集成電路封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開實(shí)施例主要涉及集成電路(IC)領(lǐng)域，更具體而言，涉及降低IC封裝制造成本并且增加封裝連接的可靠性和一致性。
【背景技術(shù)】
[0002]一系列復(fù)雜的操作可被用于生產(chǎn)集成電路(IC)封裝。這些操作的其中一項(xiàng)是將保護(hù)層應(yīng)用于晶片上，以及作為后端制程(BEOL)工藝的一部分，在硅代工廠(foundry)中在保護(hù)層上形成開口。這可涉及利用抗蝕劑材料作為掩模以形成開口，然后，在形成開口后，將抗蝕劑材料去除，而這會(huì)是一個(gè)昂貴的過(guò)程。此外，由于鈍化層是在代工廠被開口的，被開口暴露在外的金屬接觸或焊盤需要用不容易被氧化的材料制成。另外，由于鈍化層中的開口可在布置介電層之前形成，在介電層中形成的過(guò)孔將不與鈍化層中的開口完全對(duì)齊。
[0003]本文給出的背景描述是為了大致展示本公開的語(yǔ)境。除非本文另有說(shuō)明，在本節(jié)中描述的材料對(duì)于本申請(qǐng)中的權(quán)利要求而言并不是現(xiàn)有技術(shù)，且并不由于包含于本節(jié)中而被承認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。
【附圖說(shuō)明】
[0004]通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明將很容易理解實(shí)施例。為了方便描述，相同的參考數(shù)字表示相同的結(jié)構(gòu)元素。以示例的方式，而不是以受限于附圖的圖形的方式示出實(shí)施例。除非明確說(shuō)明，否則這些附圖并非按比例繪制。另外，這些附圖的一些部分可能被刻意美化以使圖中所包含的特征引人注意。
[0005]圖1示意性地示出了根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的一種示例集成電路(IC)組件的側(cè)面剖視圖。
[0006]圖2是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的集成電路封裝制造過(guò)程的示意性的流程圖。
[0007]圖3是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的選定操作的示意性剖視圖，其解說(shuō)圖2中描述的集成電路封裝制造過(guò)程中的諸階段。
[0008]圖4是根據(jù)本公開的實(shí)施例的利用集成電路封裝的裝配過(guò)程的示意性的流程圖。
[0009]圖5示意性地示出了根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的包括集成電路封裝的計(jì)算設(shè)備。
【具體實(shí)施方式】
[0010]本公開的實(shí)施例描述了一種用于更低成本、更可靠的集成電路封裝組件的技術(shù)和配置。在以下的描述中，示意性實(shí)現(xiàn)方式中的各個(gè)方面采用本領(lǐng)域技術(shù)人員通常使用的術(shù)語(yǔ)進(jìn)行描述，以向其他領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)其工作的實(shí)質(zhì)。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本公開的實(shí)施例顯然可以只用所述的某些方面進(jìn)行實(shí)施。出于解釋的目的，為了提供示意性實(shí)現(xiàn)方式的透徹理解，給出了具體的數(shù)字、材料和配置。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本公開中的實(shí)施例顯然無(wú)需具體細(xì)節(jié)亦可實(shí)施。在其他示例中，為了不模糊示意性實(shí)現(xiàn)方式，眾所周知的特征被忽略或簡(jiǎn)化。
[0011]在以下的詳細(xì)說(shuō)明中，對(duì)于附圖的引用構(gòu)成詳細(xì)說(shuō)明的一部分，其中相同的數(shù)字始終表示相同的部分，且其中是以本公開的主題可被實(shí)施的示例實(shí)施例的方式示出。需要了解的是，在不背離本公開的范圍的情況下，可運(yùn)用其他實(shí)施例，且可做出結(jié)構(gòu)性或邏輯性的改變。因此，以下詳細(xì)說(shuō)明不應(yīng)被認(rèn)為具有限制意義，并且實(shí)施例的范圍由所附的權(quán)利要求及其等效項(xiàng)所界定。
[0012]對(duì)于本公開的目的，短語(yǔ)“A和/或B”是指(A)、⑶、或(A和B)。對(duì)于本公開的目的，短語(yǔ)“A，B，和 / 或 C，，是指(A)、(B)、(C)、(A 和 B)、(A 和 C)、(B 和 C)、或(A，B 和 C)。
[0013]描述可采用基于透視法的描述，如頂/底，內(nèi)/外，上/下，等等。這些描述僅僅用來(lái)方便討論，并不旨在將本文描述的實(shí)施例的應(yīng)用限制在任何特定的方向。
[0014]描述可采用短語(yǔ)“在一實(shí)施例中，”或“在實(shí)施例中，”，其可分別涉及相同或不同的實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)。此外，關(guān)于本公開中的實(shí)施例所采用的術(shù)語(yǔ)“包括(comprising) ”、“包含(including)，，,具有(having)”等都是同義詞。
[0015]術(shù)語(yǔ)“與……耦接(coupled with)，”連同其衍生項(xiàng)可被用于本文?！榜罱?coupled)”可有以下的一個(gè)或多個(gè)含義?！榜罱?coupled) ”可表示兩個(gè)或多個(gè)元素有直接的物理或電氣接觸。然而，“耦接(coupled)”也可表示兩個(gè)或多個(gè)元素間接地彼此接觸，但仍然彼此協(xié)作或相互作用，且還可表示一個(gè)或多個(gè)其他元素被耦接在或連接在被稱為彼此耦接的元素之間。術(shù)語(yǔ)“直接耦接(directly coupled) ”可表示兩個(gè)或多個(gè)元素直接接觸。
[0016]在各種實(shí)施例中，短語(yǔ)“形成，沉積，或以其他方式置于第二特征之上的第一特征，”可表示第一特征形成，沉積，或置于第二特征之上，且第一特征的至少一部分可與第二特征的至少一部分直接接觸(例如，直接的物理和/或電氣接觸)或間接接觸(例如，有一個(gè)或多個(gè)在第一特征和第二特征之間的其他特征)。
[0017]如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“模塊(module) ”可指以下項(xiàng)，可是以下項(xiàng)的部分，或可包括以下項(xiàng):專用集成電路(ASIC)、電子電路、片上系統(tǒng)(SoC)、執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件或固件程序的處理器(共享的，專用的，或群組的)和/或存儲(chǔ)器(共享的，專用的，或群組的)、組合邏輯電路、和/或其他提供所述功能的適合元件。
[0018]圖1示意性地示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的包括與電路板104電氣和物理地耦接的IC封裝102的一種示例集成電路(IC)組件的側(cè)面剖視圖。在實(shí)施例中，IC封裝102可以是或包括可至少部分封裝在封裝材料中的一個(gè)或多個(gè)管芯。
[0019]在實(shí)施例中，IC封裝102可以是扇入(fan-1n)晶片級(jí)封裝或扇出(fan-out)晶片級(jí)封裝。在實(shí)施例中，IC封裝102是扇出晶片級(jí)封裝，一個(gè)或多個(gè)管芯可被封裝于模塑料中，該模塑料形成圍繞該一個(gè)或多個(gè)管芯周圍的扇出區(qū)域。這樣的扇出晶片級(jí)封裝可通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)管芯的表面耦接到載體來(lái)生產(chǎn)。模塑料可被置于一個(gè)或多個(gè)管芯的外露面上，這些面不與載體耦接。模塑料可被固化以硬化(harden)模塑料。在模塑料固化后，載體可從所述一個(gè)或多個(gè)管芯以及由硬化后的模塑料形成扇出表面脫離。硬化后的模塑料的扇出表面可鄰近于曾與載體耦接的一個(gè)或多個(gè)管芯的表面，并在該表面的周圍形成邊界。
[0020]在其他實(shí)施例中，IC封裝102可以是嵌入式管芯封裝。在這樣的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)管芯可被封裝于在一個(gè)或多個(gè)管芯周圍形成扇出區(qū)域的層壓層中。這樣的嵌入式管芯封裝可通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)管芯的表面耦接到載體來(lái)生產(chǎn)。層壓層可被置于一個(gè)或多個(gè)管芯的外露面上，這些面不與載體耦接。層壓層然后可被按壓及固化以硬化層壓層。在固化后，層壓層可嵌入管芯且可鄰近于曾與載體耦接的一個(gè)或多個(gè)管芯表面，并在該表面的周圍形成邊界。
[0021]在一些實(shí)施例中，IC封裝102可具有再布線層(RDL)，例如在插圖110中的RDL120。再布線層120可被配置成將一個(gè)或多個(gè)金屬焊盤112與一個(gè)或多個(gè)互連結(jié)構(gòu)(如焊球106)進(jìn)行電氣耦接。所述的互連結(jié)構(gòu)可被配置成將IC封裝102與封裝基板或電路板(如電路板104)進(jìn)行電氣及物理耦接。IC封裝102可根據(jù)各種適合的配置，包括倒裝配置，被連接至電路板104。雖然在此被描述為焊球106，但是替代或除了可將IC封裝102與電路板104電氣耦接的焊球106，互連結(jié)構(gòu)可包括焊柱或其他合適的結(jié)構(gòu)。IC封裝102可代表由半導(dǎo)體材料制成的分立的芯片或管芯，且在一些實(shí)施例中，其可以是以下項(xiàng)，包括以下項(xiàng)，或是以下項(xiàng)的部分:處理器，存儲(chǔ)器，或ASIC。
[0022]根據(jù)不同的實(shí)施例，IC封裝102的部分在插圖110中更詳細(xì)地被示出。插圖110是IC組件100的部分的放大圖，該部分由IC組件100上畫的橢圓形所標(biāo)識(shí)出。如在插圖110中可見的，在一些實(shí)施例中，IC封裝102可包括介電層116，鈍化層114，和阻焊層118。鈍化層114可以是，例如，一層氮化硅(SiN)或氧化硅(S1)。IC封裝102還可包括具有RDL 120置于其上