto聚合或Suzuki聚合，這種聚合作用能高度地對(duì)所得聚合物的區(qū)域規(guī)整度進(jìn)行控制。聚芴基聚合物的一個(gè)實(shí)例是在WO00/55927中公開(kāi)的以式(a)表示的發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物式中w+x+y＝1，w≥0.5，0≤x+y≤0.5和n≥2。在該聚合物中，二辛基芴鏈以F8表示，起電子傳遞材料的作用，三苯基胺以TFB表示，起空穴傳遞材料的作用，雙(二苯基氨基)苯衍生物以PFB表示，起發(fā)射材料的作用。WO94/29883公開(kāi)了吸電子基團(tuán)，特別是腈基團(tuán)作為場(chǎng)致發(fā)光聚合物的取代基在降低高逸出功電極與場(chǎng)致發(fā)光聚合物之間的電子注入勢(shì)方面的用途。該專利只介紹了這類取代基在聚(亞芳基1，2-亞乙烯基)上的用途。J.Poly.Sci.partAPolym.Chem.Vol.39(2001)公開(kāi)了一種以式(b)為重復(fù)單元的聚合物該公開(kāi)內(nèi)容介紹了氟化的側(cè)鏈具有降低鏈間相互作用的用途，據(jù)報(bào)導(dǎo)，這種鏈間相互作用會(huì)引起聚芴發(fā)生聚集，但該文并沒(méi)有論及這類缺電子取代基能提高電子親合力的用途。據(jù)報(bào)導(dǎo)，該聚合物無(wú)光致發(fā)光作用。已公開(kāi)了其中苯基基團(tuán)帶有取代基的二苯基芴，然而這些取代基以Hammettσ常數(shù)量度是呈給電子的。例如，WO00/22026公開(kāi)的一種包含式(c)重復(fù)單元的均聚物該文還公開(kāi)了式(c)與二烷基芴重復(fù)單元、三芳胺重復(fù)單元的共聚物。介紹了芴9位上的不對(duì)稱取代基可用來(lái)避免聚合物發(fā)生聚集，但該文沒(méi)有論及芴9位取代基可用來(lái)提高芴主鏈的電子注入。同樣，WO99/20675公開(kāi)了9，9-二正辛基芴與9，9-二(4-甲氧苯基)芴的1∶1共聚物，WO01/62822公開(kāi)了包含三芳胺9-取代基的聚芴。JP10095972公開(kāi)了以式(e)表示的分子該文公開(kāi)了一類稱為“小分子”而不是如前所述的聚合物的發(fā)射材料。這類分子是與另外的電子傳遞分子一起使用的。該文沒(méi)有論及苯基環(huán)上氟取代基具有提高芴環(huán)電子親合力的作用，氟取代基只是文中所述的苯基環(huán)上許多可能的取代基之一。本發(fā)明的目的是提供一種具有高電子親合力的、能作為發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光材料的電子傳遞材料的材料。根據(jù)上述說(shuō)明，這類材料也應(yīng)能作為發(fā)射紅光、綠光的場(chǎng)致發(fā)光材料的電子傳遞材料。此外，由于這類材料具有大的HOMO-LUMO帶隙，因而也可用作發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光材料。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明者已確信，可通過(guò)提高已知聚芴的電子親合力來(lái)增加電子注入并從而提高PLED的性能。因此，本發(fā)明的第一方面提供了一種包含任選地經(jīng)取代的以式(I)表示的第一重復(fù)單元的聚合物式中Ar選自(a)經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的芳烴，或(b)吸電子雜芳基。優(yōu)選的是該聚合物包含以式(II)表示的重復(fù)單元式中每個(gè)Ar各自選自(a)經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的芳烴，或(b)吸電子雜芳基。根據(jù)(a)優(yōu)選的Ar基團(tuán)是獨(dú)立地選自以式(III)表示的單元式中n為1-3，R1-R5分別選自氫；選自烷基、烷氧基、芳基烷基和雜芳基烷基的增溶基；以及吸電子基團(tuán)以便R1-R5中至少一個(gè)R為吸電子基團(tuán)。最優(yōu)選為n＝1，即Ar是苯基。根據(jù)(a)的另一組優(yōu)選的Ar基團(tuán)是稠合的芳烴如萘和蒽。優(yōu)選的是，吸電子基團(tuán)選自含氟、氰基、硝基、羧基、酰胺、酮、膦?；㈧⑺狨?、砜和酯的基團(tuán)。更優(yōu)選的是至少一個(gè)吸電子基團(tuán)選自氟原子、氟代烷基、氟代芳工和氟代雜芳基。根據(jù)(b)優(yōu)選的吸電子雜芳基是任選地經(jīng)取代的含氮雜芳基。特別是任選地經(jīng)取代的吡啶，更特別是吡啶-4-基、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪，最特別地是1，3，5-三嗪-2-基和噁二唑。吸電子雜芳基可經(jīng)如上所述的吸電子基團(tuán)取代，以進(jìn)一步提高吸電子效應(yīng)。優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明的聚合物包含第二重復(fù)單元。更優(yōu)選的是該第二重復(fù)單元選自三芳基胺和雜芳烴。優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明的聚合物是能傳遞電子的。此外，聚合物還優(yōu)選具有至少一個(gè)能傳遞空穴和/或發(fā)射空穴的鏈段。同一鏈段可提供空穴、電子的傳遞和發(fā)射的兩種或多種功能。尤其是單一鏈段既可起電子傳遞器的作用，又可起發(fā)射器的作用。本發(fā)明的第二方面提供了一種光學(xué)器件，優(yōu)選為包含如上所述的聚合物的場(chǎng)致發(fā)光器件。在第二方面的一個(gè)實(shí)施方案中提供了一種場(chǎng)致發(fā)光器件，該場(chǎng)致發(fā)光器件包含注入第一類型電荷載流子的第一電極；注入第二類型電荷載流子的第二電極；以及置在第一電極與第二電極之間的包含根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物的發(fā)射層。發(fā)射層內(nèi)的發(fā)射材料可以是根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物或是別的材料，優(yōu)選為另一種聚合物與根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物的共混物。優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物是能在該器件中傳遞電子的。本發(fā)明的第三方面提供了一種包含任選地經(jīng)取代的式(IV)化合物的單體式中每個(gè)P各自代表可聚合的基團(tuán)，Ar的定義同上。優(yōu)選的是，該單體包含任選地經(jīng)取代的式(V)化合物優(yōu)選的是，每個(gè)P各自選自活性硼衍生物基團(tuán)和活性鹵化物基團(tuán)，其中硼衍生物基團(tuán)選目硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)。本發(fā)明的第四方面提供了一種制備聚合物的方法，該方法包括使如上所述的第一單體與可以是與第一單體相同或不相同的第二單體在能使單體聚合的條件下進(jìn)行反應(yīng)的步驟。優(yōu)選的是，該方法包括使下列一種反應(yīng)混合物聚合(a)根據(jù)本發(fā)明第三方面的單體，其中每個(gè)P是選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基團(tuán)，與具有至少兩個(gè)活性鹵化物官能基團(tuán)的芳族單體；或(b)根據(jù)本發(fā)明的第三方面的單體，其中每個(gè)P是活性鹵化物官能基團(tuán)，與具有至少兩個(gè)選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基團(tuán)的芳族單體；或(c)根據(jù)本發(fā)明第三方面的單體，其中一個(gè)P是活性鹵化物官能基團(tuán)，一個(gè)P是選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基團(tuán)，其中反應(yīng)混合物包含催化量的適用于催化芳族單體聚合的催化劑和足量的以使硼衍生物官能基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)榕鹚岣庪x子基團(tuán)的堿。本發(fā)明者已發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的聚合物可用作發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光聚合物的電子傳遞材料而不會(huì)對(duì)器件的性能產(chǎn)生不利的影響，如已發(fā)現(xiàn)的包含了9-取代基為脂族吸電子基(如全氟烷基)的體系。具體實(shí)施例方式采用根據(jù)本發(fā)明單體制備的聚合物可以是均聚物或共聚物。技術(shù)熟練人員會(huì)很清楚地知道各種可與本發(fā)明單體進(jìn)行聚合的共聚單體。共聚單體的實(shí)例包括公開(kāi)在例如WO99/54385中的三芳基胺和公開(kāi)在例如WO00/46321與WO00/55927中的雜芳基單元。對(duì)這類共聚物來(lái)說(shuō)，特別優(yōu)選的三芳基胺重復(fù)單元包括以式1-6表示的單元X和Y可以是相同或不相同的取代基基團(tuán)。A、B、C和D可以是相同或不相同的取代基基團(tuán)。X、Y、A、B、C和D中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)各自選自烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、雜芳基、烷基芳基以及芳基烷基基團(tuán)是優(yōu)選的。X、Y、A、B、C和D中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)也可以是氫。X、Y、A、B、C和D中的一個(gè)或多個(gè)各自為未取代的異丁基基團(tuán)、正烷基、正烷氧基或三氟甲基基團(tuán)是優(yōu)選的，因?yàn)檫@些基團(tuán)適當(dāng)有助于對(duì)HOMO能級(jí)的選擇和/或?qū)酆衔锏娜芙庑缘母纳?。?duì)這類共聚物來(lái)說(shuō)，特別優(yōu)選的雜芳基重復(fù)單元包括以式7-21表示的單元式中R6和R7是相同或不相同的，且各自為取代基基團(tuán)。優(yōu)選的是，R6和R7中的一個(gè)或兩者可選自氫、烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、雜芳基、烷基芳基或芳基烷基?；谂c上述討論X、Y、A、B、C和D的相同理由，這些基團(tuán)是優(yōu)選的。優(yōu)選的是，為了便于制造，R6和R7最好是相同的。更優(yōu)選的是，它們是相同的并都是苯基基團(tuán)。技術(shù)熟練人員會(huì)很清楚地知道各種根據(jù)本發(fā)明適用于式(I)單體和重復(fù)單元的吸電子基團(tuán)/雜芳基。尤其是那些具有正Hammettσ常數(shù)的取代基/雜芳基都可能是適用的。吸電子基團(tuán)/雜芳基應(yīng)優(yōu)先選自那些不會(huì)由于例如空間位阻而妨礙單體聚合的基團(tuán)。根據(jù)(a)或(b)的吸電子基團(tuán)Ar可以是增溶基。特別優(yōu)選的增溶基是任選地經(jīng)取代基、支化的或線形C1-20烷基或烷氧基，優(yōu)選為C4-10烷基。根據(jù)本發(fā)明的聚合物可以是均聚物或共聚物。對(duì)于共聚物來(lái)說(shuō)，可以是1∶1共聚物、無(wú)規(guī)或嵌段共聚物。根據(jù)本發(fā)明的嵌段共聚物可包含至少兩個(gè)選自下述的區(qū)域空穴傳遞區(qū)域電子傳遞區(qū)域發(fā)射區(qū)域。如WO00/55927或US6363083中所述，可通過(guò)不同部分的區(qū)域來(lái)提供電荷的傳遞和發(fā)射的功能，這對(duì)技術(shù)熟練人員來(lái)說(shuō)會(huì)是顯而易見(jiàn)的。根據(jù)本發(fā)明單體聚合的優(yōu)選方法是如WO00/53656中所述的Suzuki聚合和在如Yamamoto“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugetedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses”，ProgressinPolymerScienee1993，17，1153-1205中所述的Yamamoto聚合。實(shí)施例單體實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的單體可按下述流程制備模擬實(shí)施例在9，9-二苯基芴重復(fù)單元的苯基環(huán)上所帶有的各種不同基團(tuán)對(duì)其HOMO和LUMO能級(jí)的影響是通過(guò)采用(1)AMPAC軟件包的AM1和(2)Gaussian軟件包的ZINDO計(jì)算軟件而算得的。1)AM1(Ampac程序包)Ampac5.0用戶手冊(cè)，1994Semichem，7128Summit，Shawnee，KS662162)ZINDO(Gaussia軟件)Gaussian98，A9版，M.J.Frisch，G.W.Trueks，H.B.Schlegel，G.E.Scuseria，M.A.Robb，J.R.Cheeseman，V.G.Zakrzewski，J.A.Montgomery，Jr.，R.E.Stratmann，J.C.Burant，S.Dapprich，J.M.Millam，A.D.Daniels，K.N.Kudin，M.C.Strain，O.Farkas，J.Tomasi，V.Barone，M.Cossi，R.Cammi，B.Mennucci，C.Pomelli，C.Adamo，S.Clifford，J.Ochterski，G.A.Petersson，P.Y.Ayala，Q.Cui，K.Morokuma，D.K.Malick，A.D.Rabuck，K.Raghavachari，J.B.Foresman，J.Cioslowski，J.V.Ortiz，A.G.Baboul，B.B.Stefanov，G.Liu，A，Liashenko，P.Piskorz，I.Komaromi，R.Gomperts，R.L.Martin，D.J.Fox，T.Keith，M，A，Al-Laham，C.Y.Peng，A.Nanayakkara，M.Challacombe，P.M.W.Gill，B.Johnson，W.Chen，M.W.Wong，J.L.Andres，C.Gonzalez，M.Head-Gordon，E.S.Replogle以及J.A.Pople，Gaussian，Inc.，PittsburghyPA，1998。結(jié)果匯于下表中從這些實(shí)施例結(jié)果可以看到，以苯基置換辛基對(duì)LUMO能級(jí)的影響較小，只有以吸電子基團(tuán)如氟或全氟烷基作為取代基時(shí)LUMO能級(jí)產(chǎn)生了大的改變。與未取代的二苯基芴相比較，可以看到，在對(duì)位上烷氧基取代基團(tuán)如先有技術(shù)所述，不顯示任何吸電子特性。這一結(jié)果與已知的這類取代基的吸電子性質(zhì)相符合。特別是它們具有負(fù)的Hammettσ常數(shù)。聚合物實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明式P1表示的聚合物可通過(guò)按WO00/53656中所述的Suzuki聚合方法，使下述單體以下表所列的比率進(jìn)行反應(yīng)來(lái)制備2，7-二草酸(dioxala)硼烷-9，9-二(正辛基)芴2，7-二草酸硼烷-9，9-二(4-三氟甲基苯基)芴N(yùn)，N-二(4-溴苯基)-N-(4-仲丁基苯基)胺(為產(chǎn)生“TFB”重復(fù)單元，如下所示)二[N-(4-溴苯基)-N-(4-正丁基苯基)]-亞苯基-1，4-二胺(為產(chǎn)生“PFB”重復(fù)單元，如下所示)式中w+x+y+z＝1，w+z≥0.5，0≤x+y≤0.5，z＞0和n≥2具體的實(shí)施方案如下當(dāng)聚合物含TFB和PFB如實(shí)施例1時(shí)，該聚合物如WO00/55927所示，可用為發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光材料。當(dāng)聚合物含有TFB而不含PFB時(shí)，該聚合物可以是具有空穴與電子傳遞鏈段的嵌段共聚物(實(shí)施例2)或是1∶1區(qū)域規(guī)整的空穴傳遞共聚物(實(shí)施例3)，也可呈現(xiàn)發(fā)射藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光性。當(dāng)聚合物中TFB和PFB都不存在時(shí)，該聚合物可用作發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光的場(chǎng)致發(fā)光材料的電子傳遞聚合物(實(shí)施例4和5)。器件實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的器件是按下述步驟制造的1)使聚(亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDT/PSS)(購(gòu)自Bayer，如BaytronP)通過(guò)旋涂而淀積在載持在玻璃基體(購(gòu)自AppliedFilms，Colorado，USA)上的氧化銦錫陽(yáng)極上面，2)使?jié)舛葹?％重量/體積的聚合物P1二甲苯溶液通過(guò)旋涂而淀積在PEDT/PSS上面，以及3)通過(guò)蒸發(fā)將包括鈣第一層和鋁第二層的陰極淀積在聚合物P1上。雖然通過(guò)具體的實(shí)施方案已對(duì)本發(fā)明作了說(shuō)明，但在不違背下述權(quán)利要求書所規(guī)定的本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還可以有各種變體、變化和/或各種特征的組合形式，這對(duì)技術(shù)熟練人員來(lái)說(shuō)是不言而喻的。權(quán)利要求1.一種聚合物，包含任選地經(jīng)取代的以式(I)表示的第一重復(fù)單元式中Ar選自(a)經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的芳族烴或(b)吸電子雜芳基。2.根據(jù)權(quán)利要求1的聚合物，包含以式(II)表示的重復(fù)單元式中每個(gè)Ar各自選自(c)經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的芳族烴，或(d)吸電子雜芳基。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的聚合物，其中每個(gè)Ar各自選自以式(III)表示的單元式中n為1-3，R1-R5各自選自氫；選自烷基、烷氧基、芳基烷基和雜芳基烷基的增溶基；以及吸電子基團(tuán)以使R1-R5至少一個(gè)為吸電子基團(tuán)。4.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求的聚合物，其中Ar是經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的苯基或低聚苯基，該至少一個(gè)吸電子基團(tuán)選自含氟、氰基或硝基的基團(tuán)。5.根據(jù)權(quán)利要求4的聚合物，其中至少一個(gè)吸電子基團(tuán)選自氟原子、氟代烷基、氟代芳基和氟代雜芳基。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的聚合物，其中Ar是選自任選地經(jīng)取代的吡啶和三嗪的吸電子雜芳基團(tuán)。7.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求的聚合物，包含第二重復(fù)單元。8.根據(jù)權(quán)利要求7的聚合物，其中第二重復(fù)單元選自三芳基胺和雜芳族化合物。9.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求的聚合物，能夠傳遞電子。10.根據(jù)權(quán)利要求9的聚合物，包含至少一種能傳遞和/或發(fā)射空穴的鏈段。11.一種包含根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)聚合物的光學(xué)器件。12.根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)器件，是一種場(chǎng)致發(fā)光器件。13.一種場(chǎng)致發(fā)光器件，該器件包含注入第一類型電荷載流子的第一電極；注入第二類型電荷載流子的第二電極；以及置在第一電極與第二電極之間的包含根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)聚合物的發(fā)射層。14.一種單體，包含任選地經(jīng)取代的式(IV)化合物式中每個(gè)P各自代表可聚合基團(tuán)，Ar的定義與權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的規(guī)定相同。15.根據(jù)權(quán)利要求14的單體，包含任選地經(jīng)取代的式(V)化合物式中每個(gè)P各自代表可聚合基團(tuán)。16.根據(jù)權(quán)利要求14或15的單體，其中每個(gè)P各自是選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的活性硼衍生物基團(tuán)以及活性鹵化物基團(tuán)。17.一種制備聚合物的方法，該方法包括使權(quán)利要求14-16中任一項(xiàng)規(guī)定的第一單體與可與第一單體相同或不相同的第二單體在一定條件下進(jìn)行反應(yīng)以使單體聚合的步驟。18.根據(jù)權(quán)利要求17的制備聚合物的方法，該方法包括使下列反應(yīng)混合物聚合(a)根據(jù)權(quán)利要求16的單體，其中每個(gè)P是選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基，與具有至少兩個(gè)活性鹵化物官能基團(tuán)的芳族單體；或(b)根據(jù)權(quán)利要求16的單體，其中每個(gè)P是活性鹵化物官能基團(tuán)，與具有至少兩個(gè)選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)及硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基團(tuán)的芳族單體；或(c)根據(jù)權(quán)利要求16的單體，其中一個(gè)P是活性鹵化物官能基團(tuán)，一個(gè)P是選自硼酸基團(tuán)、硼酸酯基團(tuán)和硼烷基團(tuán)的硼衍生物官能基團(tuán)，其中反應(yīng)混合物包含催化量的適用于催化芳族單體聚合的催化劑和足量的以使硼衍生物官能基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)榕鹚岣庪x子基團(tuán)的堿。全文摘要一種包含任選地經(jīng)取代的以式(I)表示的第一重復(fù)單元的聚合物式中Ar選自(a)經(jīng)至少一個(gè)吸電子基團(tuán)取代的芳烴或(b)吸電子雜芳基。該聚合物可用于場(chǎng)致發(fā)光器件中。文檔編號(hào)C09K11/06GK1726243SQ200380105763公開(kāi)日2006年1月25日申請(qǐng)日期2003年11月4日優(yōu)先權(quán)日2002年11月6日發(fā)明者J·伯勒斯,R·弗蘭德,C·福登申請(qǐng)人:劍橋顯示技術(shù)有限公司