本發(fā)明涉及蔬菜殺菌技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置及方法。

背景技術(shù)：

蔬菜清洗是蔬菜加工和凈菜生產(chǎn)中必不可少的工序之一。現(xiàn)有的蔬菜清洗機(jī)通過振動噴淋和滾筒可以實(shí)現(xiàn)蔬菜的自動清洗。振動噴淋式蔬菜清洗機(jī)有兩個清洗池，蔬菜先在振動清洗池中作往復(fù)運(yùn)動，進(jìn)行初步清洗，然后進(jìn)入噴淋池中用清水噴淋，完成整個清洗過程。傳統(tǒng)的洗菜機(jī)的清洗方式僅是能夠清洗果菜的表面污物和泥土，對蔬菜水果表面的細(xì)菌和農(nóng)藥的作用不明顯，部分洗菜機(jī)增加了超聲技術(shù)和臭氧技術(shù)。

但是，超聲滅菌技術(shù)的缺點(diǎn)在于：超聲處理量較小，超聲滅菌目前還不能用于工業(yè)化生產(chǎn)，超聲波對食品中微生物的影響，及其最終導(dǎo)致的潛在安全性問題研究不足。因此，大規(guī)模應(yīng)用于蔬菜殺菌也有一定的距離。超聲波單獨(dú)作用時，容易作用不徹底，且影響因素較多。若增加強(qiáng)度，會提高其滅菌率，但會造成設(shè)備的嚴(yán)重?fù)p耗。

臭氧滅菌技術(shù)的缺點(diǎn)在于：臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的臭氧，具有濃重刺鼻的味道，還有氮氧化合物存在，且對果菜和洗滌水的殺菌、除去水中有害雜質(zhì)及凈化的綜合作用不明顯，難以形成互相協(xié)同作用以及殺菌范圍更大的殺菌效果。

如何提高蔬菜的殺菌效率，降低設(shè)備損耗和設(shè)備成本，方便用戶使用，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供一種洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置及方法，提高蔬菜的殺菌效率，降低設(shè)備損耗和設(shè)備成本，方便用戶使用。

第一方面，本發(fā)明提供一種洗菜機(jī)用磁場殺菌裝置，該裝置包括：進(jìn)水管、清洗池和出水管，其中，清洗池設(shè)置有殺菌用磁場發(fā)生器。

本發(fā)明提供另一種洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，該裝置包括依次連接的進(jìn)水管、清洗池和出水管。清洗池的側(cè)壁設(shè)有磁場線圈和脈沖磁場發(fā)生器，磁場線圈與磁場脈沖發(fā)生器連接。磁場線圈包括第一磁場線圈L1和第二磁場線圈L2。脈沖磁場發(fā)生器包括第一電路、第二電路和隔離變頻器。第一電路包括輸入電源(Vin)、濾波電感(Ldc)、第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第一體二極管(D1)、第二體二極管(D2)、第一諧振電容(Cr1)、第二諧振電容(Cr2)、第一續(xù)流電容(C1)、第二續(xù)流電容(C2)、第一保護(hù)電容(Ct1)和漏磁電感(Ls)。輸入電源(Vin)的正極與濾波電感(Ldc)的第一端連接，輸入電源(Vin)的負(fù)極分別與第二MOS管(S2)的漏極、第二體二極管(D2)的正極、第二諧振電容(Cr2)的第一端和第二續(xù)流電容(C2)的第一端連接。濾波電感(Ldc)的第二端分別與第一MOS管(S1)的漏極、第一體二極管(D1)的正極、第一諧振電容(Cr1)的第一端、第二MOS管(S2)的源極、第二體二極管(D2)的負(fù)極、第二諧振電容(Cr2)的第二端和第一保護(hù)電容(Ct1)的第一端連接。第一MOS管(S1)的源極分別與第一體二極管(D1)的負(fù)極、第一諧振電容(Cr1)的第二端和第一續(xù)流電容(C1)的第一端連接，第一保護(hù)電容(Ct1)的第二端與第一磁場線圈L1、漏磁電感(Ls)依次連接。第二電路包括第二保護(hù)電容(Ct2)、第三MOS管(S3)、第四MOS管(S4)、第三體二極管(D3)、第四體二極管(D4)、第三諧振電容(Cr3)、第四諧振電容(Cr4)、第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)連接。第二磁場線圈L2和第二保護(hù)電容(Ct2)的第一端連接，第二保護(hù)電容(Ct2)的第二端分別與第三MOS管(S3)的漏極、第四MOS管(S4)的源極、第三體二極管(D3)的正極、第四體二極管(D4)的負(fù)極、第三諧振電容(Cr3)的第一端和第四諧振電容(Cr4)的第一端連接，第三MOS管(S3)的源極分別與第三體二極管(D3)的負(fù)極、第三諧振電容(Cr3)的第二端和第三續(xù)流電容(C3)的第一端連接，第四MOS管(S4)的漏極分別與第四體二極管(D4)的正極、第四諧振電容(Cr4)的第二端和第四續(xù)流電容(C4)的第一端連接。隔離變頻器的初級繞組的第一端與漏磁電感(Ls)連接，隔離變頻器的初級繞組的第二端分別與第一續(xù)流電容(C1)和第二續(xù)流電容(C2)的第二端連接，隔離變頻器的次級繞組的第一端與第二磁場線圈L2連接，隔離變頻器的次級繞組的第二端分別與第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)的第二端連接。

進(jìn)一步地，輸入電源(Vin)為直流電源。

進(jìn)一步地，第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的開關(guān)頻率為50KHz。

基于上述任意洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，進(jìn)一步地，洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的磁場強(qiáng)度為3.5T。

進(jìn)一步地，第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)均為N溝道增強(qiáng)型MOS管。

進(jìn)一步地，第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的占空比為0.5。

基于上述任意洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，進(jìn)一步地，第一保護(hù)電容(Ct1)和第二保護(hù)電容(Ct2)的電容值為1uF/1500V。

基于上述任意洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，進(jìn)一步地，清洗池的側(cè)壁包括由外到內(nèi)依次連接的外殼、銅網(wǎng)、磁場線圈、絕緣層和內(nèi)壁。

第二方面，本發(fā)明提供一種利用了上述洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌方法，該方法包括：

步驟S1，控制第一MOS管(S1)和第三體二極管(D3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)低于第二電流(Ir1)，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第一續(xù)流電容(C1)的第一電壓值(V1)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；

步驟S2，控制第一MOS管(S1)關(guān)斷，控制第二MOS管(S2)導(dǎo)通，第三體二極管(D3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)上升，第二電流(Ir1)下降至零，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)由第一電壓值(V1)下降，直至與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；

步驟S3，控制第二MOS管(S2)和第三MOS管(S3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)繼續(xù)上升，第二電流(Ir1)的極性改變，反向增大，

隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；

步驟S4，控制第三MOS管(S3)關(guān)斷，控制第四MOS管(S4)導(dǎo)通，第一電流(Id1)繼續(xù)上升，第二電流(Ir1)繼續(xù)反向增大，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)由第三電壓值(V3)下降至第四電壓值(-V4)；

步驟S5，控制第一MOS管(S1)和第四MOS管(S4)導(dǎo)通，第一電流(Id1)下降，第二電流(Ir1)反向減小至零后正向增大，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)由第二電壓值(-V2)上升至第一電壓值(V1)，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第四續(xù)流電容(C4)的第四電壓值(-V4)相同。

本發(fā)明洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置及方法，采用四個MOS管交替通斷，使隔離變頻器產(chǎn)生高頻脈沖交流電壓，磁場脈沖發(fā)生器即可向磁場線圈提供強(qiáng)脈沖磁場，作用于清洗池中的蔬菜，將蔬菜中的細(xì)菌微生物受到強(qiáng)脈沖磁場的作用導(dǎo)致死亡，可應(yīng)用于各種細(xì)菌滅殺，殺菌率高，設(shè)備體積小，便于安裝，設(shè)備成本低，節(jié)約能耗，且不易形成水垢，或產(chǎn)生微量疏松絮狀水垢，容易從出水管中排除，且不影響進(jìn)水管進(jìn)水。

因此，本發(fā)明洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置及方法，能夠提高蔬菜的殺菌效率，降低設(shè)備損耗和設(shè)備成本，方便用戶使用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。在所有附圖中，類似的元件或部分一般由類似的附圖標(biāo)記標(biāo)識。附圖中，各元件或部分并不一定按照實(shí)際的比例繪制。

圖1示出了本發(fā)明所提供的一種洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的安裝示意圖；

圖2示出了本發(fā)明所提供的一種脈沖磁場發(fā)生器與磁場線圈的連接示意圖；

圖3示出了本發(fā)明所提供的一種隔離變頻器的電壓與電流的波形圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，因此只是作為示例，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

需要注意的是，除非另有說明，本申請使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常意義。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種洗菜機(jī)用磁場殺菌裝置，該裝置包括：進(jìn)水管、清洗池和出水管，其中，清洗池設(shè)置有殺菌用磁場發(fā)生器。

本發(fā)明實(shí)施例提供另一種洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，結(jié)合圖1，該裝置包括依次連接的進(jìn)水管1、清洗池2和出水管3。清洗池2的側(cè)壁設(shè)有磁場線圈23和脈沖磁場發(fā)生器，磁場線圈23與磁場脈沖發(fā)生器連接。結(jié)合圖2，磁場線圈23包括第一磁場線圈L1和第二磁場線圈L2。脈沖磁場發(fā)生器包括第一電路、第二電路和隔離變頻器。第一電路包括輸入電源(Vin)、濾波電感(Ldc)、第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第一體二極管(D1)、第二體二極管(D2)、第一諧振電容(Cr1)、第二諧振電容(Cr2)、第一續(xù)流電容(C1)、第二續(xù)流電容(C2)、第一保護(hù)電容(Ct1)和漏磁電感(Ls)，輸入電源(Vin)的正極與濾波電感(Ldc)的第一端連接，輸入電源(Vin)的負(fù)極分別與第二MOS管(S2)的漏極、第二體二極管(D2)的正極、第二諧振電容(Cr2)的第一端和第二續(xù)流電容(C2)的第一端連接，濾波電感(Ldc)的第二端分別與第一MOS管(S1)的漏極、第一體二極管(D1)的正極、第一諧振電容(Cr1)的第一端、第二MOS管(S2)的源極、第二體二極管(D2)的負(fù)極、第二諧振電容(Cr2)的第二端和第一保護(hù)電容(Ct1)的第一端連接，第一MOS管(S1)的源極分別與第一體二極管(D1)的負(fù)極、第一諧振電容(Cr1)的第二端和第一續(xù)流電容(C1)的第一端連接，第一保護(hù)電容(Ct1)的第二端與第一磁場線圈L1、漏磁電感(Ls)依次連接。第二電路包括第二保護(hù)電容(Ct2)、第三MOS管(S3)、第四MOS管(S4)、第三體二極管(D3)、第四體二極管(D4)、第三諧振電容(Cr3)、第四諧振電容(Cr4)、第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)連接，第二磁場線圈L2和第二保護(hù)電容(Ct2)的第一端連接，第二保護(hù)電容(Ct2)的第二端分別與第三MOS管(S3)的漏極、第四MOS管(S4)的源極、第三體二極管(D3)的正極、第四體二極管(D4)的負(fù)極、第三諧振電容(Cr3)的第一端和第四諧振電容(Cr4)的第一端連接，第三MOS管(S3)的源極分別與第三體二極管(D3)的負(fù)極、第三諧振電容(Cr3)的第二端和第三續(xù)流電容(C3)的第一端連接，第四MOS管(S4)的漏極分別與第四體二極管(D4)的正極、第四諧振電容(Cr4)的第二端和第四續(xù)流電容(C4)的第一端連接。隔離變頻器的初級繞組的第一端與漏磁電感(Ls)連接，隔離變頻器的初級繞組的第二端分別與第一續(xù)流電容(C1)和第二續(xù)流電容(C2)的第二端連接，隔離變頻器的次級繞組的第一端與第二磁場線圈L2連接，隔離變頻器的次級繞組的第二端分別與第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)的第二端連接。其中，清洗池2上面是開放的，可以直接放入蔬菜；第一續(xù)流電容(C1)、第二續(xù)流電容(C2)、第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)為隔離變頻器的續(xù)流作用的電容，實(shí)現(xiàn)第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)零電壓通斷作用；漏磁電感(Ls)是隔離變頻器能量傳輸?shù)闹匾?，同時也保證了隔離變頻器的軟開關(guān)作用；第一保護(hù)電容(Ct1)和第二保護(hù)電容(Ct2)兩端的電壓紋波很小，對四個MOS管起到保護(hù)作用。

本實(shí)施例洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，采用四個MOS管交替通斷，使隔離變頻器產(chǎn)生高頻脈沖交流電壓，磁場脈沖發(fā)生器即可向磁場線圈23提供強(qiáng)脈沖磁場，作用于清洗池2中的蔬菜，將蔬菜中的細(xì)菌微生物受到強(qiáng)脈沖磁場的作用導(dǎo)致死亡，可應(yīng)用于各種細(xì)菌滅殺，殺菌率高，設(shè)備體積小，便于安裝，設(shè)備成本低，節(jié)約能耗，且不易形成水垢，或產(chǎn)生微量疏松絮狀水垢，容易從出水管3中排除，且不影響進(jìn)水管1進(jìn)水。

因此，本實(shí)施例洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置，能夠提高蔬菜的殺菌效率，降低設(shè)備損耗和設(shè)備成本，方便用戶使用。

為了進(jìn)一步提高本實(shí)施例洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的系統(tǒng)性能，在設(shè)備參數(shù)設(shè)定方面，輸入電源(Vin)優(yōu)選為直流電源，輸出電壓為24V。第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的開關(guān)頻率優(yōu)選為50KHz。第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的占空比優(yōu)選為0.5。洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的磁場強(qiáng)度為3.5T。該裝置能夠產(chǎn)生3.5T的磁場強(qiáng)度，能夠提高殺菌效率，且能夠降低裝置的功耗。

在器件選擇方面，第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)均為N溝道增強(qiáng)型MOS管。第一保護(hù)電容(Ct1)和第二保護(hù)電容(Ct2)均選擇電容值為1uF/1500V的電容。采用N溝道增強(qiáng)型MOS管，導(dǎo)通電阻小，有利于降低導(dǎo)通損耗，且容易制造，生成量大。

在裝置的安裝方面，清洗池2的側(cè)壁包括由外到內(nèi)依次連接的外殼21、銅網(wǎng)22、磁場線圈23、絕緣層24和內(nèi)壁，確保強(qiáng)脈沖磁場對外界環(huán)境無影響，且保證清洗池2內(nèi)的液體不會影響電路器件正常工作。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種利用了上述洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌裝置的洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌方法，該方法主要為周期性控制第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的導(dǎo)通與關(guān)閉，使隔離變頻器產(chǎn)生一個如圖3所示的高頻脈沖交流電壓，具體步驟如下：

步驟S1，控制第一MOS管(S1)和第三體二極管(D3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)低于第二電流(Ir1)，

隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第一續(xù)流電容(C1)的第一電壓值(V1)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同，如圖3的t1時段所示；

步驟S2，控制第一MOS管(S1)關(guān)斷，控制第二MOS管(S2)導(dǎo)通，第三體二極管(D3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)上升，第二電流(Ir1)下降至零，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)由第一電壓值(V1)下降，直至與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同，具體變化如圖3的t2時段所示，

其中，第一MOS管(S1)關(guān)斷，第一諧振電容(Cr1)、第二諧振電容(Cr2)和漏磁電感(Ls)開始諧振，使得第二諧振電容(Cr2)兩邊的電壓由V₁+V₂開始下降，第一保護(hù)電容(Ct1)被充電。充放電的快慢取決于在t₁時段結(jié)束時刻，第一電流(Id1)和第二電流(Ir1)的差值。當(dāng)?shù)诙C振電容(Cr2)兩邊的電壓下降到零時，第二MOS管(S2)的第二體二極管(D2)導(dǎo)通,第一諧振電容(Cr1)的電壓被充電到V₁+V₂。在此期間,第二MOS管(S2)在ZVS條件下導(dǎo)通。同時，第一電流(Id1)大于第二電流(Ir1)，由第二體二極管(D2)導(dǎo)通轉(zhuǎn)移為第二MOS管(S2)導(dǎo)通。

步驟S3，控制第二MOS管(S2)和第三MOS管(S3)導(dǎo)通，第一電流(Id1)繼續(xù)上升，第二電流(Ir1)的極性改變，反向增大，由第三體二極管(D3)導(dǎo)通轉(zhuǎn)移為第三MOS管(S3)導(dǎo)通，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同，如圖3的t3時段所示；

步驟S4，控制第三MOS管(S3)關(guān)斷，控制第四MOS管(S4)導(dǎo)通，第一電流(Id1)繼續(xù)上升，第二電流(Ir1)繼續(xù)反向增大，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)由第三電壓值(V3)下降至第四電壓值(-V4)，具體變化如圖3的t4時段所示，

其中，第三MOS管(S3)關(guān)斷，第三諧振電容(Cr3)和第四諧振電容(Cr4)進(jìn)行充放電，充放電的快慢取決于在t₄時段第二電流(Ir1)的大小。當(dāng)?shù)谒闹C振電容(Cr4)的電壓下降到零時，第四體二極管(D4)開始導(dǎo)通。在此期間，第四MOS管(S4)在ZVS條件下導(dǎo)通；

步驟S5，控制第一MOS管(S1)和第四MOS管(S4)導(dǎo)通，第一電流(Id1)下降，第二電流(Ir1)反向減小至零后正向增大，隔離變頻器的初級繞組電壓值(Vr1)由第二電壓值(-V2)上升至第一電壓值(V1)，隔離變頻器的次級繞組電壓值(Vr2)與所述第四續(xù)流電容(C4)的第四電壓值(-V4)相同，如圖3的t5時段所示，

其中，第二MOS管(S2)關(guān)斷，第一諧振電容(Cr1)、第二諧振電容(Cr2)和漏磁電感(Ls)開始諧振，使得第一諧振電容(Cr1)兩邊的電壓由V₁+V₂開始下降，充放電的快慢取決于在之期間第一電流(Id1)和第二電流(Ir1)的總和。當(dāng)?shù)谝恢C振電容C_r1兩邊的電壓V₁+V₂開始下降到零時，第一體二極管(D1)開始導(dǎo)通。第二電流(Ir1)也開始方向減小，直到為零。在此期間，第一MOS管(S1)在ZVS條件下導(dǎo)通。

本實(shí)施例洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌方法，采用四個MOS管交替通斷，使隔離變頻器產(chǎn)生高頻脈沖交流電壓，磁場脈沖發(fā)生器即可向磁場線圈提供強(qiáng)脈沖磁場，作用于清洗池中的蔬菜，將蔬菜中的細(xì)菌微生物受到強(qiáng)脈沖磁場的作用導(dǎo)致死亡，可應(yīng)用于各種細(xì)菌滅殺，殺菌率高，設(shè)備體積小，便于安裝，設(shè)備成本低，節(jié)約能耗，且不易形成水垢，或產(chǎn)生微量疏松絮狀水垢，容易從出水管中排除，且不影響進(jìn)水管進(jìn)水。

因此，本實(shí)施例洗菜機(jī)用掃頻磁場殺菌方法，能夠提高蔬菜的殺菌效率，降低設(shè)備損耗和設(shè)備成本，方便用戶使用。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求和說明書的范圍當(dāng)中。