1.一種微機(jī)電系統(tǒng)mems器件，按從底部到頂部的順序包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其中，所述第一電絕緣層包括至少一個(gè)多晶硅饋通，所述至少一個(gè)多晶硅饋通從所述第一器件層延伸至所述第二器件層，以用于將所述第一器件層的結(jié)構(gòu)元件電耦接至所述第二器件層的結(jié)構(gòu)元件以及/或者或電耦接至設(shè)置在所述蓋層中的電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems器件，其中，已在所述至少一個(gè)多晶硅饋通周圍去除所述第二電絕緣層中的電絕緣材料，使得所述至少一個(gè)多晶硅饋通是所述第一器件層和所述第二器件層的相應(yīng)結(jié)構(gòu)元件之間的唯一機(jī)械接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的mems器件，還包括在所述第二器件層與所述蓋層之間的金屬接合層，并且所述金屬接合層還被配置成形成所述殼體的所述壁的一部分。
8.一種用于制造微機(jī)電系統(tǒng)mems器件的方法，所述mems器件按從底部到頂部的順序包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求8至14中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：