雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針及其制備方法，屬于納米技術(shù)及化學(xué)分析領(lǐng)域。該探針的制備方法包括以下步驟：(1)采用巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，與硅烷劑反應(yīng)制得氨基表面功能化的CdSe@SiO2核殼復(fù)合物；(2)將巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)分散液滴加至核殼復(fù)合物體系中，制得CdSe@SiO2?CdTe納米復(fù)合物；(3)向納米復(fù)合物體系中通入NO，測(cè)定該體系的熒光發(fā)射光譜，擬合CdTe與CdSe雙量子點(diǎn)的比率熒光強(qiáng)度與NO濃度之間的線性關(guān)系，構(gòu)建基于CdSe@SiO2?CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的熒光探針引入了比率熒光強(qiáng)度可顯著提高NO探測(cè)的準(zhǔn)確性和可行性，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
【專利說(shuō)明】
雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及納米技術(shù)及化學(xué)分析領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為人體中產(chǎn)生的一種雙原子自由基，一氧化氮(nitricoxide ,NO)有效地調(diào)節(jié)著心血管、呼吸及神經(jīng)系統(tǒng)的生理功能。NO也積極參與免疫反應(yīng)，促進(jìn)巨噬細(xì)胞抗擊外來(lái)病原體。NO具有性質(zhì)活潑、壽命短，快速發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，易與其它物質(zhì)結(jié)合等特點(diǎn)。作為重要的生物信使分子，NO可在細(xì)胞和組織中快速擴(kuò)散，進(jìn)而與目標(biāo)物發(fā)生反應(yīng)?；诖?，探測(cè)NO是一項(xiàng)十分有意義的工作，發(fā)展一種高效的NO探測(cè)方法也引起了相關(guān)學(xué)者廣泛的研究興趣。
[0003]相比采用傳統(tǒng)的電化學(xué)法、紫外-可見(jiàn)光譜法、電子自旋共振波譜法等方法探測(cè)NO，熒光法探測(cè)NO具有顯著的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)闊晒夥ň哂胁僮骱?jiǎn)單、靈敏度高、實(shí)時(shí)性等優(yōu)點(diǎn)。文獻(xiàn)研究表明:現(xiàn)有的絕大多數(shù)NO熒光探針采用單一熒光的變化來(lái)探測(cè)NO。在實(shí)際的NO探測(cè)中，探針體系的熒光強(qiáng)度易受其自身濃度及探測(cè)環(huán)境的干擾(如溶劑、PH、溫度、離子強(qiáng)度等因素)，進(jìn)而影響了單一熒光探測(cè)NO的準(zhǔn)確性和可行性。當(dāng)探針體系中引入?yún)⒈葻晒猓c原有熒光構(gòu)建出比率型熒光強(qiáng)度來(lái)測(cè)定NO，可避免探針自身濃度及探測(cè)環(huán)境的干擾。鑒于采用了比率熒光強(qiáng)度的方式，這將顯著提高NO探測(cè)的準(zhǔn)確性和可行性。
[0004]在先前的文獻(xiàn)報(bào)道中，Barker等構(gòu)建了基于細(xì)胞色素與有機(jī)染料的復(fù)合物，用于比率焚光測(cè)定巨卩蜜細(xì)胞內(nèi)外的NO(S.L.R.Barker，H.A.Clark，S.F.Swallen andR.Kopelman1Anal.Chem.，1999,71，1767-1772) ； Soh等報(bào)道了熒光胺標(biāo)記金屬有機(jī)化合物與染料的復(fù)合物用于比率焚光探測(cè)購(gòu)(1^.3011，1'.1111&1:0，1(.Kawamura , M.Maeda andY.Katayama, Chem.Commun., 2002,2650-2651) ； Yuan等和Yu等發(fā)展了兩個(gè)不同有機(jī)染料分子的結(jié)合物用于比率焚光傳感NO ( L.Yuan，W.Lin，Y.Xi e，B.Chen and J.Song ,Chem.Commun.,2011,47,9372-9374；H.Yu,L.Jin,Y.Dai,H.Li and Y.Xiao,New J.Chem.,2013，37,1688-1691); Tian等設(shè)計(jì)了鑭系化合物與羅丹明雙負(fù)載的去鐵鐵蛋白用于比率發(fā)光傳感N0(L.Tian，Z.Dai，X.Liu，B.Song，Z.Ye and J.Yuan,Anal.Chem.,2015,87,10878-10885) o
[0005]相比有機(jī)焚光染料，膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(quantumdots，QDs)具有成本低、制備簡(jiǎn)單、熒光穩(wěn)定性好、熒光量子產(chǎn)率高、激發(fā)光譜寬、發(fā)射波長(zhǎng)和尺寸可調(diào)等諸多顯著優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)查閱文獻(xiàn)表明:盡管使用量子點(diǎn)單一熒光測(cè)定勵(lì)的工作已有報(bào)道仏.了&113.￥&11，!1.1^ andQ.Lu,Acta B1mater.,2012,8,3744-3753；L.Tan,A.Wan and H.Li,Mater.Chem.Phys.,2013，138,956-962)，截至目前，尚未有基于雙量子點(diǎn)構(gòu)建的復(fù)合物用于比率熒光探測(cè)NO的國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)和相關(guān)專利報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種操作簡(jiǎn)單、成本較低、穩(wěn)定性好、可行性高，在納米科學(xué)、生物醫(yī)藥及化學(xué)分析等技術(shù)領(lǐng)域有良好應(yīng)用前景的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針。
[0007]本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)任務(wù)是提供上述熒光探針的制備方法。
[0008]本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是按以下方式實(shí)現(xiàn)的:雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其制備方法包括以下步驟:
[0009](I)采用巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，與硅烷劑反應(yīng)制得氨基表面功能化的CdSeOS12核殼復(fù)合物；
[0010](2)將巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)分散液滴加至步驟(I)所述核殼復(fù)合物體系中，制得CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；
[0011](3)向步驟(2)所述納米復(fù)合物體系中通入NO，測(cè)定該體系的熒光發(fā)射光譜，擬合CdTe與CdSe雙量子點(diǎn)的比率熒光強(qiáng)度(IcdTe/IMSe)與NO濃度之間的線性關(guān)系，構(gòu)建基于CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0012]步驟(I)的具體方法:
[0013]首先，將巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)水分散液與配體交換劑添加至前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散后，在攪拌條件下反應(yīng)一定時(shí)間，提純得到CdSeOS12復(fù)合物;然后對(duì)CdSeOS12復(fù)合物的S12表面進(jìn)行-NH2改性，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物。
[0014]所述配體交換劑為十六烷基三甲基溴化銨或兩親性表面活性劑(如十二烷基磺酸鈉等)，優(yōu)選為十六烷基三甲基溴化銨。
[0015]所述前驅(qū)體溶液可以是含有硅烷劑的堿性溶液，優(yōu)選為乙醇、蒸餾水、氨水和硅烷劑的混合液，乙醇、蒸餾水、氨水和硅烷劑的體積比為50:(0.5-1.5):(0.5-1.5):(0.1-1),所述硅烷劑優(yōu)選為原硅酸四乙酯。
[0016]對(duì)CdSeOS12復(fù)合物的S12表面進(jìn)行-NH2改性時(shí)，可選用3-氨基丙基三乙氧基硅烷提供-NH2，并在醇劑中完成改性處理。所述醇劑優(yōu)選為乙醇等。
[0017]3-氨基丙基三乙氧基硅烷、醇劑的體積比為50: (0.1 -0.2);
[0018]CdSeOS12復(fù)合物與3-氨基丙基三乙氧基硅烷的質(zhì)量/體積比為:10?40mg:0.1?
0.2ml ο
[0019]作為優(yōu)選，步驟(I)中所述的CdSe量子點(diǎn)最大發(fā)射波長(zhǎng)為500?550nm，CdSe量子點(diǎn)水分散液的質(zhì)量濃度為1-1Omg mL—1XdSe量子點(diǎn)表面S12殼層厚度為5?25nm。
[0020]步驟(2)中，巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)水分散液與CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液混合，制得CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物。其具體方法優(yōu)選為:將適量CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至一定濃度的CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物。
[0021]作為優(yōu)選，步驟(2)中所述的CdTe量子點(diǎn)最大發(fā)射波長(zhǎng)為600?650nm，CdTe量子點(diǎn)分散液的質(zhì)量濃度為I?5mg HiL-1XdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液的質(zhì)量濃度為I?1mg mL—1O
[0022 ]步驟(3)中所述的體系中NO濃度范圍優(yōu)選為0.0I?ΙΟμΜ，(如體系內(nèi)NO濃度梯度為0.1?2.24]?，或0.05?2.54]\1，或0.05?5.(^]\1，或0.01?5.(^]\1等)。線性擬合時(shí)選取的勵(lì)濃度值數(shù)量?jī)?yōu)選為8?20個(gè)。
[0023]本發(fā)明的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針采用簡(jiǎn)易的靜電自組裝方法構(gòu)建出雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物，依據(jù)外層量子點(diǎn)的熒光會(huì)被NO淬滅，而內(nèi)層量子點(diǎn)的熒光不受影響，進(jìn)而構(gòu)建出基于該雙量子點(diǎn)的NO比率熒光探針。
[0024]與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明的熒光探針具有方法簡(jiǎn)單、成本較低、熒光穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，且引入了比率熒光強(qiáng)度可顯著提高NO探測(cè)的準(zhǔn)確性和可行性，對(duì)于發(fā)展高質(zhì)量的NO探針具有一定的參考價(jià)值。
【附圖說(shuō)明】
[0025]附圖1為本發(fā)明雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法示意圖；
[0026]附圖2為CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物在不同NO濃度存在條件下的一系列熒光發(fā)射光譜圖；
[0027]附圖3為CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的比率熒光強(qiáng)度(IcdTe/IcdSe即I6Q3/I532)與NO濃度之間的線性擬合曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0028]參照說(shuō)明書(shū)附圖以具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針及其制備方法作以下詳細(xì)地說(shuō)明。
[0029]如無(wú)特別說(shuō)明，下述所用各成分的含量為重量百分比含量。
[0030]實(shí)施例一:
[0031]雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法(如圖1所示)，詳細(xì)的制備步驟如下:(I)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為532nm，配置成質(zhì)量濃度為2mgmL—1的水分散液；(2)取5mL CdSe量子點(diǎn)水分散液與0.1g十六烷基三甲基溴化銨添加至“50mL乙醇+ImL蒸餾水+ImL氨水+0.2mL原硅酸四乙酯”的前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散lOmin，然后在室溫和磁力攪拌下反應(yīng)2h; (3)通過(guò)離心處理得到CdSe@Si02復(fù)合物，殼層厚度控制約為5nm，將其分散在“50mL乙醇+0.lmL3-氨基丙基三乙氧基硅燒”混合液中，在室溫下磁力攪拌反應(yīng)6h，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物，配置成質(zhì)量濃度為2mg mL—1備用；
(4)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為603nm，配置質(zhì)量濃度為Img mL—1的水分散液；(5)取2mL CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至2mg mL—M^CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得Img mL—1的CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；(6)向該納米復(fù)合物體系中通入NO，體系內(nèi)NO濃度梯度為0.1?2.2μΜ，選取NO濃度值數(shù)量為10個(gè)，測(cè)定體系的焚光發(fā)射光譜(如圖2所不)；(7 )對(duì)體系的比率焚光強(qiáng)度(iMTe/lMSe即I6Q3/I532)與NO濃度進(jìn)行線性擬合(如圖3所示)，進(jìn)而得到基于該CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0032]實(shí)施例二:
[0033]雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法，詳細(xì)的制備步驟如下:(1)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為540nm，配置成質(zhì)量濃度為4mg mL—1的水分散液；(2)取5mL CdSe量子點(diǎn)水分散液與0.2g十六烷基三甲基溴化銨添加至“l(fā)OOmL乙醇+2mL蒸餾水+2mL氨水+0.4mL原硅酸四乙酯”的前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散1min，然后在室溫和磁力攪拌下反應(yīng)2h; (3)通過(guò)離心處理得到CdSe@Si02復(fù)合物，殼層厚度控制約為10nm，將其分散在u10mL乙醇+0.2mL3_氨基丙基三乙氧基硅燒”混合液中，在室溫下磁力攪拌反應(yīng)6h，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物，配置成質(zhì)量濃度為4mg mL—1備用；(4)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為615nm，配置質(zhì)量濃度為2mg mL—1的水分散液；(5)取2mL CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至2mg mL—1的CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得2mg mL—1的CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；(6)向該納米復(fù)合物體系中通入NO，體系內(nèi)NO濃度梯度為0.05?2.5μΜ，選取NO濃度值數(shù)量為12個(gè)，測(cè)定體系的熒光發(fā)射光譜；(7)對(duì)體系的比率熒光強(qiáng)度(ICdTe/lCdSe即I6Q3/I532)與NO濃度進(jìn)行線性擬合，進(jìn)而得到基于該CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0034]實(shí)施例三:
[0035]雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法，詳細(xì)的制備步驟如下:(1)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為525nm，配置成質(zhì)量濃度為6mg mL—1的水分散液；(2)取5mL CdSe量子點(diǎn)水分散液與0.4g十六烷基三甲基溴化銨添加至“l(fā)OOmL乙醇+2mL蒸餾水+4mL氨水+0.8mL原硅酸四乙酯”的前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散lOmin，然后在室溫和磁力攪拌下反應(yīng)2h; (3)通過(guò)離心處理得到CdSe@Si02復(fù)合物，殼層厚度控制約為15nm，將其分散在“l(fā)OOmL乙醇+0.2mL3_氨基丙基三乙氧基硅燒”混合液中，在室溫下磁力攪拌反應(yīng)6h，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物，配置成質(zhì)量濃度為6mg mL—1備用；(4)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為620nm，配置質(zhì)量濃度為3mg mL—1的水分散液；(5)取2mL CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至2mg mL—1的CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得4mg mL—1的CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；(6)向該納米復(fù)合物體系中通入NO，體系內(nèi)NO濃度梯度為0.05?5.ΟμΜ，選取NO濃度值數(shù)量為12個(gè)，測(cè)定體系的熒光發(fā)射光譜；(7)對(duì)體系的比率熒光強(qiáng)度(ICdTe/lCdSe即I6Q3/I532)與NO濃度進(jìn)行線性擬合，進(jìn)而得到基于該CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0036]實(shí)施例四:
[0037]雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法，詳細(xì)的制備步驟如下:(1)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為520nm，配置成質(zhì)量濃度為6mg mL—1的水分散液；(2)取5mL CdSe量子點(diǎn)水分散液與0.4g十六烷基三甲基溴化銨添加至“l(fā)OOmL乙醇+2mL蒸餾水+4mL氨水+0.8mL原硅酸四乙酯”的前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散lOmin，然后在室溫和磁力攪拌下反應(yīng)2h; (3)通過(guò)離心處理得到CdSe@Si02復(fù)合物，殼層厚度控制約為15nm，將其分散在“l(fā)OOmL乙醇+0.2mL3_氨基丙基三乙氧基硅燒”混合液中，在室溫下磁力攪拌反應(yīng)6h，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物，配置成質(zhì)量濃度為6mg mL—1備用；(4)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為625nm，配置質(zhì)量濃度為4mg mL—1的水分散液；(5)取2mL CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至2mg mL—1的CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得5mg mL—1的CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；(6)向該納米復(fù)合物體系中通入NO，體系內(nèi)NO濃度梯度為0.0I?5.ΟμΜ，選取NO濃度值數(shù)量為15個(gè)，測(cè)定體系的熒光發(fā)射光譜；(7)對(duì)體系的比率熒光強(qiáng)度(ICdTe/lCdSe即I6Q3/I532)與NO濃度進(jìn)行線性擬合，進(jìn)而得到基于該CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0038]實(shí)施例五:
[0039]雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物NO比率熒光探針的制備方法，詳細(xì)的制備步驟如下:(1)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為545nm，配置成質(zhì)量濃度為8mg mL—1的水分散液；(2)取5mL CdSe量子點(diǎn)水分散液與0.5g十六烷基三甲基溴化銨添加至“l(fā)OOmL乙醇+2mL蒸餾水+5mL氨水+ImL原硅酸四乙酯”的前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散lOmin，然后在室溫和磁力攪拌下反應(yīng)2h; (3)通過(guò)離心處理得到CdSe@Si02復(fù)合物，殼層厚度控制約為20nm，將其分散在“l(fā)OOmL乙醇+0.2mL3_氨基丙基三乙氧基硅燒”混合液中，在室溫下磁力攪拌反應(yīng)6h，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物，配置成質(zhì)量濃度為8mg mL—1備用；(4)選取巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)，最大發(fā)射波長(zhǎng)為640nm，配置質(zhì)量濃度為5mg mL—1的水分散液；(5)取2mL CdTe量子點(diǎn)水分散液，在緩慢磁力攪拌下逐滴加至2mg mL—1的CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液中，制得5mg mL—1的CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物；(6)向該納米復(fù)合物體系中通入NO，體系內(nèi)NO濃度梯度為0.0I?ΙΟμΜ，選取NO濃度值數(shù)量為20個(gè)，測(cè)定體系的熒光發(fā)射光譜；(7)對(duì)體系的比率熒光強(qiáng)度(ICdTe/lCdSe即I6Q3/I532 )與NO濃度進(jìn)行線性擬合，進(jìn)而得到基于該CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
[0040]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:該探針的制備方法包括以下步驟: (1)采用巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，與硅烷劑反應(yīng)制得氨基表面功能化的CdSeOS12核殼復(fù)合物； (2)將巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)分散液滴加至步驟(I)所述核殼復(fù)合物體系中，制得CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物； (3)向步驟(2)所述納米復(fù)合物體系中通入NO，測(cè)定該體系的熒光發(fā)射光譜，擬合CdTe與CdSe雙量子點(diǎn)的比率熒光強(qiáng)度與NO濃度之間的線性關(guān)系，構(gòu)建基于CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:步驟(I)的具體方法是:首先，將巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)水分散液與配體交換劑添加至前驅(qū)體溶液中，在超聲波作用下分散后，在攪拌條件下反應(yīng)一定時(shí)間，提純得到CdSeOS12復(fù)合物;然后對(duì)CdSeOS12復(fù)合物的S12表面進(jìn)行-NH2改性，制得CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:所述配體交換劑為十六烷基三甲基溴化銨或兩親性表面活性劑。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:所述前驅(qū)體溶液為乙醇、蒸餾水、氨水和硅烷劑的混合液，乙醇、蒸餾水、氨水和硅烷劑的體積比為50:(0.5-1.5):(0.5-1.5): (0.1-1)， 所述硅烷劑為原硅酸四乙酯。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:步驟(I)中所述的CdSe量子點(diǎn)最大發(fā)射波長(zhǎng)為500?550nm，CdSe量子點(diǎn)表面S12殼層厚度為5?25nm06.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:步驟(2)中，巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)水分散液與CdSeOS12-NH2核殼復(fù)合物水分散液混合，制得CdSe@Si02-CdTe納米復(fù)合物。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:步驟(2)中所述的CdTe量子點(diǎn)最大發(fā)射波長(zhǎng)為600?650nm，CdTe量子點(diǎn)分散液的質(zhì)量濃度為I?5mg mL—1O8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針，其特征在于:步驟(3)中所述的體系中NO濃度范圍為0.0I?ΙΟμΜ，線性擬合時(shí)選取的NO濃度值數(shù)量為8?20個(gè)。9.權(quán)利要求1所述雙量子點(diǎn)納米復(fù)合物一氧化氮比率熒光探針的制備方法，其特征在于包括以下步驟: (1)采用巰基丙酸穩(wěn)定的CdSe量子點(diǎn)，與硅烷劑反應(yīng)制得氨基表面功能化的CdSeOS12核殼復(fù)合物； (2)將巰基丙酸穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)分散液滴加至步驟(I)所述核殼復(fù)合物體系中，制得CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物； (3)向步驟(2)所述納米復(fù)合物體系中通入NO，測(cè)定該體系的熒光發(fā)射光譜，擬合CdTe與CdSe雙量子點(diǎn)的比率熒光強(qiáng)度與NO濃度之間的線性關(guān)系，構(gòu)建基于CdSeOS12-CdTe納米復(fù)合物的NO比率熒光探針。
【文檔編號(hào)】B82Y20/00GK105885849SQ201610327503
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年5月17日
【發(fā)明人】孫捷, 李娜, 王曉靜, 王兵, 孫敬勇, 吳忠玉, 劉騰, 李慧娟, 李玲, 秦桂芝, 徐彩云
【申請(qǐng)人】濟(jì)南大學(xué)