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一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝的制作方法

文檔序號(hào):10597862閱讀:636來源:國知局
一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,通過混料、銅箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、層壓復(fù)合及收卷,即可制備得到高頻高密度有機(jī)基板,上述制備方法采用連續(xù)化、大面積生產(chǎn)方式,制備工藝簡單,且制備的高頻高密度有機(jī)基板材料厚度均勻且可控制、溶劑揮發(fā)完全,無氣孔及明顯的缺陷,收卷整齊,從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻高密度有機(jī)基板材料的大面積連續(xù)性穩(wěn)定生產(chǎn)。
【專利說明】
一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工
-H-
O
【背景技術(shù)】
[0002]高頻高速有機(jī)基板材料作用是搭載、固定電子元器件,利用其表面或內(nèi)部形成的電路圖形,進(jìn)行電路連接,同時(shí)兼有絕緣、導(dǎo)熱、隔離及保護(hù)元器件。隨著封裝技術(shù)由傳統(tǒng)的二維集成封裝向三維集成封裝方向發(fā)展,高頻高速有機(jī)基板材料已經(jīng)成為高頻高速有機(jī)基板材料的首選材料之一。
[0003]傳統(tǒng)的高頻高速有機(jī)基板材料一般采用玻璃纖維布作為增強(qiáng)材料,與之相應(yīng)的高頻高速有機(jī)基板材料生產(chǎn)工藝主要是采用將玻璃纖維布浸漬于高頻高速有機(jī)基板材料漿料中,烘干并形成半固化片后兩面覆銅箔層壓復(fù)合得到。高頻高速有機(jī)基板材料要求基板材料厚度較薄,因此無玻璃纖維布增強(qiáng)的高頻高速有機(jī)基板材料是未來的發(fā)展趨勢。而現(xiàn)有的有機(jī)基板材料制備工藝并無法應(yīng)用于尚頻尚速用有機(jī)基板材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此,有必要提供了一種尚頻尚速的有機(jī)基板的制備方法,彌補(bǔ)現(xiàn)有的有機(jī)基板材料制備工藝并無法應(yīng)用于高頻高速用有機(jī)基板材料。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[000?] —種尚頻尚速有機(jī)基板的制備新工藝,依次包括下述步驟:
[0007]混料:將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、無機(jī)填料以及有機(jī)溶劑混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板漿料;
[0008]銅箔放卷:轉(zhuǎn)動(dòng)銅箔放卷器,配合放卷的速度放出銅箔;
[0009]涂布:在所述銅箔的一個(gè)表面涂布所述高頻高速有機(jī)基板漿料;
[0010]烘干:將涂布后的銅箔進(jìn)行烘干以除去所述銅箔表面的溶劑;
[0011 ] 二次放卷:將烘干后的銅箔進(jìn)行放卷;
[0012]層壓復(fù)合:將兩片涂布了所述高頻高速有機(jī)基板漿料的涂布經(jīng)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,得到尚頻尚速有機(jī)基板;
[0013]收卷:將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板收卷。
[0014]在一些實(shí)施例中,所述無機(jī)填料為二氧化硅、氮化硼;所述有機(jī)溶劑為2-丁酮,丙酮以及N‘N二甲基甲酰胺。
[0015]在一些實(shí)施例中,所述銅箔放卷的速度為I?20m/min。
[0016]在一些實(shí)施例中,所述銅箔的厚度為12μπι-35μπι,寬度為300-600mm。
[0017]在一些實(shí)施例中,所述涂布的速度為I?20m/min,涂布濕膜單層厚度5?20μπι。
[0018]在一些實(shí)施例中,所述烘干是將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱進(jìn)行烘干。
[0019]在一些實(shí)施例中,所述層壓復(fù)合的溫度為80_200°C,層壓復(fù)合壓力為l_20MPa。
[0020]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:
[0021]本發(fā)明提供的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,通過混料、銅箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、層壓復(fù)合及收卷,即可制備得到高頻高密度有機(jī)基板,上述制備方法采用連續(xù)化、大面積生產(chǎn)方式,制備工藝簡單,且制備的高頻高密度有機(jī)基板材料厚度均勻且可控制、溶劑揮發(fā)完全,無氣孔及明顯的缺陷,收卷整齊,從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻高密度有機(jī)基板材料的大面積連續(xù)性穩(wěn)定生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝步驟流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]請參考圖1,一種尚頻尚速有機(jī)基板的制備新工藝,依次包括下述步驟:
[0024]步驟S110:混料,將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、無機(jī)填料以及有機(jī)溶劑在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;所述無機(jī)填料為二氧化硅、氮化硼;所述有機(jī)溶劑為2-丁酮,丙酮以及N ‘ N二甲基甲酰胺。
[0025]步驟S120:銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為I?20m/min,銅猜厚度為12ym-35ym,寬度為300-600mm。
[0026]步驟S130:涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為I?20m/min,涂布濕膜單層厚度5?20μηι。
[0027]步驟S140:烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為60-150°(:,烘干時(shí)間為5-301^11。
[0028]步驟S150: 二次放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷。
[0029]步驟S160:層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,層壓復(fù)合溫度為80-200°C,層壓復(fù)合壓力為l_20MPa;
[0030]步驟S170:收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0031]本發(fā)明提供的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,通過混料、銅箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、層壓復(fù)合及收卷,即可制備得到高頻高密度有機(jī)基板,上述制備方法采用連續(xù)化、大面積生產(chǎn)方式,制備工藝簡單,且制備的高頻高密度有機(jī)基板材料厚度均勻且可控制、溶劑揮發(fā)完全,無氣孔及明顯的缺陷,收卷整齊,從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻高密度有機(jī)基板材料的大面積連續(xù)性穩(wěn)定生產(chǎn)。
[0032]下面為具體實(shí)施例部分。
[0033]實(shí)施例1
[0034]a)混料,將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、二氧化硅以及2-丁酮在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;
[0035]b)銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為Im/min,銅箔厚度為12μηι,寬度為300mm;
[0036]c)涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為lm/min,涂布濕膜單層厚度20μηι;
[0037]d)烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為60 °C,烘干時(shí)間為30min;
[0038]e)放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷;
[0039]f)層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,層壓復(fù)合溫度為200°C,層壓復(fù)合壓力為IMPa;
[0040]g)收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0041 ] 實(shí)施例2
[0042]a)將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、氮化硼以及丙酮在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;
[0043]b)銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為20m/min,銅箔厚度為35μηι,寬度為600mm;
[0044]c)涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為20m/min,涂布濕膜單層厚度5μηι ;
[0045]d)烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為150 °C,烘干時(shí)間為5min;
[0046]e)放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷;
[0047]f)層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,層壓復(fù)合溫度為80°C,層壓復(fù)合壓力為20MPa;
[0048]g)收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0049]實(shí)施例3
[0050]a)將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、氮化硼以及N‘N二甲基甲酰胺在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;
[0051 ] b)銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為1m/min,銅箔厚度為18μπι,寬度為480mm;
[0052]c)涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為1m/min,涂布濕膜單層厚度ΙΟμπι;
[0053]d)烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為120 °C,烘干時(shí)間為20min;
[0054]e)放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷;
[0055]f)層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,層壓復(fù)合溫度為150°C,層壓復(fù)合壓力為1MPa;
[0056]g)收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0057]實(shí)施例4
[0058]a)將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、二氧化硅以及丙酮在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;
[0059]b)銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為5m/min,銅箔厚度為35μηι,寬度為600mm;
[0060]c)涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為I?20m/min,涂布濕膜單層厚度5?20μπι,所述的銅箔厚度為12μπι-35μπι,寬度為300-600mm;
[0061 ] d)烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為60-150°(:,烘干時(shí)間為5-301^11;
[0062]e)放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷;
[0063]f)層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓炅合,層壓炅合溫度為80_200 C,層壓炅合壓力為5MPa;
[0064]g)收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0065]實(shí)施例5
[0066]a)將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、氮化硼以及2-丁酮在混料機(jī)中混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板材料漿料;
[0067]b)銅箔放卷,將銅箔放卷器轉(zhuǎn)動(dòng),配合放卷的速度放出金屬膜。放卷速度為I?20m/min,銅猜厚度為 12μηι-35μηι,寬度為 300-600mm ;
[0068]c)涂布,在銅箔的一表面涂布的高頻高速有機(jī)基板材料漿料,涂布速度為I?20m/min,涂布濕膜單層厚度5?20μπι,所述的銅箔厚度為12μπι-35μπι,寬度為300-600mm;
[0069]d)烘干,將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱中烘干除溶劑,烘干的溫度為60-150°(:,烘干時(shí)間為5-301^11;
[0070]e)放卷,將在銅箔一表面涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的銅箔配合從烘箱中送出來的銅箔進(jìn)行放卷;
[0071]f)層壓復(fù)合,將兩片涂布了高頻高速有機(jī)基板材料漿料的涂布進(jìn)過加熱的壓輥層壓炅合,層壓炅合溫度為80_200 C,層壓炅合壓力為1MPa;
[0072]g)收卷,將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板収起。
[0073]當(dāng)然本發(fā)明的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝還可具有多種變換及改型,并不局限于上述實(shí)施方式的具體結(jié)構(gòu)??傊?,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)包括那些對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說顯而易見的變換或替代以及改型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,依次包括下述步驟: 混料:將雙馬來酰亞胺-氰酸酯樹脂、無機(jī)填料以及有機(jī)溶劑混合均勻得到高頻高速有機(jī)基板漿料; 銅箔放卷:轉(zhuǎn)動(dòng)銅箔放卷器,配合放卷的速度放出銅箔; 涂布:在所述銅箔的一個(gè)表面涂布所述高頻高速有機(jī)基板漿料; 烘干:將涂布后的銅箔進(jìn)行烘干以除去所述銅箔表面的溶劑; 二次放卷:將烘干后的銅箔進(jìn)行放卷; 層壓復(fù)合:將兩片涂布了所述高頻高速有機(jī)基板漿料的涂布經(jīng)過加熱的壓輥層壓復(fù)合,得到尚頻尚速有機(jī)基板; 收卷:將層壓復(fù)合后的高頻高速有機(jī)基板收卷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述無機(jī)填料為二氧化硅、氮化硼;所述有機(jī)溶劑為2-丁酮,丙酮以及N‘N二甲基甲酰胺。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述銅箔放卷的速度為I?20m/min。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述銅箔的厚度為 12μηι-35μηι,寬度為 300_600mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述涂布的速度為I?20m/min,涂布濕膜單層厚度5?20μηι。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述烘干是將涂布后的銅箔進(jìn)入容許金屬膜連續(xù)穿過的長烘箱進(jìn)行烘干。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速有機(jī)基板的制備新工藝,其特征在于,所述層壓復(fù)合的溫度為80-200 °C,層壓復(fù)合壓力為l_20MPa。
【文檔編號(hào)】H05K3/00GK105960098SQ201610343125
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月23日
【發(fā)明人】孫蓉, 曾小亮, 么依民, 許建斌
【申請人】深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
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