電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠高效填埋鏡支撐部的凹部并抑制鏡的表面形成大的凹陷的電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備。在電光裝置(100)中，鏡由鏡用導(dǎo)電層(56)和鏡用反射層(57)的層疊體構(gòu)成。鏡用導(dǎo)電層(56)具備將凹部(520)朝向基板(1)的相反側(cè)的鏡支撐部(52)和從鏡支撐部(52)的端部(521)延伸并與基板(1)相對的平板部(53)，在凹部(520)內(nèi)填充有樹脂(41)。平板部(53)和樹脂(41)的表面構(gòu)成連續(xù)的平面，鏡用反射層(57)層疊于樹脂(41)的與基板(1)相反一側(cè)的面(411)和鏡用導(dǎo)電層(56)的平板部(53)的與基板(1)相反一側(cè)的面(531)。
【專利說明】
電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具備鏡的電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，例如已知有如下投射型顯示裝置等:其將從光源射出的光通過被稱為DMD(數(shù)字微鏡器件)的電光裝置的多個(gè)鏡(微鏡)調(diào)制后，再通過投射光學(xué)系統(tǒng)將調(diào)制光放大投射，從而在屏幕上顯示圖像。在該電子設(shè)備所使用的電光裝置中，鏡經(jīng)由鏡支撐部(鏡柱)而被支撐在扭矩鉸鏈(扭轉(zhuǎn)鉸鏈)上，并且與扭矩鉸鏈電連接。另外，扭矩鉸鏈經(jīng)由鉸鏈支撐部被支撐在形成于基板的基板側(cè)偏壓電極上，并與基板側(cè)偏壓電極電連接。因此，當(dāng)從基板側(cè)偏壓電極向鏡施加偏壓，另一方面，向地址電極施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，可以通過鏡與地址電極之間產(chǎn)生的靜電力來驅(qū)動(dòng)鏡。
[0003]這里，如果鏡支撐部將凹部朝向基板的相反側(cè)，那么鏡的表面將會(huì)形成有大的凹陷，鏡的表面(反射面)上的反射率會(huì)下降。于是，提出了在鏡柱和犧牲層等的表面沉積無機(jī)材料后進(jìn)行研磨，然后形成用于鏡的形成的反射膜(參見專利文獻(xiàn)1、2)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I:日本特表2007-510174號公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開2005-115370號公報(bào)
[0008]然而，為了沉積無機(jī)材料以填埋凹部，需要沉積相當(dāng)厚的無機(jī)材料，同時(shí)，在無機(jī)材料的情況下研磨速度慢，因此，存在需要花費(fèi)長的處理時(shí)間來將無機(jī)材料從犧牲層等的表面研磨除去的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]鑒于上述問題，本發(fā)明的課題在于，提供能夠高效填埋鏡支撐部(鏡柱)的凹部并抑制鏡的表面形成大的凹陷的電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備。
[0010]為解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的電光裝置的一方面，其特征在于，具有:基板;金屬層，包括第一支撐部(鉸鏈柱)和扭轉(zhuǎn)鉸鏈(打t y夕)(扭矩鉸鏈(卜一 '>3 yhy^)),所述第一支撐部(鉸鏈柱)在所述基板的一面?zhèn)瘸龌逋怀霾⒅斡谒龌?鏡用導(dǎo)電層，具備第二支撐部(鏡支撐部)和平板部，所述第二支撐部(鏡支撐部)將凹部朝向所述基板的相反側(cè)，并從所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈朝所述基板的相反側(cè)突出，所述平板部從所述第二支撐部的位于所述基板的相反側(cè)的端部延伸并與所述基板相對;樹脂，填充于所述凹部的內(nèi)側(cè)；以及鏡用反射層，層疊于所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面及所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面，并與所述鏡用導(dǎo)電層一起構(gòu)成鏡。
[0011]在本發(fā)明中，第二支撐部將凹部朝向基板的相反側(cè)，但由于凹部被樹脂填埋，因此，鏡的表面難以出現(xiàn)大的凹陷。因而，能夠提高光的利用效率，并能抑制鏡的散射所導(dǎo)致的對比度下降。另外，在用樹脂填埋凹部的情況下，由于能夠重點(diǎn)填埋凹部，因此，能夠省略平坦化工序。另外，即使在不能省略平坦化工序的情況下也同樣，形成于凹部周圍的犧牲層的表面上所形成的樹脂薄，并且如果是樹脂的話，研磨速度快。因而，能夠高效填埋第二支撐部的凹部，并能抑制鏡的表面形成大的凹陷。
[0012]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面距離所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的高度和所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面距離所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的高度之差為0.2μπι以下。如果是這種程度的差，則光的利用效率不會(huì)明顯降低，起因于鏡的散射的對比度下降不明顯。
[0013]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面和所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面構(gòu)成連續(xù)的平面。
[0014]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述鏡用導(dǎo)電層厚于所述鏡用反射層。根據(jù)該構(gòu)成，能夠切實(shí)地向鏡施加適當(dāng)?shù)碾娢弧?br>[0015]在這種情況下，同樣，優(yōu)選地，所述鏡用導(dǎo)電層和所述鏡用反射層的厚度之和為0.2μηι 至 0.5ym0
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述樹脂具有導(dǎo)電性。根據(jù)該構(gòu)成，能夠切實(shí)地向鏡施加適當(dāng)?shù)碾娢弧?br>[0017]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述樹脂由感光性樹脂構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，能夠?qū)渲x擇性地殘留于任意位置。
[0018]在根據(jù)本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，其特征在于，具有:第一犧牲層形成工序，在基板的一面?zhèn)刃纬稍O(shè)有第一開口部(鉸鏈柱用開口部)的第一犧牲層;第一導(dǎo)電膜形成工序，在所述第一犧牲層的與所述基板相反的一側(cè)及所述第一開口部的內(nèi)側(cè)形成第一導(dǎo)電膜;第一圖案化工序，對所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化，形成具備第一支撐部(鉸鏈柱)的扭轉(zhuǎn)鉸鏈(扭矩鉸鏈)，所述第一支撐部(鉸鏈柱)由形成于所述第一開口部的內(nèi)側(cè)的所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成;第二犧牲層形成工序，在所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的與所述基板相反的一側(cè)形成設(shè)有第二開口部(鏡支撐部用開口部)的第二犧牲層;第二導(dǎo)電膜形成工序，在所述第二犧牲層的與所述基板相反的一側(cè)及所述第二開口部的內(nèi)側(cè)形成第二導(dǎo)電膜;填充工序，在通過所述第二開口部形成于所述第二導(dǎo)電膜的凹部內(nèi)填充樹脂;反射性金屬膜形成工序，在所述第二導(dǎo)電膜的與所述基板相反一側(cè)的面及所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面形成反射性金屬膜；以及第二圖案化工序，對所述第二導(dǎo)電膜和所述反射性金屬膜進(jìn)行圖案化，形成
Ho
[0019]在根據(jù)本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選地，在所述填充工序與所述反射性金屬膜形成工序之間，還具有對所述第二導(dǎo)電膜的與所述基板相反一側(cè)的面及所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面進(jìn)行平坦化的平坦化工序。
[0020]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，在所述填充工序中，將液狀的樹脂材料涂布于所述凹部之后，使所述樹脂材料固化。
[0021]應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置能夠用于各種電子設(shè)備，在這種情況下，電子設(shè)備中設(shè)有向所述鏡照射光源光的光源部。另外，當(dāng)構(gòu)成投射型顯示裝置、頭戴式顯示裝置作為電子設(shè)備時(shí)，電子設(shè)備中還設(shè)有投射經(jīng)所述鏡調(diào)制后的光的投射光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說明】
[0022]圖1是示出作為應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
[0023]圖2的(a)和(b)是示意性示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的基本構(gòu)成的說明圖。
[0024]圖3的(a)和(b)是示意性示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的主要部分的A-A’截面的說明圖。
[0025]圖4是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的詳細(xì)構(gòu)成的截面圖。
[0026]圖5的(a)?(f)是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0027]圖6的(a)?(C)是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0028]圖7的(a)?(d)是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0029]圖8的(a)?(f)是在應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的制造工序中形成的層的平面圖。
[0030]圖9的(a)?(e)是在應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置的制造工序中形成的層的平面圖。
[0031]附圖標(biāo)記說明
[0032]I基板10晶片(基板)
[0033]11 基板側(cè)偏壓電極12、13 基板側(cè)地址電極
[0034]14 地址電路30第一導(dǎo)電膜
[0035]35 扭轉(zhuǎn)鉸鏈(扭矩鉸鏈)39第一支撐部(鉸鏈柱)
[0036]41 樹脂51鏡
[0037]57 鏡支撐部(第二支撐部)53平板部
[0038]56 鏡用導(dǎo)電層57鏡用反射層
[0039]100 電光裝置211 第一犧牲層
[0040]211a 第一支撐部用開口部(鉸鏈柱用開口部)
[0041 ]211b 電極柱用開口部221 第二犧牲層
[0042]221a 鏡支撐部(第二支撐部)用開口部
[0043]411 樹脂的與基板相反一側(cè)的面 520 凹部
[0044]521 鏡支撐部(第二支撐部)的端部
[0045]531 平板部的與基板相反一側(cè)的面560 第二導(dǎo)電膜
[0046]570 反射性金屬膜1000 投射型顯示裝置
[0047]1002 光源部1004 投射光學(xué)系統(tǒng)
【具體實(shí)施方式】
[0048]參照【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。需要注意的是，在以下說明中，將投射型顯示裝置作為應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備進(jìn)行說明。另外，在以下說明所參照的圖中，為了使各層、各部件成為能夠在附圖上識別程度的大小，各層、各部件各自的縮小比例并不相同。另外，在附圖中，減少了鏡等的數(shù)量加以示出。
[0049]作為電子設(shè)備的投射型顯示裝置
[0050]圖1是示出作為應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖1所示的投射型顯示裝置1000具有:光源部1002、根據(jù)圖像信息調(diào)制從光源部1002射出的光的電光裝置100、以及將經(jīng)電光裝置100調(diào)制后的光作為投射圖像投射到屏幕等被投射物1100上的投射光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具備光源1020和彩色濾光片1030。光源1020射出白色光，彩色濾光片1030隨著旋轉(zhuǎn)而射出各種顏色的光，電光裝置100在與彩色濾光片1030的旋轉(zhuǎn)同步的定時(shí)，對射入的光進(jìn)行調(diào)制。需要注意的是，也可以取代彩色濾光片1030，而使用將從光源1020射出的光轉(zhuǎn)換為各種顏色的光的熒光體基板。另外，也可以對應(yīng)每種顏色的光而設(shè)置光源部1002和電光裝置100。
[0051 ]電光裝置100的基本構(gòu)成
[0052]圖2是示意性示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的基本構(gòu)成的說明圖，圖2的(a)、(b)分別是示出電光裝置100的主要部分的說明圖和電光裝置100的主要部分的分解立體圖。圖3是示意性示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的主要部分的A-A’截面的說明圖，圖3的(a)、(b)分別是示意性示出鏡向一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖和示意性示出鏡向另一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖。
[0053]如圖2和圖3所示，電光裝置100在基板I的一面Is側(cè)呈矩陣狀地配置有多個(gè)鏡51，鏡51與基板I分離?；錓例如是硅基板。鏡51例如是具有一條邊的長度例如為ΙΟμπι?30μπι的平面尺寸的微鏡。鏡51例如以600 X 800至1920 X 1080的排列而配置，一個(gè)鏡51對應(yīng)于圖像的一個(gè)像素。
[0054]鏡51的表面為由招等反射金屬膜構(gòu)成的反射面。電光裝置100具備:第一層部分100a，包括形成于基板I的一面Is上的基板側(cè)偏壓電極11和基板側(cè)地址電極12、13等;第二層部分100b，包括高架地址電極32、33以及扭矩鉸鏈(扭轉(zhuǎn)鉸鏈)35;以及第三層部分100c，包括鏡51。在第一層部分10a中，在基板I上形成有地址電路14。地址電路14具備用于選擇性地控制各鏡51的動(dòng)作的存儲(chǔ)單元、字線、位線這樣的配線15等，并具有具備CMOS電路16的類似于RAM(Random Access Memory:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的電路構(gòu)成。
[0055]第二層部分10b包括高架地址電極(elevatedaddress electrode)32、33、扭矩鉸鏈35以及鏡支撐部(第二支撐部)52。高架地址電極32、33經(jīng)由電極柱321、331而與基板側(cè)地址電極12、13導(dǎo)通，且由基板側(cè)地址電極12、13支撐。從扭矩鉸鏈35的兩端延伸出鉸鏈臂36,37ο鉸鏈臂36、37經(jīng)由鉸鏈支撐部(第一支撐部)39而與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，且由基板側(cè)偏壓電極11支撐。鏡51經(jīng)由鏡支撐部52而與扭矩鉸鏈35導(dǎo)通，且由扭矩鉸鏈35支撐。因此，鏡51經(jīng)由鏡支撐部52、扭矩鉸鏈35、鉸鏈臂36、37、鉸鏈支撐部39而與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，從基板側(cè)偏壓電極11向鏡51施加偏壓。需要注意的是，在鉸鏈臂36、37的前端形成有擋塊361、362、371、372，擋塊361、362、371、372在鏡51傾斜時(shí)與鏡51抵接，從而防止鏡51與高架地址電極32、33接觸。
[0056]基板側(cè)地址電極12、13以及高架地址電極32、33構(gòu)成與鏡51之間產(chǎn)生靜電力而驅(qū)動(dòng)鏡51傾斜的驅(qū)動(dòng)元件。具體而言，在對基板側(cè)地址電極12、13以及高架地址電極32、33施加驅(qū)動(dòng)電壓，且如圖3所示，鏡51以被拽向基板側(cè)地址電極12和高架地址電極32側(cè)、或者基板側(cè)地址電極13和高架地址電極33側(cè)的方式傾斜時(shí)，扭矩鉸鏈35扭轉(zhuǎn)。然后，在停止對基板側(cè)地址電極12、13以及高架地址電極32、33施加驅(qū)動(dòng)電壓而使對鏡51的吸引力消失時(shí)，發(fā)揮使鏡51恢復(fù)為與基板I平行的姿態(tài)的力。
[0057]在電光裝置100中，例如如圖3的(a)所示，當(dāng)鏡51向基板側(cè)地址電極12和高架地址電極32側(cè)傾斜時(shí)，成為從光源部1002射出的光被鏡51反射向投射光學(xué)系統(tǒng)1004的開啟狀態(tài)。相對于此，如圖3的(b)所示，當(dāng)鏡51向基板側(cè)地址電極13和高架地址電極33側(cè)傾斜時(shí)，成為從光源部1002射出的光被鏡51反射向光吸收裝置1005的關(guān)閉狀態(tài)，在該關(guān)閉狀態(tài)下，不向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射光。在多個(gè)鏡51各自中進(jìn)行該驅(qū)動(dòng)的結(jié)果，從光源部1002射出的光通過多個(gè)鏡51而被調(diào)制為圖像光，且從投射光學(xué)系統(tǒng)1004投射而顯示圖像。
[0058]需要注意的是，有時(shí)也會(huì)與扭矩鉸鏈35—體地設(shè)置與基板側(cè)地址電極12、13相對的平板狀的軛，除了利用在高架地址電極32、33與鏡51之間產(chǎn)生的靜電力之外，還利用在基板側(cè)地址電極12、13與軛之間作用的靜電力來驅(qū)動(dòng)鏡51。
[0059]電光裝置100的詳細(xì)構(gòu)成
[0060]圖4是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的詳細(xì)構(gòu)成的截面圖。需要說明的是，圖4中僅示出電光裝置100的第二層部分10b和第三層部分100c，而省略了包括基板側(cè)偏壓電極11和基板側(cè)地址電極12、13等的第一層部分10a的圖示。另外，在圖4中示出了對應(yīng)形成于電光裝置100的多個(gè)鏡51中的一個(gè)鏡51的鏡支撐部(第二支撐部)52以及扭矩鉸鏈(扭轉(zhuǎn)鉸鏈)35等。
[0061]如圖4所示，電光裝置100在基板I的一面Is側(cè)具有經(jīng)由導(dǎo)電性的鉸鏈支撐部39而支撐于基板I一側(cè)的導(dǎo)電性的扭矩鉸鏈35。在本方式中，鉸鏈支撐部39和扭矩鉸鏈35由一體的金屬層(下文所述的第一導(dǎo)電膜30)構(gòu)成，鉸鏈支撐部39從金屬層(第一導(dǎo)電膜30)朝基板I突出。另外，電光裝置100具有從扭矩鉸鏈35向基板I的相反側(cè)突出的導(dǎo)電性的鏡支撐部52，鏡51連接于該鏡支撐部52的與基板I相反一側(cè)的端部521。鏡支撐部52將凹部520朝向基板I的相反側(cè)，凹部520的內(nèi)部填埋有樹脂41 ο在本方式中，樹脂41由光固化性樹脂構(gòu)成。
[0062]鏡51由鏡用導(dǎo)電層56和鏡用反射層57的層疊體構(gòu)成。鏡用導(dǎo)電層56具備成為一體的鏡支撐部52和從鏡支撐部52的端部521延伸并與基板I相對的平板部53。鏡用反射層57層疊于樹脂41的與基板I相反一側(cè)的面411、及鏡用導(dǎo)電層56的平板部53的與基板I相反一側(cè)的面531。
[0063]這里，樹脂41的面411和鏡用導(dǎo)電層56的平板部53的面531距離扭矩鉸鏈35的高度差為0.2μπι以下。如果是這種程度的差，則光的利用效率不會(huì)明顯下降，因鏡的散射所導(dǎo)致的對比度下降不明顯。在本方式中，樹脂41的面411和鏡用導(dǎo)電層56的平板部53的面531通過下文所述的CMP處理而構(gòu)成連續(xù)的平面。
[0064]在本方式中，鏡用導(dǎo)電層56厚于鏡用反射層57。不過，鏡用導(dǎo)電層56和鏡用反射層57的厚度之和為0.2μπι至0.5μπι，與使用單一膜(単體膜)形成鏡51時(shí)的厚度相同。
[0065]電光裝置的制造方法
[0066]參照圖2的(b)和圖5至圖9，圍繞應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的制造工序中形成扭矩鉸鏈(扭轉(zhuǎn)鉸鏈)、鏡支撐部(第二支撐部)及鏡的工序進(jìn)行說明。圖5、圖6及圖7是示出應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。圖8和圖9是在應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置100的制造工序中形成的層的平面圖。需要說明的是，在圖5至圖9中僅示出了對應(yīng)形成于電光裝置100的多個(gè)鏡51中的一個(gè)鏡51的鏡支撐部52和扭矩鉸鏈35。另外，在以下的說明中也適當(dāng)說明與參照圖2的(b)描述的各部位之間的關(guān)系。
[0067]首先，如圖5的(a)所示，在工序STl中，在由硅基板構(gòu)成的晶片10(基板)上形成參照圖2的(b)描述的地址電路14、基板側(cè)偏壓電極11及基板側(cè)地址電極12、13等。
[0068]接著，在工序ST2中，在晶片10的一面1s上形成由正型有機(jī)光刻膠等構(gòu)成的感光性抗蝕劑層21后，在圖5的(b)所示的工序ST3中，對感光性抗蝕劑層21進(jìn)行曝光和顯影，形成具備鉸鏈支撐部用開口部(第一支撐部用開口部)211a的第一犧牲層211。這時(shí)，如圖8的(a)所示，還形成高架地址電極32、33的電極柱321、331用的電極柱用開口部211b。第一犧牲層211的厚度例如為Ιμπι，鉸鏈支撐部用開口部211a的開口徑例如約為0.6μπι。該工序ST2、ST3為第一犧牲層形成工序。
[0069]接著，在圖5的(C)所示的工序ST4(第一導(dǎo)電膜形成工序)中，在第一犧牲層211的表面(與晶片10相反一側(cè)的面)上整面地形成第一導(dǎo)電膜30(參照圖8的(b))。這時(shí)，第一導(dǎo)電膜還形成于鉸鏈支撐部用開口部的壁面和底面。第一導(dǎo)電膜30例如為鋁層的單一膜或者鋁層和鈦層的層疊膜，厚度例如為0.06μπι。
[0070]接著，在工序ST5(第一圖案化工序)中，以在第一導(dǎo)電膜30的表面(與晶片10相反一側(cè)的面)形成有抗蝕劑掩模的狀態(tài)對第一導(dǎo)電膜30進(jìn)行圖案化，通過殘留于鉸鏈支撐部用開口部211a的第一導(dǎo)電膜30，鉸鏈支撐部39與扭矩鉸鏈35形成為一體。這時(shí)，如圖8的(c)所示，形成鉸鏈臂36、37。另外，同時(shí)形成高架地址電極32、33，并在電極柱用開口部211b的內(nèi)部形成電極柱321、331。
[0071]接著，在圖5的(d)所示的工序ST6中，在扭矩鉸鏈35的與晶片1相反的一側(cè)形成了由正型有機(jī)光刻膠等構(gòu)成的感光性抗蝕劑層22之后，在圖5的(e)所示的工序ST7中，對感光性抗蝕劑層22進(jìn)行曝光和顯影，形成具備鏡支撐部用開口部(第二支撐部用開口部)221a的第二犧牲層221(參照圖8的(d))。第二犧牲層221的厚度(高度)例如為2μπι，鏡支撐部用開口部221a的內(nèi)徑例如為0.8μπι。該工序ST6、ST7為第二犧牲層形成工序。
[0072]接著，在圖5的(f)所示的工序ST8(第二導(dǎo)電膜形成工序)中，在第二犧牲層221的與晶片10相反的一側(cè)形成第二導(dǎo)電膜560(參照圖8的(e))。第二導(dǎo)電膜560例如為鋁層的單一膜或者鋁層和鈦層的層疊膜，厚度例如為0.25μπι。
[0073]接著，在圖6的(a)所示的工序ST9(填充工序)中，在第二導(dǎo)電膜560的與晶片1相反的一側(cè)涂布由液狀的聚酰亞胺等構(gòu)成的樹脂41，在通過鏡支撐部用開口部221a而形成于第二導(dǎo)電膜的凹部520內(nèi)填充樹脂41(參照圖8的(f))。接著，使樹脂41固化。這里，形成于凹部520的外側(cè)的樹脂41與形成于凹部520的內(nèi)部的樹脂41的厚度相比相當(dāng)薄，例如約為0.5μmD
[0074]接著，在圖6的(b)所示的工序STlO(平坦化工序)中，通過CMP法等對第二導(dǎo)電膜560和樹脂41的與晶片10相反一側(cè)的面進(jìn)行平坦化，使第二導(dǎo)電膜560露出(參照圖9的
(a))。經(jīng)過該平坦化工序，第二導(dǎo)電膜560和樹脂41的與晶片10相反一側(cè)的面構(gòu)成連續(xù)的平面。
[0075]這時(shí)，由于形成于凹部520外側(cè)的樹脂41與形成于凹部520內(nèi)部的樹脂41的厚度相比相當(dāng)薄、且樹脂41的硬度低，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行平坦化工序。
[0076]接著，在圖6的(C)所示的工序STll(反射性金屬膜形成工序)中，在第二導(dǎo)電膜560和樹脂41的與晶片10相反一側(cè)的面形成反射性金屬膜570(參照圖9的(b))。反射性金屬膜570例如是厚度為0.05μπι的鋁膜。
[0077]接著，在圖7的(a)所示的工序ST12中通過PEVCD法等形成了二氧化硅膜(S12)等無機(jī)膜70之后(參照圖9的(c))，在圖7的(b)所示的工序ST13中，以在無機(jī)膜70的表面(與晶片10相反一側(cè)的面)形成有抗蝕劑掩模的狀態(tài)對無機(jī)膜70進(jìn)行圖案化，形成與鏡51同一平面形狀的蝕刻停止層71(參照圖9的(d))。然后，除去抗蝕劑掩模。接著，在圖7的(c)所示的工序ST14中，將蝕刻停止層71作為掩模，對第二導(dǎo)電膜560和反射性金屬膜570進(jìn)行圖案化，形成鏡51(參照圖9的(e))。結(jié)果，通過第二導(dǎo)電膜560的殘留部分形成鏡用導(dǎo)電層56，通過反射性金屬膜570的殘留部分形成鏡用反射層57。該工序ST12、ST13、ST14為第二圖案化工序。
[0078]接著，在工序ST15中，將晶片10分割成單個(gè)尺寸的多個(gè)基板I。
[0079]接著，在圖7的(d)所示的工序ST16(犧牲層除去工序)中，進(jìn)行等離子蝕刻等，除去第一犧牲層211和第二犧牲層221。這時(shí)，除去蝕刻停止層71。結(jié)果，得到電光裝置100。
[0080]本方式的主要效果
[0081 ]如以上所說明的，在本方式中，鏡支撐部(第二支撐部)52將凹部520朝向基板I的相反側(cè)，但由于凹部520被樹脂填埋，因此，鏡51的表面難以出現(xiàn)大的凹陷。另外，在本方式中，由于在通過平坦化處理而成為了連續(xù)的平坦面的面上形成反射性金屬膜570，因此，鏡51的表面難以出現(xiàn)凹陷。因而，能夠提高光的利用效率，并能抑制起因于鏡51的散射的對比度下降。
[0082]另外，由于鏡用導(dǎo)電層56厚于鏡用反射層57，因此，鏡51的電阻小，從而能夠切實(shí)地向鏡51施加適當(dāng)?shù)碾娢?。在這種情況下，同樣，由于鏡用導(dǎo)電層56和鏡用反射層57的厚度之和為0.2μπι至0.5μπι，因此，與使用單一膜形成鏡51時(shí)的厚度相同，鏡51不會(huì)變重。因而，能夠適當(dāng)驅(qū)動(dòng)鏡51。
[0083]實(shí)施方式的變形例
[0084]在上述實(shí)施方式中，作為樹脂41，優(yōu)選使用感光性聚酰亞胺等感光性樹脂，在這種情況下，通過曝光圖案(露光夕一 V)，能夠?qū)渲?1僅殘留于凹部520。因而，在樹脂41的與基板I相反一側(cè)的面和鏡用導(dǎo)電膜56的平板部53的與基板I相反一側(cè)的面距離扭矩鉸鏈35的高度差為0.2μπι以下的情況下，光的利用效率不會(huì)明顯下降，因鏡的散射而導(dǎo)致的對比度下降不明顯。從而，可省略平坦化處理。
[0085]另外，優(yōu)選地，樹脂41具有導(dǎo)電性，在這種情況下，由于鏡51的電阻實(shí)質(zhì)上小，因此，能夠切實(shí)地向鏡51施加適當(dāng)?shù)碾娢?。作為該樹?1的具體材料，可以例示聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等。另外，如果樹脂41具有導(dǎo)電性，則可以使用電阻高于鋁但穩(wěn)定的材料作為鏡用導(dǎo)電層56。作為該鏡用導(dǎo)電層56的具體材料，可以例示鈦、氮化鈦等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電光裝置，其特征在于，具有: 基板； 金屬層，包括第一支撐部和扭轉(zhuǎn)鉸鏈，所述第一支撐部在所述基板的一面?zhèn)瘸龌逋怀霾⒅斡谒龌澹?鏡用導(dǎo)電層，具備第二支撐部和平板部，所述第二支撐部將凹部朝向所述基板的相反偵U，并從所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈朝所述基板的相反側(cè)突出，所述平板部從所述第二支撐部的位于所述基板的相反側(cè)的端部延伸并與所述基板相對； 樹脂，填充于所述凹部的內(nèi)側(cè)；以及 鏡用反射層，層疊于所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面及所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面，并與所述鏡用導(dǎo)電層一起構(gòu)成鏡。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面距離所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的高度和所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面距離所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的高度之差為0.2μπι以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于， 所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面和所述平板部的與所述基板相反一側(cè)的面構(gòu)成連續(xù)的平面。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述鏡用導(dǎo)電層厚于所述鏡用反射層。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述鏡用導(dǎo)電層和所述鏡用反射層的厚度之和為0.2μηι至0.5μηι。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述樹脂具有導(dǎo)電性。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述樹脂由感光性樹脂構(gòu)成。8.一種電光裝置的制造方法，其特征在于，具有: 第一犧牲層形成工序，在基板的一面?zhèn)刃纬稍O(shè)有第一開口部的第一犧牲層； 第一導(dǎo)電膜形成工序，在所述第一犧牲層的與所述基板相反的一側(cè)及所述第一開口部的內(nèi)側(cè)形成第一導(dǎo)電膜； 第一圖案化工序，對所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化，形成具備第一支撐部的扭轉(zhuǎn)鉸鏈，所述第一支撐部由形成于所述第一開口部的內(nèi)側(cè)的所述第一導(dǎo)電膜構(gòu)成； 第二犧牲層形成工序，在所述扭轉(zhuǎn)鉸鏈的與所述基板相反的一側(cè)形成設(shè)有第二開口部的第二犧牲層； 第二導(dǎo)電膜形成工序，在所述第二犧牲層的與所述基板相反的一側(cè)及所述第二開口部的內(nèi)側(cè)形成第二導(dǎo)電膜； 填充工序，在通過所述第二開口部而形成于所述第二導(dǎo)電膜的凹部內(nèi)填充樹脂； 反射性金屬膜形成工序，在所述第二導(dǎo)電膜的與所述基板相反一側(cè)的面及所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面形成反射性金屬膜;以及 第二圖案化工序，對所述第二導(dǎo)電膜和所述反射性金屬膜進(jìn)行圖案化，形成鏡。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述填充工序與所述反射性金屬膜形成工序之間，所述制造方法還具有對所述第二導(dǎo)電膜的與所述基板相反一側(cè)的面及所述樹脂的與所述基板相反一側(cè)的面進(jìn)行平坦化的平坦化工序。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述填充工序中，將液狀的樹脂材料涂布于所述凹部之后，使所述樹脂材料固化。11.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電光裝置，并具有向所述鏡照射光源光的光源部。
【文檔編號】G02B26/08GK106054374SQ201610144163
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月14日 公開號201610144163.6, CN 106054374 A, CN 106054374A, CN 201610144163, CN-A-106054374, CN106054374 A, CN106054374A, CN201610144163, CN201610144163.6
【發(fā)明人】伊藤智
【申請人】精工愛普生株式會(huì)社