本發(fā)明涉及一種電子倉(cāng)的磁場(chǎng)測(cè)量裝置。
背景技術(shù):
水下外磁場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng),目前多采用多芯信號(hào)線電纜從磁傳感器連接到磁場(chǎng)采集裝置(或處理裝置),但因?yàn)榇艂鞲衅骶挥谒拢掖艂鞲衅鞑杉拇艌?chǎng)信息以模擬信號(hào)形式傳輸,通過電纜傳輸容易導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。此外,現(xiàn)有技術(shù)中,一個(gè)采集裝置連接多個(gè)位于水下的磁傳感器,這樣會(huì)使用大量的線纜,現(xiàn)有技術(shù)存在傳輸精度低,線纜消耗大的弊端。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種測(cè)量精度高、線纜使用少的基于前置電子倉(cāng)的水下磁場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種電子倉(cāng)的磁場(chǎng)測(cè)量裝置,包括多個(gè)磁傳感器、前置電子倉(cāng)和工控屏,所述前置電子倉(cāng)和多個(gè)磁傳感器均位于水面以下,每個(gè)所述磁傳感器分別通過電纜連接至前置電子倉(cāng),所述前置電子倉(cāng)通過光纜連接至位于水面以上的工控屏;還包括位置顯示燈。
本發(fā)明的有益效果是:在每個(gè)磁傳感器采集的磁場(chǎng)信號(hào)以模擬信號(hào)的形式傳輸,這種模擬信號(hào)在水下傳輸?shù)倪^程中容易受到干擾或丟失,通過將多個(gè)磁傳感器的磁場(chǎng)信息發(fā)送至前置電子倉(cāng)的方案,可以大大減小模擬信號(hào)水下傳輸?shù)木嚯x,與此同時(shí),也節(jié)省了磁傳感器傳輸電纜的用料。這種方案既提高了系統(tǒng)測(cè)量精度,又節(jié)省了材料成本。通過光纜將前置電子倉(cāng)內(nèi)采集到的多個(gè)磁傳感器發(fā)送的磁場(chǎng)信息發(fā)送至工控屏,可以提高傳輸速率,增強(qiáng)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。工控屏可以直觀的將上述信息顯示出來(lái),也可以便于工作人員對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行操作。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
進(jìn)一步,所述前置電子倉(cāng)包括外殼,所述外殼內(nèi)設(shè)置有數(shù)據(jù)接收器和A/D轉(zhuǎn)換模塊,所述數(shù)據(jù)接收器接收每個(gè)所述磁傳感器發(fā)送的磁場(chǎng)信息并將其發(fā)送至A/D轉(zhuǎn)換模塊,所述A/D轉(zhuǎn)換模塊將數(shù)據(jù)接收器發(fā)送的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),所述A/D轉(zhuǎn)換模塊通過光纜連接至工控屏。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是,所述數(shù)據(jù)接收器可以匯集每個(gè)磁傳感器發(fā)送的磁場(chǎng)信息并發(fā)送給A/D轉(zhuǎn)換模塊,而A/D轉(zhuǎn)換模塊可以將上述模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并通過光纜發(fā)送至工控屏,這樣可以提高信號(hào)傳輸?shù)陌踩院头€(wěn)定性。
進(jìn)一步,所述外殼由耐腐蝕的不銹鋼板制成。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是,外殼由不銹鋼板制成,既可以保證抵抗水下壓強(qiáng)不變形,也能防止腐蝕導(dǎo)致水進(jìn)入殼體內(nèi)。
進(jìn)一步,所述外殼內(nèi)注有硅脂,所述硅脂將外殼內(nèi)除數(shù)據(jù)接收器和A/D轉(zhuǎn)換模塊外的所有空間填充滿。
所述硅脂的密度不小于1.2g/m3。
所述硅脂的密度為1.5g/m3或2.0g/m3。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是,使用硅脂填滿除數(shù)據(jù)接收器和A/D轉(zhuǎn)換模塊外的所有空間,既可以保證所述前置電子倉(cāng)的水密性,有可以提高電子倉(cāng)內(nèi)電子部件的散熱性能,保障儀器能長(zhǎng)時(shí)間的工作,實(shí)現(xiàn)了免維護(hù)的目的。選用密度不小于1.2g/m3的硅脂進(jìn)行填充,當(dāng)所述殼體有破損時(shí),由于硅脂的密度大于海水,可以防止海水倒灌進(jìn)入殼體。
附圖說明
圖1為本發(fā)明系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中,各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:
1、工控屏,2、前置電子倉(cāng),21、數(shù)據(jù)接收器,22、A/D轉(zhuǎn)換模塊,3、磁傳感器,4、電纜,5、光纜。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1,如圖1所示,一種電子倉(cāng)的磁場(chǎng)測(cè)量裝置,包括多個(gè)磁傳感器3、前置電子倉(cāng)2和工控屏1,所述前置電子倉(cāng)2和多個(gè)磁傳感器3均位于水面以下,每個(gè)所述磁傳感器3分別通過電纜4連接至前置電子倉(cāng)2,所述前置電子倉(cāng)2通過光纜5連接至位于水面以上的工控屏1。
實(shí)施例2,在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,本實(shí)施例中所述前置電子倉(cāng)2包括外殼,所述外殼內(nèi)設(shè)置有數(shù)據(jù)接收器21和A/D轉(zhuǎn)換模塊22,所述數(shù)據(jù)接收器21接收每個(gè)所述磁傳感器3發(fā)送的磁場(chǎng)信息并將其發(fā)送至A/D轉(zhuǎn)換模塊22,所述A/D轉(zhuǎn)換模塊22將數(shù)據(jù)接收器21發(fā)送的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),所述A/D轉(zhuǎn)換模塊21通過光纜5連接至工控屏1。
所述外殼由耐腐蝕的不銹鋼板制成。
所述外殼內(nèi)注有硅脂,所述硅脂將外殼內(nèi)除數(shù)據(jù)接收器21和A/D轉(zhuǎn)換模塊22外的所有空間填充滿。
所述硅脂的密度不小于1.2g/m3。
所述硅脂的密度為1.5g/m3或2.0g/m3。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。