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本發(fā)明涉及慣性傳感器，具體涉及一種mems慣性傳感器及其集成制作方法，可廣泛應(yīng)用于慣性導(dǎo)航、無(wú)人機(jī)、自動(dòng)駕駛、智能制造及高端工業(yè)領(lǐng)域。、慣性傳感器包含加速度計(jì)和陀螺儀以及它們單、雙、三軸組合，其中加速度計(jì)用來(lái)測(cè)量物體的加速度，陀螺儀用來(lái)測(cè)量物體的角速度，加速度和角速度的綜合測(cè)試可以清楚的描...

本發(fā)明涉及流體設(shè)備，尤其是涉及一種封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及流量傳感器。、目前，常用的液體檢測(cè)mems(微機(jī)電系統(tǒng))流量傳感器的芯片由一個(gè)熱電阻和一個(gè)熱偶堆組成，通過(guò)封裝工藝將芯片封裝于傳感器的流道內(nèi)部，液體流經(jīng)mems芯片時(shí)加熱熱電阻，通過(guò)檢測(cè)熱偶堆電壓變化(由于流體的傳熱只與流體質(zhì)量及流體的...

本申請(qǐng)涉及微機(jī)電系統(tǒng)(mems)領(lǐng)域，尤其提供一種微機(jī)電系統(tǒng)執(zhí)行器封裝裝置及電氣產(chǎn)品。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)因其體積小、性能好而被用于智能手機(jī)等消費(fèi)產(chǎn)品的傳感器。隨著mems技術(shù)的發(fā)展，常規(guī)的聲學(xué)器件，如揚(yáng)聲器、超聲換能器等正被mems聲學(xué)器件所取代，因?yàn)樗鼈冇懈玫穆晫W(xué)性能、更小的體積...

本公開(kāi)涉及一種具有浮置金屬部分的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。、許多應(yīng)用需要僅被流體包圍和/或能夠相對(duì)于靜止元件機(jī)械移動(dòng)的金屬結(jié)構(gòu)。、us/a公開(kāi)了用于提供半導(dǎo)體封裝件的精確制造的結(jié)構(gòu)的技術(shù)和機(jī)制。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件的堆積載體包括多孔電介質(zhì)材料。在多孔介電材料上設(shè)置籽晶銅和電鍍銅。執(zhí)...

本申請(qǐng)涉及致動(dòng)器，具體是涉及一種致動(dòng)器、微機(jī)電結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備。、隨著電子設(shè)備的不斷普及，電子設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡纳缃还ぞ吆蛫蕵?lè)工具，人們對(duì)于電子設(shè)備的要求也越來(lái)越高。以手機(jī)為例，為了滿足人們的拍照需求，相關(guān)技術(shù)中通常采用vcm(voice?coil?motor)馬達(dá)來(lái)驅(qū)動(dòng)...

本發(fā)明涉及mems器件和生產(chǎn)mems器件的方法。更具體地，本發(fā)明涉及包括兩個(gè)器件層的mems器件和用于制造雙層mems器件的方法。、使用硅基技術(shù)制造的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件是普遍的。mems器件的典型應(yīng)用是慣性傳感器，其檢測(cè)加速度和角速度中的至少一個(gè)。該類型的mems器件廣泛用于消費(fèi)、...

本發(fā)明涉及慣性傳感器和具備該慣性傳感器的慣性測(cè)量裝置。、近年來(lái)，開(kāi)發(fā)了利用mems(micro?electro?mechanical?system：微電子機(jī)械系統(tǒng))結(jié)構(gòu)的慣性傳感器。作為這樣的慣性傳感器，在專利文獻(xiàn)中記載有檢測(cè)z軸方向的加速度的加速度傳感器。、專利文獻(xiàn)記載的加速度傳感器具備...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種形成溝槽的方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。、在集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)和先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，深硅刻蝕有著重要應(yīng)用，是半導(dǎo)體制造中非常重要的一種工藝過(guò)程。由于深硅刻蝕需要形成具有較大深寬比和較高垂直度的溝槽，傳統(tǒng)的濕法刻蝕工藝無(wú)法完成，因此通常采用干法刻蝕工藝獲得所需溝槽。其...

本發(fā)明涉及振鏡，具體涉及一種磁性懸臂梁的制備方法以及電磁掃描振鏡模組。、振鏡技術(shù)，從最初的機(jī)械裝置到現(xiàn)代高速、高精度電子光學(xué)設(shè)備，經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的發(fā)展而逐漸成熟；早期的機(jī)械振鏡由一個(gè)反射鏡、驅(qū)動(dòng)電機(jī)(如電磁線圈和磁鐵系統(tǒng))、位置傳感器(如光學(xué)編碼器)和控制系統(tǒng)組成，主要依靠機(jī)械運(yùn)動(dòng)(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(micro?electromechanical?system，mems)器件及其制造方法。、基于mems技術(shù)制作的慣性傳感器由于其具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、與微電子制作工藝兼容性好、可大批量制造等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛使用。但是，慣性傳感器的尺寸是當(dāng)前mems器件...

本發(fā)明涉及超聲換能器，具體為一種具有高k絕緣層增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的cmut及其工藝。、超聲換能器元件及傳感器是實(shí)現(xiàn)生物組織成像、設(shè)備結(jié)構(gòu)健康檢測(cè)的核心元器件，廣泛應(yīng)用于臨床醫(yī)學(xué)診療、重大裝備無(wú)損檢測(cè)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)超聲換能器存在體積大、帶寬窄、二維陣列制備困難、不易與集成電路(integrated?ci...

本發(fā)明屬于微納米加工，特別涉及一種半球諧振子加工技術(shù)。、目前，微電機(jī)系統(tǒng)(mems)技術(shù)中生產(chǎn)半球諧振陀螺儀的主要方法包括微玻璃吹制技術(shù)、犧牲層技術(shù)以及精密加工技術(shù)。盡管傳統(tǒng)的mems工藝如吹制法和犧牲層法在成本控制、技術(shù)復(fù)雜性以及與精加工法相比的優(yōu)勢(shì)方面表現(xiàn)出色，但這些方法在實(shí)際應(yīng)用中仍...

本技術(shù)涉及一種低應(yīng)力mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，屬于芯片封裝。、mems封裝通常采用陶瓷基板，陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)是陶瓷基板cte（熱膨脹系數(shù)）值跟芯片cte值接近，封裝過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力較低，封裝后的mems傳感器性能穩(wěn)定；陶瓷基板的劣勢(shì)是封裝成本過(guò)高，生產(chǎn)效率低。為降低生產(chǎn)成本，部分mems傳感器采...

本技術(shù)涉及刻蝕機(jī)，尤其涉及一種濕法刻蝕機(jī)。、濕法刻蝕機(jī)是一種用于進(jìn)行濕法刻蝕的設(shè)備。它通常用于微納加工領(lǐng)域，用于刻蝕材料的表面，進(jìn)行微細(xì)結(jié)構(gòu)的制作。濕法刻蝕機(jī)的工作原理是將基體材料浸泡在特定的蝕刻液中，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將部分材料溶解掉，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。、現(xiàn)有的蝕刻材料在進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，往往會(huì)...

本申請(qǐng)涉及mems領(lǐng)域，特別是涉及一種mems電容傳感器及其制備方法。、mems(micro-electro-mechanical?system，微電子機(jī)械系統(tǒng))電容傳感器通過(guò)檢測(cè)電容量的變化來(lái)探測(cè)外界物理量的變化。、三明治式mems電容傳感器由上蓋板、中間結(jié)構(gòu)板和下蓋板三層材料鍵合而成，...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種用于微電子器件真空封裝的吸氣劑激活裝置及方法。、以mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))諧振壓力計(jì)、mems時(shí)鐘震蕩器、mems陀螺、mems加速度計(jì)等為代表的諧振類電子器件需要在真空氣密環(huán)境下工作。現(xiàn)階段...

本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)，特別涉及一種防水透氣結(jié)構(gòu)、制造方法及封裝結(jié)構(gòu)。、mems芯片是指微機(jī)電系統(tǒng)芯片（micro-electro-mechanical?systems），它是一種集成了微型機(jī)械結(jié)構(gòu)、電子元件和微處理器的芯片。目前，mems芯片已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，包括智能手機(jī)...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體加工，特別是微納結(jié)構(gòu)復(fù)制與轉(zhuǎn)移，尤其涉及一種可轉(zhuǎn)移的三維微納結(jié)構(gòu)的制備方法。、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展以及廣泛應(yīng)用，對(duì)微納結(jié)構(gòu)的加工制備的要求越來(lái)越精細(xì)和復(fù)雜。近年來(lái)微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system)技術(shù)的發(fā)展以及超結(jié)構(gòu)器件...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。、在用于測(cè)量壓力的半導(dǎo)體器件中，在襯底中形成有空腔，在空腔上方形成有敏感膜層，并在敏感膜層兩側(cè)形成有電極，在受到壓力時(shí)，敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象，此時(shí)能夠通過(guò)電極來(lái)測(cè)量敏感膜層兩側(cè)電勢(shì)差，進(jìn)而計(jì)算得到壓力的大小。、然...

本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種集成化mems慣性傳感器。、mems慣性傳感器分為mems加速度計(jì)和mems陀螺儀慣性器件，mems加速度計(jì)傳感器用來(lái)測(cè)量空間加速度的傳感器，即測(cè)量物體在空間速度變化的快慢。mems陀螺儀利用角動(dòng)量守恒定律，通過(guò)測(cè)量物體在單軸、雙軸或多軸上的旋轉(zhuǎn)速度變化來(lái)...