本揭露系有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，且特別有關(guān)于一種低缺陷半導(dǎo)體裝置的形成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體元件被應(yīng)用在多種電子應(yīng)用上，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)位相機(jī)，及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件通常依序沉積絕緣層或介電層，導(dǎo)電層，以及半導(dǎo)體材料層在半導(dǎo)體基板上，再以微影工藝將各材料層圖案化以于基板上形成電路元件及單元。

改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)效能的重要驅(qū)動(dòng)力之一為電路的高端整合，此可藉由于給定的晶片上微型化或縮小元件尺寸來(lái)達(dá)成。舉例來(lái)說(shuō)，鰭式場(chǎng)效電晶體(finfet)結(jié)構(gòu)及納米線(xiàn)場(chǎng)效電晶體(nanowirefet)結(jié)構(gòu)用以增加半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的整合密度。然而，雖然現(xiàn)有工藝用以制造鰭式場(chǎng)效電晶體結(jié)構(gòu)及納米線(xiàn)場(chǎng)效電晶體對(duì)于原目的來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠，但當(dāng)元件繼續(xù)縮小，其并非在各個(gè)面向皆令人滿(mǎn)意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：形成鰭結(jié)構(gòu)于基板之上，形成絕緣層于鰭結(jié)構(gòu)周?chē)?，移除鰭結(jié)構(gòu)的一部分以于絕緣層形成溝槽，并以半導(dǎo)體材料填充溝槽?；亓髟摪雽?dǎo)體材料以形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)及位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)之下的空腔。

附圖說(shuō)明

以下將配合所附圖式詳述本揭露之各面向。應(yīng)注意的是，依據(jù)在業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，各種特征并未按照比例繪制且僅用以說(shuō)明例示。事實(shí)上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現(xiàn)出本揭露的特征。

圖1a-1p系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的各階段透視圖。

圖2a-2h系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿著圖1p中的線(xiàn)段a-a’剖面圖。

圖3a-3d系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的各階段透視圖。

圖4系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿著圖3d中的線(xiàn)段b-b’剖面圖。

圖5a-5e系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的各階段透視圖。

圖6系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿著圖5e中的線(xiàn)段c-c’剖面圖。

圖7系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的透視圖。

圖8a系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的透視圖。

圖8b系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿著圖8a中的線(xiàn)段d-d’剖面圖。

圖9a-9d系根據(jù)一些實(shí)施例繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的各階段透視圖。

其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100’、100”、100”’、200、300～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

102、202、302～基板

104～氧化層

106～氮化層

108、108”、208、308a、308b、308c～鰭結(jié)構(gòu)

110、310～絕緣層

112、114、116、116”、312、314a、314b、314c、316～溝槽

118、118”、318～半導(dǎo)體材料

119、119’、119”、319～回流后的半導(dǎo)體材料

120、120’、120”、320～退火工藝

122、122’、122”、222、322a、322b、322c～空腔

124～研磨工藝

126、126’、126”、226、326～納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)

127’～納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)延伸部分

128、228～隔離結(jié)構(gòu)

130～虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)

132～虛設(shè)柵極介電層

134～虛設(shè)柵極電極層

136、236～間隔物

138、138’、138”、238～源極/漏極

140、240～材料層

142～柵極溝槽

144～柵極溝槽的延伸部分

146、146a、146b、146c、146d、146e、146f、146g、146h、146’、146”、146”’、246～柵極結(jié)構(gòu)

148、248～柵極介電層

150、250～功函數(shù)金屬層

152、252～柵極電極層

w1、w2～寬度

d1～深度

h1、h2～高度

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)許多不同的實(shí)施方法或是例子來(lái)實(shí)行所提供的標(biāo)的的不同特征，以下描述具體的元件及其排列的實(shí)施例以闡述本揭露。當(dāng)然這些實(shí)施例僅用以例示，且不該以此限定本揭露的范圍。例如，在說(shuō)明書(shū)中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征與第二特征是直接接觸的實(shí)施例，另外也包括于第一特征與第二特征之間另外有其他特征的實(shí)施例，亦即，第一特征與第二特征并非直接接觸。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示，這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰窘衣?，不代表所討論的不同?shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)系。

此外，其中可能用到與空間相關(guān)用詞，例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類(lèi)似的用詞，這些空間相關(guān)用詞系為了便于描述圖示中一個(gè)(些)元件或特征與另一個(gè)(些)元件或特征之間的關(guān)系，這些空間相關(guān)用詞包括使用中或操作中的裝置的不同方位，以及圖式中所描述的方位。當(dāng)裝置被轉(zhuǎn)向不同方位時(shí)(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，則其中所使用的空間相關(guān)形容詞也將依轉(zhuǎn)向后的方位來(lái)解釋。

本揭露提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成方法的一些實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法可包括將溝槽中的半導(dǎo)體材料回流以于半導(dǎo)體材料下方形成一空腔。在空腔上方的半導(dǎo)體材料可做為納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)并具較少缺陷。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1a-1p繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的形成方法的各階段透視圖。根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1a所繪示，接收一基板102?；?02可為半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片?；?02可替換為或附加包括元素半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料，及/或合金半導(dǎo)體材料。舉例來(lái)說(shuō)(但不限于)元素半導(dǎo)體材料可為晶硅(crystalsilicon)、多晶硅(polycrystallinesilicon)、非晶硅(amorphoussilicon)、鍺(germanium)及/或金剛石(diamond)。舉例來(lái)說(shuō)(但不限于)化合物半導(dǎo)體材料可為碳化硅(siliconcarbide)、砷化鎵(galliumarsenic)、磷化鎵(galliumphosphide)、磷化銦(indiumphosphide)、砷化銦(indiumarsenide)、及/或銻化銦(indiumantimonide)。舉例來(lái)說(shuō)(但不限于)合金半導(dǎo)體材料可為硅鍺(sige)、砷磷化鎵(gaasp)、銦砷化鋁(alinas)、鎵砷化鋁(algaas)、銦砷化鎵(gainas)、銦磷化鎵(gainp)、及/或磷砷化鎵銦(gainasp)。

此外，基板102可包含各種結(jié)構(gòu)，如摻雜區(qū)，層間介電層(ild)，導(dǎo)電元件，及/或隔離結(jié)構(gòu)。另外，基板102可更包含了單一或多層材料以圖案化。舉例來(lái)說(shuō)，材料層可包含硅層、介電層、及/或摻雜多晶硅(poly-silicon)層。在一些實(shí)施例中，基板102為硅基板。在一些實(shí)施例中，基板102為絕緣層覆硅(silicon-on-insulator,soi)基板。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1a繪示出氧化層104及氮化層106于基板102之上。在一些實(shí)施例中，氧化層104為氧化硅(siliconoxide)。氧化層104以熱氧化工藝形成。然而，在其他實(shí)施例中，可使用其他沉積工藝。

氮化層106可用于后續(xù)光微影工藝的硬遮蔽層(hardmask)。在一些實(shí)施例中，氮化層106為氮化硅(siliconnitride)。氮化層106可由低壓化學(xué)氣相沉積(low-pressurechemicalvapordeposition,lpcvd)或電漿輔助化學(xué)氣相沉積(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,pecvd)形成。然而，在其他實(shí)施例中，可使用其他沉積工藝。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1b繪示出，后續(xù)由氮化層106、氧化層104、及基板102形成鰭結(jié)構(gòu)108。在一些實(shí)施例中，將氮化層106、氧化層104、及基板102依序圖案化以形成鰭結(jié)構(gòu)108。在一些實(shí)施例中，氮化層106、氧化層104、及基板102由在氮化層106上方的光阻層圖案化，接著通過(guò)光阻層蝕刻氮化層106、氧化層104、及基板102。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1c繪示出絕緣層110于基板102之上。此外，絕緣層110包圍并覆蓋鰭結(jié)構(gòu)108。在一些實(shí)施例中，絕緣層110為氧化硅。絕緣層110可由高密度電漿(high-density-plasma,hdp)化學(xué)氣相沉積工藝形成。然而，在其他實(shí)施例中，可使用其他沉積工藝。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1d繪示出以研磨工藝移除絕緣層110的頂部。在一些實(shí)施例中，研磨工藝為化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing,cmp)工藝。研磨工藝可執(zhí)行至氮化層106的上表面暴露為止。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1e繪示出在此之后，氮化層106被移除。氮化層可由濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝移除。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1f繪示出在氮化層106被移除之后，絕緣層110中形成溝槽112。在一些實(shí)施例中，溝槽112由移除氧化層104及一部份絕緣層110形成。在一些實(shí)施例中，可于絕緣層110上方形成具有開(kāi)口的硬遮蔽層，并經(jīng)由開(kāi)口進(jìn)行蝕刻工藝以移除開(kāi)口露出的氧化層104及部分絕緣層110。

如圖1f所繪示，鰭結(jié)構(gòu)108具第一寬度w1，溝槽112具第二寬度w2。在一些實(shí)施例中，第二寬度w2大于第一寬度w1。在一些實(shí)施例中，第一寬度w1介于約5納米至約10納米的范圍。在一些實(shí)施例中，第二寬度w2介于約10納米至約20納米的范圍。后續(xù)工藝所形成的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸可由調(diào)整溝槽112的第二寬度所控制(細(xì)節(jié)后述)。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1g繪示出在溝槽112形成后，鰭結(jié)構(gòu)108的頂部被移除，以形成溝槽114。在一些實(shí)施例中，溝槽114由從溝槽112蝕刻鰭結(jié)構(gòu)108頂部形成。如圖1g所繪示，盡管鰭結(jié)構(gòu)108的頂部被移除，鰭結(jié)構(gòu)108的底部依舊存在。

在一些實(shí)施例中，溝槽114具深度d1，在此階段小于絕緣層110的厚度。在一些實(shí)施例中，深度d1介于約50納米至約300納米的范圍。溝槽114的深度d1可決定后續(xù)工藝形成的空腔尺寸，并可依其應(yīng)用調(diào)整(細(xì)節(jié)后述)。

如前所述，溝槽114可經(jīng)由溝槽112形成，因此溝槽114與溝槽112相連接。亦即溝槽112和溝槽114可視為具較寬頂部(溝槽112)及較窄底部(溝槽114)的溝槽116。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1h繪示出半導(dǎo)體材料118于溝槽116中。根據(jù)一些實(shí)施例，如圖1h所繪示，溝槽116，包含溝槽112及溝槽114，完全被半導(dǎo)體材料118所填充。此外，在此階段半導(dǎo)體材料118位于鰭結(jié)構(gòu)108之上并和鰭結(jié)構(gòu)108的上表面直接接觸。應(yīng)注意的是，半導(dǎo)體材料118的量可因需求調(diào)整。舉例來(lái)說(shuō)，溝槽116可被半導(dǎo)體材料118只部分填充或過(guò)度填充。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料為鍺、硅、硅鍺、或類(lèi)似物。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料118以磊晶成長(zhǎng)(epitaxialgrowth)工藝形成。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1i繪示出接續(xù)半導(dǎo)體材料118以退火(anneal)工藝120回流。退火工藝120的條件可因工藝中需回流的半導(dǎo)體材料118調(diào)整。在一些實(shí)施例中，退火工藝120為激光退火(laserannealing)工藝，在溫度約攝氏900度至約攝氏1000度的范圍內(nèi)執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，退火工藝120為快速熱退火(rapidthermalannealing,rta)工藝，在溫度約攝氏700度至約攝氏900度的范圍內(nèi)于氮?dú)饣驓錃庵袌?zhí)行約數(shù)分鐘。

在退火工藝120中，由于熱預(yù)算(thermalbudget)，半導(dǎo)體材料118的差排(dislocation)將移動(dòng)至表面并消失。因此回流后的半導(dǎo)體材料119可具較少缺陷。如圖1i所繪示，在退火工藝120當(dāng)中，一部分半導(dǎo)體材料118從溝槽116的底部轉(zhuǎn)移至溝槽116的頂部。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，圖1i繪示出，空腔122形成于溝槽116的底部，于回流后的半導(dǎo)體材料119的下方。

在一些實(shí)施例中，空腔122具高度h1，大體上等于溝槽114的深度d1。亦即在退火工藝120執(zhí)行后，回流后的半導(dǎo)體材料119主要位于溝槽116的頂部(即溝槽112)，因此空腔122位于溝槽116的底部(即溝槽114)。然而，應(yīng)注意的是，圖1i所繪示出的空腔122僅為一例，空腔122的尺寸可依其應(yīng)用被調(diào)整。

在一些實(shí)施例中，空腔122的高度h1介于約50納米至約300納米的范圍?？涨?22的尺寸(如：空腔122的高度h1)需足夠大，以便后續(xù)工藝部分柵極結(jié)構(gòu)可形成于部分空腔122中。反之，若空腔122的尺寸過(guò)大，大量回流后的半導(dǎo)體材料119可能流至絕緣層110的上表面，以至于溝槽116中沒(méi)有留下足夠的回流后的半導(dǎo)體材料119(細(xì)節(jié)后述)。

空腔122的尺寸可由調(diào)整退火工藝120的條件所控制。舉例來(lái)說(shuō)，退火工藝120的時(shí)間愈長(zhǎng)及/或溫度愈高，空腔122尺寸愈大。因此，退火工藝120的條件可被控制以給予半導(dǎo)體材料118足夠能量回流以形成空腔122，同時(shí)確保在溝槽116中留下足夠回流后的半導(dǎo)體材料119。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1i繪示出一部分回流后的半導(dǎo)體材料119流至絕緣層110的上表面。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，圖1j繪示執(zhí)行研磨工藝124，以移除突出于絕緣層110的回流后的半導(dǎo)體材料119，形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126。

更具體地說(shuō)，執(zhí)行研磨工藝124，以移除突出于絕緣層110的回流后的半導(dǎo)體材料119。研磨工藝124可執(zhí)行至露出絕緣層110的上表面。應(yīng)注意的是，雖然圖1j繪示研磨工藝124，但在一些實(shí)施例中可被忽略，本揭露的范圍不以此為限。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1k繪示出在納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126形成之后，使絕緣層110凹陷以暴露出納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的上部。在一些實(shí)施例中，絕緣層110以蝕刻工藝使的凹陷。在一些實(shí)施例中，絕緣層110凹陷至露出大部分(但并非全部)納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126。

如圖1k所示，使絕緣層110凹陷以形成隔離結(jié)構(gòu)128，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的底部?jī)?nèi)嵌于隔離結(jié)構(gòu)128中。此外，空腔122位于隔離結(jié)構(gòu)128中，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126和鰭結(jié)構(gòu)108被空腔122分隔。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1l繪示出，之后形成虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130跨于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的上部并延伸至隔離結(jié)構(gòu)128之上。在一些實(shí)施例中，虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130包括虛設(shè)柵極介電層132，及虛設(shè)柵極電極層134于虛設(shè)柵極介電層132之上。在一些實(shí)施例中，虛設(shè)柵極介電層132為氧化硅(siliconoxide)。在一些實(shí)施例中，虛設(shè)柵極電極層134為多晶硅(polysilicon)。

根據(jù)一些實(shí)施例，間隔物(spacer)136位于虛設(shè)柵極的側(cè)邊。根據(jù)一些實(shí)施例，間隔物136為氮化硅(siliconnitride)、氧化硅(siliconoxide)、氮氧化硅(siliconoxynitride)、碳化硅(siliconcarbide)、或其他適用介電材料。

根據(jù)一些實(shí)施例，在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130之后，源極/漏極區(qū)域138位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的兩端，盡管圖1m僅繪示出其一。源極/漏極區(qū)域138由摻雜n型及/或p型摻雜物于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126形成。如圖1m所繪示，源極/漏極區(qū)域138位于部分空腔122的上方。

于源極/漏極區(qū)域138后，材料層140覆蓋源極/漏極區(qū)域138，研磨工藝施于材料層140上以暴露出虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130的上表面。在一些實(shí)施例中，材料層140為硅(si)、或硅鍺(sige)、或鍺(ge)的磊晶生成物，用于源極和漏極的接觸區(qū)域。在一些實(shí)施例中，磷化硅(sip)用于n-通道電晶體，硅鍺(sige)用于p-通道電晶體。在一些實(shí)施例中，材料層140以化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing,cmp)工藝平坦化至露出虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130的上表面。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1n繪示出在研磨工藝之后，虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130被移除，在間隔物136間形成柵極溝槽142。在圖1n中，在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130被移除后，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的上半部暴露于柵極溝槽142中。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1o繪示出在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130被移除之后，部分隔離結(jié)構(gòu)128被移除以暴露出部分空腔122。在一些實(shí)施例中，經(jīng)由柵極溝槽142蝕刻隔離結(jié)構(gòu)128以移除部分隔離結(jié)構(gòu)128，如此一來(lái)柵極溝槽142具一延伸部分144延伸至隔離結(jié)構(gòu)128之中。

如圖1o所示，柵極溝槽142的延伸部分144具高度h2。在一些實(shí)施例中，延伸部分144的高度h2小于空腔122的高度h1，因此僅部份空腔122暴露于柵極溝槽142的延伸部分144。在一些實(shí)施例中，延伸部分144的高度h2大體上等于或大于空腔122的高度h1，如此使得空腔122完全暴露于柵極溝槽142的延伸部分144。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖1p繪示出，此后柵極結(jié)構(gòu)146形成于柵極溝槽142及延伸部分144中，在一些實(shí)施例中，部份柵極結(jié)構(gòu)146位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126下方的空腔122中，因此部分的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126被柵極結(jié)構(gòu)146包圍。此外，部分柵極結(jié)構(gòu)146位于柵極溝槽142的延伸部分144，而使部分柵極結(jié)構(gòu)146延伸至隔離結(jié)構(gòu)128中。

在一些實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)146包括柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、及金屬柵極電極層152。在一些實(shí)施例中，柵極介電層148為金屬氧化物(metaloxides)、金屬氮化物(metalnitrides)、金屬硅酸鹽(metalsilicates)、過(guò)渡金屬氧化物(transitionmetaloxides)、過(guò)渡金屬氮化物(transitionmetalnitrides)、過(guò)渡金屬硅酸鹽(transitionmetalsilicates)、氮氧化金屬(oxynitridesofmetals)、金屬鋁酸鹽(metalaluminates)、或其他高介電常數(shù)(high-k)介電材料。高介電常數(shù)介電材料可包括但不限于，氧化鉿(hfo2)、硅氧化鉿(hfsio2)、氮氧硅鉿化合物(hfsion)、鉭氧化鉿(hftao2)、鈦氧化鉿(hftio2)、鋯氧化鉿(hfzro2)、硅酸鋯(zirconiumsilicate)、鋁酸鋯(zirconiumaluminate)、氧化鋯(zirconiumoxide)、氧化鈦(titaniumoxide)、氧化鋁(aluminumoxide)、或氧化鉿-氧化鋁(hfo2-al2o3)合金。

根據(jù)一些實(shí)施例，功函數(shù)金屬層150形成于柵極介電層148之上。功函數(shù)金屬層150可定制至具適當(dāng)功函數(shù)。例如：若p型電晶體(pmos)需p型功函數(shù)金屬(p-metal)，可使用鉑(pt)、鉭(ta)、錸(re)、p+多晶硅(p+-polysilicon)、氮化鈦(tin)、氮化鎢(wn)、或鎢(w)。另一方面，若n型電晶體(nmos)需n型功函數(shù)金屬(n-metal)，可用鋁(al)、n型多晶硅(n+polysilicon)、鈦(ti)、釩(v)、鉻(cr)、錳(mn)、鈦鋁(tial)、鋁氮化鈦(tialn)、氮化鉭(tan)、硅氮化鉭(tasin)、或碳氮化鉭(tacn)。

在一些實(shí)施例中，金屬柵極電極層152形成于功函數(shù)金屬層150之上。在一些實(shí)施例中，金屬柵極電極層152為導(dǎo)電材料，例如：鋁(aluminum)、銅(copper)、鎢(tungsten)、鈦(titanium)、鉭(tantalum)、氮化鈦(titaniumnitride)、氮化鉭(tantalumnitride)、鎳硅化物(nickelsilicide)、鈷硅化物(cobaltsilicide)、碳化鉭(tac)、硅氮化鉭(tasin)、碳氮化鉭(tacn)、鋁化鈦(tial)、鋁氮化鈦(tialn)、或其他適用材料。柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、金屬柵極電極層152可形成于任何適用的工藝并具任何適用厚度。

應(yīng)注意的是，額外層可位于柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、及金屬柵極電極層152之上及/或之下。例如：襯層(linerlayer)、界面層(interfacelayer)、晶種層(seedlayer)、附著層(adhesionlayer)、阻障層(barrierlayer)，或相似層。此外，柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、及金屬柵極電極層152可包括單一或多種材料及/或單層或多層。

根據(jù)不同實(shí)施例，圖2a-2h繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a至100g沿著圖1p中的線(xiàn)段a-a’剖面圖。更具體地說(shuō)，圖2a-2d繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a至100d的可能剖面圖，如圖1o所繪示，其中延伸部分144的高度h2小于空腔122的高度h1。

如圖2a所繪示，由于延伸部分144的高度h2小于空腔122的高度h1，柵極結(jié)構(gòu)146a下方的隔離結(jié)構(gòu)128上表面高于鰭結(jié)構(gòu)108上表面。此外，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126被柵極結(jié)構(gòu)146a包圍，柵極結(jié)構(gòu)146a包含柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、和柵極電極層152。

與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a相似，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b中，柵極結(jié)構(gòu)146b下方的隔離結(jié)構(gòu)128上表面高于鰭結(jié)構(gòu)108上表面。然而，柵極電極層152并未位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126下方。亦即，柵極結(jié)構(gòu)146b中，僅有柵極介電層148及功函數(shù)金屬層150位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126的下方空腔122，但柵極電極層152并未形成于空腔122。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c可相似于圖2a中所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，除了部分空腔122余留于柵極結(jié)構(gòu)146c下方。亦即，部分柵極結(jié)構(gòu)146c，包含柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、和柵極電極層152位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126下方空腔122。然而，空腔122并未完全被柵極結(jié)構(gòu)146c填充。因此，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c中，部分空腔122位于柵極結(jié)構(gòu)146c之下。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d可相似于圖2b中所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b，除了部分空腔122未被填充。如圖2d所繪示，部分柵極結(jié)構(gòu)146d，包括柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150但不包含柵極電極層152，位于納米線(xiàn)下方的空腔122。然而，空腔122并未完全被柵極結(jié)構(gòu)146d填充。因此，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d中，部分空腔122位于柵極結(jié)構(gòu)146d之下

圖2e-2f繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e至100f可能的剖面圖，如圖1o所繪示，其中延伸部分144的高度h2大于空腔122的高度h1。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e可相似于圖2a中所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，除了柵極結(jié)構(gòu)146e下方隔離結(jié)構(gòu)128的上表面低于鰭結(jié)構(gòu)108的上表面。亦即，在一些實(shí)施例中，部分鰭結(jié)構(gòu)108延伸至柵極結(jié)構(gòu)146e中(例如：部分柵極電極層152)。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100f可相似于圖2b中所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b，除了柵極結(jié)構(gòu)146f下方隔離結(jié)構(gòu)128的上表面低于鰭結(jié)構(gòu)108的上表面。亦即，在一些實(shí)施例中，部分鰭結(jié)構(gòu)108延伸至柵極結(jié)構(gòu)146f中(例如：部分功函數(shù)金屬層150)。

圖2g-2h繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100g至100h可能的剖面圖，如圖1o所繪示，其中延伸部分144的高度h2大體等于空腔122的高度h1。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100g及100h可相似于圖2a及2b中所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a及100b，除了柵極結(jié)構(gòu)146g和146h下方隔離結(jié)構(gòu)128的上表面等高于鰭結(jié)構(gòu)108的上表面。

應(yīng)注意的是，圖2a-2h僅用以更易理解本揭露的概念，本揭露的范圍并不以此為限。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖3a-3d繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100’的形成方法的各階段透視圖。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100’類(lèi)似于前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，除了納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’具較窄底部127’。用以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100’的工藝與材料可與圖1a至1p中用以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100者相似或相同，此處不重述。

更具體地說(shuō)，圖1a至1h所繪示的工藝可用以形成半導(dǎo)體材料(例如：圖1h中半導(dǎo)體材料118)于溝槽(例如：圖1g中溝槽116)。在溝槽形成后，包含寬上部(例如：圖1g中的溝槽112)及窄底部(例如：圖1g中的溝槽114)完全以半導(dǎo)體材料填充，再以退火工藝120’回流半導(dǎo)體材料。

退火工藝120’可相似或等同于退火工藝120，此處不重述。如前所述，退火工藝120’之后，回流后的半導(dǎo)體材料119’內(nèi)將具較少缺陷。根據(jù)一些實(shí)施例，圖3a繪示出空腔122’形成于回流后的半導(dǎo)體材料119’之下。

此外，在退火工藝120’之后，回流后的半導(dǎo)體材料119’不僅位于溝槽的上部，也位于部分溝槽底部，如此回流后的半導(dǎo)體材料119’具延伸至溝槽底部的較窄底部127’。然而，雖然底部127’延伸至部分溝槽底部，回流后的半導(dǎo)體材料119’與鰭結(jié)構(gòu)108依然被空腔122’分隔。

空腔122’形成后，可執(zhí)行如圖1j至1p的工藝。例如：根據(jù)一些實(shí)施例，圖3b繪示出執(zhí)行研磨工藝以移除回流后的半導(dǎo)體材料119’的多余部分，以形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖3c繪示出在納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’之后，使絕緣層110凹陷以形成隔離結(jié)構(gòu)128，虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130跨于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’。虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130可包含虛設(shè)柵極介電層132及虛設(shè)柵極電極層134，且間隔物136形成于虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130的側(cè)壁。

在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130之后，源極/漏極區(qū)域138’位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’的兩端，盡管在一些實(shí)施例中，如圖3d，僅繪示出其一。如圖3d所繪示，源極/漏極區(qū)域138’位于部分空腔122’，在空腔122’上方具窄的底部。

在源極/漏極區(qū)域138’后，材料層140用以覆蓋源極/漏極區(qū)域138’，研磨工藝施于材料層140以暴露出虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130的上表面。研磨工藝之后，虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130被移除以在間隔物136間形成柵極溝槽，部分隔離結(jié)構(gòu)128被移除以形成柵極溝槽的延伸部分，類(lèi)似于圖1o所示，此外，部分空腔122’暴露于柵極溝槽的延伸部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，如圖3d所示，之后柵極結(jié)構(gòu)146’形成于柵極溝槽及其延伸部分。相似于圖1p，部分柵極結(jié)構(gòu)146’位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’下方的空腔122’中，因此部分納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’被柵極結(jié)構(gòu)146’所包圍。此外，部分柵極結(jié)構(gòu)146’位于由移除虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)130及部分隔離結(jié)構(gòu)128所形成溝槽的延伸部分，如此使得部分柵極結(jié)構(gòu)146’延伸至隔離結(jié)構(gòu)128中

在一些實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)146’包括柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、及柵極電極層152。然而額外的膜層可位于其上及/或其下。

根據(jù)不同實(shí)施例，圖4繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100’沿著圖3d中的線(xiàn)段b-b’剖面圖。圖4所繪示的剖面圖類(lèi)似于圖2a所繪示，除了納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’的形狀與納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126不同。

如圖4所繪示，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’具延伸部分127’，使納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’的底部窄于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’的頂部。除此之外，根據(jù)一些實(shí)施例，圖4繪示出柵極結(jié)構(gòu)146’，包含柵極介電層148，功函數(shù)金屬層150、及柵極電極層152保形地形成于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’周?chē)?/p>

應(yīng)注意的是，盡管圖4繪示的剖面相似于圖2a，僅為更易理解本揭露概念的范例。在其他一些實(shí)施例當(dāng)中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100’可能具不同于如圖4所繪示的剖面，可相似于如圖2b至2h所繪示。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖5a-5e繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”的形成方法的各階段透視圖。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”類(lèi)似于前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，但鰭結(jié)構(gòu)、空腔、納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的形狀不同于如圖1a-1p繪示。用以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”的工藝與材料可與形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100者相似或相同，此處不重述。

更具體地說(shuō)，根據(jù)一些實(shí)施例，圖5a繪示出具曲線(xiàn)形側(cè)壁(curvedsidewall)的鰭結(jié)構(gòu)108”，位于基板102之上。在鰭結(jié)構(gòu)108”之后，絕緣層110包圍鰭結(jié)構(gòu)108”，鰭結(jié)構(gòu)108”的頂部被移除以于絕緣層110中形成溝槽116”，類(lèi)似如圖1c至1g及前述。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖5a繪示出，由于鰭結(jié)構(gòu)108”具向內(nèi)的曲線(xiàn)形側(cè)壁，由移除鰭構(gòu)造108”頂部形成的溝槽116”也具向內(nèi)的曲線(xiàn)形側(cè)壁。亦即，在一些實(shí)施例中，溝槽116”具曲線(xiàn)形側(cè)壁，溝槽116”的頂部大于溝槽116”的底部。

溝槽116”形成之后，可執(zhí)行圖1h至1p所繪示的工藝以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”。更具體地說(shuō)，根據(jù)一些實(shí)施例，圖5b繪示出，溝槽116”以半導(dǎo)體材料118”填充。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖5c繪示出，接續(xù)退火工藝120”以回流半導(dǎo)體材料118”，回流后的半導(dǎo)體材料119”下方形成空腔122”。在空腔122”形成后，執(zhí)行研磨工藝以移除回流后的半導(dǎo)體材料119”的額外部分，使絕緣層110凹陷以形成隔離結(jié)構(gòu)128。于是，根據(jù)一些實(shí)施例，圖5d繪示出納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”具寬上表面、窄底表面、向內(nèi)的曲線(xiàn)形側(cè)壁。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，部分納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”內(nèi)嵌于隔離結(jié)構(gòu)128。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖5e繪示出，于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”之后，虛設(shè)柵極形成，后續(xù)被柵極結(jié)構(gòu)146”取代。此外，源極/漏極結(jié)構(gòu)138”于形成于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”，于空腔122”之上。

根據(jù)不同實(shí)施例，圖6繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”沿著圖5e中的線(xiàn)段c-c’剖面圖。圖6繪示出的剖面圖類(lèi)似于圖2a中所繪示，除了納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”與納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126形狀不同。

如圖6所繪示，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126”具向內(nèi)彎的側(cè)壁。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，圖6繪示出柵極結(jié)構(gòu)146’，包括柵極介電層148、功函數(shù)金屬層150、及柵極電極層152，保形地形成于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126’周?chē)?。?yīng)注意的是，盡管圖6繪示的剖面相似于圖2a，其僅為用以更易理解本揭露概念的范例。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖7繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”的透視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100”類(lèi)似于前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，除了柵極結(jié)構(gòu)146”延伸部分延伸至間隔物136之下。

更具體地說(shuō)，可執(zhí)行圖1a至1n的工藝。移除虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)以形成柵極溝槽，移除部分隔離結(jié)構(gòu)128以形成柵極溝槽的延伸部分。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分的一部份延伸至部分間隔物136下方。根據(jù)一些實(shí)施例，圖7繪示出，此后柵極結(jié)構(gòu)146”’形成于柵極溝槽及柵極溝槽的延伸部分，使得柵極結(jié)構(gòu)146”’的延伸部分延伸至間隔物136的下方。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖8a繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的透視圖。圖8b繪示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200沿著圖8a中的線(xiàn)段d-d’剖面圖。用以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的工藝及材料可與如圖1a至1p中所示用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100者相似或相同，除了在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)移除后，隔離結(jié)構(gòu)228未被蝕刻。工藝與材料類(lèi)似或等同于如前所述，此處不重述。

更具體地說(shuō)，可執(zhí)行圖1a至1n的工藝。舉例而言，鰭結(jié)構(gòu)208位于基板202之上，隔離結(jié)構(gòu)228包圍鰭結(jié)構(gòu)208。此外，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226可由填充半導(dǎo)體材料于鰭結(jié)構(gòu)208上的溝槽，并回流半導(dǎo)體材料形成。此外，半導(dǎo)體材料回流之后，空腔222位于納米線(xiàn)材料226之下。之后，形成虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)跨于納米線(xiàn)材料226，并形成間隔物236、源極/漏極結(jié)構(gòu)238、材料層240。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖8a繪示出，后續(xù)移除虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)位于因移除虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)而形成的溝槽中。由于隔離結(jié)構(gòu)228在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)移除后未被蝕刻，空腔222不會(huì)暴露于外。因此，柵極結(jié)構(gòu)246只位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226的三邊，不會(huì)位于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226下方的空腔222中。

此外，因隔離結(jié)構(gòu)228在虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)移除后并未被蝕刻，柵極結(jié)構(gòu)246并未延伸至隔離結(jié)構(gòu)228中。根據(jù)一些實(shí)施例，圖8b繪示出納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226，包括源極/漏極結(jié)構(gòu)238及柵極結(jié)構(gòu)246下方部分，與鰭結(jié)構(gòu)208被空腔222分隔。亦即，根據(jù)一些實(shí)施例，部分空腔222位于柵極結(jié)構(gòu)246之下，部分空腔222位于源極/漏極結(jié)構(gòu)238之下。

如圖8b所繪示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200，即使柵極結(jié)構(gòu)246并未包圍納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226，由回流半導(dǎo)體材料形成的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)226內(nèi)部可具較少缺陷。此外，納米線(xiàn)材料226可與基板202具較佳隔離。因此，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的效能可被改善。

根據(jù)不同實(shí)施例，圖9a-9d繪示出，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的形成方法的各階段透視圖。圖9a-9d繪示的一些工藝可相似或等同于圖1a-1j所示，此處不重述。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖9a繪示出第一鰭結(jié)構(gòu)308a、第二鰭結(jié)構(gòu)308b、及第三鰭結(jié)構(gòu)308c形成于基板302之上，絕緣層310包圍第一鰭結(jié)構(gòu)308a、第二鰭結(jié)構(gòu)308b、及第三鰭結(jié)構(gòu)308c。

此外，根據(jù)一些實(shí)施例，溝槽316形成于絕緣層310中，并包括頂部312、第一底部314a、第二底部314b、及第三底部314c。第一底部314a位于第一鰭結(jié)構(gòu)308a之上，第二底部314b位于第二鰭結(jié)構(gòu)308b之上。并且，第三底部314c位于第三鰭結(jié)構(gòu)308c之上。形成溝槽316的工藝相似于圖1a至1g所示，除了為三鰭結(jié)構(gòu)，而并非單一鰭結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖9b繪示出溝槽316之后，半導(dǎo)體材料318形成于溝槽316中。半導(dǎo)體材料318可相似或等同于前述半導(dǎo)體材料118。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料318為鍺(ge)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料318由磊晶成長(zhǎng)工藝形成。在一些實(shí)施例中，頂部312、第一底部314a、第二底部314b、第三底部314c均完全被半導(dǎo)體材料318填充。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖9c繪示出退火工藝320回流半導(dǎo)體材料318。退火工藝320可相似或等同于前述的退火工藝120。

根據(jù)一些實(shí)施例，圖9c繪示出由退火工藝320，半導(dǎo)體材料318回流以形成第一空腔322a、第二空腔322b、及第三空腔322c于回流后的半導(dǎo)體材料319下方。根據(jù)一些實(shí)施例，圖9d繪示出，接續(xù)研磨工藝用以移除于絕緣層310上的回流后的半導(dǎo)體材料319，形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326。

如圖9d繪示，納米結(jié)構(gòu)326與第一鰭結(jié)構(gòu)308a、第二鰭結(jié)構(gòu)308b、及第三鰭結(jié)構(gòu)308c被第一空腔322a、第二空腔322b、及第三空腔322c分隔。應(yīng)注意的是，雖然圖9a至9d繪示三鰭結(jié)構(gòu)與三空腔，僅為舉例，鰭結(jié)構(gòu)和空腔數(shù)目不以此為限。

如前所述，因納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326由回流半導(dǎo)體材料318形成，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326中缺陷因退火工藝320減少。此外，可改善納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326的隔離。另外，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326可用于不同應(yīng)用，納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)326的用途不以上述舉例為限。

根據(jù)本揭露前述的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、100’、100”、100”’、200、及300)包含納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)(例如：納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)126、126’、126”、226、及326)。納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)可經(jīng)由回流溝槽中的半導(dǎo)體材料(例如：半導(dǎo)體材料118、118”、及318)而形成。此外，空腔(例如：空腔122、122’、122”、222、及322a至322c)可因半導(dǎo)體材料在回流工藝(例如：退火工藝120、120’、120”、及320)中的轉(zhuǎn)移而形成于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)下方。

此外，空腔尺寸及納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸可由調(diào)整溝槽(例如：溝槽116、116”、及316)尺寸及/或調(diào)整退火工藝(例如：退火工藝120、120’、120”、及320)的條件控制。所得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可依其應(yīng)用運(yùn)作。

并且，半導(dǎo)體材料回流之后，由于半導(dǎo)體材料與基板間的晶格失配(latticemismatch)所造成的缺陷數(shù)量可減少。因此，回流工藝后，產(chǎn)生的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)于其結(jié)構(gòu)內(nèi)部可具較少缺陷。因此，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的效能可被改善。

此外，由于空腔由回流工藝中半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移形成，不需額外材料層及蝕刻工藝。更具體地說(shuō)，雖然納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)可由形成半導(dǎo)體材料于犧牲層(sacrificiallayer)之上并移除犧牲層以形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，形成犧牲層及蝕刻犧牲層的工藝為必要的。此外，完全移除犧牲層是具挑戰(zhàn)性的。因此，上述實(shí)施例中的工藝，包括以回流半導(dǎo)體以形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)，較不復(fù)雜，產(chǎn)生的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)具較佳隔離。

本揭露提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法的實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)包含回流溝槽中的半導(dǎo)體材料，因此空腔形成于回流后的半導(dǎo)體材料下方的溝槽底部?；亓鞴に嚭螅雽?dǎo)體材料中的缺陷數(shù)目可減少，因此產(chǎn)生的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)中缺陷可減少。因此，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的效能可被改善。

在一些實(shí)施例中，提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成鰭結(jié)構(gòu)于基板之上，及絕緣層包圍鰭結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法更包括移除部分鰭結(jié)構(gòu)以在絕緣層中形成溝槽，并以半導(dǎo)體材料填充溝槽。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法更包括回流半導(dǎo)體材料以形成納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)及空腔于納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)之下。

在一些實(shí)施例中，提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括第一鰭結(jié)構(gòu)于基板之上，及絕緣層包圍第一鰭結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法更包括移除部分第一鰭結(jié)構(gòu)以在絕緣層中形成第一溝槽，并以半導(dǎo)體材料填充第一溝槽。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法更包括以退火工藝回流半導(dǎo)體材料以形成第一空腔于于第一溝槽的底部。

在一些實(shí)施例中，提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含鰭結(jié)構(gòu)于基板之上，及隔離結(jié)構(gòu)包圍鰭結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)于鰭結(jié)構(gòu)之上，及柵極結(jié)構(gòu)包圍納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)。此外，部分納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌于隔離結(jié)構(gòu)中。

上述內(nèi)容概述許多實(shí)施例的特征，因此任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，可更加理解本揭露的各面向。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，可能無(wú)困難地以本揭露為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)或修改其他工藝及結(jié)構(gòu)，以達(dá)到與本揭露實(shí)施例相同的目的及/或得到相同的優(yōu)點(diǎn)。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者也應(yīng)了解，在不脫離本揭露的精神和范圍內(nèi)做不同改變、代替及修改，如此等效的創(chuàng)造并沒(méi)有超出本揭露的精神及范圍。