一種托盤系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種托盤系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]藍(lán)光LED(Light Emitting D1de)是一種應(yīng)用最為廣泛的LED，其出光效率是其最重要的性能指標(biāo)之一。目前，主要通過(guò)應(yīng)用PSS襯底(Patterned Sapphire Substrate，圖形化藍(lán)寶石襯底)的方法來(lái)提高藍(lán)光LED的出光效率。
[0003]目前，主要使用ICP(InductivelyCoupled Plasma，感應(yīng)親合等離子體)刻蝕技術(shù)制作PSS襯底，在制作PSS襯底的過(guò)程中需要使用托盤系統(tǒng)，如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的托盤系統(tǒng)包括托盤I’、蓋板2 ’和密封圈3’，托盤I’具有一凸臺(tái)11’，凸臺(tái)11’上設(shè)置有多個(gè)氦氣孔(圖中未示出)，密封圈3’內(nèi)嵌在凸臺(tái)11’的邊緣位置處的凹槽12’中，用以將冷卻介質(zhì)(例如氦氣)密封在晶片4’和凸臺(tái)11’之間，蓋板2’包括本體和設(shè)置在本體的邊緣上的多個(gè)壓爪。具體地，托盤系統(tǒng)的使用方式如下:先將晶片4’(例如藍(lán)寶石襯底)裝載在托盤I’的凸臺(tái)11’上，接著裝配蓋板2’，通過(guò)蓋板2’的壓爪將晶片4’固定在凸臺(tái)11’上，然后將晶片4’、托盤I’和蓋板2’固定，最后將整個(gè)裝有晶片4’的托盤系統(tǒng)傳進(jìn)工藝腔室中對(duì)晶片4’進(jìn)行刻蝕。
[0004]本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在對(duì)晶片4’進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，托盤I’的凸臺(tái)11’的邊緣會(huì)暴露在刻蝕環(huán)境中，密封圈3 ’會(huì)被刻蝕粒子刻蝕而損壞，進(jìn)而影響密封圈3 ’的密封效果，導(dǎo)致冷卻介質(zhì)泄漏，托盤系統(tǒng)無(wú)法使用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種托盤系統(tǒng)，用于在刻蝕過(guò)程中，避免密封圈的損壞，維持托盤系統(tǒng)的正常使用。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種托盤系統(tǒng)，采用如下技術(shù)方案:
[0007]該托盤系統(tǒng)包括托盤、蓋板和密封圈，所述托盤具有至少一個(gè)凸臺(tái)，用于承載晶片，所述密封圈設(shè)置于所述凸臺(tái)上，用于密封所述凸臺(tái)和所述晶片之間的空間，防止冷卻介質(zhì)泄漏，所述蓋板包括本體和設(shè)置在所述本體上的至少一個(gè)通孔，所述通孔與所述凸臺(tái)一一對(duì)應(yīng)，所述通孔的邊緣上設(shè)有至少一個(gè)壓爪，所述通孔的邊緣上還設(shè)有至少一個(gè)裙邊，所述托盤和所述蓋板裝配后，所述裙邊遮蓋所述凸臺(tái)的邊緣。
[0008]本實(shí)用新型提供了一種如上所述的托盤系統(tǒng)，由于該托盤系統(tǒng)包括的蓋板不僅包括設(shè)置于本體上的通孔的邊緣上的至少一個(gè)壓爪，還包括設(shè)于通孔的邊緣上的至少一個(gè)裙邊，且當(dāng)將托盤和蓋板裝配后，裙邊遮蓋凸臺(tái)的邊緣，從而使得在對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，裙邊對(duì)凸臺(tái)的邊緣具有保護(hù)作用，能夠有效阻擋刻蝕粒子到達(dá)凸臺(tái)的邊緣，避免了密封圈的損壞，保證了密封圈的密封效果，有效防止了冷卻介質(zhì)泄漏，進(jìn)而能夠維持托盤系統(tǒng)的正常使用。
【附圖說(shuō)明】
[0009]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的托盤系統(tǒng)的壓爪區(qū)域的截面示意圖；
[0011]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的托盤系統(tǒng)的非壓爪區(qū)域的截面示意圖；
[0012]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中的托盤系統(tǒng)的壓爪區(qū)域的截面示意圖；
[0013]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中的托盤系統(tǒng)的非壓爪區(qū)域的截面示意圖；
[0014]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中的凸臺(tái)的平面示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0016]I—托盤； 11—凸臺(tái)；12—?dú)饪祝?br>[0017]13—凹槽； 2—蓋板；21—本體；
[0018]22—壓爪； 23—裙邊；3—密封圈；
[0019]4—晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0021]如圖3和圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種托盤系統(tǒng)，包括托盤1、蓋板2和密封圈3，其中，托盤I具有至少一個(gè)凸臺(tái)11，用于承載晶片4，密封圈3設(shè)置于凸臺(tái)11的邊緣上，用于密封凸臺(tái)11和晶片4之間的空間，防止冷卻介質(zhì)泄漏，蓋板2包括本體21和設(shè)置在本體21上至少一個(gè)通孔，通孔與凸臺(tái)11一一對(duì)應(yīng)，通孔的邊緣上設(shè)置有至少一個(gè)壓爪22，通孔的邊緣上還設(shè)置有至少一個(gè)裙邊23，當(dāng)在托盤系統(tǒng)使用過(guò)程中，將托盤I和蓋板2裝配后，裙邊23的遮蓋凸臺(tái)11的邊緣，從而使得在對(duì)晶片4進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，裙邊23對(duì)凸臺(tái)11的邊緣具有保護(hù)作用，能夠有效阻擋刻蝕粒子到達(dá)凸臺(tái)11的邊緣，進(jìn)而避免了密封圈3的損壞，保證了密封圈2的密封效果，有效防止了冷卻介質(zhì)泄漏，進(jìn)而能夠維持托盤系統(tǒng)的正常使用。
[0022]其中，通孔的邊緣上可以設(shè)有多個(gè)壓爪22和多個(gè)裙邊23，壓爪22和裙邊23沿通孔的邊緣均勻分布，且交替設(shè)置。蓋板2包括的本體21、壓爪22和裙邊23可以一體成型。如圖3和圖4所示，密封圈3可以內(nèi)嵌在凸臺(tái)11的邊緣上的凹槽13中。如圖5所示，凸臺(tái)11上可以設(shè)置有多個(gè)氣孔12，以向晶片4 (例如藍(lán)寶石襯底)和凸臺(tái)11之間的空間內(nèi)通入冷卻介質(zhì)(例如氦氣)，以對(duì)放置于凸臺(tái)11上的晶片4進(jìn)行冷卻，保證刻蝕的順利進(jìn)行。
[0023]進(jìn)一步地，蓋板2還可以包括位于本體21內(nèi)側(cè)，且位于裙邊23下方的填充部(圖中未示出)，托盤I和蓋板2裝配后，填充部的側(cè)面與凸臺(tái)11的側(cè)面接觸，由于填充部對(duì)裙邊23具有支撐作用，從而能夠有效提高裙邊23的強(qiáng)度和壽命，進(jìn)而提高托盤系統(tǒng)的壽命。優(yōu)選地，填充部、本體21、壓爪22和裙邊23—體成型。
[0024]可選地，托盤I的材質(zhì)為Al(鋁)，蓋板2的材質(zhì)可以為石英、陶瓷、SiC(碳化硅)或AI。本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，蓋板2的材質(zhì)會(huì)對(duì)刻蝕結(jié)果產(chǎn)生影響，因此，蓋板2的材質(zhì)應(yīng)該根據(jù)實(shí)際情況(例如晶片4上的圖形形貌)進(jìn)行選擇。示例性地，對(duì)于提高藍(lán)光LED的出光效率的效果最好的側(cè)壁平直的圓錐形貌而言，蓋板2的材質(zhì)應(yīng)選擇為具有相對(duì)硬度高、壽命長(zhǎng)、易維護(hù)、刻蝕選擇比高等優(yōu)點(diǎn)的Al。
[0025]可選地，如圖3和圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中的凹槽13優(yōu)選為燕尾槽，與側(cè)壁垂直的凹槽相比，燕尾槽具有開口較小，且兩側(cè)厚度較大的優(yōu)點(diǎn)，從而能夠更好地固定密封圈3。
[0026]需要說(shuō)明的是，上述裙邊23的具體形狀可以有多種，只要其能阻擋刻蝕粒子即可，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。本實(shí)用新型實(shí)施例中，為了防止裙邊23對(duì)凸臺(tái)11的上表面造成刮傷，優(yōu)選如圖3所示，裙邊23的下表面為與凸臺(tái)11的上表面平行的平面。進(jìn)一步地，如圖3所示，裙邊23的上表面和裙邊23的下表面均為與凸臺(tái)11的上表面平行的平面;或者，裙邊23的上表面為斜面或者曲面，裙邊23的下表面為與凸臺(tái)11的上表面平行的平面。
[0027]本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)托盤I和蓋板2的材質(zhì)均為Al時(shí)，由于Al為良導(dǎo)體，從而使得托盤I和蓋板2在刻蝕環(huán)境中會(huì)產(chǎn)生自偏壓分