生產(chǎn)制造載體的系統(tǒng)和方法
【專利說明】生產(chǎn)制造載體的系統(tǒng)和方法
相關(guān)申請
[0001]本申請要求2014年12月06日提交的美國專利申請61/912737的優(yōu)先權(quán)，要求此較早提交的申請的優(yōu)先權(quán)并且通過引用將該較早提交的申請的全部內(nèi)容并入于此。
發(fā)明領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明一般涉及集成電路封裝，以及更具體地涉及用于制造管芯向下倒裝芯片(down flip)載體的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0003]存在各種方法用于形成制造載體。例如，可通過借助于粘合劑層制造使用金屬箔層壓的聚酰亞胺載體來制造，接著圖案化該金屬和選擇性電鍍金屬部分，接著將聚酰亞胺載體層壓到厚金屬片上以形成管芯容腔(rec印tacle)，其中厚金屬片上有與聚酰亞胺載體的開口對準(zhǔn)的部分蝕刻腔。因為聚酰亞胺是相對昂貴的，所以制造這樣的載體不是經(jīng)濟(jì)有效的方法。此外，聚酰亞胺是相對薄的，并且為了建立足夠深的容腔以容納半導(dǎo)體器件，需要具有部分蝕刻腔的相對厚的金屬片，并因此需要附加的蝕刻步驟。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種新穎的管芯向下倒裝芯片(die down flip)載體及其制造方法，其消除和減輕至少一種現(xiàn)有技術(shù)的上述確定的缺點。
[0005]這些連同其它方面和優(yōu)點隨后將是顯而易見，存在于更全面地在下文中描述并要求保護(hù)的結(jié)構(gòu)和操作上的細(xì)節(jié)，參照的附圖構(gòu)成本發(fā)明的一部分，其中相似的標(biāo)號通篇指代相似的部件。
【附圖說明】
[0006]圖1示出根據(jù)一個實施方式的球柵陣列載體的示圖；
[0007]圖2示出根據(jù)一個實施方式的球柵載體制造方法的流程圖；
[0008]圖3示出根據(jù)一個實施方式的載體的板；
[0009]圖4，包括圖4 (a) -(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0010]圖5，包括圖5(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0011]圖6示出了接合到載體的芯片管芯的截面圖；
[0012]圖7，包括圖7(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0013]圖8，包括圖8 (a) - (c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0014]圖9，包括圖9 (a) - (c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0015]圖10，包括圖10(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0016]圖11，包括圖11 (a) - (C)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0017]圖12，包括圖12(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0018]圖13，包括圖13(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0019]圖14，包括圖14(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0020]圖15，包括圖15(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0021]圖16，包括圖16(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0022]圖17，包括圖17(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0023]圖18，包括圖18(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0024]圖19，包括圖19 (a)-(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0025]圖20，包括圖20(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0026]圖21示出了根據(jù)一個實施方法的板的重復(fù)單元；
[0027]圖22，包括圖22(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0028]圖23，包括圖23(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0029]圖24，包括圖24(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0030]圖25示出了根據(jù)一個實施方法的疊層載體的截面圖；
[0031]圖26，包括圖26(a)_(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0032]圖27，包括圖27 (a)-(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；
[0033]圖28，包括圖28 (a)_ (C)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元；以及
[0034]圖29，包括圖29 (a)-(c)，示出了根據(jù)一個實施方式的板的重復(fù)單元。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0035]圖1示出根據(jù)一個實施方式的管芯向下倒裝芯片(down flip)載體125的底視圖。現(xiàn)在參考圖2，一種制造管芯向下倒裝芯片載體的方法，通常表示為200。應(yīng)當(dāng)理解的是，方法200可以被改變，而不必精確地如在此所述執(zhí)行，并且變化在本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的范圍內(nèi)。
[0036]在一些實施方式中，可以形成預(yù)模制板以制造一個或多個載體125。現(xiàn)在參考圖3，示出預(yù)模制板101的頂視圖。雖然在此示例實施方式中是矩形，但是能被本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的是，該板101可采取各種形狀，如條狀，圓形晶圓和其他。板101包含許多重復(fù)單元125’，所述重復(fù)單元125’在本實施方式中排列成矩陣的形式，每個重復(fù)單元125’是不完整的載體125。
[0037]方法200開始，在210，介電部分與導(dǎo)電部分結(jié)合。參考圖4，可以使用各種技術(shù)將可以由如銅或鉻的金屬制成的導(dǎo)電部分10與介電部分120相結(jié)合。圖4(a)示出了重復(fù)單元125’的頂視圖，圖4(b)示出了重復(fù)單元125’的底視圖，以及圖4(c)示出了具有頂表面135和底表面140的重復(fù)單元125’的橫截面。
[0038]介電部分120可以由聚合模制化合物組成，聚合模制化合物基于，例如，諸如環(huán)氧樹脂的粘合材料并填充如二氧化硅或碳化硅的無機(jī)填料，或者它可以是模制成適合于制造管芯向下倒裝芯片載體的預(yù)定形狀的任何合適的塑料化合物。介電部分120可通過模制處理形成為任何預(yù)定的厚度。介電部分120的示例厚度為大約為0.1毫米。介電部分120可以成形為在中間形成腔或容腔(receptacle) 110，以使導(dǎo)電部分105在腔110處從重復(fù)單元125’的頂表面135和底表面140兩者露出。
[0039]腔110可通過介電部分120的內(nèi)表面111形成，其相交于底表面140和頂表面135，形成了頂部入口 112和底部入口 113。在一些實施方式中，諸如圖3中所示的實施方式，內(nèi)表面111可以基本上垂直于頂表面和底表面。在其他實施方式中，內(nèi)表面111可以以不同于正交，即非正交的方式成角度，使得頂部入口 112和底部入口 113可以具有不同的周向尺寸。例如，內(nèi)表面111相對于底表面135的角度可以大于90度，使底部入口 113相對于頂部入口 112具有較小的周向尺寸。在這樣的示例中，內(nèi)表面111將以小于90度的角度相交于頂表面135。內(nèi)表面111可以以任何預(yù)定的方式設(shè)置，以允許形成由內(nèi)表面111與頂表面和/或底表面的相交限定的任何預(yù)定周向形狀的入口。周向形狀的例子包括正方形，矩形，三角形，圓形或不規(guī)則形狀。此外，通過以允許這樣不同的形狀的方式形成內(nèi)表面111，頂部入口 112可以具有與底部入口 113不同的周向形狀。
[0040]在一些實施方式中，如圖4所示，導(dǎo)電部分105可以是如銅箔的金屬箔。箔的厚度可變化，例如18微米，10微米或更薄。在進(jìn)一步實施方式中，形成介電部分120的模制化合物，可以通過暴露于高溫被模制，以降低粘度，從而允許通過模制工具模制模制化合物。在進(jìn)一步實施方式中，由于介電部分120可以