技術(shù)總結(jié)
提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在絕緣層上形成使絕緣層的一部分露出的氧化物半導(dǎo)體層，對(duì)從氧化物半導(dǎo)體層露出的絕緣層進(jìn)行使用了含有氯的氣體的等離子處理，將露出的絕緣層的表層的氯雜質(zhì)除去。氯雜質(zhì)也可以通過使用含有氟的氣體的第1蝕刻處理而被除去。含有氟的氣體也可以包括CF4以及CHF3。等離子處理可以是使用含有氯的氣體的第2蝕刻處理。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐木俊成;鈴村功
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社日本顯示器
文檔號(hào)碼：201610509513
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.30
技術(shù)公布日：2017.02.15