固體電解電容器的制造方法以及固體電解電容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種新的固體電解電容器的制造方法，能降低電介質(zhì)膜層中的缺陷發(fā)生、并緩和對使用的閥作用金屬基體的制約。在具有多孔質(zhì)的表面部分(1a)和非多孔質(zhì)的主體部分(1b)閥作用金屬基體(1)設(shè)置槽(2)并使槽的底部為非多孔質(zhì)，通過用槽(2)將閥作用金屬基體(1)分隔為多個單位區(qū)域，對每個單位區(qū)域在多孔質(zhì)的表面部分規(guī)定陰極層形成部(A)，在閥作用金屬基體(1)的陰極層形成部以及它們間的槽的表面上形成電介質(zhì)膜層(3)，并在電介質(zhì)膜層(3)的表面上依次形成固體電解質(zhì)層(5)以及陰極引出層(7)，得到隔著槽(2)一體地制作多個固體電解電容器元件(10)的薄片(11)，在槽(2)切斷薄片(11)，在位于閥作用金屬基體(1)的陰極層形成部的周圍的切斷面形成電介質(zhì)膜層。
【專利說明】固體電解電容器的制造方法以及固體電解電容器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及固體電解電容器的制造方法。另外，本發(fā)明還涉及能通過相關(guān)的固體電解電容器的制造方法制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]固體電解電容器伴隨電氣電子設(shè)備的小型薄型化,謀求小型大電容化,進(jìn)而,從產(chǎn)品安全性觀點(diǎn)出發(fā)，謀求使漏電流較小。
[0003]作為應(yīng)對小型大電容化的要求的技術(shù)之一，已知層疊型固體電解電容器?，F(xiàn)有技術(shù)中，作為相關(guān)的固體電解電容器的制造方法，已知如下方法:將多個固體電解電容器元件一體地制作成薄片狀，在層疊多層由此得到的薄片后將其切斷，從而得到固體電解電容器元件的層疊體芯片(參考專利文獻(xiàn)I)。更詳細(xì)地，首先，準(zhǔn)備具備多個相當(dāng)于固體電解電容器元件的矩形區(qū)域的閥作用金屬基體(未在表面附加粗面化處理)，覆蓋該多個矩形的區(qū)域的至少3個邊附近地形成抗蝕層，通過對從閥作用金屬基體的抗蝕層露出的區(qū)域附加粗面化處理使其多孔質(zhì)化，多孔質(zhì)化在區(qū)域的表面上形成電介質(zhì)膜層，接下來形成固體電解質(zhì)層作為陰極材料層，由此，得到一體地制作了多個固體電解電容器元件的薄片。制作多個該薄片，層疊粘接這些多個薄片而形成層疊體，沿相當(dāng)于固體電解電容器元件的矩形的區(qū)域切斷該層疊體，從而得到固體電解電容器元件的層疊體芯片。
[0004]先行技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I JP特開2007-318056號公報
[0007]發(fā)明的概要
[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]在上述那樣現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，在從閥作用金屬基體的抗蝕層露出的區(qū)域，表面被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體、形成于該表面上的電介質(zhì)膜層、還有固體電解質(zhì)層成為重疊的狀態(tài)。為了切斷層疊多個粘接的這樣的狀態(tài)的薄片的而成的層疊體，需要加比較大的負(fù)荷。由于對電介質(zhì)膜層加較大的負(fù)荷，因此易于在電介質(zhì)膜層產(chǎn)生缺陷，其結(jié)果，有漏電流增大的可能性。由于若漏電流增大，則根據(jù)情況不同，甚至有可能會導(dǎo)致短路，因此，優(yōu)選漏電流盡可能小。另外，在上述那樣現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，在準(zhǔn)備表面未被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體，并在該閥作用金屬基體的規(guī)定的區(qū)域形成抗蝕層后，通過對從抗蝕層露出的區(qū)域附加粗面化處理來使其多孔質(zhì)化。為此，作為閥作用金屬基體，需要準(zhǔn)備表面未被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體，不能使用已經(jīng)表面被多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體。
[0010]發(fā)明的概要
[0011]發(fā)明要解決的課題
[0012]在上述那樣現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，在從閥作用(value-acting)金屬基體的抗蝕層露出的區(qū)域，表面被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體、形成于該表面上的電介質(zhì)膜層、還有固體電解質(zhì)層成為重疊的狀態(tài)。為了切斷層疊粘接多個這樣的狀態(tài)的薄片而成層疊體，需要加比較大的負(fù)荷。由于在電介質(zhì)膜層加比較大的負(fù)荷，因此易于在電介質(zhì)膜層產(chǎn)生缺陷，其結(jié)果，有漏電流增大的可能性。由于若漏電流增大，根據(jù)情況不同，甚至有可能會導(dǎo)致短路，因此優(yōu)選漏電流盡可能小。另外，在上述那樣的現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，準(zhǔn)備表面未被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體，在該閥作用金屬基體的規(guī)定的區(qū)域形成抗蝕層，通過對從抗蝕層露出的區(qū)域附加粗面化處理來使其多孔質(zhì)化。為此，作為閥作用金屬基體，需要準(zhǔn)備表面未被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體，不能使用已經(jīng)表面被多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的目的在于，提供能降低會帶來漏電流的增大的電介質(zhì)膜層中的缺陷發(fā)生、且緩和對使用的閥作用金屬基體的限制的新的固體電解電容器的制造方法。本發(fā)明的進(jìn)一步的目的在于，提供能由相關(guān)的固體電解電容器的制造方法制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
[0014]用于解決課題的手段
[0015]在本發(fā)明的I個要旨下，提供固體電解電容器的制造方法(以下稱作第I制造方法，包含:工序(a),在具有多孔質(zhì)的表面部分(porous surface part)和非多孔質(zhì)的主體部分(non-porous body part)的閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽并使槽的底部為非多孔質(zhì)，通過槽將閥作用金屬基體的兩主面分隔為多個單位區(qū)域，并對每個單位區(qū)域在多孔質(zhì)的表面部分規(guī)定陰極層形成部；工序(b)，在閥作用金屬基體的陰極層形成部以及陰極層形成部間的槽的表面上形成電介質(zhì)膜層；工序(c)，在閥作用金屬基體的陰極層形成部上形成的電介質(zhì)膜層的表面上依次形成固體電解質(zhì)層以及陰極引出層，由此得到隔著槽一體地制作與多個單位區(qū)域?qū)?yīng)的多個固體電解電容器元件而成的薄片；工序(d)，在閥作用金屬基體的槽切斷所述薄片；以及工序(e)，在位于閥作用金屬基體的陰極層形成部的周圍的切斷面形成電介質(zhì)膜層。
[0016]在現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，一體制作多個固體電解電容器元件的薄片，以表面被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體、形成于該表面上的電介質(zhì)膜層、進(jìn)而固體電解質(zhì)層成為重疊的狀態(tài)被切斷。與此相對，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的第I制造方法，在閥作用金屬基體的槽切斷一體制作多個固體電解電容器元件的薄片，不在相當(dāng)于槽的切斷部的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)形成固體電解質(zhì)層。為此，由于切斷部的厚度薄了相當(dāng)于固體電解質(zhì)層的厚度的量，因此，能以小于現(xiàn)有的制造方法的負(fù)荷切斷薄片。并且，由于在使如此進(jìn)行切斷時加在電介質(zhì)膜層的負(fù)荷較小，因此能降低電介質(zhì)膜層中的缺陷發(fā)生，進(jìn)而能降低漏電流。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的第I制造方法，使用具有多孔質(zhì)的表面部分和非多孔質(zhì)的主體部分閥作用金屬基體，通過在閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽來分隔為多個單位區(qū)域，因此，作為該閥作用金屬基體，能使用表面已經(jīng)被多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體，與現(xiàn)有的制造方法相比，能緩和對使用的閥作用金屬基體的制約，提高了制造方法的自由度。
[0017]在本發(fā)明的I個形態(tài)中，固體電解電容器的第I制造方法也可以分別對多個閥作用金屬基體實(shí)施工序(a)?(C)，層疊由此得到的多個所述薄片，在工序⑷中在閥作用金屬基體的槽切斷層疊的所述薄片。
[0018]在現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，層疊粘接多個一體制作多個固體電解電容器元件而成的薄片，層疊粘接的薄片以在薄片間沒有間隙的狀態(tài)(若著眼于各薄片，則如上述那樣，以表面被多孔質(zhì)化的閥作用金屬基體、形成于該表面上的電介質(zhì)膜層、進(jìn)而固體電解質(zhì)層成為重疊的狀態(tài))被切斷，為此，與切斷I片的薄片的情況相比，越層疊薄片，為了切斷層疊粘接的薄片就需要越大的負(fù)荷。與此相對，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的上述形態(tài)，多個薄片在槽的部分具有間隙地被層疊，在該槽切斷層疊的薄片(進(jìn)而，若著眼于各薄片，則如上述那樣，該切斷部的厚度薄了相當(dāng)于固體電解質(zhì)層的厚度的量)，因此，能以小于現(xiàn)有的制造方法的負(fù)荷切斷薄片。另外，根據(jù)該形態(tài)，能一次性得到多個層疊固體電解電容器元件而成的層疊體芯片，由此，能有效率地制造包含層疊體芯片而成的層疊型固體電解電容器。
[0019]但是，本發(fā)明的固體電解電容器的I制造方法并不限定于上述形態(tài)，例如能對I片閥作用金屬基體實(shí)施工序(a)?(C)，單獨(dú)在工序(d)中在閥作用金屬基體的槽切斷由此得到的所述薄片。通過該形態(tài)，由于也如上述那樣，不在相當(dāng)于槽的切斷部的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)形成固體電解質(zhì)層，因此能以更小的負(fù)荷來切斷薄片。另外，根據(jù)該形態(tài)，能一次性得到多個各個分割的固體電解電容器元件，由此，能有效率地制造包含固體電解電容器元件而成的固體電解電容器。另外，在該形態(tài)中，本發(fā)明的固體電解電容器的第I制造方法能理解為固體電解電容器元件的制造方法。
[0020]在本發(fā)明的另一個要旨下，提供固體電解電容器的制造方法(以下稱作第2制造方法)，包含:工序(a)，在具有多孔質(zhì)的表面部分和非多孔質(zhì)的主體部分的閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽并使槽的底部為非多孔質(zhì)，通過槽將閥作用金屬基體的兩主面分隔為多個單位區(qū)域，并對每個單位區(qū)域在多孔質(zhì)的表面部分規(guī)定陰極層形成部；工序(b)，在閥作用金屬基體的陰極層形成部以及陰極層形成部間的槽的表面上形成電介質(zhì)膜層；工序(P)，分別對多個閥作用金屬基體實(shí)施工序(a)?(b)，層疊由此得到的形成了電介質(zhì)膜層的多個閥作用金屬基體，從而得到層疊體；工序(q)，使在層疊體相鄰的閥作用金屬基體相互接合來得到接合層疊體；工序(r)，填充在接合層疊體相鄰的閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面上形成的電介質(zhì)膜層間的間隙，并在陰極層形成部被覆(覆蓋；cover)接合層疊體的外表面，從而將固體電解質(zhì)層形成為連續(xù)層；工序(S)，在閥作用金屬基體的槽切斷形成了固體電解質(zhì)層的接合層疊體；以及工序(t)，在位于閥作用金屬基體的陰極層形成部的周圍的切斷面形成電介質(zhì)膜層。
[0021 ] 在現(xiàn)有的固體電解電容器的制造方法中，制作在閥作用金屬基體的多孔質(zhì)化的區(qū)域的表面上依次形成了電介質(zhì)膜層以及固體電解質(zhì)層而成的薄片，層疊多個該薄片，之后進(jìn)行切斷。與此相對，在本發(fā)明的上述第2制造方法中，在制作了閥作用金屬基體的接合層疊體后，對該接合層疊體將固體電解質(zhì)層形成為連續(xù)層，之后，在閥作用金屬基體的槽進(jìn)行切斷。因而，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的第2制造方法，能將固體電解質(zhì)層一次性形成為連續(xù)層，與在各個薄片形成固體電解質(zhì)層的現(xiàn)有的制造方法相比，能更有效率地制造固體電解電容器。進(jìn)而，在本發(fā)明的固體電解電容器的第2制造方法中，與第I制造方法相同，不在相當(dāng)于槽的切斷部的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)形成固體電解質(zhì)層。因此，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的第2制造方法，由于形成了固體電解質(zhì)層的接合層疊體變得在槽的部分具有間隙，能在該槽切斷形成了固體電解質(zhì)層的接合層疊體，因此，能以小于現(xiàn)有的制造方法的負(fù)荷切斷薄片。并且，由于使如此進(jìn)行切斷時加在電介質(zhì)膜層的負(fù)荷較小，因此能降低電介質(zhì)膜層中的缺陷發(fā)生，進(jìn)而能降低漏電流。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的第2制造方法，由于使用具有多孔質(zhì)的表面部分和非多孔質(zhì)的主體部分的閥作用金屬基體，通過在閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽將兩主面分隔為多個單位區(qū)域，因此，作為該閥作用金屬基體，能使用表面已經(jīng)被多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體，與現(xiàn)有的制造方法相比，緩和了對使用的閥作用金屬基體的制約，提高了制造方法的自由度。
[0022]在固體電解電容器的第I以及第2制造方法的任一者中，實(shí)施工序(a)的方法只要槽的底部由非多孔質(zhì)的閥作用金屬基體構(gòu)成，就沒有特別的限定。在本發(fā)明的I個形態(tài)中，在工序(a)中，閥作用金屬基體的槽可以通過在厚度方向上按壓閥作用金屬基體來設(shè)置。或者，在本發(fā)明閥作用金屬基體另外的形態(tài)中，在工序(a)中，閥作用金屬基體的槽可以通過從閥作用金屬基體除去多孔質(zhì)的表面部分來設(shè)置。
[0023]另外，在固體電解電容器的第I以及第2制造方法的任一者中，能變更工序(b)。在本發(fā)明的I個形態(tài)中，可以取代工序(b)而實(shí)施:工序(b’)，在槽的底部形成抗蝕層，在閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面上形成電介質(zhì)膜層。根據(jù)該形態(tài)，用抗蝕層被覆閥作用金屬基體的槽的底部?？刮g層一般為絕緣性，由此，由于不在形成抗蝕層的切斷部以及其附近積蓄電荷，因此能提高在切斷部及其附近的漏電流的降低效果。
[0024]在本發(fā)明另一個要旨下，提供一種固體電解電容器元件，包含:閥作用金屬基體，其具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有陰極層形成部；電介質(zhì)膜層，其被覆閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以及與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的表面；和在閥作用金屬基體的陰極層形成部，在電介質(zhì)膜層的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層以及陰極引出層。該固體電解電容器元件能通過本發(fā)明的固體電解電容器的上述第I制造方法制造，起到與此相同的效果。在如此制造固體電解電容器元件的情況下，閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部源自設(shè)于閥作用金屬基體的兩主面的槽，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽而生成的切斷面對應(yīng)。因而，根據(jù)該固體電解電容器元件，由于閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷的閥作用金屬基體的切斷面與固體電解質(zhì)層分隔開，因此能有效果地抑制漏電流。
[0025]在本發(fā)明的另一個要旨下，提供一種固體電解電容器元件，包含:閥作用金屬基體，其具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有陰極層形成部；抗蝕層，其被覆與閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面；電介質(zhì)膜層，其被覆閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以及與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的端面；和在閥作用金屬基體的陰極層形成部，在電介質(zhì)膜層的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層以及陰極引出層。該固體電解電容器元件能用通過工序(b’ )改變了本發(fā)明的固體電解電容器的上述第I制造方法的上述形態(tài)制造，起到與此相同的效果。在如此制造固體電解電容器元件的情況下，閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部源自設(shè)于閥作用金屬基體的兩主面的槽，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽而生成的切斷面對應(yīng)，與該擴(kuò)展部的主面大致平行的表面與槽的底部對應(yīng)。因而，根據(jù)該固體電解電容器元件，閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷的閥作用金屬基體的切斷面與固體電解質(zhì)層分隔開，在此基礎(chǔ)上與擴(kuò)展部的主面大致平行的表面、換言之為槽的底部被抗蝕層被覆?？刮g層一般為絕緣性，由此，由于不在形成了抗蝕層的切斷部及其附近積蓄電荷，因此能更加有效果地抑制切斷部及其附近的漏電流。
[0026]能在固體電解電容器中包含單獨(dú)或多個本發(fā)明的上述固體電解電容器元件。因而，在本發(fā)明的另一個要旨下，提供包含I個或2個以上的上述固體電解電容器元件而成的固體電解電容器。
[0027]在本發(fā)明另一個要旨下，提供一種固體電解電容器，包含:接合層疊體，其層疊多個具有陰極層形成部的閥作用金屬基體、使相鄰的閥作用金屬基體相互接合而成，至少在陰極層形成部用電介質(zhì)膜層被覆閥作用金屬基體的表面；固體電解質(zhì)層的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體的陰極層形成部填充被覆閥作用金屬基體的電介質(zhì)膜層間的間隙，且被覆接合層疊體的外表面；各個所述閥作用金屬基體具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有所述陰極層形成部；所述電介質(zhì)膜層除了閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以外，還被覆與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的表面。該固體電解電容器能通過本發(fā)明的固體電解電容器的上述第2制造方法制造，起到與此相同的效果。此外，根據(jù)該固體電解電容器，由于在構(gòu)成接合層疊體的閥作用金屬基體間的間隙不存在陰極引出層，因此能實(shí)現(xiàn)電容器的低矮化。
[0028]在本發(fā)明另一個要旨下，提供一種固體電解電容器，包含:接合層疊體，其層疊多個具有陰極層形成部的閥作用金屬基體、使相鄰的閥作用金屬基體相互接合而成，至少在陰極層形成部用電介質(zhì)膜層被覆閥作用金屬基體的表面；固體電解質(zhì)層的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體的陰極層形成部，填充被覆閥作用金屬基體的電介質(zhì)膜層間的間隙，并被覆接合層疊體的外表面，各個所述閥作用金屬基體具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，并在多孔質(zhì)的表面部分具有所述陰極層形成部，用抗蝕層被覆與所述閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面，所述電介質(zhì)膜層除了閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以外，還被覆與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的端面。該固體電解電容器元件能用通過工序(b’ )改變了本發(fā)明的固體電解電容器的上述第2制造方法的上述形態(tài)制造，起到與此相同的效果。在如此制造固體電解電容器元件的情況下，閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部源自設(shè)于閥作用金屬基體的兩主面的槽，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽而生成的切斷面對應(yīng)，與該擴(kuò)展部的主面大致平行的表面與槽的底部對應(yīng)。因而，根據(jù)該固體電解電容器元件，閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷的閥作用金屬基體的切斷面與固體電解質(zhì)層分隔開，在此基礎(chǔ)上與擴(kuò)展部的主面大致平行的表面、換言之為槽的底部被抗蝕層被覆?？刮g層一般為絕緣性，由此，由于不在形成了抗蝕層的切斷部及其附近積蓄電荷，因此能更加有效果地抑制切斷部及其附近的漏電流。除此以外，根據(jù)該固體電解電容器，由于在構(gòu)成接合層疊體的閥作用金屬基體間的間隙不存在陰極引出層，因此能實(shí)現(xiàn)電容器的低矮化。
[0029]發(fā)明的效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明，提供一種新的固體電解電容器的制造方法，能降低會帶來漏電流的增大的電介質(zhì)膜層中的缺陷發(fā)生，并緩和了對使用的閥作用金屬基體的制約。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種能通過該固體電解電容器的制造方法制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的前半部分的概略截面工序圖。另外，圖1A (b)是以圖2A(a)以及圖2B(a)的X1-X1線假想地切斷閥作用金屬基體來觀察的概略截面工序圖。
[0032]圖1B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的后半部分的概略截面工序圖。另外圖lB(b)是以圖3A(a)以及圖3B(a)的X2-X2線假想地切斷閥作用金屬基體來觀察的概略截面工序圖。
[0033]圖2A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)是圖1A (b)的I個示例中的概略上表面圖，(b)是在(a)形成抗蝕層的概略上表面圖。
[0034]圖2B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)是圖1A(b)的另一個示例中的概略上表面圖，(b)是在(a)形成抗蝕層的概略上表面圖。
[0035]圖3A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)以及(b)是在圖2A所示的示例的情況下分別在切斷后以及電介質(zhì)膜層形成后得到的固體電解電容器元件的概略立體圖。
[0036]圖3B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)以及(b)是在圖2B所示的示例的情況下分別在切斷后以及電介質(zhì)膜層形成后得到的固體電解電容器元件的概略立體圖。
[0037]圖4是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式I以及實(shí)施方式I的改變例的實(shí)施方式2中的固體電解電容器的第I制造方法制造的固體電解電容器的概略截面圖。
[0038]圖5是說明本發(fā)明的實(shí)施方式2中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，是與圖1B對應(yīng)的概略截面工序圖。
[0039]圖6是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I的另一個改變例的實(shí)施方式3中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)是與圖2A(a)對應(yīng)的概略上表面圖，(b)在在(a)形成抗蝕層的概略上表面圖。
[0040]圖7是說明本發(fā)明的實(shí)施方式3中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，(a)以及(b)分別是在切斷后以及電介質(zhì)膜層形成后得到的固體電解電容器元件的概略立體圖。
[0041]圖8是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式3中的固體電解電容器的第I制造方法制造的固體電解電容器的概略截面圖。
[0042]圖9A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I的另一個改變例的實(shí)施方式4中的固體電解電容器的第I制造方法的前半部分的概略截面工序圖。
[0043]圖9B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式I的另一個改變例的實(shí)施方式4中的固體電解電容器的第I制造方法的后半部分的概略截面工序圖。
[0044]圖10是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式4以及其改變例的實(shí)施方式5中的固體電解電容器的第I制造方法制造的固體電解電容器的概略截面圖。
[0045]圖11是說明本發(fā)明的實(shí)施方式5中的固體電解電容器的第I制造方法的圖，是與圖9B對應(yīng)的概略截面工序圖。
[0046]圖12A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式6中的固體電解電容器的第2制造方法的前半部分的概略截面工序圖。另外，圖12A(b)是以圖13(a)的X3-X3線假想切斷閥作用金屬基體來觀察的概略截面工序圖。
[0047]圖12B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式6中的固體電解電容器的第2制造方法的后半部分的概略截面工序圖。
[0048]圖13是說明本發(fā)明的實(shí)施方式6中的固體電解電容器的第2制造方法的圖，(a)是表示接合部P、Q的形成位置的概略上表面圖，(b)是表示接合部Pp P2, Q的形成位置的概咯上表面圖。
[0049]圖14是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式6中的固體電解電容器的第2制造方法制造的固體電解電容器的概略截面圖。
[0050]圖15A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式7中的固體電解電容器的第2制造方法的前半部分的概略截面工序圖。
[0051]圖15B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式7中的固體電解電容器的第2制造方法的后半部分的概略截面工序圖。
[0052]圖16是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式7中的固體電解電容器的第2制造方法制造的固體電解電容器概略截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]參考附圖來詳述本發(fā)明的各種實(shí)施方式。圖中對同樣的部件賦予相同的符號，只要沒有特別的否認(rèn)，就適用相同的說明。另外，添附的附圖是為了易于理解本發(fā)明而示意性地表示的圖，并不一定以恒定的比例尺表示，這一點(diǎn)請留意。
[0054](實(shí)施方式I)
[0055]本實(shí)施方式涉及本發(fā)明的I個實(shí)施方式中的固體電解電容器的第I制造方法。下面，說明相關(guān)的制造方法、由其制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
[0056]首先，如圖lA(a)所示那樣，準(zhǔn)備具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I。更詳細(xì)地，閥作用金屬基體I具有在其厚度方向上通過多孔質(zhì)的表面部分Ia來夾持非多孔質(zhì)的主體部分Ib的構(gòu)造。
[0057]閥作用金屬基體I實(shí)質(zhì)由示出所謂的閥作用的金屬材料構(gòu)成。相關(guān)的金屬材料例如從由鋁、鉭、鈮、鈦、鋯、以及它們的2種以上的合金構(gòu)成的群中選擇，優(yōu)選是鋁或含鋁的
么么
I=1-Wl O
[0058]閥作用金屬基體I能具有薄片狀(或平板狀，例如箔等)的形態(tài)。閥作用金屬基體I的厚度沒有特別的限定，例如為50?200 μ m優(yōu)選為90?130 μ m。閥作用金屬基體I的寬度以及長度能根據(jù)制造的固體電解電容器(或固體電解電容器元件)的尺寸適當(dāng)選擇。
[0059]具體地，具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體1，能通過對由示出上述閥作用的金屬材料構(gòu)成的金屬母材(非多孔質(zhì)的金屬母材)預(yù)先附加粗面化處理而得到。粗面化處理一般通過蝕刻處理來實(shí)施。與蝕刻液接觸而受到蝕刻作用的金屬母材的表面部分成為多孔質(zhì)的表面部分la，未與蝕刻液接觸而未受到蝕刻作用的金屬母材的主體部分(或內(nèi)部)成為非多孔質(zhì)的主體部分lb。蝕刻處理的條件、例如蝕刻液、蝕刻的溫度以及時間等，能根據(jù)使用的閥作用金屬基體的金屬材料、期望的電氣特性(包含有效面積)等來適當(dāng)選擇。例如，對于蝕刻液可使用鹽酸。
[0060]多孔質(zhì)的表面部分Ia的單側(cè)厚度(距單側(cè)表面的深度)沒有特別的限定，例如為10?100 μ m，優(yōu)選為20?60 μ m。非多孔質(zhì)的主體部分(芯部分)Ib的厚度沒有特別的限定，例如為10?60 μ m,優(yōu)選為20?40 μ m。但是，這些僅是例示，多孔質(zhì)的表面部分Ia以及非多孔質(zhì)的主體部分Ib的厚度，能因使用的金屬母材的厚度以及蝕刻處理的條件等不同而各種各樣。
[0061]通過閥作用金屬基體I具有多孔質(zhì)的表面部分Ia,閥作用金屬基體I的表面積變大。閥作用金屬基體I由于在固體電解電容器中作為陽極發(fā)揮功能，因此即使是相同的占有面積，但閥作用金屬基體I的表面積、即有效面積越大，則能使電容器的靜電容越大。
[0062]另外，關(guān)于相關(guān)的閥作用金屬基體1，通過蝕刻處理來使閥作用金屬母材粗面化的產(chǎn)品，也面向固體電解電容器在市場出售。作為閥作用金屬基體1，也可以切斷這樣市售的閥作用金屬基體來使用。
[0063]接下來，如圖lA(b)所示那樣，在具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I的兩主面(為閥作用金屬基體I的上表面以及下表面、即與圖1A的紙面垂直的面)設(shè)置槽2。此時，使槽2的底部成為非多孔質(zhì)地，在閥作用金屬基體I形成槽2。
[0064]具體地，閥作用金屬基體I的槽2能通過在厚度方向上按壓閥作用金屬基體I來設(shè)置。該按壓例如能通過將閥作用金屬基體I在中空保持住，并從其上下在要形成槽2的區(qū)域按壓(press)來實(shí)施。按壓力沒有特別的限定，例如能設(shè)定為100?500MPa。按壓后，在閥作用金屬基體I的兩主面形成槽2，槽2的底部通過將存在于原本就存在的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的表面的多孔質(zhì)的表面部分Ia壓接(壓碎)在非多孔質(zhì)的主體部lb，成為非多孔質(zhì)(未圖示)。另外，這種情況下，存在于對置的槽2之間的閥作用金屬基體I的部分成為在原本的主體部分(非多孔質(zhì))上添加表面部分的壓碎部分(非多孔質(zhì))的部分，在本說明書中為了簡化說明，包含壓碎部分地僅稱作非多孔質(zhì)的主體部分I。
[0065]或者，閥作用金屬基體I的槽2還能通過從閥作用金屬基體除去多孔質(zhì)的表面部分而設(shè)置。該除去例如能通過激光照射等來進(jìn)行。除去后，在閥作用金屬I的兩主面形成槽2，槽2的底部通過露出原本就存在的非多孔質(zhì)的主體部分Ib而成為非多孔質(zhì)(參考圖1A(b))。另外，這種情況下，存在于對置的槽2之間的閥作用金屬基體I的部分，除了原本的表面部分(多孔質(zhì))以外也可以部分地除去原本的主體部分，但在本說明書中為了簡化說明，僅稱作非多孔質(zhì)的主體部分I。
[0066]槽2將閥作用金屬基體I的兩主面分隔為多個單位區(qū)域U地形成。例如，如圖2A(a)所示，可以以包圍單位區(qū)域U的周圍的槽2將排列成I列的多個單位區(qū)域U相互分隔來配置。另外，例如如圖2B(a)所示，可以以格子狀的槽2將矩陣狀排列的多個單位區(qū)域U相互分隔來配置。槽2的寬度以及單位區(qū)域U的尺寸能適當(dāng)設(shè)定。
[0067]關(guān)于閥作用金屬基體1，在多個單位區(qū)域U的每一個，都在多孔質(zhì)的表面部分Ia規(guī)定陰極層形成部A。另外，在本實(shí)施方式中，在多個單位區(qū)域U的每一個，都在多孔質(zhì)的表面部分Ia進(jìn)一步規(guī)定陽極引導(dǎo)部B、以及使陰極層形成部A與陽極引導(dǎo)部B間隔開的間隔部C0
[0068]另外，在本實(shí)施方式中，單位區(qū)域U圖示為在兩主面具有矩形的形狀，槽2形成于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊，但本發(fā)明并不限定于此。單位區(qū)域U能具有任意的適當(dāng)形狀。另外，只要能在后述的工序中在槽2進(jìn)行切斷來將多個單位區(qū)域U各自分割即可，槽2可設(shè)置在任意的適當(dāng)位置。
[0069]接下來，如圖1A(C)所示，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A、和位于相互相鄰的陰極層形成部A之間的槽2的部分的表面上，形成電介質(zhì)膜層3。例如圖2A(b)以及圖2B(b)所示，電介質(zhì)膜層3可以是如下的氧化膜層:將閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B以及間隔部C和與它們相鄰的槽2的部分一起用抗蝕層4來被覆，將閥作用金屬基體I浸潰在電解液中來附加陽極氧化處理(也稱作化學(xué)轉(zhuǎn)化處理，以下相同)，由此形成。這種情況下，電介質(zhì)膜層(氧化膜層)3形成在未被抗蝕層4被覆的閥作用金屬基體I的表面部分。陽極氧化處理的條件、例如電解液、陽極氧化的溫度、時間、電流密度以及電壓等能根據(jù)使用的閥作用金屬基體的金屬材料、期望的電氣特性等來適當(dāng)選擇。例如，作為電解液能使用包含從由硼酸、磷酸、己二酸、它們的鈉鹽以及銨鹽構(gòu)成的群選擇的I種的水溶液等?？刮g層4在陽極氧化處理后除去。
[0070]接下來，如圖1A(d)以及(e)所示那樣，在形成于閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A的電介質(zhì)膜層3的表面上，依次形成固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7。
[0071]具體地，首先，對如上述那樣得到的形成了電介質(zhì)膜層3的閥作用金屬基體I形成絕緣部9，使其被覆閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的間隔部C(參考圖3A(a)以及圖3B(a)所示的絕緣部9)。
[0072]絕緣部9能通過涂敷絕緣性樹脂并使其硬化來形成。作為具體例，能舉出聚苯砜(PPS)、聚醚砜(PES)、氰酸酯樹脂、氟樹脂(四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物等)、低分子量聚酰亞胺、和它們的衍生物以及前體等，特別能舉出低分子量聚酰亞胺、聚醚砜、氟樹脂以及它們的前體。
[0073]之后，形成固體電解質(zhì)層5。在圖2A所示的示例的情況下，固體電解質(zhì)層5能如下地形成:以保持閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B側(cè)并將其吊下的狀態(tài)，將陰極層形成部A側(cè)浸潰在導(dǎo)電性高分子的前體溶液(原料溶液)中，直到絕緣部9的跟前為止，在形成于陰極層形成部A的表面上的電介質(zhì)膜層3表面涂敷導(dǎo)電性高分子的前體溶液，并使其干燥，由此形成。另外，在圖2B所示的示例的情況下，固體電解質(zhì)層5能如下地形成:通過在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A所處的部分以及陰極層形成部A間的槽，在它們的表面上形成的電介質(zhì)膜層3的表面涂敷導(dǎo)電性高分子的前體溶液并使其干燥來形成。
[0074]此時，如圖lA(d)所示，固體電解質(zhì)層5形成在形成于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的電介質(zhì)膜層3的表面，槽2的底部，更詳細(xì)地，實(shí)質(zhì)未在后述的相當(dāng)于切斷部的區(qū)域形成。陰極層形成部A構(gòu)成閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分la，在陰極層形成部A的表面上形成電介質(zhì)膜層3后也保持多孔質(zhì)。與此相對，槽2的底部為非多孔質(zhì)，在陰極層形成部A間的槽2的表面上形成電介質(zhì)膜層3后也保持非多孔質(zhì)。在這樣的狀況下，導(dǎo)電性高分子的前體溶液由于毛細(xì)管現(xiàn)象而選擇性地浸透作為多孔質(zhì)的陰極層形成部A。為此，在非多孔質(zhì)的槽2的底部，實(shí)質(zhì)不會在與陰極層形成部A分隔開的區(qū)域(至少相當(dāng)于后述切斷部的區(qū)域)的表面形成固體電解質(zhì)層5。
[0075]作為構(gòu)成固體電解質(zhì)層5的導(dǎo)電性高分子，例如能舉出包含以具有噻吩骨架的化合物、具有多環(huán)硫醚骨架的化合物、具有吡咯骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物、具有苯胺骨架化合物等所示的構(gòu)造為重復(fù)單位的高分子，但并不限定于它們。
[0076]作為導(dǎo)電性高分子的前體溶液(原料溶液)，能使用任意的適當(dāng)溶液。例如，可以使用含單體的溶液、和含聚合氧化劑以及根據(jù)需要而另外使用的摻雜劑的溶液這2種，可以將以電介質(zhì)膜層3被覆的陰極層形成部A依次浸潰這些溶液，或者用這些溶液依次涂敷該陰極層形成部A，一系列的浸潰或涂敷的操作可以根據(jù)需要重復(fù)實(shí)施。但是，本發(fā)明并不限定于此，例如也可以使用I種溶液，該I種溶液包含單體、聚合氧化劑，如果要使用的話還包含摻雜劑。
[0077]之后，如圖1A(e)所示，在固體電解質(zhì)層5的表面上形成陰極引出層7。陰極引出層7 —般能如下形成:被覆固體電解質(zhì)層5的外表面地涂敷碳膏并使其干燥來形成含碳層7a，然后，被覆含碳層7a的外表面地涂敷銀膏并使其干燥來形成含銀層7b，由此形成陰極引出層7。
[0078]其結(jié)果，閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B以通過絕緣部9而與固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7電絕緣的狀態(tài)，在固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7的外部露出。
[0079]通過以上，能得到隔著槽2—體地制作多個單位區(qū)域U對應(yīng)的多個固體電解電容器元件10形成的薄片11 (參考圖1A(e))。
[0080]接下來，如圖lB(a)所示，在閥作用金屬基體I的槽2切斷如上述那樣得到的薄片
11(圖中，用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部存在閥作用金屬基體I以及電介質(zhì)膜層3，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5。該切斷例如能通過切割、圓盤切割機(jī)、剪斷等來進(jìn)行。
[0081]切斷后，如圖lB(b)所示，固體電解電容器元件10成為被各個分割的狀態(tài)(圖中表不分割的I個固體電解電容器兀件10)。
[0082]包含在分割的固體電解電容器元件10中的閥作用金屬基體I至少在一對對置的側(cè)部、在本實(shí)施方式中如圖3A(a)以及圖3B(a)那樣在位于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0083]在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖lB(b))。在圖2A所示的示例的情況下(排列成一列的多個單位區(qū)域U，被包圍單位區(qū)域U的周圍槽2相互分隔開而配置的情況下)，如圖3A(a)所示，包含直線Yl以及Y2的面、和包含直線Y3以及Y4的面成為切斷面，在這2個切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出。另外，在圖2B所示的示例的情況下(排列成行列狀的多個單位區(qū)域U被格子狀的槽2相互分隔開來配置的情況下)，如圖3B (a)所示，包含直線Yl以及Y2的面、包含直線Y3以及Y4的面、包含直線Yl以及Y3的面、還有包含直線Y2以及Y4的面成為切斷面，在這4個切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出。
[0084]接下來，如圖1B(C)所示，在上述切斷面形成電介質(zhì)膜層13。該電介質(zhì)膜層13如圖3A(b)以及圖3B(b)所示，形成在上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍的切斷面即可。該電介質(zhì)膜層13是通過將分割的固體電解電容器元件10的至少陰極層形成部A的部分浸潰在電解液中來施以陽極氧化處理而形成的氧化膜層。該追加的陽極氧化處理的條件，對于電介質(zhì)膜層3能與上述的陽極氧化處理的條件相同。
[0085]通過上述電介質(zhì)膜層3以及13，來被覆閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以及與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的表面。
[0086]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法，制作如圖lB(c)、圖3A(b)以及圖3B(b)所不的固體電解電容器兀件10。該固體電解電容器兀件10包含:
[0087]閥作用金屬基體1，其具有多孔質(zhì)的表面部分la、非多孔質(zhì)的主體部分lb、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分Ia具有陰極層形成部A ;
[0088]電介質(zhì)膜層3以及13，其被覆與閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以及與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的表面；和
[0089]在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A，在電介質(zhì)膜層3的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7。
[0090]在固體電解電容器元件10，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部源自設(shè)于閥作用金屬基體I的兩主面的槽2，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽2而生成的切斷面對應(yīng)。主體部分Ib的擴(kuò)展部既可以與最初準(zhǔn)備的圖1A(a)所示的閥作用金屬基體I的非多孔質(zhì)的主體部分Ib相同，也可以因槽2形成方法不同而不同。根據(jù)該固體電解電容器元件10，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷的閥作用金屬基體I的切斷面，由于從固體電解質(zhì)層5分隔開，因此能有效果地抑制漏電流。
[0091]能在固體電解電容器中包含單獨(dú)或多個該固體電解電容器元件10。
[0092]在單獨(dú)使用上述固體電解電容器元件10的情況下，例如將閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子連接，通過在使這些陽極端子以及陰極端子(例如引線框等)的至少一部分露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂等密封固體電解電容器元件，能得到固體電解電容器。
[0093]在使用多個上述固體電解電容器元件10的情況下，例如如圖4所示，層疊多個固體電解電容器元件10來構(gòu)成層疊體芯片12 (圖中例示地示出由3個固體電解電容器元件10構(gòu)成的固體電解電容器元件的層疊體芯片12)，將閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17連接，通過在將這些陽極端子15以及陰極端子17(例如引線框等)的至少一部分露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂19來密封，能得到層疊型的固體電解電容器30。
[0094]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法來制作包含I或2個以上上述固體電解電容器元件而成的固體電解電容器。
[0095]根據(jù)本實(shí)施方式，由于未在相當(dāng)于槽2的切斷部的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)地形成固體電解質(zhì)層5，因此能以比現(xiàn)有的制造方法小的負(fù)荷切斷薄片11，由此，能降低電介質(zhì)膜層3中的缺陷發(fā)生，進(jìn)一步能降低漏電流。進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，作為閥作用金屬基體1，能使用已經(jīng)使表面多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體，與現(xiàn)有的制造方法相比，能緩和對使用的閥作用金屬基體的制約。[0096](實(shí)施方式2)
[0097]本實(shí)施方式涉及在實(shí)施方式I中所述的固體電解電容器的第I制造方法的I個改變例。下面，說明該改變例的制造方法和由其制造的固體電解電容器。
[0098]首先，與實(shí)施方式I中參考圖lA(a)?(e)所說明的相同，制作多個隔著槽2來一體地制作與多個單位區(qū)域U對應(yīng)的多個固體電解電容器元件10形成的薄片11。
[0099]接下來，層疊如上述那樣得到的多個薄片11，以使得如圖5(a)所示那樣各薄片11的單位區(qū)域U在厚度方向排成一排(圖中例示地示出層疊3片薄片11的狀態(tài)，但并不限定于此)，在閥作用金屬基體I的槽2切斷層疊的多個薄片11 (圖中用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部，存在閥作用金屬基體I以及電介質(zhì)膜層3，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5。該切斷能與實(shí)施方式I同樣地實(shí)施。
[0100]切斷后，如圖5(b)所示，層疊的固體電解電容器元件10成為被分隔為每個單位區(qū)域U的狀態(tài)(圖中例示地表示由3個固體電解電容器元件10構(gòu)成的固體電解電容器元件的層疊體芯片12、即分割的I個層疊體芯片12)。
[0101]在分割的層疊體芯片12中，包含于各固體電解電容器兀件10中的閥作用金屬基體1，至少在一對對置的側(cè)部、在本實(shí)施方式中與實(shí)施方式I同樣都是位于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0102]本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式I相同，在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖5(b))。
[0103]接下來，如圖5(c)所示，在上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍切斷面形成電介質(zhì)膜層13。電介質(zhì)膜層13可以是通過將分割的層疊體芯片12中的固體電解電容器元件10的至少陰極層形成部A的部分浸潰在電解液中施以陽極氧化處理而形成的氧化膜層。
[0104]接下來，如圖4所示，將各閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17連接，并通過在使這些陽極端子15以及陰極端子17(例如引線框等)的至少一部露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂19進(jìn)行密封，能得到層疊型的固體電解電容器30。
[0105]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法的I個改變例，制造圖4所示那樣的固體電解電容器30。
[0106]根據(jù)本實(shí)施方式，未在槽2的底部實(shí)質(zhì)形成固體電解質(zhì)層5，多個薄片11在槽2的部分具有間隙并被層疊(參考圖5(a))，能以比現(xiàn)有的制造方法小的負(fù)荷來切斷層疊的薄片U。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能一次得到多個層疊固體電解電容器元件10而成的層疊體芯片12，由此，能有效率地制造包含層疊體芯片12而成的層疊型固體電解電容器30。
[0107](實(shí)施方式3)
[0108]本實(shí)施方式涉及在實(shí)施方式I中所述的固體電解電容器的第I制造方法的另一個改變例。以下，說明該改變例的制造方法和由其制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
[0109]首先，與實(shí)施方式I中參考圖1A(a)以及(b)所說明的相同，在具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I的兩主面設(shè)置槽2。槽2與實(shí)施方式I同樣，將閥作用金屬基體I的兩主面分隔為多個單位區(qū)域U地形成，但在本實(shí)施方式中，如圖6(a)所示，排成一列的多個單位區(qū)域U被帶狀的槽2相互分隔開來配置。
[0110]接下來，與實(shí)施方式I中參考圖1A(C)說明的相同，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A、和位于相鄰的陰極層形成部A之間的槽2的部分的表面上形成電介質(zhì)膜層3。電介質(zhì)膜層3能與實(shí)施方式I同樣地形成，在本實(shí)施方式中，如圖6(b)所示，成為如下形成的氧化膜層:將閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B以及間隔部C和與它們相鄰的槽2的部分一起用抗蝕層4被覆，將閥作用金屬基體I浸潰到電解液中附加陽極氧化處理而形成。
[0111]接下來，與實(shí)施方式I中參考圖1A(d)以及(e)說明的相同，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A的表面上所形成的電介質(zhì)膜層3的表面上，依次形成固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7。由此，得到隔著槽2來一體地制作與多個單位區(qū)域U對應(yīng)的多個固體電解電容器元件10形成的薄片11 (參考圖1A(e))。
[0112]接下來，將如上述那樣得到的薄片11與實(shí)施方式I中參考圖lB(a)說明的相同地在閥作用金屬基體I的槽2切斷。
[0113]切斷后，如實(shí)施方式I中參考圖lB(b)說明的那樣，固體電解電容器元件10成為被各個分割的狀態(tài)，但包含在分割的固體電解電容器元件10中的閥作用金屬基體I在本實(shí)施方式中，如圖7(a)所示那樣，僅在矩形的單位區(qū)域U的一對對置的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。
[0114]并且，在本實(shí)施方式中，如圖7(a)所示，包含直線Yl以及Y2的面、還有包含直線Y3以及Y4的面成為切斷面，在這2個切斷面中，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出。
[0115]之后，與實(shí)施方式I中參考圖1B(C)說明的相同，在上述切斷面形成電介質(zhì)膜層13。該電介質(zhì)膜層13在本實(shí)施方式中也如圖7(b)所示，形成于上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍的切斷面即可。
[0116]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法另一個改變例，制作圖7(b)所示那樣的固體電解電容器元件10。
[0117]也能在固體電解電容器中包含單獨(dú)或多個該固體電解電容器元件10。
[0118]在使用多個上述固體電解電容器元件10的情況下，例如如圖8所示，層疊多個固體電解電容器元件10來構(gòu)成層疊體芯片12 (圖中例示地示出由3個固體電解電容器元件10構(gòu)成的固體電解電容器元件的層疊體芯片12)，將閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17連接，通過在將這些陽極端子15以及陰極端子17(例如引線框等)的至少一部分露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂19來密封，能得到層疊型的固體電解電容器31。
[0119]由于本實(shí)施方式的固體電解電容器元件10在陰極側(cè)的端部(圖7(a)所示的與包含直線Yl以及Y3的面大致平行的端部)，不具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部，陰極側(cè)的端部全體被陰極引出層7被覆，因此，如圖8所示，能容易地進(jìn)行各固體電解電容器元件10的陰極引出層7和陰極端子17的連接。
[0120](實(shí)施方式4)[0121]本實(shí)施方式涉及實(shí)施方式I中所述的固體電解電容器的第I制造方法的另一個改變例。下面，說明該改變例的制造方法、和由其制造的固體電解電容器元件以及固體電解電容器。
[0122]首先，如圖9A(a)以及(b)所示，與實(shí)施方式I中參考圖1A(a)以及(b)說明的相同，在具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I的兩主面設(shè)置槽2。
[0123]接下來，如圖9A(C)所示，在槽2的底部形成抗蝕層14。該抗蝕層14 一般由絕緣性樹脂構(gòu)成，例如能通過絲網(wǎng)印刷形成?？刮g層14形成于槽2的底部中的至少位于相互相鄰的陰極層形成部A之間的部分即可，優(yōu)選形成于槽2的底部的全部。抗蝕層14的高度只要為槽2深度以下(即不從槽2突出)，就能適當(dāng)設(shè)定。
[0124]接下來，如圖9A(d)所示，與實(shí)施方式I中參考圖1A(C)說明的相同，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A的表面上形成電介質(zhì)膜層3。在本實(shí)施方式中，由于在槽2的底部(更詳細(xì)地，至少在位于相互相鄰的陰極層形成部A之間的槽2的部分，以下相同)存在抗蝕層14，因此不在該抗蝕層14的表面上形成電介質(zhì)膜層。
[0125]接下來，如圖9A(e)以及(f)所示，與實(shí)施方式I中參考圖lA(d)以及(e)說明的相同，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A的表面上所形成的電介質(zhì)膜層的表面上，依次形成固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7。
[0126]在本實(shí)施方式中，如圖9A(e)所示，固體電解質(zhì)層5形成在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A上形成的電介質(zhì)膜層3的表面，未實(shí)質(zhì)形成在槽2的底部。這是因?yàn)?，在本?shí)施方式中，由于槽2的底部被抗蝕層14被覆，因此導(dǎo)電性高分子的前體溶液不能通過抗蝕層14浸透到槽2的底部。在這樣的狀況下，導(dǎo)電性高分子的前體溶液通過毛細(xì)管現(xiàn)象選擇性地浸透作為多孔質(zhì)的陰極層形成部A。由此，在抗蝕層14的表面，未在與陰極層形成部A分隔開的區(qū)域(實(shí)施是相當(dāng)于后述的切斷部的相當(dāng)?shù)膮^(qū)域)的表面實(shí)質(zhì)形成固體電解質(zhì)層5。
[0127]通過以上，得到隔著槽一體地制作與多個單位區(qū)域U對應(yīng)的多個固體電解電容器元件10而成的薄片11(參考圖9A(f))。
[0128]接下來，如圖9B(a)所示，將如上述那樣得到的薄片11與實(shí)施方式I中參考圖1B (a)說明的相同地，在閥作用金屬基體I的槽2切斷(圖中用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部存在閥作用金屬基體I以及抗蝕層14，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5以及電介質(zhì)膜層3。
[0129]切斷后，如圖9B(b)所示，固體電解電容器元件10成為各個被分割的狀態(tài)(圖中表不分割的I個固體電解電容器兀件10)。
[0130]包含在分割的固體電解電容器元件10中的閥作用金屬基體I至少在一對對置的側(cè)部具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0131]進(jìn)而，本實(shí)施方式的固體電解電容器元件10，具有被覆與非多孔質(zhì)的主體部分Ib的上述擴(kuò)展部的主面大致平行的表面的抗蝕層14(參考圖9B(b))。該抗蝕層14是存在于槽2的抗蝕層14的切斷后的剩余部。[0132]在本實(shí)施方式中，也是在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖9B(b))。
[0133]接下來，如圖9B(c)所示，與實(shí)施方式I中參考圖1B(C)說明的相同，在上述切斷面形成電介質(zhì)膜層13。該電介質(zhì)膜層13形成在上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍的切斷面即可。
[0134]通過上述電介質(zhì)膜層3以及13，被覆閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以及與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面(在圖示的示例中，表示為與主面大致垂直的表面，但并不限定于此)。
[0135]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法的另一個改變例，制作圖9B(c)所示那樣的固體電解電容器兀件10。該固體電解電容器兀件10包含:
[0136]閥作用金屬基體1，其具有多孔質(zhì)的表面部分la、非多孔質(zhì)的主體部分lb、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分Ia具有陰極層形成部A ;
[0137]抗蝕層14，其被覆與閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面；
[0138]電介質(zhì)膜層3以及13，其被覆與閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以及與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面；和
[0139]在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A，在電介質(zhì)膜層3的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層5以及陰極引出層7。
[0140]在固體電解電容器元件10中，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部，源自設(shè)于閥作用金屬基體I的兩主面的槽2，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽2而生成的切斷面對應(yīng)，與該擴(kuò)展部的主面大致平行的表面與槽2的底部對應(yīng)。主體部分Ib的擴(kuò)展部既可以與最初準(zhǔn)備的圖9A(a)所示的閥作用金屬基體I的非多孔質(zhì)的主體部分Ib相同，也可以根據(jù)槽2的形成方法不同而不同。根據(jù)該固體電解電容器元件10，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷的閥作用金屬基體I的切斷面，不但從固體電解質(zhì)層5分隔開，而且與擴(kuò)展部的主面大致平行的表面、換言之槽2的底部也被抗蝕層14被覆。由于不在形成抗蝕層14的切斷部及其附近積蓄電荷，因此能進(jìn)一步有效果地抑制切斷部及其附近的漏電流的產(chǎn)生。
[0141]在該固體電解電容器能包含單獨(dú)或多個相關(guān)的固體電解電容器元件10。固體電解電容器兀件10對固體電解電容器的使用方法與實(shí)施方式I相同。在使用多個上述固體電解電容器元件10的情況下，例如能得到圖10所示那樣的層疊型的固體電解電容器32(圖中例示形地示出由3個固體電解電容器元件10構(gòu)成的固體電解電容器元件的層疊體芯片12)。
[0142]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法的另一個改變例，來制造包含I個或2個以上的上述固體電解電容器元件而成的固體電解電容器。
[0143]根據(jù)本實(shí)施方式，由于在槽2的底部不僅未形成固體電解質(zhì)層5,還未形成電介質(zhì)膜層3，因此，能以比現(xiàn)有的制造方法小的負(fù)荷切斷薄片11，此外，由于在槽2進(jìn)行切斷時的負(fù)荷不加在電介質(zhì)膜層3上，因此，由此能防止電介質(zhì)膜層3中的缺陷發(fā)生，進(jìn)而能有效果地降低漏電流。進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，作為閥作用金屬基體1，能使用表面已經(jīng)被多孔質(zhì)化的市售的閥作用金屬基體，與現(xiàn)有的制造方法相比，能緩和對使用的閥作用金屬基體的制約。
[0144](實(shí)施方式5)
[0145]本實(shí)施方式涉及實(shí)施方式4中所述的固體電解電容器的第I制造方法的I個改變例。下面，說明該改變例的制造方法和由其制造出的固體電解電容器。
[0146]首先，與實(shí)施方式4中參考圖9A(a)?(f)說明的相同，制作多個薄片11，薄片11隔著槽2 —體地制作與多個單位區(qū)域U對應(yīng)的多個固體電解電容器元件10而成。
[0147]接下來，層疊如上述那樣得到的多個薄片11，以使得如圖11(a)所示那樣各薄片11的單位區(qū)域U在厚度方向排成一排(圖中例示地示出層疊3片薄片11的狀態(tài)，但并不限定于此)，在閥作用金屬基體I的槽2切斷層疊的多個薄片11 (圖中用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部存在閥作用金屬基體I以及抗蝕層14，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5。
[0148]切斷后，如圖11(b)所示，層疊的固體電解電容器元件10成為按每個單位區(qū)域U被分割的狀態(tài)(圖中例示地表示由3個固體電解電容器元件10構(gòu)成固體電解電容器元件的層疊體芯片12、即分割的I個層疊體芯片12)。
[0149]在分割的層疊體芯片12中，包含在各固體電解電容器兀件10中的閥作用金屬基體1，至少在一對對置的側(cè)部、在本實(shí)施方式中與實(shí)施方式I相同為位于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0150]本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式I相同，在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖11 (b))。
[0151]接下來，如圖11(c)所示，在上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍的切斷面，形成電介質(zhì)膜層13。電介質(zhì)膜層13可以是通過將分割的層疊體芯片12中的固體電解電容器元件10的至少陰極層形成部A的部分浸潰在電解液中來施以陽極氧化處理而形成的氧化膜層。
[0152]接下來，如圖10所示，將各閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17連接，并通過在使這些陽極端子15以及陰極端子17(例如引線框等)的至少一部露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂19進(jìn)行密封，能得到層疊型的固體電解電容器32。
[0153]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第I制造方法，制造圖10所示那樣的固體電解電容器32。
[0154]根據(jù)本實(shí)施方式,不僅在槽2的底部未實(shí)質(zhì)形成固體電解質(zhì)層5,也未形成電介質(zhì)膜層3，多個薄片11在槽2的部分具有間隙并被層疊(參考圖11 (a))，能以比現(xiàn)有的制造方法小的負(fù)荷來切斷層疊的薄片11。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能一次得到多個層疊固體電解電容器元件10而成的層疊體芯片12，由此，能有效率地制造包含層疊體芯片12而成的層疊型固體電解電容器30。
[0155](實(shí)施方式6)
[0156]本實(shí)施方式涉及本發(fā)明的I個實(shí)施方式中的固體電解電容器的第2制造方法。下面，說明該制造方法和由其制作出的固體電解電容器。
[0157]首先，與實(shí)施方式I中參考圖1A(a)?(C)說明的相同，在具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I的兩主面設(shè)置槽2并使槽2的底部為非多孔質(zhì)，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A、和位于相互相鄰的陰極層形成部A之間的槽2的部分的表面上形成電介質(zhì)膜層3。制作多個形成了該電介質(zhì)膜層3的閥作用金屬基體I。
[0158]在本實(shí)施方式中，槽2也是將閥作用金屬基體I的兩主面分隔為多個單位區(qū)域U地形成，關(guān)于閥作用金屬基體1，對多個單位區(qū)域U的每一個在多孔質(zhì)的表面部分Ib規(guī)定陰極層形成部A，能進(jìn)一步規(guī)定陽極引導(dǎo)部B以及間隔部C。
[0159]接下來，層疊如上述那樣得到的形成了電介質(zhì)膜層3的多個閥作用金屬基體1，以使得如圖12A(a)所示，各閥作用金屬基體I的單位區(qū)域U在厚度方向排成一行，從而得到層疊體21 (圖中例示地示出層疊分別形成電介質(zhì)膜層3的3片閥作用金屬基體I的狀態(tài)，但并不限定于此)。
[0160]如圖12A(a)所示，在相鄰的閥作用金屬基體I的電介質(zhì)膜層3間產(chǎn)生間隙。該間隙只要是在后述的工序中能讓構(gòu)成固體電解質(zhì)層5的導(dǎo)電性高分子的前體溶液(原料溶液)浸入的大小即可。由于閥作用金屬基體I的表面部分Ia為多孔質(zhì)，在其表面上形成電介質(zhì)膜層3后也保持多孔質(zhì)，因此僅重疊多個形成了電介質(zhì)膜層3的閥作用金屬基體1，就自然在電介質(zhì)膜層3間形成了間隙。
[0161]另外，優(yōu)選在重疊多個形成了電介質(zhì)膜層3的閥作用金屬基體I前，被覆閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的間隔部C地形成絕緣部9。通過使該絕緣部9位于閥作用金屬基體I間，也自然地在電介質(zhì)膜層3間形成了間隙。進(jìn)而，在這種情況下，能利用絕緣部9相互固定多個閥作用金屬基體I (能在后面的工序中形成接合部前進(jìn)行預(yù)固定)。更詳細(xì)地，個別地對各個閥作用金屬基體I涂敷絕緣性樹脂，將它們重疊，通過對絕緣性樹脂加熱等使其固化或硬化來形成絕緣部9，能通過該絕緣部9來相互固定多個閥作用金屬基體I。
[0162]接下來，如圖12A(b)以及圖13(a)所示，在層疊體21中用接合部P、Q使在厚度方向上相鄰的閥作用金屬基體I相互接合，從而得到接合層疊體23。另外，圖13與上述實(shí)施方式I中圖2A所示的示例(排成一列的多個單位區(qū)域U被包圍單位區(qū)域U的周圍的槽2相互分隔開而配置的情況)對應(yīng)，但對于圖2B所示的示例(矩陣狀排列的多個單位區(qū)域U被格子狀的槽2相互分隔開而配置的情況)也適用相同的說明。
[0163]在接合層疊體23中，閥作用金屬基體I彼此介由接合部P、Q而電接合。在圖示的示例中，I個接合部P形成在閥作用金屬基體的陰極層形成部A的區(qū)域，另I個接合部Q形成在閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B的區(qū)域。接合部P、Q的位置以及數(shù)量沒有特別的限定，只要根據(jù)制造的固體電解電容器所需求的要件適當(dāng)設(shè)定即可，但優(yōu)選至少I個接合部存在于閥作用金屬基體的陰極層形成部A。接合部P、Q能具有圓形、橢圓形、矩形、正方形等任意的適當(dāng)截面形狀。
[0164]更詳細(xì)地，對上述層疊體21施以任意的適當(dāng)處理，使規(guī)定區(qū)域的閥作用金屬基體I (多孔質(zhì)的表面部分Ia以及非多孔質(zhì)的主體部分Ib)熔融，由此使源自相鄰的閥作用金屬基體I的熔融金屬彼此直接接觸，通過表面張力等而一體化，之后，通過在熔融金屬為一體化的狀態(tài)下固化，形成接合部P、Q。在該規(guī)定區(qū)域，電介質(zhì)膜層3可以預(yù)先開口(即，閥作用金屬基體I露出)但并不限定于此。
[0165]用于形成上述接合部的處理，只要是可使閥作用金屬基體I熔融即可，沒有特別的限定，例如，可以是加熱等，優(yōu)選通過使相鄰的閥作用金屬基體I彼此能電接合且機(jī)械接合的焊接來進(jìn)行。焊接例如能用電阻焊接、激光焊接、超聲波焊接等的單獨(dú)一種或并用它們的2種以上來實(shí)施。
[0166]在本實(shí)施方式中，形成2個接合部P、Q。在形成2個以上的接合部的情況下，其形成部位能進(jìn)行適當(dāng)配置，但優(yōu)選閥作用金屬基體I在這些部位以大致均等的力進(jìn)行接合地配置。
[0167]接合部Q形成在閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B。在陽極引導(dǎo)部B形成接合部的情況下，接合部Q如圖13(a)所示，形成在二等分陽極引導(dǎo)部B的寬度的線(圖中用兩點(diǎn)劃線表示)上或其附近，由于這能使對電介質(zhì)被覆閥作用金屬薄片全體的應(yīng)力均等化，制作電氣和機(jī)械上更穩(wěn)定的固體電解電容器，因此優(yōu)選。具體地，該接合部Q的面積也依賴于陽極引導(dǎo)部B與陰極層形成部A的面積比，優(yōu)選為陽極引導(dǎo)部B的面積0.1%以上，更優(yōu)選為I %以上。若接合部Q的面積為陽極引導(dǎo)部B的面積的0.1 %以上，則能得到需要且充分的機(jī)械接合強(qiáng)度和電氣傳導(dǎo)性(導(dǎo)通)。在陽極引導(dǎo)部B形成2個以上的接合部的情況下，這些接合部的各自的面積優(yōu)選為陽極弓I導(dǎo)部B的面積0.1 %，以上更優(yōu)選為I %以上。
[0168]另一方面，接合部P形成在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A。在陰極層形成部A形成接合部P的情況下，接合部P可以如圖13(a)所示，形成在二等分陰極層形成部A的寬度的線(在圖中用兩點(diǎn)劃線表示)上或其附近，該接合部的配置適于用電阻焊接來形成接合部的情況。在本實(shí)施方式中，接合部P如圖13(a)所示，從陰極層形成部A的長度方向中央部相對于陽極引導(dǎo)部B向遠(yuǎn)位側(cè)遠(yuǎn)位偏離而配置，以使得閥作用金屬基體I在多個接合部P、Q以大致均等的力接合?；蛘?，作為本實(shí)施方式的改變例，也可以使一對接合部P1以及P2例如如圖13(b)所示，形成于從陰極層形成部A的中心(在圖中用X標(biāo)記表示)大致點(diǎn)對稱的位置，該接合部的配置適于通過激光焊接來形成接合部的情況。這些配置由于都能使對電介質(zhì)被覆閥作用金屬薄片全體的應(yīng)力均等化，能制作電氣和機(jī)械上更穩(wěn)定的固體電解電容器，且能防止等效串聯(lián)電阻(ESR)的增大，因此優(yōu)選。在陰極層形成部A形成接合部的情況下，與未在該部分形成接合部的情況相比，失去相當(dāng)于接合部的分量的靜電容。特別是，與接合部也通過蝕刻來粗面化而增大有效面積的情況相比，由于通過形成接合部而使凹凸消失(多孔質(zhì)的表面部分Ia粉碎)，因此，即使是相同的接合面積也會失去更多的靜電容。因而，接合部的面積更優(yōu)選確保電連接，并盡可能小。具體地，對于該接合部P的面積，優(yōu)選為陰極層形成部A的面積的I %以上，更優(yōu)選為5%以上，以及優(yōu)選為30%以下，更優(yōu)選為20%以下。若接合部P的面積為陰極層形成部A的面積的1%以上，則能使相鄰的閥作用金屬基體I彼此電氣和機(jī)械上穩(wěn)定地接合，因而能確保電連接，并能在后面的工序中形成作為陰極層的固體電解質(zhì)層時避免接合部分離。另一方面，若接合部P的面積為陰極層形成部A的面積的30%以下，則不會過度地失去固體電解電容器的靜電容，因而，可以不為了補(bǔ)償靜電容的損耗份而增加閥作用金屬基體I的層疊片數(shù)。在陰極層形成部A形成2個以上的接合部(例如圖13(b)所示的接合部P1以及P2)的情況下，優(yōu)選這些接合部的各自的面積為陰極層形成部A的面積的1%，更優(yōu)選為5%以上，以及優(yōu)選這些接合部的合計的面積為陰極層形成部A的面積的30%以下，更優(yōu)選為20%。
[0169]接合后，在閥作用金屬基體I的接合部的表面被電介質(zhì)膜層3被覆的情況下，由此閥作用金屬基體I的接合部與固體電解質(zhì)層5 (這在后面的工序中形成)電絕緣，但在閥作用金屬基體I在接合部的表面露出的情況下，另外地實(shí)施使該接合部與固體電解質(zhì)層5電絕緣的操作。例如，在接合后，閥作用金屬基體I會在接合層疊體23的兩主面(即上表面以及下表面)以及閥作用金屬基體I間的間隙露出。特別是，在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A中，由于露出的閥作用金屬基體I與固體電解質(zhì)層5接觸，則存在固體電解電容器短路的可能性，因此，優(yōu)選用電介質(zhì)膜層被覆露出的閥作用金屬基體I的陰極層形成部A，在接合層疊體23的形成后至少對陰極層形成部A施以陽極氧化處理，以使得與固體電解質(zhì)層5絕緣。該追加的陽極氧化處理的條件能與上述的陽極氧化處理的條件相同。
[0170]如以上那樣，能從層疊體21得到在該層疊體21將相鄰的閥作用金屬基體I彼此接合而成的接合層疊體23。
[0171]接下來，如圖12A(c)所示，按照填充在接合層疊體23中相鄰的閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面上形成的電介質(zhì)膜層3間的間隙，并在陰極層形成部A被覆接合層疊體23的外表面的方式，將固體電解質(zhì)層5形成為連續(xù)層。閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B不被固體電解質(zhì)層5填充和被覆地保持露出狀態(tài)地留下。該固體電解質(zhì)層5能根據(jù)單位區(qū)域U和槽2的配置與實(shí)施方式I大致同樣地形成。
[0172]此時，與實(shí)施方式I相同，如圖12A(c)所示，固體電解質(zhì)層5形成在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A上形成的電介質(zhì)膜層3的表面，不在相當(dāng)于槽2的切斷部的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)形成。
[0173]另外，在微觀觀察的情況下，雖然不可避免地存在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面上形成的電介質(zhì)被覆3間的間隙未被固體電解質(zhì)層5完全填充的部分、和接合層疊體23的外表面未被被覆的部分，但只要固體電解電容器的電氣以及機(jī)械特性處于能容許的級別，則即使在固體電解質(zhì)層5存在這樣的部分也沒問題。
[0174]接下來，如圖12A(c)所示，在閥作用金屬基體I的槽2切斷形成了固體電解質(zhì)層5的接合層疊體23 (圖中、用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部，與實(shí)施方式I相同地，存在閥作用金屬基體I以及電介質(zhì)膜層3，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5。該切斷能與實(shí)施方式I相同地實(shí)施。
[0175]切斷后，如圖12B(a)所示，形成了固體電解質(zhì)層5的接合層疊體23成為各個被分割的狀態(tài)(圖中表示形成固體電解質(zhì)層5之后分割得到的I個接合層疊體23)。
[0176]在形成固體電解質(zhì)層5、并在之后分割得到的接合層疊體23，各閥作用金屬基體I至少在一對對置的側(cè)部、本實(shí)施方式中與實(shí)施方式I相同地為位于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0177]在本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式I相同，在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖12B(a))。
[0178]接下來，如圖12B(b)所示，在上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍切斷面形成電介質(zhì)膜層13。電介質(zhì)膜層13可以是通過將分割的接合層疊體23中的至少陰極層形成部A的部分浸潰到電解液中施以陽極氧化處理而形成的氧化膜層。
[0179]接下來，如圖12B(c)所示，在固體電解質(zhì)5的表面上形成陰極引出層7。陰極引出層7與實(shí)施方式I相同，能通過形成含碳層7a以及含銀層7b來形成。
[0180]接下來，如圖14所示，將至少I個閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17連接，并通過在使這些陽極端子15以及陰極端子17(例如引線框等)的至少一部露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂19進(jìn)行密封，能得到層疊型固體電解電容器33。
[0181]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第2制造方法，制造圖14所示那樣的固體電解電容器33。該固體電解電容器33包含:
[0182]接合層疊體23，其層疊多個具有陰極層形成部A閥作用金屬基體1，使相鄰的閥作用金屬基體I相互接合而成，并且至少在陰極層形成部A以電介質(zhì)膜層3以及13被覆閥作用金屬基體A的表面；和
[0183]固體電解質(zhì)層5的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A填充被覆閥作用金屬基體I的電介質(zhì)膜層3間的間隙，并被覆接合層疊體23的外表面，
[0184]上述閥作用金屬基體I的每個，具有:多孔質(zhì)的表面部分la、非多孔質(zhì)的主體部分lb、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部，并在多孔質(zhì)的表面部分Ib具有上述陰極層形成部A，
[0185]上述電介質(zhì)膜層3以及13除了被覆閥作用金屬基體的陰極層形成部A的表面以夕卜，還被覆與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的表面。
[0186]根據(jù)本實(shí)施方式，能將固體電解質(zhì)層5作為連續(xù)層對接合層疊體23 —次性地進(jìn)行填充以及被覆。根據(jù)該固體電解電容器33，由于在構(gòu)成接合層疊體23的閥作用金屬基體I間的間隙不存在陰極引出層7，因此能實(shí)現(xiàn)電容器的低矮化。
[0187](實(shí)施方式7)
[0188]本實(shí)施方式涉及本發(fā)明的另I個實(shí)施方式中的固體電解電容器的第2制造方法。下面，說明該制造方法和由其制造的固體電解電容器。
[0189]首先，與實(shí)施方式4中參考圖9A(a)?(d)說明的相同，在具有多孔質(zhì)的表面部分Ia和非多孔質(zhì)的主體部分Ib的閥作用金屬基體I的兩主面設(shè)置槽2并使槽2的底部為非多孔質(zhì)，在槽2的底部(更詳細(xì)地，至少在位于相互相鄰的陰極層形成部A之間的槽2的部分，下面也相同)形成抗蝕層14，在閥作用金屬基體I的多孔質(zhì)的表面部分Ia中的陰極層形成部A的表面上形成電介質(zhì)膜層3。制作多個形成了抗蝕層14以及電介質(zhì)膜層3的閥作用金屬基體I。
[0190]在本實(shí)施方式中，槽2也是將閥作用金屬基體I的兩主面分隔為多個單位區(qū)域U地形成，關(guān)于閥作用金屬基體1，對多個單位區(qū)域U的每一個在多孔質(zhì)的表面部分Ib規(guī)定陰極層形成部A，能進(jìn)一步規(guī)定陽極引導(dǎo)部B以及間隔部C。
[0191]接下來，層疊如上述那樣得到的形成了抗蝕層14以及電介質(zhì)膜層3的多個閥作用金屬基體1，以使得如圖15(a)所示，與實(shí)施方式6中從那刻圖12(a)說明的相同，各閥作用金屬基體I的單位區(qū)域U在厚度方向排成一行，從而得到層疊體21 (圖中例示地示出層疊分別形成電介質(zhì)膜層3的3片閥作用金屬基體I的狀態(tài)，但并不限定于此)。[0192]接下來，如圖15A(b)所示，與實(shí)施方式6中參考圖12A(a)以及圖13(a)說明的相同，層疊體21中用接合部P、Q使在厚度方向上相鄰的閥作用金屬基體I相互接合，從而得到接合層疊體23。
[0193]接下來，如圖15A(c)所示，與實(shí)施方式6中參考圖12A(c)說明的相同，填充接合層疊體23中相鄰的閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面上形成的電介質(zhì)膜層3間的間隙，并在陰極層形成部A被覆接合層疊體23的外表面，將固體電解質(zhì)層5形成為連續(xù)層。
[0194]此時，在本實(shí)施方式中，固體電解質(zhì)層5也與實(shí)施方式4相同，如圖15A(C)所示，形成在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A上形成的電介質(zhì)膜層3的表面，未在槽2的底部未實(shí)質(zhì)形成。在本實(shí)施方式中，由于槽2的底部被抗蝕層14被覆，因此，導(dǎo)電性高分子的前體溶液不能浸透到槽2的底部。在這樣的狀況下，導(dǎo)電性高分子的前體溶液通過毛細(xì)管現(xiàn)象而選擇性抵浸透多孔質(zhì)的陰極層形成部A。由此，在抗蝕層14的表面，未在與陰極層形成部A分隔開的區(qū)域(至少相當(dāng)于后述的切斷部的區(qū)域)的表面實(shí)質(zhì)形成固體電解質(zhì)層5。
[0195]接下來，如圖15A(c)所示，在閥作用金屬基體I的槽2切斷形成了固體電解質(zhì)層5的接合層疊體23 (圖中，用一點(diǎn)劃線箭頭示意地表示切斷)。在槽2的切斷部，與實(shí)施方式4相同地存在閥作用金屬基體I以及電介質(zhì)膜層3，另一方面，不存在固體電解質(zhì)層5。該切斷能與實(shí)施方式4同樣地實(shí)施。
[0196]切斷后，如圖15B(a)所示，形成了固體電解質(zhì)層5的接合層疊體23成為被各個分割的狀態(tài)(圖中表示形成固體電解質(zhì)層5，之后分割的I個接合層疊體23)。
[0197]在固體電解質(zhì)層5、之后分割的接合層疊體23中，各閥作用金屬基體I至少在一對對置的側(cè)部、在本實(shí)施方式與實(shí)施方式6相同地為位于矩形的單位區(qū)域U的周圍的四邊的側(cè)部，具有非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部(或凸部)。該主體部分Ib的擴(kuò)展部是存在于槽2的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的切斷后的剩余部，是比多孔質(zhì)的表面部分Ia的端部更突出的部分。
[0198]進(jìn)而，遵循本實(shí)施方式而分割的接合層疊體23具有被覆與非多孔質(zhì)的主體部分Ib的上述擴(kuò)展部的主面大致平行的表面的抗蝕層14(參考圖15B(a))。該抗蝕層14是存在于槽2的抗蝕層14的切斷后的剩余部。
[0199]在本實(shí)施方式中，在通過切斷而生成的切斷面，閥作用金屬基體I的主體部分Ib從電介質(zhì)膜層3露出(參考圖15B(a))。
[0200]接下來，如圖15B(b)所示，與實(shí)施方式6中參考圖12B(b)說明的相同，在上述切斷面形成電介質(zhì)膜層13。該電介質(zhì)膜層13形成于上述切斷面中的至少位于閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的周圍的切斷面即可。
[0201]通過上述電介質(zhì)膜層3以及13來被覆閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以及與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面(在圖示的示例中，表示為與主面大致垂直的表面，但并不限定于此)。
[0202]接下來，如圖15B(c)所示，與實(shí)施方式6中參考圖12B(c)說明的相同，在固體電解質(zhì)5的表面上形成陰極引出層7。陰極引出層7能與實(shí)施方式I相同地，通過形成含碳層7a以及含銀層7b來形成。[0203]接下來，如圖16所示，將至少I個閥作用金屬基體I的陽極引導(dǎo)部B與陽極端子15連接，另一方面，將陰極引出層7與陰極端子17，從而在這些陽極端子15以及陰極端子17 (例如引線框等)的至少一部露出的狀態(tài)下用環(huán)氧樹脂等的絕緣性樹脂19進(jìn)行密封，由此能得到層疊型的固體電解電容器34。
[0204]通過以上，遵循本實(shí)施方式的第2制造方法，制造圖16所示那樣的固體電解電容器34。該固體電解電容器34包含:
[0205]接合層疊體23，其層疊多個具有陰極層形成部A的閥作用金屬基體1，使相鄰的閥作用金屬基體I相互接合而成，至少在陰極層形成部A中用電介質(zhì)膜層3以及13被覆閥作用金屬基體I的表面；
[0206]固體電解質(zhì)層5的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體I的陰極層形成部A中，填充被覆閥作用金屬基體I的電介質(zhì)膜層3間的間隙，并被覆接合層疊體23的外表面，
[0207]上述閥作用金屬基體I的每個具有:多孔質(zhì)的表面部分la、非多孔質(zhì)的主體部分lb、至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分Ib的擴(kuò)展部，并且，在多孔質(zhì)的表面部分Ia具有上述陰極層形成部A，
[0208]與上述閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面被抗蝕層14被覆，
[0209]上述電介質(zhì)膜層3以及13，除了閥作用金屬基體I的陰極層形成部A的表面以外，還被覆與陰極層形成部A相接的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面。
[0210]在固體電解電容器34中，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部源自設(shè)于閥作用金屬基體I的兩主面的槽2，該擴(kuò)展部的端面與通過切斷槽2而生成的切斷面對應(yīng)，與該擴(kuò)展部的主面大致平行的表面與槽2的底部對應(yīng)。主體部分Ib的擴(kuò)展部既可以與最初準(zhǔn)備的與圖9A(a)所示的閥作用金屬基體I的非多孔質(zhì)的主體部分Ib相同，也可以根據(jù)槽2的形成方法不同而不同。根據(jù)該固體電解電容器34，閥作用金屬基體I的主體部分Ib的擴(kuò)展部的端面、換言之為易于產(chǎn)生缺陷閥作用金屬基體I的切斷面與固體電解質(zhì)層5分隔，在這基礎(chǔ)上，與擴(kuò)展部的主面大致平行的表面、換言之為槽2的底部被抗蝕層14被覆。由此，由于不在形成了抗蝕層14的切斷部及其附近積蓄電荷，因此能更加有效果地抑制在切斷部及其附近的漏電流的產(chǎn)生。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，將固體電解質(zhì)層5作為連續(xù)層，對接合層疊體23 —次性地進(jìn)行填充以及被覆。根據(jù)該固體電解電容器34，由于在構(gòu)成接合層疊體23的閥作用金屬基體I間的間隙不存在陰極引出層7，因此，能實(shí)現(xiàn)電容器的低矮化。
[0211]以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式I?7，但這些實(shí)施方式都能進(jìn)行各種改變。例如，對實(shí)施方式3也能進(jìn)行與相對于實(shí)施方式I的實(shí)施方式2相同的改變。另外,例如,對實(shí)施方式4?7也能進(jìn)行與相對于實(shí)施方式I的實(shí)施方式3相同的改變。
[0212]產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0213]本發(fā)明能用于制造層疊型固體電解電容器，但并不限定于此。
[0214]符號的說明
[0215]I 閥作用金屬基體
[0216]Ia多孔質(zhì)的表面部分
[0217]Ib非多孔質(zhì)的主體部分
[0218]2 槽[0219]3電介質(zhì)膜層
[0220]4抗蝕層
[0221]5固體電解質(zhì)層
[0222]7陰極引出層
[0223]7 a含碳層
[0224]7b含銀層
[0225]9絕緣部
[0226]10固體電解電 容器元件
[0227]11薄片
[0228]12(固體電解電容器元件的)層疊體芯片
[0229]13電介質(zhì)膜層
[0230]14抗蝕層
[0231]15陽極端子
[0232]17陰極端子
[0233]19絕緣性樹脂
[0234]21(形成電介質(zhì)膜層的閥作用金屬基體的)層疊體
[0235]23(形成電介質(zhì)膜層的閥作用金屬基體的)接合層疊體
[0236]30、31、32、33、34 固體電解電容器
[0237]A陰極層形成部
[0238]B陽極引導(dǎo)部
[0239]C間隔部
[0240]U單位區(qū)域[0241 ]P、PpP^Q 接合部
【權(quán)利要求】
1.一種固體電解電容器的制造方法，包含: 工序a，在具有多孔質(zhì)的表面部分和非多孔質(zhì)的主體部分的閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽并使槽的底部為非多孔質(zhì)，通過槽將閥作用金屬基體的兩主面分隔為多個單位區(qū)域，并對每個單位區(qū)域在多孔質(zhì)的表面部分規(guī)定陰極層形成部； 工序b，在閥作用金屬基體的陰極層形成部以及陰極層形成部間的槽的表面上形成電介質(zhì)膜層； 工序C，在閥作用金屬基體的陰極層形成部上形成的電介質(zhì)膜層的表面上依次形成固體電解質(zhì)層以及陰極引出層，由此得到隔著槽一體地制作與多個單位區(qū)域?qū)?yīng)的多個固體電解電容器元件而成的薄片； 工序d，在閥作用金屬基體的槽切斷所述薄片；以及 工序e，在位于閥作用金屬基體的陰極層形成部的周圍的切斷面形成電介質(zhì)膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其中， 分別對多個閥作用金屬基體實(shí)施工序a?C，層疊由此得到的多個所述薄片，在工序d中在閥作用金屬基體的槽切斷層疊的所述薄片。
3.一種固體電解電容器的制造方法，包含: 工序a，在具有多孔質(zhì)的表面部分和非多孔質(zhì)的主體部分的閥作用金屬基體的兩主面設(shè)置槽并使槽的底部為非多孔質(zhì)，通過槽將閥作用金屬基體的兩主面分隔為多個單位區(qū)域，并對每個單位區(qū)域 在多孔質(zhì)的表面部分規(guī)定陰極層形成部； 工序b，在閥作用金屬基體的陰極層形成部以及陰極層形成部間的槽的表面上形成電介質(zhì)膜層； 工序P，分別對多個閥作用金屬基體實(shí)施工序a?b，層疊由此得到的形成了電介質(zhì)膜層的多個閥作用金屬基體，從而得到層疊體； 工序q，使在層疊體相鄰的閥作用金屬基體相互接合來得到接合層疊體； 工序r，填充在接合層疊體相鄰的閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面上形成的電介質(zhì)膜層間的間隙，并在陰極層形成部被覆接合層疊體的外表面，從而將固體電解質(zhì)層形成為連續(xù)層； 工序S，在閥作用金屬基體的槽切斷形成了固體電解質(zhì)層的接合層疊體；以及 工序t，在位于閥作用金屬基體的陰極層形成部的周圍的切斷面形成電介質(zhì)膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中， 在工序a中，閥作用金屬基體的槽通過在厚度方向上按壓閥作用金屬基體而設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中， 在工序a中，閥作用金屬基體的槽通過從閥作用金屬基體除去多孔質(zhì)的表面部分而設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中， 取代工序b而實(shí)施: 工序b’，在槽的底部形成抗蝕層，在閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面上形成電介質(zhì)膜層。
7.一種固體電解電容器元件，包含: 閥作用金屬基體，其具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、以及至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有陰極層形成部；電介質(zhì)膜層，其被覆閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以及與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的表面；和 在閥作用金屬基體的陰極層形成部，在電介質(zhì)膜層的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層以及陰極引出層。
8.一種固體電解電容器元件，包含: 閥作用金屬基體，其具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、以及至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有陰極層形成部；抗蝕層，其被覆與閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面； 電介質(zhì)膜層，其被覆閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以及與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的端面；和 在閥作用金屬基體的陰極層形成部，在電介質(zhì)膜層的表面上依次形成的固體電解質(zhì)層以及陰極引出層。
9.一種固體 電解電容器，包含I個或2個以上的權(quán)利要求7或8所述的固體電解電容器元件而成。
10.一種固體電解電容器，包含: 接合層疊體，其層疊多個具有陰極層形成部的閥作用金屬基體、使相鄰的閥作用金屬基體相互接合而成，至少在陰極層形成部用電介質(zhì)膜層被覆閥作用金屬基體的表面； 固體電解質(zhì)層的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體的陰極層形成部填充被覆閥作用金屬基體的電介質(zhì)膜層間的間隙，且被覆接合層疊體的外表面； 各個所述閥作用金屬基體具有多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、以及至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，且在多孔質(zhì)的表面部分具有所述陰極層形成部； 所述電介質(zhì)膜層除了閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以外，還被覆與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的表面。
11.一種固體電解電容器，包含: 接合層疊體，其層疊多個具有陰極層形成部的閥作用金屬基體、使相鄰的閥作用金屬基體相互接合而成，至少在陰極層形成部用電介質(zhì)膜層被覆閥作用金屬基體的表面； 固體電解質(zhì)層的連續(xù)層，其在閥作用金屬基體的陰極層形成部，填充被覆閥作用金屬基體的電介質(zhì)膜層間的間隙，并被覆接合層疊體的外表面， 各個所述閥作用金屬基體具有:多孔質(zhì)的表面部分、非多孔質(zhì)的主體部分、以及至少在一對對置的側(cè)部的非多孔質(zhì)的主體部分的擴(kuò)展部，并在多孔質(zhì)的表面部分具有所述陰極層形成部， 用抗蝕層被覆與所述閥作用金屬基體的主體部分的擴(kuò)展部的主面大致平行的表面， 所述電介質(zhì)膜層除了閥作用金屬基體的陰極層形成部的表面以外，還被覆與陰極層形成部相接的主體部分的擴(kuò)展部的端面。
【文檔編號】H01G9/048GK103430261SQ201280012192
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月20日
【發(fā)明者】藤本耕治, 松下惠美, 黑見仁, 上野太郎, 越戶義弘 申請人:株式會社村田制作所