專利名稱：電解設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電解設(shè)備，尤其涉及一種用于在以高輸送速度輸送金屬帶的同時(shí)在高密度電流下電解金屬帶且不會(huì)在其表面上形成任何缺陷的電解設(shè)備。
背景技術(shù)：
平版印刷板通常是由包括以下步驟的工藝來生產(chǎn)的a)使鋁帶的一面或兩面粗糙化，從而形成在一面或兩面上具有粗糙表面的鋁基體；b)對(duì)該鋁基體進(jìn)行陽極化處理；然后c)將含有光敏、熱敏或可光化聚合的樹脂的溶液涂覆在鋁基體的粗糙表面上，以形成成像層。
鋁帶通常是通過包括以下步驟的工藝來進(jìn)行粗糙化處理的a)機(jī)械粗糙化；使用具有聚酰胺剛毛的圓筒形旋轉(zhuǎn)刷或者使用具有研磨面的研磨輥來機(jī)械地刮擦該鋁帶的一面或兩面；b)化學(xué)粗糙化在堿溶液中浸蝕該帶材的刮擦表面；然后c)電解粗糙化通過使用該帶材作為電極來電解該帶材的浸蝕表面。
通過在酸性電解液中將交變電流例如正弦波電流、梯形波電流或矩形波電流施加在鋁帶上來進(jìn)行電解粗糙化處理。因此，在電解槽的入口處將正負(fù)電壓交替地施加在帶材上。
在施加正電壓的同時(shí)，在帶材表面上發(fā)生陰極反應(yīng)。另一方面，當(dāng)施加負(fù)電壓時(shí)，發(fā)生陽極反應(yīng)。當(dāng)發(fā)生陰極反應(yīng)時(shí)，形成氧化物層。相反，當(dāng)發(fā)生陽極反應(yīng)時(shí)，氧化物層溶解進(jìn)酸性電解液中，從而在帶材表面上形成蜂窩狀凹坑。
但是，當(dāng)在更高電流密度下電解鋁帶的同時(shí)以更高的輸送速度輸送時(shí)，在所獲得的基體表面上有時(shí)會(huì)形成許多不同的表面缺，陷例如密度不同的白帶、顫痕(沿著基體寬度方向延伸的條帶狀缺陷)以及沿著寬度方向延伸的條紋(有時(shí)會(huì)形成在所獲得的鋁基體表面上)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種電解設(shè)備，該設(shè)備即使在以高電流密度進(jìn)行電解的同時(shí)以高輸送速度輸送鋁帶的情況下，也能夠防止表面缺陷例如白帶形成在所獲得的鋁基體上。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明第一方面涉及用于電解沿著一個(gè)方向輸送的金屬帶材的電解設(shè)備，該設(shè)備包括多個(gè)順序布置(或串聯(lián)布置)的電解槽，其中，通過施加交變電流來在酸性電解液中電解金屬帶；在相對(duì)于輸送方向位于最下游位置的電解槽中以比相對(duì)于輸送方向位于所述最下游電解槽的上游位置的電解槽中更低的電流密度進(jìn)行電解。
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用具有多個(gè)電解槽的電解設(shè)備進(jìn)行電解時(shí)，當(dāng)在最下游的電解槽上施加電流密度更高的交變電流時(shí)更容易形成表面缺陷。
在第一方面的電解設(shè)備中，金屬帶在設(shè)置于上游位置的電解槽中以高的電流密度被電解，同時(shí)金屬帶在位于下游位置的電解槽中以較低的電流密度被電解。因此，可以將更高電流密度的交變電流施加在整個(gè)電解設(shè)備上，同時(shí)以更高的輸送速度輸送金屬帶，并且有效地對(duì)金屬帶進(jìn)行電解而不會(huì)形成任何表面缺陷。
這里，“電流密度”表示施加在電解槽上的交變電流的平均電流密度。
該第一方面的電解設(shè)備包括用于電解粗糙化處理鋁帶的設(shè)備，但是并不限于此。
在本發(fā)明的設(shè)備中進(jìn)行的電解包括鋁帶的電解粗糙化，但并不限于此。
上述鋁帶是用在本發(fā)明中的金屬帶的一個(gè)示例。該金屬帶并不限于鋁，金屬帶的示例可以包括由其它金屬形成的帶材。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第二方面涉及如第一方面所述的設(shè)備，其中金屬帶為鋁帶。
當(dāng)在高電流密度下電解鋁帶的同時(shí)以高輸送速度輸送時(shí)，在鋁帶的表面上容易出現(xiàn)密度不同的白帶、顫痕以及其它種類的表面缺陷。但是，如由第二方面所提供的一樣，通過采用本發(fā)明的用于對(duì)鋁帶進(jìn)行電解粗糙化處理的電解設(shè)備，可以很容易避免這個(gè)問題。因此，通過使用本發(fā)明的的設(shè)備，可以以更高的生產(chǎn)率生產(chǎn)出用于平版印刷板的鋁基體，且不會(huì)形成任何表面缺陷。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第三方面涉及如第二方面所述的電解設(shè)備，其中酸性電解液的主要酸性組分包含選自硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸和磺酸中的至少一種酸。
該第三方面提供了用于本發(fā)明的設(shè)備中的酸性電解液的具體實(shí)施例。酸性電解液的實(shí)施例不僅包括包含有選自硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸和磺酸中的有機(jī)或無機(jī)強(qiáng)酸中的一種的溶液，而且還包括包含上述強(qiáng)酸中的兩種或多種的溶液。除了上述有機(jī)或無機(jī)強(qiáng)酸之外，該酸性電解液還可以包含構(gòu)成金屬帶材的金屬的離子，例如鋁離子。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第四方面涉及如第二方面所述的設(shè)備，其中交變電流是正弦波電流、梯形波電流或矩形波電流。
梯形波電流或矩形波電流可以包含一些波動(dòng)。另外，可以使直流電流重疊在上述交變電流上。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第五方面涉及如第二方面所述的電解設(shè)備，其中電解槽是垂直電解槽、水平電解槽或徑向電解槽。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第六方面涉及如第五方面所述的設(shè)備，它具有至少兩個(gè)電解槽，并且在上游電解槽處的電流密度與在下游電解槽處的電流密度的比率為1.2∶1至2∶1。
通過將在上游電解槽和下游電解槽處的電流密度設(shè)定成使這兩個(gè)電流密度處于上述比率中，從而在以高電流密度對(duì)鋁帶進(jìn)行處理的同時(shí)以高輸送速度進(jìn)行輸送的情況下可以進(jìn)一步有效地防止表面缺陷的形成。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第七方面涉及如第五方面所述的電解設(shè)備，其中在下游電解槽處的電流密度為15-30A/dm2。
如果將在下游電解槽處的電流密度設(shè)定在上述范圍內(nèi)的話，則可以有效地防止表面缺陷的形成。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第八方面涉及如第五方面所述的電解設(shè)備，其中該設(shè)備具有三個(gè)或多個(gè)電解槽。
通過使用當(dāng)前方面的設(shè)備，可以以更高的電流密度并且以更高的輸送速度生產(chǎn)出沒有任何表面缺陷的鋁基體。
在位于從最下游位置到第二最下游位置的電解槽中，可以將電流密度設(shè)定為等于MCA，而可以將處于最下游的電解槽中的密度設(shè)定為比MCA更低的MCB。
另一方面，當(dāng)將電流密度為MC1的交變電流施加在一個(gè)電解槽上并且將電流密度為MC2的交變電流施加在與之相鄰并且位于其下游的電解槽上時(shí)，可以將電流密度MC2設(shè)定為比電流密度MC1低。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第九方面涉及如第八方面所述的電解設(shè)備，其中在一電解槽中的電流密度為MC1；在與所述電解槽相鄰并且位于其下游的電解槽中的電流密度為MC2；并且電流密度MC2低于電流密度MC1。
通過如上所述設(shè)定在第八方面的設(shè)備中的電流密度，從而可以在更高的輸送速度下輸送鋁帶，并且可以以更高的電流密度生產(chǎn)出無表面缺陷的鋁基體。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十方面涉及如第五方面所述的電解設(shè)備，其中這些電解槽中的至少一個(gè)具有在引入鋁帶的入口部分處的軟起動(dòng)部分，并且該軟起動(dòng)部分如此設(shè)置，以使電流密度隨著鋁帶更進(jìn)一步輸送進(jìn)入電解槽而增加。
在上述電解槽中，電流密度在入口部分處最低，并且鋁帶輸送進(jìn)入電解槽越深，則電流密度變得越大。因此，高電流密度在電解槽的入口處不是突然施加在鋁帶上的，從而可以有效地防止產(chǎn)生由于高電流突然施加在鋁帶上而引起的表面缺陷。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十一方面涉及第十方面的電解設(shè)備，其中在位于入口部分處的所述軟起動(dòng)部分處的電流密度為10A/dm2或更小。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十二方面涉及如第十方面所述的電解設(shè)備，其中在位于入口部分處的軟起動(dòng)部分處的電流密度在1-5A/dm2的范圍內(nèi)。
通過在位于入口部分處的軟起動(dòng)部分處將電流密度設(shè)定在上述范圍內(nèi)，從而可以有效地防止所述表面缺陷的產(chǎn)生。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十三方面涉及如第十方面所述的電解設(shè)備，其中所述軟起動(dòng)部分形成具有根據(jù)以下等式計(jì)算出的長(zhǎng)度LMC×LS/L＝50-300
其中LS為鋁帶輸送穿過電解槽的輸送速度，而MC為電解槽中的電流密度。
通過根據(jù)上述等式確定出軟起動(dòng)部分的長(zhǎng)度，從而根據(jù)鋁帶的輸送速度和電解槽的電流密度來優(yōu)化該軟起動(dòng)部分的長(zhǎng)度。因此，對(duì)于軟起動(dòng)部分而言最有效的是具有長(zhǎng)度L。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十四方面涉及如第十方面所述的電解設(shè)備，其中軟起動(dòng)部分是形成在電解槽的電極的入口部分處的一漸近部分(asymptotic portion)，并且在該部分處電極在所輸送的鋁帶上施加交變電流；所述漸近部分如此形成，以沿著輸送方向靠近在其上輸送鋁帶的輸送表面。
電極和輸送表面之間的距離越大，則施加于在輸送表面上輸送的鋁帶上的電流變得越低。因此，通過在電解槽的入口部分處設(shè)置漸近部分，從而可以使電流密度從一低值連續(xù)地增加到預(yù)定數(shù)值。
輸送表面是在其上輸送鋁帶的假想面。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十五方面涉及第十方面的電解設(shè)備，其中所述電極是分段式電極，它包括一組彼此絕緣的小電極；并且所述軟起動(dòng)部分是通過將減流器連接在位于電解槽的入口部分處的小電極上來形成的。
在根據(jù)當(dāng)前方面的上述設(shè)備中，減流器插入在電源和位于入口處的小電極之間，并且可以減小施加在小電極上的交變電流的強(qiáng)度。因此，減流器可以降低施加在小電極上的電流密度。
當(dāng)具有更高電阻或阻抗的減流器與小電極連接時(shí)，在小電極處的電流密度更低。另一方面，當(dāng)將電阻或阻抗更低的減流器連接在小電極上時(shí)，在小電極處的電流密度更高。
因此，軟起動(dòng)部分也可以通過將電阻或阻抗更高的一個(gè)或多個(gè)減流器連接在位于在電解槽中的電極的入口部分處的小電極上并且將電阻或阻抗更低的一個(gè)或多個(gè)減流器連接在位于電極內(nèi)側(cè)部分處的小電極上來形成。
因此，通過將減流器連接在小電極上，從而可以形成軟起動(dòng)部分。因此可以通過連接具有不同電阻或阻抗的減流器來調(diào)節(jié)施加在電極上的電流強(qiáng)度。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的第十六方面涉及如第十五方面所述的電解設(shè)備，其中所述減流器選自一組電阻器和電感線圈。


圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電解設(shè)備的縱向剖視圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電解設(shè)備的縱向剖視圖。
具體實(shí)施例方式
1.第一實(shí)施例現(xiàn)在將對(duì)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于進(jìn)行電解粗糙化處理的設(shè)備100進(jìn)行說明，該設(shè)備具有兩個(gè)電解槽。
圖1顯示出用于進(jìn)行電解粗糙化處理的設(shè)備100的結(jié)構(gòu)。
如圖1中所示，用于電解粗糙化處理的設(shè)備100具有相對(duì)于鋁帶W的輸送方向位于上游位置處的電解槽2A以及相對(duì)于所述輸送方向位于下游位置處的電解槽2B。
電解槽2A和2B中的每一個(gè)具有裝有酸性電解液的主電解槽4，以及水平設(shè)置在該主電解槽4中并且圍繞著其軸線順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)以輸送鋁帶W的輸送輥6。
每一個(gè)主電解槽4具有基本上為圓筒形的內(nèi)壁，并且在該內(nèi)壁上設(shè)有形狀為半圓筒形的電極8A和8B，從而電極8A和8B包圍著輸送輥6。
電極8A和8B是分段電極，每個(gè)電極分別包括一組小電極82A和82B，并且每個(gè)電極還分別包括有絕緣體84A和84B。絕緣體84A插入在相鄰小電極82A之間，并且絕緣體84B插入在相鄰小電極82B之間。
小電極82A和82B可以由石墨、金屬等形成，而絕緣體84A和84B可以由聚氯乙烯樹脂等制成。
絕緣體84A和84B的厚度優(yōu)選為1-10mm。
在電極84A和84B中，每個(gè)小電極82A和82B與電源AC連接。小電極82A和絕緣體84A以及小電極82B和絕緣體84B分別由一個(gè)電極夾86保持，該電極夾由絕緣材料形成，以分別形成電極8A和8B。
電源AC向電極8A和8B施加交變電流。
電源AC的示例包括正弦波發(fā)生裝置，該裝置通過使用電感調(diào)整器和變壓器來轉(zhuǎn)變工業(yè)用電頻率的交變電流的電流和電壓，以產(chǎn)生正弦波；以及硅控整流器，它從由工業(yè)用電頻率的交變電流整流出的直流電流中產(chǎn)生出梯形或矩形電流。
在每個(gè)電解槽2A和2B的頂部具有開口20，通過該開口將鋁帶W引入和導(dǎo)出電解槽2A和2B。在每個(gè)開口20處，酸性電解液供應(yīng)管道10(用來將酸性電解液提供給主電解槽4)相對(duì)于輸送方向a設(shè)在下游電極8A附近?？梢圆捎孟跛崛芤?、鹽酸溶液等作為酸性電解液。
在每個(gè)電解槽20A和20B上并且在每個(gè)開口20附近設(shè)有上游導(dǎo)輥12，它們是一組用來將鋁帶W導(dǎo)入電解槽20A或電解槽20B的輥?zhàn)樱灰约跋掠螌?dǎo)輥14，用來從電解槽20A或電解槽20B中將鋁帶W導(dǎo)出。
在電解槽2A和電解槽2B中的每一個(gè)中，在主電解槽4的上側(cè)處設(shè)有輔助電解槽16。這些輔助電解槽16做得比主電解槽4更淺，并且每一個(gè)都具有扁平狀底部16A。形狀為板狀的輔助電極18設(shè)在每個(gè)底部16A處。
輔助電極18優(yōu)選可以由耐腐蝕金屬例如鉑、鐵氧體等形成。
輔助電極18分別與電極8B平行地連接在電源AC上。二極管22插入在電源AC和輔助電極18之間，從而電流沿著從電源AC到輔助電極18的方向流動(dòng)。
軟起動(dòng)部分88A和88B分別形成在電極8A和8B的上游端處。
軟起動(dòng)部分88A和88B分別具有漸近部分88A2和88B2，并且分別具有插入部分88A4和88B4。漸近部分88A2和88B2如此成形，即它們沿著輸送方向逐漸接近輸送輥6的表面。插入部分88A4和88B4分別位于漸近部分88A2和88B2的下游位置處，并且在電源AC以及電感插入部分88A4和88B4之間插入有電感線圈24。
施加在電解槽2A的電極8A和8B上的交變電流的電流密度高于施加在電解槽2B的電極8A和8B上的交變電流的電流密度。優(yōu)選的是，前者是后者的1.2-2倍。
施加在電解槽2B的電極8A和8B上的交變電流的電流密度優(yōu)選為15-30A/dm2。
現(xiàn)在將對(duì)電解粗糙化處理設(shè)備100的操作進(jìn)行說明。
首先將從圖1中的右邊導(dǎo)入電解槽2A中的鋁帶W引入輔助電解槽16。在該輔助電解槽16中，在鋁帶W的表面上發(fā)生陽極反應(yīng)。然后，通過上游導(dǎo)輥12將該鋁帶W導(dǎo)入主電解槽4中。
在該主電解槽4中，輸送輥6沿著輸送方向a輸送該鋁帶W。首先，鋁帶W通過軟起動(dòng)部分88B。在該軟起動(dòng)部分88B的上游端處，將其電流密度比電流密度MCA小得多的交變電流施加在鋁帶W上。在鋁帶W在主電解槽4中向下游輸送的同時(shí)，電流密度增加。在軟起動(dòng)部分88B的下游端處，電流密度等于MCA。
在通過軟起動(dòng)部分88B之后，鋁帶W沿著電極8B輸送，并且在面對(duì)著電極8B的鋁帶表面上發(fā)生陽極或陰極反應(yīng)。
在沿著電極8B輸送之后，鋁帶W通過軟起動(dòng)部分88A。在該軟起動(dòng)部分88A以及軟起動(dòng)部分88B處，將其電流密度比電流密度MCA小得多的交變電流施加在鋁帶W上。在鋁帶W向下游輸送的同時(shí)，電流密度增加，并且在軟起動(dòng)部分88A的下游端處，電流密度也等于MCA。
在通過軟起動(dòng)部分88A之后，鋁帶W沿著電極8A輸送，并且在面對(duì)著電極8A的鋁帶W表面上發(fā)生陽極或陰極反應(yīng)，這導(dǎo)致在鋁帶W的整個(gè)表面上形成蜂窩狀凹坑。
在經(jīng)過電解粗糙化處理之后，鋁帶W由下游導(dǎo)輥14引導(dǎo)以便導(dǎo)出電解槽2A的主電解槽4。
在導(dǎo)出電解槽2A之后，鋁帶W被導(dǎo)入電解槽2B。
在電解槽2B處，將該鋁帶W引入輔助電解槽16，以便進(jìn)行陽極化處理。
然后，通過上游導(dǎo)輥12將鋁帶W引入主電解槽4中。在電解槽2B的主電解槽4中，在軟起動(dòng)部分88A和88B的上游端處，將其電流密度比在電解槽2B中的電流密度MCB小得多的交變電流施加在鋁帶W上。在軟起動(dòng)部分88A和88B的下游端處，電流密度也等于MCB。在沿著軟起動(dòng)部分88A和88B下游的部分電極8A和8B輸送的同時(shí)，在MCB的電流密度下對(duì)鋁帶W進(jìn)行電解粗糙化處理。
在電解槽2B處的電流密度MCB低于在電解槽2A處的電流密度MCA。優(yōu)選的是，電流密度MCB在MCA/1.2至MCA/2的范圍內(nèi)。
在通過電解槽2B的主電解槽4之后，通過下游導(dǎo)輥14將鋁帶W導(dǎo)出。
在第一實(shí)施例的電解粗糙化處理設(shè)備100中，以在位于上游位置的電解槽2A處的電流密度的1/1.2-1/2倍的電流密度在最下游的電解槽2B中對(duì)鋁帶W進(jìn)行粗糙化處理。因此，在“背景技術(shù)”部分中提及的表面缺陷特別不容易形成。
另外，在每個(gè)電解槽2A和2B中的主電解槽4中設(shè)有軟起動(dòng)部分88A和88B，因此在主電解槽4的入口處將具有比施加于主電解槽4上的交變電流密度MCA或MCB更低的電流密度的交變電流施加在鋁帶W上。因此，當(dāng)鋁帶以更高的輸送速度輸送并且以更高的電流密度進(jìn)行粗糙時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生任何表面缺陷例如條紋，并且在整個(gè)鋁帶W的粗糙面上均勻地形成有蜂窩狀凹坑。
2.第二實(shí)施例圖2顯示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例具有三個(gè)電解槽的電解粗糙化處理設(shè)備102。
如圖2中所示，除了在電解槽2B的下游位置中設(shè)有其結(jié)構(gòu)與電解槽2B相同的電解槽2C外，電解粗糙化處理設(shè)備102具有與在第一實(shí)施例中的電解粗糙設(shè)備100相同的結(jié)構(gòu)。
在電解槽2B中的電流密度MCB可以設(shè)定得低于在電解槽2A中的電流密度MCA?？梢詫⒃谧钕掠蔚碾娊獠?C中的電流密度MCC設(shè)定成低于電流密度MCB。MCA/MCB和MCB/MCC的比率優(yōu)選為1.2/1-2/1。
另一方面，可以將電流密度MCA設(shè)定成等于電流密度MCB，并且可以將電流密度MCC設(shè)定成低于電流密度MCB。MCB/MCC的比率優(yōu)選為1.2-2/1。
例1-3和對(duì)照例1和2通過使用在圖1中所示的電解粗糙化處理設(shè)備100，對(duì)寬度為1000m、厚度為0.24mm的鋁帶W進(jìn)行電解粗糙化處理。電解槽2A和2B中的電流密度如表1中所示一樣設(shè)定。
通過肉眼觀察在粗糙化鋁帶W的表面上密度不同的白帶、顫痕和條紋的存在，以對(duì)在電解粗糙化處理設(shè)備100中經(jīng)過電解粗糙化處理的鋁帶W的表面質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。結(jié)果分成以下四種“優(yōu)良”、“良好”、“中等”和“差”。在表1中顯示出這些結(jié)果。
表1

如表1所示，在例1-3中，其中電流密度MCB低于電流密度MCA，幾乎沒有看到任何白帶、顫痕和條紋，并且所獲得的鋁基體具有良好的表面質(zhì)量。具體地說，在本發(fā)明的例子中，其中MCA是MCB的1.2-2倍，并且電流密度MCB在15-30A/dm2的范圍內(nèi)，沒有看到任何白帶、顫痕和條紋，并且所獲得的鋁基體具有優(yōu)良的表面質(zhì)量。
相反，在對(duì)照例即對(duì)照例1和對(duì)照例2中，其中MCB等于或大于MCA，在所獲得的鋁基體的表面上可以清楚地或清晰地看到白帶、顫動(dòng)擦痕和條紋，并且該鋁基體具有較差的表面質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)沿著一個(gè)方向輸送的金屬帶材進(jìn)行電解的電解設(shè)備，該設(shè)備包括多個(gè)順序布置的電解槽，其特征在于在酸性電解液中通過施加交變電流對(duì)所述金屬帶材進(jìn)行電解；在相對(duì)于輸送方向位于最下游位置處的電解槽中，以比在相對(duì)于輸送方向位于所述最下游電解槽上游的電解槽中更低的電流密度進(jìn)行電解。
2.如權(quán)利要求1所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述金屬帶材是鋁帶。
3.如權(quán)利要求2所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述酸性電解液的主要酸性組分包含選自硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸和磺酸中的至少一種酸。
4.如權(quán)利要求2所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述交變電流是正弦波電流、梯形波電流或矩形波電流。
5.如權(quán)利要求2所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述電解槽是垂直電解槽、水平電解槽或徑向電解槽。
6.如權(quán)利要求5所述的電解設(shè)備，其特征在于，它具有至少兩個(gè)電解槽，其中在上游電解槽處的電流密度與在下游電解槽處的電流密度的比率為1.2∶1-2∶1。
7.如權(quán)利要求5所述的電解設(shè)備，其特征在于，在所述下游電解槽處的電流密度為15-30A/dm2。
8.如權(quán)利要求5所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有三個(gè)或多個(gè)電解槽。
9.如權(quán)利要求8所述的電解設(shè)備，其特征在于，在一電解槽中的密度為MC1；在所述電解槽附近并且位于其下游的電解槽中的電流密度為MC2；該電流密度MC2低于電流密度MC1。
10.如權(quán)利要求5所述的電解設(shè)備，其特征在于，至少一個(gè)所述電解槽在導(dǎo)入鋁帶的入口部分處具有軟起動(dòng)部分，該軟起動(dòng)部分如此設(shè)置，從而電流密度隨著鋁帶進(jìn)一步輸送進(jìn)入電解槽而增加。
11.如權(quán)利要求10所述的電解設(shè)備，其特征在于，在位于入口部分處的所述軟起動(dòng)部分處的電流密度為10A/dm2或更小。
12.如權(quán)利要求10所述的電解設(shè)備，其特征在于，在位于入口部分處的所述軟起動(dòng)部分處的電流密度在1-5A/dm2的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求10所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述軟起動(dòng)部分具有根據(jù)以下等式計(jì)算出的長(zhǎng)度MC×LS/L＝50-300其中LS為鋁帶輸送穿過電解槽的輸送速度，而MC為電解槽中的電流密度。
14.如權(quán)利要求10所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述軟起動(dòng)部分為形成在電解槽的電極的入口部分處的漸近部分，并且在該部分處電極在所輸送的鋁帶上施加交變電流；所述漸近部分如此形成，以沿著輸送方向靠近在其上輸送鋁帶的輸送表面。
15.如權(quán)利要求10所述的電解設(shè)備，其特征在于所述電極是分段式電極，它包括一組彼此絕緣的小電極；以及所述軟起動(dòng)部分通過將減流器連接在位于電解槽的入口部分處的小電極上而形成。
16.如權(quán)利要求15所述的電解設(shè)備，其特征在于，所述減流器選自電阻器和電感線圈。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種電解設(shè)備,該設(shè)備即使在以高電流密度進(jìn)行電解的同時(shí)以高輸送速度輸送該鋁帶的情況下,也能夠防止在用于平版印刷板的鋁基體上形成表面缺陷例如白帶。該電解設(shè)備用于對(duì)沿著一個(gè)方向輸送的金屬帶進(jìn)行電解。該設(shè)備包括多個(gè)順序布置的電解槽,其中在酸性電解液中通過施加交變電流來對(duì)金屬帶進(jìn)行電解。在相對(duì)于金屬帶的輸送方向設(shè)在最下游位置的電解槽中,以比在相對(duì)于輸送方向設(shè)置在上游位置的電解槽中更低的電流密度進(jìn)行電解。
文檔編號(hào)C25D7/06GK1422985SQ0215479
公開日2003年6月11日 申請(qǐng)日期2002年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月5日
發(fā)明者廣川強(qiáng), 山崎徹 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社